SU1205124A1 - Method of manufacturing recording element for ionization-type photographic system and method of producing silverless picture on it - Google Patents

Abstract

1. Способ изготовлени  регистрирующего элемента дл  фотографической системы ионизационного типа путем напылени  на стекл нную подложку с провод щим покрытием из диоксида олова сло , чувствительного к газо- разр дной плазме, отличающнй- с   тем, что, с целью повышени  фотографической чувствительности системы, напыл ют слой алюмини  со скоростью 200-250 А/с, затем подложку с напыленным слоем выдерживают на воздухе при 250-300°С в течение 1,5-2 мин, 2, Способ получени  бессеребр ного изображени  на регистрирующем элементе в фотографической системе ионизационного типа, включающий экспонирование и про вление в кислом водном растворе, отличающийс  тем, что в качестве кислоты используют 0,4-0,5%-ную серную кислоту.1. A method of manufacturing a recording element for a photographic system of ionization type by spraying onto a glass substrate with a conductive coating of a tin dioxide layer sensitive to gas discharge plasma, characterized in that, in order to increase the photographic sensitivity of the system, an aluminum layer with a speed of 200-250 A / s, then the substrate with the sprayed layer is kept in air at 250-300 ° C for 1.5-2 minutes, 2, a method of obtaining a non-silver image on the recording element in a photographic An ionization type system, including exposure and development in an acidic aqueous solution, characterized in that 0.4–0.5% sulfuric acid is used as the acid.

Description

1one

Изобретение относитс  к фотографическим бессеребр ным способам записи информации, а именно к разработке несеребр ного фотографического процесса высокой чувств ительности, сравнимой с чувствительностью галоидсере- бр ных эмульсий, Фотогра фи геска  система ионизационного типа, в которой изображение формируетс  при воздействии на среду газоразр дной плазмы,  вл етс  перспективной дл  создани  высокочувствительного способа бессеребр ной регистрации.The invention relates to photographic non-silver methods of recording information, namely the development of a non-fertile photographic process of high sensitivity, comparable to the sensitivity of halogen-silver emulsions. The Photographic system is an ionization type in which an image is formed when a gas-discharge plasma is applied to a medium, It is promising for creating a highly sensitive method of non-silver registration.

Цель изобретени  - повышение фотографической чувствительности системыThe purpose of the invention is to increase the photographic sensitivity of the system.

Сущность изобретени  заключаетс  в следующем.The essence of the invention is as follows.

Вместо висмутл напьш ют слой алюмини , поскольку экспериментально установлено, что использование алюмини  при определенных скорост х напылени  и доследующей термообработке обеспечивает существенное, повышение фотографической чувствительности системы. Напыление алюмини  на стекл нную подложку с провод и им покрытием SfvOt провод т со скоростью 200-250- А/с. Напьшение алюмини  со скоростью, превышающей 250 А/с, при- водит к плохой адгезии алюмини  к подложке и отслаиванию алюминиевой пленки. Регистрируюшзие элементы, на которые алюминий HtinbraeH со скоростью , меньшей 200 А/с, также не про вл ют высокой чувствительности к га зоразр дной плазме. Это, веро тно, св зано с тем, -что при указанной скорости напылени  алюмини  на холодную подложку получающийс  слой характеризуетс  большой степенью разупор дочности структуры металла, что приводит к росту пленки окиси алюмини  такой структуры, котора  делает регистрируюш й элемент не чувствительным к.газоразр дной плазме . Подложку с напыленным слоем алюмини  вьщерживают на воздухе при 250 300°С в течение 1,5-2 мин. Эта операци  обусловлена необходимостью выращивани  на поверхности алюмини  оксидной пленки такой толщины, котора  обеспечивает повьшение чувствительности регистрирующего элемента к. воздействию газоразр дной плазмы. Бьщержка регистрирующего элемента при температурах, превьш1ающих 300 С, .приводит к очень быстрому окислению, алюмини . Такие пленки обладают боль шим кол1-гчеством дефектов, что обу2051242A layer of aluminum is deposited instead of bismuth, since it has been established experimentally that the use of aluminum at certain speeds of spraying and subsequent thermal treatment provides a substantial, increased photographic sensitivity of the system. Sputtering of aluminum onto a glass substrate with a wire and with its SfvOt coating is carried out at a speed of 200-250 A / s. The addition of aluminum at a speed exceeding 250 A / s results in poor adhesion of aluminum to the substrate and peeling of the aluminum film. The elements registered on which aluminum HtinbraeH with a speed less than 200 A / s also do not exhibit high sensitivity to gas discharge plasma. This is probably due to the fact that at the indicated deposition rate of aluminum on a cold substrate, the resulting layer is characterized by a high degree of disorder in the metal structure, which leads to the growth of an aluminum oxide film of such a structure that makes the recording element insensitive. bottom of the plasma. The substrate with a sprayed layer of aluminum is held in air at 250–300 ° C for 1.5–2 min. This operation is due to the need to grow on the aluminum surface an oxide film of such a thickness that would increase the sensitivity of the recording element to the effects of a gas discharge plasma. The loss of the recording element at temperatures exceeding 300 ° C leads to very rapid oxidation of aluminum. Such films have a large number of defects, which are

славливает плохое качество изображени , В ре; ультате выдерла и регистрирующего элемента при температурах ниже 250 С на поверхности алюмини glorifies poor image quality, in re; ultate pulled out and recording element at temperatures below 250 C on the surface of aluminum

5 вырастает тонка  пленка окиси толщиной 20 А. Эта толщина недосточиа дл  повышени  чувствительности регистрирующего элемента. После экспонировани  регистрирующий элемент вы- 5 a thin film of oxide grows with a thickness of 20 A. This thickness is not enough to increase the sensitivity of the recording element. After exposure, the recording element of the

10 держивают в растворе H, применение других кислот, например, HNO, НС1, HF, не приводит к по влению изображени  (HF) .или к .повышению чувствительности (HNOj,, НС1) ,. При J5 экспонировании в ионизационной системе в результате взаимодействи  газоразр дной плазмы с регистрирующим элементом в оксидной пленке происход т изменени , привод щие к рез20 кому увеличению скорости последующего травлени  в растворе ЦаВОд„ Эти изменени ,, веро тно, св заны с увеличением пористости пленки из-за возможных фазовых структурных прев раще25 НИИ и уменьшением ее ТОЛБЩНЫ в р.е- зультате частичного распьшени , При погружении в- раствор участках , подвергшихс  действию плазмы, скорость травлени  алюмини  значи ,., .тельно больше по сравнению с остальными .участками, так., что оптическа  плотность экспонированных участков меньше, в результате чего формируетс  позитивное фотографическое изображение . При помещении экспонированного регистрирующего элемента в раствор серной кислоты с концентрацией меньше 0,4% чувствительность системы очень низка, а врем  по влени  изображени  составл ет несколько часов. . .10 is kept in solution H, the use of other acids, for example, HNO, HCl, HF, does not lead to the appearance of an image (HF). Or an increase in sensitivity (HNOj, HCl),. When J5 is exposed in the ionization system, as a result of the interaction of the gas-discharge plasma with the recording element in the oxide film, changes occur, leading to a dramatic increase in the rate of subsequent etching in the TsAVOd solution. These changes are likely due to an increase in the film porosity due to for possible phase structural transformations of the institute and a decrease in it are COLUMNY as a result of partial dissolution. When immersed in the solution of the sections subjected to the action of plasma, the etching rate of aluminum means,.,. but more than the rest of .uchastkami so. that the optical density of the exposed portions smaller, thereby forming a positive photographic image. When the exposed recording element is placed in a solution of sulfuric acid with a concentration of less than 0.4%, the sensitivity of the system is very low, and the image onset time is several hours. . .

При использовании растворов с концентрацией больше 0,5% разность в скорост х травлени  экспонированных и неэкспонированных участков нивелируетс , в св зи с чем изображение не по вл етс .When solutions with a concentration of more than 0.5% are used, the difference in etching rates of the exposed and unexposed sites is leveled, and therefore the image does not appear.

Пример 1. Используют стекл нную подложку с провод щим слоем размерами 30 X 20 X 2 Mt-i, На пр овод щееExample 1. A glass substrate with a conductive layer of size 30 X 20 X 2 Mt-i, is used.

покрытие БпОг в вакууме 10 мм рт.ст. напьш ют слой технически чистого А1 (99%) со скоростью 225 А/с (скорость напылени  контролируют с помощью прибора МЭК-1-У). Напьшение провод т  BPoG coating in a vacuum of 10 mm Hg. a layer of technically pure A1 (99%) is applied at a rate of 225 A / s (the sputtering rate is controlled using an IEC-1-U device). Writing is done

55 g течение 4-5 с, после чего подложку с напыленным слоем выдерживают в термостате при в течение 1,7 мин. Толщину оксидной пленки.55 g for 4-5 s, after which the substrate with the sprayed layer is kept in a thermostat for 1.7 minutes. Oxide film thickness.

3535

4040

4S4S

образующьгис  на алюминии, определ ют эллипсометрическим методом.forming on aluminum is determined by an ellipsometric method.

В других опытах сохран лась та -же последовательность действий, что и в примере 1 (отличались или скорость напылени , или температура прогрева) В силу малого временного интервала вьщержки при 250-300 С все опыты проводили при одинаковом времени прогрева (1,7 мин).In other experiments, the same sequence of actions was maintained as in Example 1 (either the deposition rate or the heating temperature differed). Due to the short time interval at 250-300 ° C, all experiments were performed at the same heating time (1.7 minutes) .

В табл. 1 приведена зависимость фотографической чувствительности си- стемы от, скорости напьшени  алюмини  при изготовлении регистрирующих элементов (Т 275°С).In tab. 1 shows the dependence of the photographic sensitivity of the system on the speed of aluminum deposition in the manufacture of recording elements (T 275 ° C).

В табл. 2,приведена зависимость фотографической чувствительности (So,2,) системы от температуры термообработки при изготовлении регистриФотографическа  чув.ствительность, -Уд: In tab. 2, shows the dependence of the photographic sensitivity (So, 2,) of the system on the heat treatment temperature during the manufacture of the recorded photographic sensitivity.

смУДжsmuj

Редактор Е. КопчаEditor E. Kopcha

Составитель В. КондратьевCompiled by V. Kondratiev

Техред Т.Дубинчак Корректор А. Т скоTehred T. Dubinchak Proofreader A. Tsko

Заказ 8528/50Тираж 447ПодписноеOrder 8528/50 Circulation 447 Subscription

ВНКИПЙ Государственного комитета СССРVNKIPY USSR State Committee

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д, 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., d, 4/5

Филиал ШШ Патент,- г. Ужгород, ул. Проектна , 4Branch ShSh Patent, - Uzhgorod, st. Project, 4

20512442051244

рующих элементов при скорости напылени  225 А/с и времени термообработки 1,7 мин.elements at a spraying rate of 225 A / s and a heat treatment time of 1.7 minutes.

5 Пример 2. Экспонирование провод т в фотографической системе ионизационного типа с фотоприемниа5 Example 2. The exposure is carried out in a photographic system of ionization type with photoreceiver.

ком из с Ом-см, толщиной 1 мм при величине газоразр д10 ного зазора 30 мкм и давлении воз- духа 0,15 атм. При токе, равном 1 мкА, экспонирование провод т в течение 1-2 с. После экспонировани  регистрирующий элемент помещают вA lump of ohm-cm, 1 mm thick with a gas discharge gap of 30 μm and an air pressure of 0.15 atm. At a current of 1 µA, exposure is carried out for 1-2 s. After exposure, the recording element is placed in

ts 0,45%-ньш раствор . Изображение по вл етс  через 15-20 мин. После достижени  необходимых контрастов изображени  регистрирующий элемент промывают в воде и высушивают. Таблица 1ts 0.45% solution. The image appears in 15-20 minutes. After the necessary contrasts have been achieved, the recording element is washed in water and dried. Table 1

Таблица 2table 2

Ю 2-10U 2-10

Плохое Плохое качест- качество изо- во изо- брдже- браже- ни  ни Poor Poor quality is the quality of the image of the image

Claims (2)

1. Способ изготовления регистрирующего элемента для фотографической системы ионизационного типа путем напыления на стеклянную подложку с проводящим покрытием из диоксида олова слоя, чувствительного к газоразрядной плазме, отличающийс я тем, что, с целью повышения фотографической чувствительности системы, напыляют слой алюминия со скоростью 200-250 А/с, затем подложку с напы ленным слоем выдерживают на воздухе при 250-300°С в течение 1,5-2 мин.1. A method of manufacturing a recording element for an ionization type photographic system by spraying on a glass substrate with a conductive coating of tin dioxide a layer sensitive to gas discharge, characterized in that, in order to increase the photographic sensitivity of the system, an aluminum layer is sprayed at a speed of 200-250 A / s, then the substrate with the sprayed layer is kept in air at 250-300 ° С for 1.5-2 min. 2. Способ получения бессеребряного изображения на регистрирующем элемен- § те в фотографической системе ионизационного типа, включающий экспонирование и проявление в кислом водном растворе, отличающийся тем, что в качестве кислоты используют 0,4-0,5%-ную серную кислоту.2. A method for obtaining a silver-free image on a recording element in the photographic system of the ionization type, including exposure and development in an acidic aqueous solution, characterized in that 0.4-0.5% sulfuric acid is used as the acid.