SU439862A1 - Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy - Google Patents

Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy

Info

Publication number
SU439862A1
SU439862A1 SU1837147A SU1837147A SU439862A1 SU 439862 A1 SU439862 A1 SU 439862A1 SU 1837147 A SU1837147 A SU 1837147A SU 1837147 A SU1837147 A SU 1837147A SU 439862 A1 SU439862 A1 SU 439862A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thin layers
electrochemical method
bismuth
producing thin
tellurium alloy
Prior art date
Application number
SU1837147A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алигайдар Ибад-Оглы Алекперов
Мехман Насиб-Оглы Мамедов
Original Assignee
Институт Неорганической И Физической Химии Ан Аз.Сср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Неорганической И Физической Химии Ан Аз.Сср filed Critical Институт Неорганической И Физической Химии Ан Аз.Сср
Priority to SU1837147A priority Critical patent/SU439862A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU439862A1 publication Critical patent/SU439862A1/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

1one

Известен способ получени  тонких слоев сплава теллура с висмутом, основанный на испарении этого сплава или его компонентов в вакууме с последующей кондепсацией паров па поверхности подложки.A known method of producing thin layers of an alloy of tellurium with bismuth, based on the evaporation of this alloy or its components in vacuum, followed by condensation of vapor on the surface of the substrate.

Способ требует сложной агишратуры, осуш ,ествл етс  при повышенной температуре.The method requires complex agglomeration, drying, is carried out at elevated temperature.

С целью получени  достаточно прочной, беспорпстой и блест щей полупроводпиковой нлеикп сплава теллура с висмутом па платпне и титане осаждение осуществл ют из неводпого раствора, состо щего из ТеСЦ, и BiCU в уксусной кислоте с добавлением iLiCl.In order to obtain a sufficiently strong, unsupported and glossy semiconductor alloy of tellurium with bismuth, platinum and titanium, the precipitation is carried out from a non-aqueous solution consisting of TeSC and BiCU in acetic acid with the addition of iLiCl.

Электрохимическое осаждение сплава теллура с висмутом на платипе и титане с целью получени  равномерной и компактной пленки провод т из раствора, содержащего 5- 100 ммоль1л ТеСЦ и 20-115 ммоль1л Bids в уксусной кислоте.Electrochemical deposition of a tellurium alloy with bismuth on a platypus and titanium in order to obtain a uniform and compact film is carried out from a solution containing 5-100 mmol TeSC and 20-115 mmol Bids in acetic acid.

Процесс электролиза ведетс  при добавлеfiHH в электролит 0,75 моль/л LiCl и плотности тока 0,5-5 ма1см. Электролиз провод т в стекл нном герметично закрытом электролизере с двум  анодами из платины или графита, прокаленного при 300-350°С. Катодом служит титанова  или платинова  пластинка. Состав и компактность осадка зависит от соотнощени  концентрации ТеСЦ и BiCU элрктролите .The electrolysis process is carried out by adding 0.75 mol / l LiCl to the electrolyte and a current density of 0.5-5 ma1cm. The electrolysis is carried out in a glass hermetically sealed cell with two anodes of platinum or graphite, calcined at 300-350 ° C. The cathode is a titanium or platinum plate. The composition and compactness of the sediment depends on the ratio of the concentration of TeSC and BiCU elrktrolit.

Напрнмер, равномерные плотные слои сплава висмут-теллур на платиновой пли титановой основе толщиной до 15-ик получают из электролита с соотношением Bids; TeCl4 отA uniform, uniformly dense layers of a bismuth-tellurium alloy on a platinum pl titanium base with a thickness of up to 15 ir is obtained from an electrolyte with a Bids ratio; TeCl4 from

25 : 1 до 1 : 5 при плотности тока до 5 ма1см-. Преимуществом предлагаемого способа  вл етс  то, что так можно получать более мелкокристаллические , а следовательно, и равномерно покрывающие поверхность катода слои25: 1 to 1: 5 at a current density of up to 5 ma1cm-. The advantage of the proposed method is that it is possible to obtain more crystalline and, therefore, evenly covering the surface of the cathode.

сплава висмут-теллур при более упрощепнои технологии в течение нескольких минут и прп компатной температуре.bismuth-tellurium alloy with a simpler technology within a few minutes and the temperature of the comp.

Предмет изобретени Subject invention

Claims (2)

1.Электрохимический снособ нолучени  тонких слоев сплава теллура с висмутом из раствора уксусной кислоты, отличающийс  тем, что, с целью улучщени  качества пленки, осаждаемой, например, на платине, осаждение осуществл ют из неводного раствора, состо щего из ТеСЦ и В1С1з в уксусной кислоте с добавлением LiCI.1. Electrochemical method for obtaining thin layers of an alloy of bismuth from a solution of acetic acid, characterized in that, in order to improve the quality of the film deposited, for example, on platinum, the deposition is carried out from a non-aqueous solution consisting of TeSC and B1C1z in acetic acid with the addition of LiCI. 2.Снособ по п. 1, отличающийс  тем, что осаждение пленки провод т из электролита с соотнощением BiCla : ТеСЦ от 25 : 1 до 1 : 5 при суммарной концентрации компонентов 120 ммоль1л и плотности тока от 0,5 до2. A method according to claim 1, characterized in that the film is deposited from an electrolyte with a BiCla: TeSC ratio from 25: 1 to 1: 5 with a total concentration of 120 mmol1l and a current density from 0.5 to 5 MulCAt.5 MulCt.
SU1837147A 1972-10-13 1972-10-13 Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy SU439862A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1837147A SU439862A1 (en) 1972-10-13 1972-10-13 Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1837147A SU439862A1 (en) 1972-10-13 1972-10-13 Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU439862A1 true SU439862A1 (en) 1974-08-15

Family

ID=20529514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1837147A SU439862A1 (en) 1972-10-13 1972-10-13 Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU439862A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2455098A1 (en) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SMOOTH AND ELECTROLYTIC COHERENT FILMS OF METAL CHALCOGENIDES BY DEPOSITION
GB2056501A (en) Porous metal films
Ciszkowska et al. Preparation of a mercury disk microelectrode based on solid silver amalgam
FR2516312A1 (en) CHEMICAL SOURCE OF CURRENT BASED ON STABLE FREE RADICALS
US5478445A (en) Electrochemical process
SU439862A1 (en) Electrochemical method of producing thin layers of bismuth tellurium alloy
US4624754A (en) Ionic liquid compositions for electrodeposition
US4624755A (en) Preparation of ionic liquids for electrodeposition
Lazouskaya et al. Nafion as a protective membrane for screen-printed pH-sensitive ruthenium oxide electrodes
JPH11172489A (en) Production of barium titanate coating film
SU1702280A1 (en) Method of manufacturing fluoride-selective electrode membrane
JPH0133909B2 (en)
Salakhova et al. Electrochemical preparation of thin rhenium-tellurium coatings from chloride-borate electrolyte
SU641890A3 (en) Method of manufacturing emitter of the metal-dielectric-metal type
US4624753A (en) Method for electrodeposition of metals
US4049507A (en) Electrodepositing method
JPH11158692A (en) Formation of bismuth titanate coating film
Elwell et al. Electrodeposition of indium phosphide
US3223601A (en) Process of forming dielectric materials for condensers
SU385911A1 (en) METHOD OF ACTIVATING AN ENCLOSURE FOR DECOMPOSITION OF AMALGS
JPS5924234A (en) Humidity sensor and manufacture thereof
JPH0520130B2 (en)
CN114752028B (en) Solvent-free preparation method and application of covalent organic framework COFs film
Ostapenko Potentiostatic Investigation of the Vitreous Carbon/RbCu~ 4Cl~ 3I~ 2 Interface
Gauvin et al. Effect of Surface on Cathode Polarization during the Electrodeposition of Copper