SU1185569A1 - Two-step power amplifier - Google Patents

Two-step power amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1185569A1
SU1185569A1 SU833663477A SU3663477A SU1185569A1 SU 1185569 A1 SU1185569 A1 SU 1185569A1 SU 833663477 A SU833663477 A SU 833663477A SU 3663477 A SU3663477 A SU 3663477A SU 1185569 A1 SU1185569 A1 SU 1185569A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
output
base
power amplifier
collector
Prior art date
Application number
SU833663477A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Юрьевич Дроздов
Михаил Юрьевич Дроздов
Сергей Анатольевич Пеганов
Original Assignee
Drozdov Vladimir Yu
Drozdov Mikhail Yu
Peganov Sergej A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Drozdov Vladimir Yu, Drozdov Mikhail Yu, Peganov Sergej A filed Critical Drozdov Vladimir Yu
Priority to SU833663477A priority Critical patent/SU1185569A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1185569A1 publication Critical patent/SU1185569A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ , содержащий первьй и второй транзисторы п-р-п-структуры, третий и четвертьй транзисторы р-п-рструктуры , источник питани , делитель напр жени , отвод которого соединен с базой первого транзистора п-р-ч-структуры, а первый вывод - с общей шиной двухтактного усилител  мощности, первьм и второй резисторы, нагрузку, при этом эмиттер третьего транзистора р-п-р-структуры соединен с первым вьгоодом второго резистора, база - с коллектором первого транзистора п-р-п -структуры , а коллектор - с первым вьгеодом нагрузки и коллектором второго транзистора п-р-п -структуры, база которого соединена с коллектором четвертого транзистора р-п-р -структуры, а эмиттер - с первым выводом источника питани , средн   точка источника питани  соединена с вторым выводом нагрузки , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  надежности, коллектор третьего транзистора -структуры соединен с общей шиной двухтактного усилител  мощности , его база - с вторым выводом первого резистора, а эмиттер - с вторым вьгоодом источника питани , эмиттер второго транзистора п-р-п -структу ры соединен с первым выводом перво (Л го резистора, а база - с вторым выводом первого резистора, второй вывод делител  напр жени  Соединен с средней точкой источника питани , база первого транзистора п-р-п структуры соединена с базой четвертого транзистора р-п-р -структуры, эо а эмиттеры первого транзистора :д п-р-п -структуры и четвертого СП транзистора р-п-р -структуры  вл 9 ютс  соответственно первым и вторым ;о входами двухтактного усилител  мощности .A TWO-POWER POWER AMPLIFIER, containing the first and second transistors of the pn-structure, the third and fourth transistors of the pn-structure, power supply, voltage divider, the tap of which is connected to the base of the first transistor of the pn-structure, and the first output is with the common bus of the push-pull power amplifier, the first and the second resistors, the load, while the emitter of the third pn-transistor transistor is connected to the first transistor of the second resistor, the base to the collector of the first transistor np-structure, and the collector - with the first vygodom load and the collector of the second transistor of the pnp structure, the base of which is connected to the collector of the fourth transistor of the pnp structure, and the emitter is connected to the first output of the power source, the middle point of the power supply is connected to the second output of the load, that, in order to increase reliability, the collector of the third transistor -structure is connected to the common bus of a push-pull power amplifier, its base is connected to the second output of the first resistor, and the emitter is connected to the second power supply source, the emitter of the second transistor is pnp -stru This transducer is connected to the first output of the first resistor, and the base is connected to the second output of the first resistor, the second output of the voltage divider is connected to the midpoint of the power source, the base of the first transistor of the pnp structure is connected to the base of the fourth transistor pnp -r-structures, eo and emitters of the first transistor: dn-p-n-structures and the fourth SP transistor of the pn-r-structure are 9 first and second, respectively; on the inputs of a push-pull power amplifier.

Description

Изобретение относится к электронной технике и может использоваться в качестве оконечного усилителя в трактах усиления сигналов переменного или постоянного тока. В микро- 5 электронике усилитель может быть реализован в варианте гибридной интегральной микросхемы, преимущественно используется в аппаратуре высококачественного звуковоспроизведения. 10 Цель изобретения - увеличение надежности.The invention relates to electronic equipment and can be used as a terminal amplifier in the amplification paths of AC or DC signals. In micro-5 electronics, the amplifier can be implemented as a hybrid integrated circuit, mainly used in high-quality sound reproduction equipment. 10 The purpose of the invention is to increase reliability.

На чертеже изображена электрическая принципиальная схема двухтактного усилителя мощности. 45The drawing shows an electrical circuit diagram of a push-pull power amplifier. 45

Двухтактный усилитель мощности содержит первый и второй транзисторы 1 и 2 h-p-n -структуры, третий и четвертый транзисторы 3 и 4 р-п-рструктуры, источник 5 питания, дели- 20 тель 6 напряжения, первый и второй резисторы 7 и 8 и нагрузку 9.The push-pull power amplifier contains the first and second transistors 1 and 2 of the h-p-n structure, the third and fourth transistors 3 and 4 of the p-structure, a power supply 5, a voltage divider 6, the first and second resistors 7 and 8, and a load 9.

Двухтактный усилитель мощности работает следующим образом.A push-pull power amplifier operates as follows.

Парофазный входной сигнал посту- 25 пает на эмиттеры первого и четвертого транзисторов 1 и 4, включенных по схеме с общей базой. Благодаря этому третий и четвертый транзисторы 3 и 4, включенные по схеме с общим коллектором, возбужаются источниками сигналов с большим выходным сопротивлением, что обеспечивает малый уровень нелинейных искажений двухтактного усилителя мощности. С помощью делителя 6 напряжения двухтактный усилитель мощности охвачен отрицательной обратной связью, дополнительно уменьшающей уровень нелинейных искажений и повышающей входное сопротивление двухтактного усилителя мощности.A vapor-phase input signal arrives at the emitters of the first and fourth transistors 1 and 4, connected according to the scheme with a common base. Due to this, the third and fourth transistors 3 and 4, connected according to the scheme with a common collector, are excited by signal sources with a large output impedance, which ensures a low level of nonlinear distortion of the push-pull power amplifier. Using a voltage divider 6, the push-pull power amplifier is covered by negative feedback, further reducing the level of non-linear distortion and increasing the input impedance of the push-pull power amplifier.

Так как коллекторы третьего и четвертого транзисторов 3 и 4 соединены с общей шиной двухтактного усилителя мощности, то упрощается отвод тепла от их корпусов, и соответственно повышается надежность работы двухтактного усилителя Мощности.Since the collectors of the third and fourth transistors 3 and 4 are connected to a common bus of a push-pull power amplifier, the heat removal from their housings is simplified, and the reliability of the push-pull Power amplifier increases accordingly.

Для увеличения усиления по току двухтактного усилителя мощности вмес-, то третьего и четвертого транзисторов 3 и 4 могут быть использованы составные транзисторы.To increase the current gain of the push-pull power amplifier instead, the third and fourth transistors 3 and 4 can be used compound transistors.

ВНИИПИ Заказ 6436/57 Тираж 871 ПодписноеВНИИПИ Order 6436/57 Circulation 871 Subscription

Филиал ППП Патент'’, г.Ужгород, ул.Проектная, 4Branch of PPP Patent '’, Uzhgorod, Project 4,

Claims (1)

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ, содержащий первый и второй транзисторы η-р - η-структуры, третий и четвертый транзисторы р-п-рструктуры, источник питания, делитель напряжения, отвод которого соединен с базой первого транзистора η - р-η-структуры, а первый вывод - с общей шиной двухтактного усилителя мощности, первьш и второй резисторы, нагрузку, при этом эмиттер третьего транзистора р-п-р-структуры соединен с первым выводом второго резистора, база - с коллектором первого транзистора п-р-п -структуры, а коллектор - с первым выводом нагрузки и коллектором второго тран зистора п-р-п -структуры, база которого соединена с коллектором четвертого транзистора р-п-р -структуры, а эмиттер - с первым выводом источника питания, средняя точка источника питания соединена с вторым выводом нагрузки, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности, коллектор третьего транзистора р-п-р -структуры соединен с общей шиной двухтактного усилителя мощности, его база - с вторым выводом первого резистора, а эмиттер - с вторым выводом источника питания, эмиттер второго транзистора η-р-η -структуры соединен с первым выводом первого резистора, а база - с вторым выводом первого резистора, второй вывод делителя напряжения Соединен с средней точкой источника питания, база первого транзистора п-р-п — структуры соединена с базой четвертого транзистора р-п-р -структуры, а эмиттеры первого транзистора п-р-п -структуры и четвертого транзистора р-п-р -структуры являются соответственно первым и вторым входами двухтактного усилителя мощности .A TWO-WAY POWER AMPLIFIER containing the first and second transistors of η-p - η-structure, the third and fourth transistors of p-p-structure, a power source, a voltage divider, the tap of which is connected to the base of the first transistor η-p-η-structure, and the first the output is with the common bus of the push-pull power amplifier, the first and second resistors, the load, while the emitter of the third transistor of the p-p-p-structure is connected to the first output of the second resistor, the base is connected to the collector of the first transistor of the p-p-p structure, and collector - with the first output of the load and to the lecturer of the second transistor of the p-p-p structure, the base of which is connected to the collector of the fourth transistor of the p-p-p structure, and the emitter with the first output of the power source, the middle point of the power source is connected to the second output of the load, characterized in that , in order to increase reliability, the collector of the third transistor of the r-p-p structure is connected to the common bus of the push-pull power amplifier, its base is connected to the second output of the first resistor, and the emitter is connected to the second output of the power source, the emitter of the second transistor η-p-η connection structures is connected with the first terminal of the first resistor, and the base with the second terminal of the first resistor, the second terminal of the voltage divider is connected to the midpoint of the power supply, the base of the first transistor of the pnp structure is connected to the base of the fourth transistor of the ppp structure, and the emitters of the first transistor of the p-p-p structure and the fourth transistor of the p-p-p structure are the first and second inputs of a push-pull power amplifier, respectively. 1 1185569 21 1185569 2
SU833663477A 1983-11-18 1983-11-18 Two-step power amplifier SU1185569A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833663477A SU1185569A1 (en) 1983-11-18 1983-11-18 Two-step power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833663477A SU1185569A1 (en) 1983-11-18 1983-11-18 Two-step power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1185569A1 true SU1185569A1 (en) 1985-10-15

Family

ID=21089490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833663477A SU1185569A1 (en) 1983-11-18 1983-11-18 Two-step power amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1185569A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Я.К.Трохименко. Радиоприемные устройства на транзисторах. Киев: Техника, 1964, с. 149, рис. 895. Авторское свидетельство СССР № 543136, кл. Н 03 F 3/42, 1973. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1101875A (en) Amplifier
KR960000774B1 (en) Bridge amp
US4241314A (en) Transistor amplifier circuits
JPH0452649B2 (en)
SU1185569A1 (en) Two-step power amplifier
US4283683A (en) Audio bridge circuit
JPS631768B2 (en)
JP2509462Y2 (en) amplifier
SU1092700A1 (en) Power amplifier
JPH0527282B2 (en)
US3792365A (en) Push-pull output stage circuit
SU1223338A1 (en) Broad-band operational amplifier
US4027272A (en) Amplifier
SU1550597A1 (en) High frequency generator
JPS6223135Y2 (en)
SU1173518A1 (en) Voltage follower
SU1138921A1 (en) Current amplifier
JPS61113305A (en) Amplifier
SU1141564A1 (en) Differential amplifier
SU684717A1 (en) Amplifier
SU1223336A1 (en) Power amplifier
SU978317A1 (en) Push-pull power amplifiier with protection system
SU1109874A1 (en) Two-step amplifier
SU1095353A1 (en) Two-step amplifier
JPH0345567B2 (en)