SU1550436A1 - Способ определени диэлектрической проницаемости материалов - Google Patents
Способ определени диэлектрической проницаемости материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1550436A1 SU1550436A1 SU864164031A SU4164031A SU1550436A1 SU 1550436 A1 SU1550436 A1 SU 1550436A1 SU 864164031 A SU864164031 A SU 864164031A SU 4164031 A SU4164031 A SU 4164031A SU 1550436 A1 SU1550436 A1 SU 1550436A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- angle
- incidence
- reflected radiation
- angles
- dielectric constant
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерению электрических параметров материалов, в частности к измерению диэлектричесой проницаемости. Целью изобретени вл етс повышение точности. Способ заключаетс в том, что плоскую поверхность диэлектрического материала облучают СВЧ-излучением переменной частоты, пол ризованным в плоскости падени , с гаусовым распределением мощности по сечению пучка, регистрируют отраженное излучение под двум углами, один из которых больше, другой меньше угла падени , угол Брюстера определ ют по наличию отраженного излучени равной интенсивности при двух углах регистрации и, исход из величины угла Брюстера, вычисл ют диэлектрическую проницаемость. 1 ил.
Description
Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике н может быть использовано дл неразрушающего контрол диэлектрической проницаемости материалов в химической, радиотехнической и т.д. промышленности.
Цель изобретени - повышение точности измерений.
На чертеже показана блок-схема устройства дл реализации предлагаемого способа.
Сущность способа состоит в том, что провод т облучение контролируемого материала электромагнитной СВЧ волной переменной частоты, последовательно измен ют угол папени , регистрацию отраженного излучени и определение угла Брюстера, по которому вычисл ют диэлектрическую проницаемость . Причем облучение контролируемого материала производ т гауссовьм СВЧ пучком, пол ризованным параллельно плоскости падени , отраженное излучение одновременно регистрируют под двум углами, один из которых больше, а другой меньше угла падени , а угол Брюстера Ликсируют по наличию отраженного излучени равной интенсивности при двух углах приема. Волна основного типа лучевода имеет гауссово распределение напр женности электрического пол в поперечном сечении лучевода . При падении таких пучков конечной апертуры или аналогичных им на границу раздела двух материалов наблюдаетс р д эсЬфектов, отличных от случа падени плоской волны, а именно продольное и боковое смешение СВЧ
сл
СП
о
Јь СО 6Э
пучка, распространение отраженного пучка под углом, не равным углу падени , расщепление отраженного пучка на два пучка и т.д. Указанные эффектынаиболее сильно сказываютс при внутреннем отражении и исключение при проведении измерений приводит к дополнительной погрешности.
Данный способ измерений диэлектри- ческой проницаемости позвол ет у читывать параметры зондирующих СВЧ пучков и, более того, основан па эффекте расщеплени отраженного пучка на два пучка, распростран ющихс по/т углами Доб относительно угла падени . изи- чески данный эффект объ сн етс тем, что пучки СВЧ волн (например, с гауссовым распределением) можно рассматривать как суперпозицию набора плос- ких волн различных амплитуд и направлений . Поскольку амплитуда и Лаза отраженной плосковолновой компоненты завис т от угла падени , т.е. дл разных компонент различны, отражен- ный пучок может распростран тьс под углом, отличным от угла падени . Если угол падени СВЧ пучка, пол ризованного параллельно плоскости падени , равен углу Брюстера после отра- жени формируютс два пучка, распростран ющихс поп; углом j;koi,K углу Брюстера. Таким образом, показано, что величина Д об определ етс следующим соотношением:
, -$2 JR(sintfp)/ coso4 g ,. 100 - K,W0 (K1W0)r/R(sinoie)/ U
/Р(«
где о(.в - угол Брюстера;
К, - волновое число в первой среде;
2W0 - ширина пучка;
siting)/ - производна от модул ко- эФФипиента отражени по sinoi.
Такт образом, анализиру распределение электромагнитного пол отраженной СВЧ волны, угол Брюстера с вы- сокой степенью точности можно зафиксировать по возникновению двух отраженных пучков .
Q 5 0 5 0
5
0
45
д
Устройство содержит автоматический свип-генератор 1 , блок 2 питани генератора, волноводно-лучевой переход 3, пол ризатор 4, излучающую 5 и приемные 6 и 7 антенны в виде открытых концов лучеводов, волноводно-лучевые переходы 8 и 9, приемники 10 и И излучени , компаратор 12 и диэлектрическую призму 13. Контролируемый материал 14 устанавливают на основание призмы 13.
Способ осуществл ют следующим образом .
Пучок электромагнитных линейно-пол ризованных параллельно плоскости падени электромагнитных волн переменной частоты направл ют под углом на контролируемый материал через диэлектрическую призму. Измен ют угол падени и регистрируют отраженное излучение одновременно под двум углами , один из которых меньше, а другой больше на 1 - 5° угла падени . Угол Брюстера Фиксируют по наличию отраженного излучени равной интенсивности при двух углах приема и по известным соотношени м вычисл ют диэлектрическую проницаемость.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ определени диэлектрической проницаемости материалов, заключающийс в том, что плоскую поверхность исследуемого материала облучают электромагнитной СВЧ-волной переменной частоты, последовательно измен ют угол падени , регистрируют отраженное излучение и определ ют угол Брюстера, исход из величины которого вычисл ют диэлектрическую проницаемость,о т- л и ч а ю щ и и -с тем, что, с целью повышени точности измерений, облучение материала производ т СВЧ гауссовым пучком, пол ризованным параллельно плоскости падени , отраженное излучение одновременно регистрируют под двум углами, один из которых больше, а другой меньше угла падени , а угол Брюстера определ ют по наличию отраженного излучени равной интенсивности при двух углах приема.w
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864164031A SU1550436A1 (ru) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Способ определени диэлектрической проницаемости материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864164031A SU1550436A1 (ru) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Способ определени диэлектрической проницаемости материалов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1550436A1 true SU1550436A1 (ru) | 1990-03-15 |
Family
ID=21273899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864164031A SU1550436A1 (ru) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Способ определени диэлектрической проницаемости материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1550436A1 (ru) |
-
1986
- 1986-11-17 SU SU864164031A patent/SU1550436A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Горшков М.М. Эллипсометри . N.: Советское Радио, 1974, с. 154-156. Авторское свидетельство СССР № И 93459, кл. G 01 В 11/06, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2298197C2 (ru) | Устройство и способ определения по меньшей мере одного физического параметра вещества с помощью микроволн | |
Rogers et al. | Optical system for rapid materials characterization with the transient grating technique: Application to nondestructive evaluation of thin films used in microelectronics | |
James et al. | A microwave method for measuring moisture content, density, and grain angle of wood | |
US4634963A (en) | Method and apparatus for the testing of dielectric materials | |
US5039949A (en) | RF absorber test system | |
CY1108198T1 (el) | Μη καταστρεπτικη δοκιμη διηλεκτρικων υλικων | |
SU1550436A1 (ru) | Способ определени диэлектрической проницаемости материалов | |
DE69108563D1 (de) | Methode und vorrichtung zur messung der minoritäts-ladungsträgerlebensdauer in halbleitermaterialien. | |
CN108680500A (zh) | 一种小型化的太赫兹时域光谱仪装置及分析方法 | |
US2633017A (en) | Method of detecting an electrical twinning boundary in crystals | |
SU1758530A1 (ru) | Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов | |
SU1116301A1 (ru) | Устройство дл контрол толщины пленок | |
CN113791035B (zh) | 一种激光探伤装置及激光探伤方法 | |
Barbano | Phase center distributions of spiral antennas | |
SU1725073A1 (ru) | Способ определени шероховатости поверхности | |
RU2092874C1 (ru) | Способ обнаружения предметов в земле и устройство для его осуществления (варианты) | |
SU623145A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол механической анизотропии диэлектрических материалов | |
SU1631472A1 (ru) | Способ определени электрической прочности мусковита | |
SU1264052A1 (ru) | Способ определени глубины залегани расслоений в диэлектрических материалах | |
SU1635149A1 (ru) | Способ измерени амплитудно-фазового распределени пол антенны и устройство дл его осуществлени | |
Dupont et al. | Generation and Detection of Ultrasound Waves by Laser. Application to Non-Destructive Control | |
SU1737366A1 (ru) | Способ контрол анизотропии диэлектрической проницаемости диэлектрика | |
Campbell et al. | Attenuated direct and scattered wave propagation on simulated land mobile satellite service paths in the presence of trees | |
JP3832061B2 (ja) | 超音波寸法測定装置 | |
SU1657952A1 (ru) | Эллипсометрический способ измерени рассто ни или плоскостности |