SU1599448A1 - Способ выращивани эпитаксиальных слоев - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано дл  выращивани  эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретени  - сокращение времени выращивани  и повышение эффективности осаждени . Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15°С и последовательное приведение подложки в контакт с каждой порцией раствора-расплава. Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позвол ет не менее чем в 4 раза сократить врем  выращивани  слоев и более чем в 2 раза повысить эффективность осаждени . 2 табл.

Description

(21)4443902/31-26

(22)20.06.88

(46) 15.10.90. Бкш. 38

(71)Московский институт тонкой ХИ-. мической технологии

(72)Р.Х. Акчурин, В.А, Жегалин и В.В. Уфимцев

(53). 621..315,592(088.8)

(56)Ksieh I.I, Thickness and surface morfology of GaAs LPF, layers

grown by supercoolinK, step-cooling, equilibrium cooling and twophase solution techniques.- I.Cryst.Rrowth, 1974, V. 27, ff 1, p. 49-61. (54) СПОСОБ ВЫРАПШВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬ- НЫХ СЛОЕВ

(57)Изобретение относитс .,к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано дл  вьфащи- вани  эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретени  - сокращение времени выращивани  и повышение эффективности осажде-г ни . Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15 С и последовательное приведение подложки в контакт с каждой порцией раствора-расплава . Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позвол ет не менее чем в 4 раза сократить врем  вьфащивани  слоев и более чем в 2 раза повысить эффективность осаждени , 2 табл.

с

е

Изобретение относитс  к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано дл  выращивани  эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эгштаксии.

Цель изобретени  - сокращение времени выращивани  и повьшение эффективности осаждени .

Пример. Исходную шихту - массой 12 г, .содержащую 98,5 мол.% In и 1,5 мол.% InAs, помещают в  чейку графитового контейнера пеналь- ного типа. Контейнер имеет набор слайдеров, позвол ющих раздел ть раствор-расплав на равные порции. Две подложки InAs, ;ориентированные в направлении /III/, располагают в графитовом слайдере. Слайдер вставл ют в контейнер, который помещают . в горизонтальный кварцевый реактор

(Л

с

Реактор герметизируют, продувают очищенным водородом и нагревают до температуры 823 К, При этой темпе- ратуре осуществл ют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после чего снижают температуру до 773 к (температура насыщени  раствора-расплава ) и осуществл ют контакт раст- вора-расплава с первой подложкой .InAs. После проведени  подпитки pact-, вора-расплава контакт с первой подложкой прерьшают и с помощью специальных слайдеров раздел ют раствор- - расплав на п ть равных порций. Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществл ют последовательный К9нтакт второй подложки InAs с каждой порцией раствора-расплава. Врем  контакта с каждой порцией 3 мин.

СЛ

30

Затем снижают температуру до комнатной , разгружают реактор и определ ют толщину вьфостего сло  InAs, котора  составл ет 9 мкм.

Толщины и эффективность осаждени  слоев, полученных при различных услови х .выращивани , представлены в табл. 1 и 2 соответственно.

Эффективность осаждени  определ ют по соотношению

,Kc-ioo%,

где d - толщина выращенного сло , мкм;

максимально возможна  расчётна  толщина сло  при полном сн тии пересьпдени , мкм.

Как видно из табл.1 и 2, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позвол ет не менее чем в 4 раза сокра /ммкс

тить врем  выращивани  слоев и более

чем в 2 раза повысить эффективность

осаждени .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ вьфащивани  эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, переохла адение его относительно температуры равновесной кристаллиза1щи на и последующее приведение в контакт с подложкой , отличающийс  тем, что, с целью сокращени  времени вьфащивани  и повышени  эффективности осаждени , после приготовлени  раствора-расплава его раздел ют на порции и контакт осуществл ют последовательно . с каждой порцией раствора-расплава .

   Таблица 1

   60

   4,8

   1 5

   1 5

   1 5

   Таблица 2