SU1050094A2 - Power amplifier - Google Patents

Abstract

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ по авт.св. №930579; отличающийс  тем, что, .с целью уменьшени  потребл емой мощности и расишрени  частотного диапазона, в него введен дополнительный полевой транзистор, затвор, исток и сток которого подключены соответственно к точке соединени  первого и третьего резисторов,баае и . эмиттеру транзистора динамической нагрузки . (Л с ел |««.POWER AMPLIFIER auth.St. No. 930579; characterized in that, in order to reduce power consumption and the frequency range dilution, an additional field effect transistor is introduced into it, the gate, the source and drain of which are connected to the junction point of the first and third resistors, respectively. dynamic load emitter emitter. (L with ate | ««.

Description

Изобретение относитс  к ргЕпиотехнике и может использоватьс  в-качестве высоковольтного усилител  Мсмцности в след щих системах к раэв зываю (цих усилител х электронных; систем трансл ции данных.The invention relates to a technology and can be used as a high-voltage amplifier in the following systems for processing (electronic amplifiers of electronic amplifiers; data broadcasting systems.

По основному авт.св. №.930579 .известен усилитель мощности, содержащий каскад с двум  источниками питани , выполненный на соединенных последовательно относительно первого источник входном транзисторе, включенно по схеме с о.бщим эмиттером (ОЭ), первом диоде и транзисторе динамической нагрузки , включенном по схеме с общим коллектором (ОК), эмиттер которого соединен с первым ШАВОДОМ первого диода и через конденсатор с первым выводом первого резистора, -а база с коллектором входного транзистора и вторым выводом первого диода, цепь из последовательно соединенных второго диода и второго резистора, поле вой транз.истор, включенный между баЗОЙ транзистора  данамической нагрузки и вторым ВЫВОДОМ; пе рвого резистора , при этом затвор полевого транзис тора соединен с вторым выводом второго резистора и .через третий резистор - с точкой соединени  первого ре зистора и конденсатора, а второй вывод второго диода соединен с вторым источником питани , при этом с вторы выводом nepJBoro резистора соединен исток полевого транзистора Cl. Недостатками известного усилител  мощности  вл ютс  повышенна  мощност потреблени , а также ограниченный Частотный диапазон работы. Цель изобретени  - уменьшение потребл емой мощности и расширение частотного диапазона работы. Поставленна  цель достигаетс  тем что в усилитель мощности, содержащий каскад с двум  источниками питани , выполненный на соединенных последова тельно относительно первого источник .. ..&.. л ВХОДНОМ транзисторе, включенном по схеме ОЭ, первом диоде и транзисторе динамический нагрузки, включенном по схеме ОК, эмиттер которого соединен с первым выводом первого диода и через конденсатор с первым выводом первого резистора, а база - с коллектором входного транзистора и вторым выводом первого диода, цепь из последовательно, соединенных второго диода и второго резистора, полевой транзистор, включенный между базой транзистора динамической нагрузки и вторым выводом первого резисзтора, при этом затвор полевого транзистора соединен с вторым выводом второго резистора и через третий резистор с точкой соединени  первого резистора и конденсатора, а второй вывод второго диода соединен q вторым источником питани , при этом с вторым According to the main auth. No. 930579. A power amplifier is known, comprising a cascade with two power sources, performed on an input transistor connected in series with respect to the first source, connected according to the common emitter (OE) circuit, the first diode and the dynamic load transistor connected to the common collector circuit. (OK), the emitter of which is connected to the first SHAVOD of the first diode and through a capacitor with the first terminal of the first resistor, - a base with the collector of the input transistor and the second terminal of the first diode, the circuit is connected in series a second diode and a second resistor, the field howling tranz.istor connected between the base of transistor danamicheskoy load and a second terminal; the first resistor, wherein the gate of the field transformer is connected to the second output of the second resistor and through the third resistor to the connection point of the first resistor and capacitor, and the second output of the second diode is connected to the second power source, while the nepJBoro output of the resistor is connected to the source of the field-effect transistor Cl. The disadvantages of the known power amplifier are the increased power consumption, as well as the limited frequency range of operation. The purpose of the invention is to reduce power consumption and expand the frequency range of operation. The goal is achieved by the fact that a power amplifier containing a cascade with two power sources, performed on connected in series with respect to the first source .. .. & l of the INPUT transistor connected according to the OE scheme, the first diode and the transistor dynamic load switched on circuit OK, the emitter of which is connected to the first output of the first diode and through a capacitor to the first output of the first resistor, and the base is connected to the collector of the input transistor and the second output of the first diode, a circuit of series connected connected diode and second resistor, a field-effect transistor connected between the base of the dynamic load transistor and the second output of the first resistor, and the gate of the field-effect transistor is connected to the second output of the second resistor and through the third resistor to the connection point of the first resistor and capacitor, and the second output of the second diode is connected q a second power source, with a second

выводом первого резистора соединен , исток полевого транзистсчра, введен дополнительный полевой транзистор, затвор, исток и сток которого подключены соответственно к точке соединейи  первого и третьего резисторов , базе и эмиттеру транзистора динамической нагрузки.the output of the first resistor is connected, the source of the field-effect transistor, an additional field-effect transistor is introduced, the gate, the source and drain of which are connected respectively to the connection point of the first and third resistors, the base and the emitter of the dynamic load transistor.

На чертеже изображена принщспиальна схема предложенного усилител  мощности. Усилитель мощности содержит вход-лой транзистор 1, включенный по схеме с ОЭ, транзистор 2 динамической нагрузки, включенной по схеме с ОК, лиод 3 между .коллектором Транзистора .1 и эмиттером транзистора 2, источник 4 питани , подключенный положительным полюсом к коллектору транзистора 2, источник 5 питани , подключенный положительным полюсом к диоду б, полевой транзистор 7, подключенный стоком к базе транзистора 2, истоком к резистору в, затвором к резисторам«9 и 10, причем обща  точка резисторов -8 и 10 через конденсатор 11 соединена с эмиттером транзистора 2, дополнительный полевой транзистор 12, затвор которого подключен к точке соединени  резке-. торов 8 и 10, исток к базе, а стокк эмиттеру транзистора 2 . Усилитель работает следук цим образом , При открытом транзисторе 1 через него протекает ток нагрузки и ток зар да конденсатора 11, поступающий от источника 5 по депи: диод 6, резисторы 9 и 10. Сопротивление резистора 9 при достаточно малой величине напр жени  источника 5 Е2 ( допустимого напр жени  затвор исток полевого транзистора 7) может быть выбрано равным нулю. При запертом входном транзисторе 1 конденсатор 11 разр жаетс  через генератор тока на полевом транзисторе 7 и базовую цепь транзистора 2, через который vrj m О l / Р/ T t-lrt протекает ток нагрузки. Введенный дополнительный полевой транзистор 12 остаетс  запертым и не вли ет на.работу усилител  мощности до тех пор, пока напр жение на конденсаторе 11 (и)не станет, равным напр жению отсечки полевого транзистора 12. Дальнейшее уменьшение этого напр жени  приводит к отпиранию полевого транзистора 12 иуменьшению тока через полевой транзистор 7. Это приводит к уменьшению токов,поступающих в базу транзистора 2 и протекающего через нагрузку, к снижению выходного напр жени  Ощ,, . При снижении выходного напр жени  ниже величины (j Е2 диод 6 отпираетс , и ток через полевой транзистор 7 начинает поступать по цепи: источник 5, диод Резисторы 9 и 10. При протеканииThe drawing shows a prismped circuit of the proposed power amplifier. The power amplifier contains an input transistor 1 connected in a circuit with an OE, a transistor 2 of a dynamic load connected in a circuit with an OK, a diode 3 between the collector of the Transistor .1 and the emitter of the transistor 2, the power source 4 connected to the collector of transistor 2 , power supply 5, connected by a positive pole to diode b, field-effect transistor 7, connected by drain to the base of transistor 2, source to resistor c, gate to resistors “9 and 10, with common point of resistors -8 and 10 through capacitor 11 connected to emitter transistor 2, an additional field effect transistor 12, the gate of which is connected to the connection point of the cut-. tori 8 and 10, the source to the base, and the drain to the emitter of the transistor 2. The amplifier operates in the following manner. When the transistor 1 is open, the load current and the charge current of the capacitor 11 flow through it, coming from the source 5 via the depy: diode 6, resistors 9 and 10. Resistance of the resistor 9 with a sufficiently small voltage source 5 E2 ( the permissible voltage the gate of the source of the field-effect transistor 7) can be chosen equal to zero. When the input transistor 1 is locked, the capacitor 11 is discharged through the current generator on the field-effect transistor 7 and the base circuit of the transistor 2 through which vrj m O l / P / T t-lrt the load current flows. The added field-effect transistor 12 remains locked and does not affect the operation of the power amplifier until the voltage on the capacitor 11 (i) becomes equal to the cut-off voltage of the field-effect transistor 12. Further reduction of this voltage leads to unlocking the field-effect transistor 12 and reducing the current through the field-effect transistor 7. This leads to a decrease in the currents entering the base of the transistor 2 and flowing through the load, to a decrease in the output voltage Os ,,. When the output voltage drops below the value (j E2, diode 6 is turned off, and the current through the field-effect transistor 7 begins to flow in the circuit: source 5, diode Resistors 9 and 10. When leakage

тока через резистор 10 напр жение затвор - исток полевого транзистора 7 повьвиаетс , что. приводит к запиранию этого транзистора и транзистора 2. Ток в нагрузку поступает от источника .5 через диод б, резисторы 9 и -10 и конденсатор 11. Этот ток зар жает конденсатор 11 до величины, примерно равной напр жению отсечки Дополнительного полевого транзистора 12, что приводит к его запиранию, дальнейший зар д конденсатора 11 приводит к уменьшению тока зар да, уменьшению падени  напр жени  на резисторе 10. При напр жении на .резисTCfpe 10, Меньшем напр жени  отсечки полевого транзистора 7, через зтот транзистор протекает ток, который, поступа  в базу транзистора 2, усиливаетс . Это приводит к возрастание тока через нагрузку, увеличению на- .the current through the resistor 10 is the gate voltage - the source of the field-effect transistor 7 goes up to that. This transistor and transistor 2 are locked. A current is supplied to the load from source .5 through diode b, resistors 9 and -10, and capacitor 11. This current charges capacitor 11 to a value approximately equal to the cut-off voltage of the Additional FET 12, which locking it, further charging of the capacitor 11 leads to a decrease in the charging current, a decrease in the voltage drop across the resistor 10. When the voltage is applied to the TCfpe 10, the Lower cut-off voltage of the field-effect transistor 7, the current flowing through this transistor in the transistor 2 is amplified by the base. This leads to an increase in the current through the load, an increase in n.

пр жени  Ugj,,x Напр жени  Ug(,. станов тс  больше 2 ДИОд б запираетс , ток через резистор 10 прекращаетс  и через полевой транзистор 7the voltage Ugj ,, x The voltage Ug (, becomes more than 2 DIOD b is locked, the current through the resistor 10 is stopped and through the field-effect transistor 7

начинает протекать ток,, величина ко ,торого определ етс  резистором 8, т.е. номинальный ток генератора тока . Транзистор 2 переходит в режим насыщени . После разр да конденсатоpall процесс повтор етс .a current begins to flow, the value of which is determined by the resistor 8, i.e. current generator rated current. Transistor 2 goes into saturation mode. After discharge, the condenser is repeated.

Таким образом, в предложенной схеме при запертом входном транзисторе 1 (например, при работе на низкой частоте или на посто нном токе ) в усилителе возникают периодические Thus, in the proposed scheme, when the input transistor 1 is locked (for example, when operating at a low frequency or at a constant current), periodic

0 колебани , при которых конденсатор 11 зар жаетс  периодически от источника 5 через нагрузку, транзистор 2 работает в экономичном ключевом режиме .0 oscillations in which the capacitor 11 is charged periodically from the source 5 through the load, the transistor 2 operates in an economical key mode.

5five

По сравнению с известным в предложенном устройстве достигаетс  повышение надежности за счет уменьшени  потребл емой и рассеиваемой в усили0 теле мощности, повышение нагрузочной способности при работе на низкой частоте входного сигнала, расширение частотного диапазона.In comparison with the known device, reliability is increased by reducing the power consumed and dissipated in the amplifier, the load capacity is increased when operating at a low frequency of the input signal, and the frequency range is expanded.

Claims (1)

“ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ по авт.св. №930579; отличающийся, тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и расширения частотного диапазона, в него введен дополнительный полевой транзистор, затвор, исток и сток которого подключены соответственно к точке соединения первого и третьего резисторов,базе и эмиттеру транзистора динамической на-, грузки.“POWER AMPLIFIER for Auth. No. 930579; characterized in that, in order to reduce power consumption and expand the frequency range, an additional field effect transistor is introduced into it, the gate, source and drain of which are connected respectively to the connection point of the first and third resistors, the base and emitter of the dynamic load transistor.