SU1101778A1 - Method of producing selenium electrophotographic picture medium - Google Patents
Method of producing selenium electrophotographic picture medium Download PDFInfo
- Publication number
- SU1101778A1 SU1101778A1 SU823488951A SU3488951A SU1101778A1 SU 1101778 A1 SU1101778 A1 SU 1101778A1 SU 823488951 A SU823488951 A SU 823488951A SU 3488951 A SU3488951 A SU 3488951A SU 1101778 A1 SU1101778 A1 SU 1101778A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- selenium
- carbon dioxide
- heat treatment
- carried out
- layer
- Prior art date
Links
Abstract
J. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ЭЛЕКГРОФОТОГРА4ИЧЕСКИХ НОШТЕЛЕЙ ЙЗОБРАЖОВИЯ, включающий вакуумное / напыление се е а на электропровода щую подлозкку с воследующей термообработкой селенового сло « о т л и ч а ю щи И с тем, что, с целыо . повьше и качества носителей, термообработку селенового сло провод т в среде двуокиси углерода. 2. Способ по П.1, о т л и ч а ющ и и с геи, что термообработку провод т при давлении двуокиси углерода , атмосферному.J. METHOD FOR OBTAINING SELENIUM ELECTRICAL PHOTOGRAPHIC NOSTERS OF THE CREAM, including vacuum / spraying it on the electrically conducting podlozku with the subsequent heat treatment of the selenium layer, which is, in whole. The higher the quality of the carriers, the heat treatment of the selenium layer is carried out in carbon dioxide. 2. The method according to item 1, about tl and h ayushch and and with gay that heat treatment is carried out at a pressure of carbon dioxide, atmospheric.
Description
0000
Изобретение относитс к способам получени селеновых промежуточных носителей изображени .This invention relates to methods for producing selenium intermediate image carriers.
Из.вестен способ получени селеновых электрофотографических носителей изоОражени , включающий вакуумное напыление селена на электропро вод щую подложку с последующей термообработкой l j .A known method of obtaining selenium electrophotographic carriers of the image, including vacuum deposition of selenium on an electrically conductive substrate, followed by heat treatment l j.
Недостаток известного способа низкое качество носителей. The disadvantage of this method is the low quality of the media.
Целью изобретени вл етс повышение качества носителей.The aim of the invention is to improve the quality of the media.
Цель достигаетс тем, что согласно способу получени селеновых элект рофотографических носителей изображени , включающему вакуумное напыление селена на электропровод щую подложку с последующей те1 юобработкой селенового сло , термообработку селенового сло провод т в среде двуокиси углерода.The goal is achieved by the fact that, according to the method for producing selenium electrophotographic image carriers, including vacuum deposition of selenium on an electrically conductive substrate, followed by a thermal treatment of the selenium layer, the heat treatment of the selenium layer is carried out in carbon dioxide.
Термообработку провод т при давлении двуокиси углерода, равном атмосферному .Heat treatment is carried out at a carbon dioxide pressure equal to atmospheric.
Повышенна температура поверхности селенового сло в конце напылейи и максимальна концентраци двуокиси углерода способствуют максимальному обогащению селенового сло kиcлopoдoм и углеродом, в дальнейшем селеновые электрофотографически слои, наход сь.на воздухе/ при комнатной температуре больше не адсорбируют из воздуха двуокись, углерода, а поэтому не измен ют своих фотоэлектрических параметров.The elevated temperature of the selenium layer at the end of the spraying and the maximum concentration of carbon dioxide contribute to the maximum enrichment of the selenium layer with hydrogen and carbon, and further selenium electrophotographic layers are present in the air / at room temperature and do not adsorb carbon dioxide from the air, and therefore do not change their photoelectric parameters.
Пример. Провод т напыление в вакууме селенового электрофотографического сло при температуре Example. The deposition of the selenium electrophotographic layer in vacuum is carried out at a temperature of
подложки в начале напылени с постепенным ее повьпиением к концу напылени до 87 С, затем производ т повышение давлени в вакуумной камере углекислым газом (двуокисью углерода ) до атмосферного, затем производ т охлаждение сло до . В процессе охлаждени селена до 40 С слой посто нно находилс в среде углекислого газа СО,, . После этого селеновый электрофотографический слой удал ют из вакуумной камеры и охлаждают до комнатной температуры на воздухе. the substrate at the beginning of the spraying with its gradual twisting towards the end of the sputtering to 87 ° C, then increasing the pressure in the vacuum chamber with carbon dioxide (carbon dioxide) to atmospheric, then cooling the layer to. In the process of cooling selenium to 40 ° C, the layer was constantly located in the CO 2 carbon dioxide medium. Thereafter, the selenium electrophotographic layer is removed from the vacuum chamber and cooled to room temperature in air.
Селеновые электрофотографические слои, полученные предлагаемым способом имеют скорость спада потенциала в темноте в 5 раз меньше, чем слои, термообработанные на воздухе, и не измен ют своих фотоэлектрических параметров в процессе старени .Selenium electrophotographic layers obtained by the proposed method have a potential drop rate in the dark 5 times less than the layers heat-treated in air and do not change their photoelectric parameters during the aging process.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823488951A SU1101778A1 (en) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | Method of producing selenium electrophotographic picture medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823488951A SU1101778A1 (en) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | Method of producing selenium electrophotographic picture medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1101778A1 true SU1101778A1 (en) | 1984-07-07 |
Family
ID=21028351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823488951A SU1101778A1 (en) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | Method of producing selenium electrophotographic picture medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1101778A1 (en) |
-
1982
- 1982-09-08 SU SU823488951A patent/SU1101778A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство GCCP 777633, кл. G 03 G 5/04, 1978. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3444412A (en) | Photo-responsive device having photo-sensitive pbo layer with portions of different conductivity types | |
US6231637B1 (en) | Process for producing high-purity silver materials | |
JPS58123771A (en) | Semiconductor element | |
SU1101778A1 (en) | Method of producing selenium electrophotographic picture medium | |
US4627902A (en) | Method of producing a resistance element for a resistance thermometer | |
US2953484A (en) | Cobalt-chromium electrical resistance device | |
US2270872A (en) | Method of making ceramic insulators | |
JPH0497992A (en) | Production of cdte single crystal | |
SU1237700A2 (en) | Method of producing dry brewerъs wort | |
US1640557A (en) | Method of and means for transmitting, recording, and reproducing sound | |
US3287108A (en) | Methods and apparatus for producing alloys | |
SHIRAI | Structure of Cr Films Deposited on Rocksalt | |
JPH02237169A (en) | Manufacture of photosensor | |
SU607794A1 (en) | Method of tempering sheet glass | |
SU439862A1 (en) | Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy | |
JPS5911143A (en) | Coffee bean roasted in two stages | |
KR840000989A (en) | Manufacturing method of photoelectric conversion film | |
JPS6123858B2 (en) | ||
JPH0669251A (en) | Impurity doping method and carrier density control method by impurity doping | |
JPH02237168A (en) | Manufacture of photosensor | |
RU2014665C1 (en) | Process of manufacture of pin-photodiode target of vidicon | |
JPS54141609A (en) | Production of metal thin film type magnetic recording medium | |
SU1428427A1 (en) | Method of producing filtering elements | |
SU1127891A1 (en) | Process for producing carbon black | |
US4539178A (en) | Indium-antimony complex crystal semiconductor and process for production thereof |