SU1211825A1 - Способ корпускул рного облучени подложки и устройство дл его осуществлени - Google Patents

Abstract

1. Способ корпускул рного облучени  подложки, включающий обработку поверхности электронным пучком , структурированным в соответствии с рисунком, отличающийс  тем, что, с целью повышени  скорости обработки, структурирование пучка осуществл ют путем проекционного экспонировани  на подложку рисунка, набранного установкой электрических и/или магнитных полей в запоминающем устройстве. (Л N0

Description

2.Способ по п,1, о т л и ч а ю- И и и с   тем, что набор рисунка н запоминающем устройстве осуществл ют одновременно с экспонированием,

3.Устройство дл  корпускул рного облучени  подложки, состо щее из первых электронно-оптических средств и содержащих последовательно установленные излучатель, элементы формировани  и фокусировки пучка и уста овленных на той же оси вторых электронно-оптических средств, содержащих элементы отклонени  и фокусировки , отличающее с  тем, что, с целью повьгашни  скорости обработки, в него введены

1

Изобретение относитс  к способу матричной перезаписи любой заданной информации (рисунка) в первой плоскости (в плоскости пол ) и передачи загшсанной информации носителю энергии (электронному пучку), которой создают рисунок Б плоскости облучени  (мишени), представл ющий собой изображение (репродукцию) заданного рисунка. Способ может быть применен в корпускул рно-лучевых приборах дл  обработки издели , j частности в электронно-лучевых прибора дл  нетермической обработки полу- проводниковЕ 1х пластин.

Известен способ дл  электронного облучени , при котором рисунок перезаписан в виде шаблона, который равномерно облучаетс  электронами и при помощи электронно-оптической системы проектируетс  на мишень (H.Koops, Optic 36 (1972) с.93, М.Е.Heritage, Т. Vac. Sei 12 (1975) с, 1135).

Шаблон на местах, соотвв т ствующи необлучаемым област м мишени,  вл етс  непроницаемым дл  электронов , в то врем  как в местах, соответствующих облучаемым област м мишени, снабжен отверсти ми, положени  и форма которых соответствует рисунку. Однако из-за относительног многообрази  возможных рисунков способ не  вл етс  универсальным.

третьи опт ические средстна установленные на оптической оси пер- пендикул рнор первой, и содержащие элементы фокусировки отклонени , диафрагму и электронное зеркало,,

4. Устройство по п 3,, о т л и- чающеес  тем, что электронное зеркало выполнено в виде по- верхности с потенциальным рельефом,

5. Устройство по п,3, о т л и - чающеес  тем, что электронное зеркаловьсюлнено звиде поверхноти , содержащей рассеивающие и отражающие элементы,устанавливаемые в соответствии с экcпoниpyeмIJIM рисунком.

2

В другом способе, описанном в пат,ГДР № 126А38,, кл. Н 09 J 37/30, 1977 г.,рисунок мозаично разлагают преимущественно в пр моугольные

элементы поверхности различной формы и величинЕ-,, и данные, описывающие положение 5 форму и величину элементов поверхностиj путем установки отклон ющих полей последовательно воздействуют на электронный пучок ,

К недостаткам этого способа относитс  то, что на основании конечной скорости передачи данных цифроаналогового преобразовател  и отклонени  пучка возникают простои, в течение которых мишень не облучаетс . Сумма времени этих простоев устанавливает верхнюю границу производительности ,, которую нельз  улучшить даже повышением чувствительности облучаемого лака,,

Yic этой причине был предложен способ, известный под названием

Character projection пат. ГДР № 128/436, кл, Н 01 J 37/30, 1977г, пункт формулы изобретени  11 M.C.Pfeiffer,, С.О. Langner 8-th IntiConf. on Electron and Ion

Beam Science and Technology p.893, Electroch Soc„Prenoeton 1978), при котором форма и размеры сечений пучка устанавливаетс  так, чтобы и в случае образовани  наклонных а

3

круговых фигур достичь более высоко рабочей скорости по сравнению с точечным методом, при котором изменение формы пучка ограничено. Несмотр  на улучшение, св занное с расширением типа рисунков, производительность способа невысока.

Цель изобретени  -повьш)ение скорости обработки.

В основу изобретени  положен способ и соответствующее устройство, сообщающее любую заданную информацию (рисунок) носитель энергии (электронному пучку) таким пространственно-временным образом, чтобы при взаимодействии носител  энергии с мишенью (лаковый слой на полупроводнике ) возникала структура, предстанл кица  собой точное изображение (репродукцию) заданного рисунка . При этом должна достигатьс  крайне высока  скорость обработки, зависима  от чувствительности облучаемого лака и независима  от облучаемого рисунка на чипе, несмотр  на то, имеютс  ли при этом фигуры со скошенными кромками, дугообразной формы и т.п., и несмотр  на количество таких фигур.

Согласно способу корпускул рного облучени  подложки, включающему обработку поверхности электронным пучком, структурированным в соответствии с рисунком, структурирование пучка осуществл ют путем проекционного экспонировани  на подложку рисунка , набранного установкой электрических и/или магнитных полей в допЪлнительном устройстве.

При этом набор рисунка в запоминющем устройстве может осуществл тьс  одновременно с экспонированием.

Область записи в запоминающем устройстве, контактированна  полем излучени , в общем случае превышает рисунок, перенодимый электроным пучком на подложку, при этом перва  в состо нии облучени  контактирует с пучком, в то врем  как друга  в состо нии накоплени  взаимодействует с внешним устройством подготовки данных и не контактирует с пучком.

fljfii осуществлени  предлагаемого способа в устройстве дл  корпускул рного облучени  подложки, состо щем из первых электронно-оптических средств и содержащих последовательно установленные излучатель

1825

элементы формировани  и фокусировки пучка и установленных на той же оптической оси, а также вторых электронно-оптических средств и

5 содержащих элементы отклонени  и фокусировки, введены третьи электронно-оптические средства, установленные на оптической оси, перпендикул рной первой, и содержащие эле0 менты фокусировки отклонени , диафрагмы и электронное зеркало.

Согласно изобретению электронное зеркало выполнено в виде поверхности с потенциальным рельефом или в

5 виде поверхности, содержащей рассеивающие и отражающие элементы, устанавливаемые в соответствии с экспонируемым рисунком.

Электронный пучок, произведенный

0 первыми электронно-оптическими средствами и предварительно формованный, отклон етс  отклон ющей призмой в направлении второй оптической оси, где он формируетс  в поле излу5 чени , направленное на электронное зеркало, и фокусируетс .

Названное поле излучени  после повторного вь1хода из электронного зеркала структурировано согласно

Q рисунку и при прохождении обратного пути оно отклон етс  отклон ющей призмой в направлении первой оптической оси, где через отклон ющий объектив проектируетс  на подложку . Взаимодействие электронов с накопителем пол  может состо ть в рассеивании на потенциальном рельефе , образованном от топографии поверхности зеркала и приложенного пол  или в отражении, или поглощении в зависимости от потенциала соответствующего электрода.

На поверхности электронного зеркала могут располагатьс  две или несколько систем электродов описанного типа, которые могут параллельно зар жатьс  по времени. Далее дл  экранировани  рассе нного излучени  в фокусе электронного зеркала может располагатьс  диафрагма.

Между электронным зеркалом и диафрагмой находитс  отклон юща  система .

Через поверхность электронного 5 зеркала проходит поверхность раздела , на одной стороне которой ра з- мещены электронно-оптические средст-( ва. проектирующие поле излучени ,об5

0

5

$

разованное конденсаторной системой и отклоненное через магнитную призму , на поверхность электронного зеркала . На последнем электроны пол  излучени  в зависимости от потенциала накопительных электродов (например О или 10 В по отношению к потенциалу катода) отражаютс  или поглощаютс . Далее структурированное электронно-оптическими средствами поле излучени  по обратному пути через отклон ющую призму и отклон ющий объектив проектируетс  на мишень.

На другой стороне поверхности раздела может находитьс  управл юща  электронна  система, устанавливающа  на накопительных электродах , подвергнутых воздействию пол  излучени , потенциал, соответствующий облучаемому рисунку, и на накопительных электродах, не подвергнутых воздействию пол  излучени , потенциал, предписанный управл ющей программой.

Отклон ющий объектив, задача которого ограничена проектированием структурированного пол  излучени  на плоскость машины, может перемещатьс  по шагам длины грани формованного пол  излучени , благодар  чему увеличиваютс  размеры обрабатываемого рисунка.

Управление облучением ограничиваетс  шаговым отклонением субпо- пей в плоскости мишени и в плоскости матрицы накопител  пол .

При этом допускаютс  большие времена установлени , что существенно не вли ет на производительность, поскольку врем  облучени  мишени может быть относительно продолжительны ( например, 100 мкс) из-за больших размеров обработки (например, 100-100 мк ), а интенсивность пучка в структурированном поле излучени  из-за отфильтровывани  рассе нного излучени  антидиффузиной диафрагмы мала. Поэтому при применении изобретени  не возникает проблем , св занных с действием пространственного зар да и кратковременными скоплени ми тока.

Кроме того, имеетс  возможность вьтолнить оптические средства по типу дисперсионной оптики на основе квадрупольных систем, содержащих отклон ющие системы и цилиндричес

6

5

кие линзы, что дает преимущества дл  электронно-оптического взаимодействи  и дл  юстировки. При этом возможна фокусировка электронного 5 пучка на матрицу накопител  пол  его отклонени  растровым образом, так что получаетс  другой вид управл емого воздействи  на матрицу накопител  пол , который, например,

0 может быть применен дл  коррекций, информации, накопленной на матрице пол , с произвольной выборкой накопительных электродов.

На фиг.1 показано электронно5 оптическое устройство, использующее перезапись в виде шаблона; на фиг.2 - то же, использующее плоское структурирование луча; на фиГс,3 - то же, согласно изобретению.

0 Как представлено на фиГо1, структурирование пол  излучени  4, производитс  шаблоном 12. Дл  этого шаблон 12 освещаетс  пухжом лучей 2 от кроссовера излучател  1, главные лучи которого при помощи кон- денсорной линзы 3 перед этим направлены параллельно оптической оси. Шаблон состоит , например, из опорной сетки тонких перемычек, матрич0 но подраздел ющих поверхность шаблона в  чейки. Например, - чейки на местах 10 и 11 имеют металлическое покрытие и непроницаемы дл  электронов , в то же врем  в остальных

5 местах проницаемы дл  электронов. Структурированное таким образом поле излучени  через .линзу 5 отклон ющим объективом 6 проектируетс  на плоскость мишени 7 с целью облучени 

0 наход щегос  на ней лакового сло . Дл  того, чтобы это происходило с высокой плотностью тока и без аберраций кроссовер излучател  1 через линзы 3 и 5 проектируетс  на

5 входной зрачок 8 отклон ющего объектива 6.

Длительность облучени  составл ет в зависимости от величины переданного пол  излучени ,например,

0 1 миллисекунду, и дл  этой длительности потенциал выт гивающего электрода на излучателе 1 установлен так, что ток пучка соответствует, например, 100 мкА. При помощи от5 клон ющей системы 9 можно перемещать изображение шаблона 12 на мишени , так, чтобы одним и тем же рисунком облучить и другие области

7

мишени. Из-за относительно долгого времени облучени  (1 миллисекунда) и короткой длительности (например, 1/100 миллисекунды) шага отклонени  при переходе от облученной к еще необлученной области отключени  тока пучка не требуетс .

Однако при смене рисунок шаблона необходимо заменить соответственно вьтолненньгм другим шаблоном, что приводит к простою, в течение которого облучение не производитс .

Дл  того, чтобы создавать измен емые рисунки облучени  и с высокой скоростью, бьшг предложено, как представлено на фиг.2, воздействовать на поле излучени  .электрической или магнитной силой с целью изменени  его формы .и величины . Рисунок в соответствии с устанавливаемыми преимущественно пр моугольными сечени ми пучка мозаично раздел етс , и облучение производитс  согласно соответствующей управл ющей программе, задающей положение, форму и величину импульсов тока на мишени. Так как мозаичное облучение производитс  последовательно, отдельное облучени должно быть очень коротким (1 микросекунда ) , и тем самым  вл етс  незн чительньгм по сравнению с временем установки от1$лон ющих систем. Поэтому необходима манипул ци  интенсивностью электронного луча, вызывающа  простой и ограничивающа  производительность.

Поле излучени  ограничиааетс  двум  угловыми диафрагмами 19 и 16 так, что перва  углова  диафрагма 19 через обе конденсаторные линзы 3 и 5 отображаетс  в плоскость второй 16, где его изображение 14 занимает дополнительное положение относительно угловой диафрагмы 16. Положение изображени  определ етс  напр женностью пол , созданной отклон ющей системой 18, так что ее модул цией в конце концов управл ютс  форма и величина сечени  пучка в плоскости мишени 7. Плоскости первой угловой диафрагмы 19 и второй угловой диафрагмы 16 оптически сопр жены относительно плоскости мишени 7.

Отклон ющее действие отклон кнцей системы 18 на поле излучени  осуществл етс  симметрично промежуточному изображению 13 кроссовера, так

11823

что положение его промежуточного i изображени  в плоскости 8 входного зрачка отклон ющего объектива 6 в случае изменени  формата остаетс  5 неизменно.

Электронный пучок гаситс  тем, что В отклон ющей системе 17 создаетс  напр женность пол , вывод ща  его из отверсти  гас щей диаф- 10 рагмы 15.

На фиг.З представлен пример осуществлени  способа в соответствии с изобретением, использующий принцип плоского пучка, представленного на )5 фиг.2. Отклон юща  система 18 дл  управлени  форматом фиг.2 здесь заменена магнитной отклон ющей призмой 20, котора  отклон ет поле излучени , предварительно формованное 2Q угловой ди&фрагмой 19, из оптической оси первой оптической системы, состо щей из излучател  1 и конденсора 3, на 90 в оптическую о.сь третьей оптической системы. Она сос- 25 тоит из конденсорных линз 21 и 22, а также из электронного зеркала 24.

Втора  оптическа  система, об- р зованн   конденсорной линзой 5 и отклон ющим объективом 6, отклон юща  система 9 которого служит дл  перемещени  пол  излучени  на мишени, индентична оптической системе (фиг.2), наход щейс  под отклон ющей системой формата 18, причем система гашени  17 и гас ща  диафрагма 15 опущены, так как в

функции этих узЛов во врем  процесса облучени  внутри рабочего пол  больше не нуждаютс . Вместо этого в третьей оптической системе установ- лены отклон юща  система 25 и антидиффузный экран 26 в плоскости промежуточного зрачка 23. Втора  углова  диафрагма 16 (фиг.2) переведена в третью оптическую систему и обоз- начена 27. Функци  отклон ющей системы 17 во взаимодействии с диафрагмой 15 (фиг.2) в качестве запирани  пучка возможна благодар  отклон ющей системе 28 во взаимодействии с 50 экраном 26.

Устройство работает следующим образом.

После того как пучок лучей от , кроссовера излучател  1 впервые был 5 ограничен угловой диафрагмой 19, он конденсором 3 асимтотически фокусируетс  на середину отклон ющей призмы 20. Магнитное поле отклон ю30

, 9

щей призмы создаетс  двум  полюс- нымн наконечниками с круглым поперечным сечением, расположенньти в направлении, перпендикул рном оси, и соединенных магнитной цепью, расположенной против третьей оптическо системы и несущей обмотку возбуждени . Лучи пучка вход т преимуществено ортогонально боковой поверхности полюсного наконечника и так же выход т , искривл   траекторию под действием магнитного пол . Возбуждение магнитного пол  происходит так, чтобы угол между падающим и выход щим лучами был преимущественно 90 . Линзы 3 и 21 составл ют телескопическую систему. Углова  диафрагма 1 9 проецируетс  в плоскость угловой диафрагмы 27, где она занимает дополнительное положение.

Угловые диафрагмы 19 и 21 установлены так, чтобы поле излучени , сформированное ими в плоскости уг ЛО1ЮЙ диафрагмы 27, имело преимущественно квадратное поперечное сечение. Однако можно установить и другие формы пол  излучени  с пр моугольным сечением пучка, ввод  электрический плоский конденсатор в зазор полюсного наконечника отклон ющей призмы, напр женность электрического пол  которого направлена параллельно напр женности магнитного пол  и обе напр женности пол устанавливаемы.

Линза 22 должна проектировать сформированное поле излучени  на поверхность электронного зеркала 24. Последнее расположено так, чтобы в фокусе электронног о зеркала в плоскости 23 возникло проме жуточное изображение кроссовера, поэтому лучи падают ортогонально поверхности зеркала и в случае идеального электронного зеркала после отражени  возвращаютс  по тому же пути. Если поверхность зеркала неоднородна, то при отражении возникает угловой разброс, ухудшающий разрешающую способность зеркального изображени  в св зи с зтим в фокальной плоскости 23 электронного зеркала установлен антидиффузный экран 26, Он юстирован так, чтобы промежуточное изображение кроссовера пучка лучей по пути туда было расположено в отверстии экрана 26,

Если поверхность зеркала однородна , то остаетс  однородной и ин1182510

тенсивность в поле излучени , и на обратном пути в плоскост х 27 и 14 оп ть возникает промежуточное изображение формованного пол  изс лучени , которое отклон ющим объективом 6 передаетс  на мишень 7.

Если- поверхность зеркала неоднородна , например, вследствие царапин , то вокруг царапин образует1 (1 с  потенциальный рельеф, привод щий к соответствующей неоднородности интенсивности в поле излучени . Вследствие большого рассе ни  на царапине она в изображении элект11 ронного зеркала на плоскости мишени  вл етс  темной на светлом фоне. С целью репродукции определенного и жесткого рисунка поверхность зеркала можнтэ топографически препари2Q ровать в виде шаблона, причем дл  этого не требуетс  опорной сетки, при этом поверхности можно придать свойства, при которых в област х, соответствующих местам шаблона, про2i; ницаемым дл  электронов, электронное зеркало будет мало рассеивать, т.е. почти идеально отражать, и в област х,соответствующих местах,шаб- лонах непроницаемымдл  электронов, электронное зеркало будет сильно рассеивать , и вследствие отфильтровыва- ни  антидиффузным экраном 26 будет казатьс  почти черным. Напр женность электрического пол , созданного в отклон ющей системе 25, пере - мещает поле излучени  в плоскости поверхности электронного зеркала. Это перемещение на обратном пути оп ть аннулируетс , так что при модул ции отклон ющей системы 25 на

краю пол  излучени , неподвижном на плоскости мишени и определенном угловыми диафрагмами 19 и 27, перемещаетс  структура пол  излучени  относительно кра . Так как незави 5 симо от этого можно установить и формат пол  излучени , предлагаемое устройство может charakter projection. Кроме того, в предлагаемом устройстве электронное зер50 кало может быть сконструировано в виде суперортикона, и поле излучени  светооптически проецируетс  на заднюю сторону электронного зеркала. Последнее на внутренней поверхности

5.) электронного зеркала преобразовываетс  в зар дное изображение,потенциальный рельефкоторого приотражении воздействует наполе излучени .

30

11

Поверхность электронного зерка по типу матриц может быть покрыт большим количеством электродных пластинок (например, площадью 8-8 мк в рассто ни х, например, 2 мк), разделенных резистивньм слем (обзорна  стать  К.Гозера и - Г.-Йо.Пфлейдерера, Электроник, 1974, № 1, с.З). Электроды св заны с наход щимс  под ними полупро водниковым накопителем и к ним может быть приложено напр жение, наример , величиной О или 10 В. Взаимодействие этой матрицы накопител  пол  теперь заключаетс  не в рассе нии отраженных электронов, в отражении или поглощении этих электронов, в зависимости от прилагаемого потенциала электрода марицы относительно потенциала катод

Врем  зар да может находитьс  пределах миллисекунд, а разделение всей матрицы накопител  пол  на отдельные (например, дев ть) субпол  осуществл етс  пут«м от- клонени  луча отклон ющей системой 25, Первое субполе матрицы накопител  пол  контактирует с поле запоминающего устройства. Каждое субполе контактирует с внещним устройством подготовки данных (наход тс  в состо нии зар дки).

Субполе матрицы запоминающего устройства пол  содержит, наприме 1000-1000 электродов на поверхнос площадью 10-10 мм.

В результате этого режима работы можно избежать простоев.между облучени ми во врем  процесса облучени  в рабочем поле, например, мм . Оно независимо от рисунка облучаетс  за 1 с, если величина субполей на мишени составл2

ет 100-100 мк и облучение одного субпол  составл ет 100 микросекун Если врем  зар да одного субпол  матрицы накопител  пол  ниже 1 милисекунды , необходима  чувствителность лака зависит уже только от ка пучка S в поле излучени  (субп ле) на мишени

q кулон(ов) SA , В результате углового разброса на матрице запоминающего устройства пол  и отфильтровывани  антидиффуным экраном ток, проход щий по направлению к мишени во второй оптической системе, меньше тока, эм тированного излучателем в первой

j ю 15 20

25

50

55

30

35

40

45

H2S12

оптической системе. Это приводит к потере, компенсируемой увеличением чувствительности лака. Поэтому про- изводительность электронно-лучевого устройства дл  облучени , действующего согласно изобретению, зависит от чувствительности лака.

Электронно-оптические узлы (фиг.З) имеют символический характер, и их реализаци  возможна не только в рамках предлагаемой схемы.

Вместо электронного зеркала с искривленной поверхностью может быть применено зеркало и с плоской поверхностью. Введением промежуточного электрода (электрода Венельта) между поверхностью зеркала (катодом ) и анодом также можно получить действительньБ фокус перед анодом. Плоский катод облегчает технологическую реализацию матрицы накопител  пол , изготавл емой литографическим образом.

Сечение полюсного наконечника отклон ющей призмы не должно быть об зательно кругообразным. В литературе (R.Castaing L.Henry, Jour. Micr.3(1964) pp.133) описаны и другие формы, причем торцовые поверхности отклон ющей призмы наклонены относительно соответствующих осей, что обеспечивает стигматическое изображение угловых диафрагм дл  установки формата пол  излучени , а также изображение антидиффузного экрана (зрачка).

Требование стигматического изображени  должно выполн тьс  только со стороны электронного зеркала и отклон ющего объектива, так что возможно и применение квадруполь- ньгх систем, например, вместо обеих линз 21 и 22, которое облегчает юстировку изображени  кроссовера на отверстие антидиффузного экрана. Квадрупольные системы могут содержать отклон ющие системы и цилиндрические линзы.

В св зи с этим юстировки пучка лучей на плоскость входного зрачка 23 электронного зеркала и на входной зрачок 8 отклон ющего объектива можно проводить независимо друг от друга. С этим св зано перемещение изображени  кроссовера по направлению к поверхности зеркал а, так что возможна и фокусировка пол  излучени  на электрод матрицы накопител  пол .

13

Кроме того, юстировки формы и структуры пол  излучени  можно проводить независимо -друг от друга и без перерывов работы, неизбежных при механическом перемещении пластины , однако не обусловленных электронно-оптическими и электронными  влени ми. Пучок гаситс  тем, что электронный пучок, эмиттиро- ванный излучателем и фокусированный на отверстие антидиффузионного экрана перед ним отклон етс  отклон ющей системой 28. Антидиффузный экран 26 следовательно имеет и функцию гас щей диафрагмы.

Так как ограничение пол  излучени  и зрачка во второй оптичес5

1211825

кой системе, в которой находитс  отклон ющий объектив, производитс  проекцией от диафрагм, наход щихс  в третьей оптической системе, нет необходимости в установке диафрагмы , ограничивающей пучок, во вторОР оптической системе „ Это улучшает вакуумирование и упро- шает содержание в чистоте вакуумной трубки, В области первой и прежде всего третьей оптической системь возможно поддерживание сверхвысокого вакуума, в то врем  как это в области отклон ющего 15 объектива, близкой к объективу, не об зательно, поскольку все средства , создающие поле, наход тс  вне вакуумной камеры.

10

LY-J

1

5

uj,2

иг.З

V/TTy/TTTT/

Claims (5)

1. СПОСОБ КОРПУСКУЛЯРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ ПОДЛОЖКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (57) 1. Способ корпускулярного облучения подложки, включающий обработку поверхности электронным пучком, структурированным в соответствии с рисунком, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости обработки, структурирование пучка осуществляют путем проекционного экспонирования на подложку рисунка, набранного установкой электрических и/или магнитных полей в запоминающем устройстве
2. 2. Способ по п.1, отличающ и й с я тем, что набор рисунка н запоминающем устройстве осуществляют одновременно с экспонированием.
3. 3. Устройство для корпускулярного облучения подложки, состоящее из первых электронно-оптических средств и содержащих последовательно установленные излучатель, элементы формирования и фокусировки пучка и установленных на той же оси вторых электронно-оптических средств, содержащих элементы отклонения и фокусировки, отличающее ся тем, что, с целью повышения скорости обработки, в него введены третьи оптические средства, установленные на оптической оси, перпендикулярной первой, и содержащие элементы фокусировки, отклонения, диафрагму и электронное зеркало.
4. 4. Устройство по п,3, о т л ичающееся тем, что электронное зеркало выполнено в виде поверхности с потенциальным рельефом.
5. 5. Устройство по п.З, о т л и чающееся тем. что электронное зеркало выполнено в виде поверхнос ти, содержащей рассеивающие и отражающие элементы,устанавливаемые в соответствии с экспонируемым рисунком.