SU1426352A1 - BILATERAL DIELECTRIC STRUCTURE AND METHOD FOR ITS OBTAINING - Google Patents

Abstract

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.1. A two-layer dielectric structure on a germanium substrate consisting of an upper layer of silicon nitride and an intermediate layer, characterized in that, in order to improve the electrical properties of the germanium-dielectric interface by reducing the density of surface states, the intermediate layer is made of germanium oxynitride. A method of obtaining a two-layer dielectric structure on a germanium substrate, including oxidation of the germanium substrate at 820–870 K for 5–60 min, deposition of a layer of silicon nitride, characterized in that after oxidizing the germanium substrate, the structure is annealed in ammonia at 900–1000 K and atmospheric pressure for 10 to 50 minutes.