JPS6354013A - Power supply device for electronic tuner - Google Patents
Power supply device for electronic tunerInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バリキャップダイオードを用いて回路を構成
する十Ｂ端子切換用電子チューナの電源供給装置に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a power supply device for a ten-B terminal switching electronic tuner whose circuit is constructed using varicap diodes.
従来の技術
従来の電子チューナの電源供給装置は、第３図に示すよ
うな構成であった。以下図面にもとづいて説明する。第
３図は従来のチューナのスイッチング動作を兼ね備えた
電源供給装置の回路図である。１〜４はローチャンネル
・ハイチャンネル切換用スイッチングダイオードであり
、１は局部発振回路用、２，３は段間回路用、４はアン
テナ回路用のダイオードである。５，６は逆電圧防止用
バンドスイッチングダイオード、８，９は逆電圧安定化
抵抗、ｌＯ〜１３および１８はスイッチングバイアス抵
抗である。2. Description of the Related Art A conventional power supply device for an electronic tuner has a configuration as shown in FIG. The following will be explained based on the drawings. FIG. 3 is a circuit diagram of a power supply device that also has the switching operation of a conventional tuner. 1 to 4 are switching diodes for switching between the low channel and the high channel, 1 is a diode for a local oscillation circuit, 2 and 3 are diodes for an interstage circuit, and 4 is a diode for an antenna circuit. 5 and 6 are band switching diodes for preventing reverse voltage, 8 and 9 are reverse voltage stabilizing resistors, and 10 to 13 and 18 are switching bias resistors.
いま、ＢＲ端子に＋Ｂｆｆｉ圧を加えると、ハイチャン
ネル受信状態となり、スイッチングダイオード１〜４は
導通状態、５，６は遮断状態となり、スイッチングダイ
オード２，３を介して局部発振回路、ミキサー回路、Ｒ
Ｆ増幅回路のそれぞれにバイアスが加えられる。一方、
スイッチングダイオード１，４のダイオード電流はスイ
ッチングバイアス抵抗１８を介して流れる。Now, when +Bffi pressure is applied to the BR terminal, it becomes a high channel reception state, switching diodes 1 to 4 are in a conductive state, 5 and 6 are in a cutoff state, and the local oscillation circuit, mixer circuit, and R are connected via switching diodes 2 and 3.
A bias is applied to each of the F amplifier circuits. on the other hand,
The diode currents of the switching diodes 1 and 4 flow through the switching bias resistor 18.
いま、ＢＬ端子に十Ｂ電圧を加えると、ローチャンネル
受信状態となり、スイッチングダイオード１〜４は遮断
状態、５，６は導通状態となり、スイッチングダイオー
ド６を介して局部発振回路、ミキサー回路、ＲＦ増幅回
路のそれぞれにバイアスが加えられる。一方、スイッチ
ングダイオード５のダイオード電流はスイッチングバイ
アス抵抗１８を介して流れる。Now, when a voltage of 10B is applied to the BL terminal, it becomes a low channel receiving state, switching diodes 1 to 4 are cut off, 5 and 6 are turned on, and the local oscillation circuit, mixer circuit, and RF amplification are connected via switching diode 6. Bias is applied to each of the circuits. On the other hand, the diode current of the switching diode 5 flows through the switching bias resistor 18.
発明が解決しようとする問題点
このような従来方式では、ローチャンネル受信時にスイ
ッチングダイオード５のダイオード電流はスイッチング
バイアス抵抗１８のみを通して流れるため、スイッチン
グバイアス抵抗１０，１３．１８を通して流れるスイッ
チングダイオード１，４のダイオード電流より大きくな
り、ローチャンネル受信時とハイチャンネル受信時では
消費電流が異なる。Problems to be Solved by the Invention In such a conventional system, the diode current of the switching diode 5 flows only through the switching bias resistor 18 during low channel reception. diode current, and the current consumption differs between low channel reception and high channel reception.
また、局部発振回路用、ミキサー回路用、ＲＦ増幅回路
用のバイアスはハイチャンネル受信時にはスイッチング
バイアス抵抗１１．１２を介して加わるため、電圧がド
ロップし、その結果抵抗１１．１２を常に低抵抗にしな
ければならず、ローチャンネル受信時に段間ダンピング
抵抗と共用するといった設計自由度が著しく低下してい
る。Also, since the bias for the local oscillator circuit, mixer circuit, and RF amplifier circuit is applied via the switching bias resistor 11.12 during high channel reception, the voltage drops, and as a result, the resistor 11.12 is always kept at a low resistance. Therefore, the degree of freedom in design, such as sharing the interstage damping resistor during low channel reception, is significantly reduced.
第４図は従来方式による段間回路での構成例を示す回路
図である。上記説明のようにスイッチングバイアス抵抗
１１．１２とは別にローチャンネル受信時の股間ダンピ
ング抵抗３９．４０を設ける必要がある。また、スイッ
チング電流がローチャンネルコイル２５〜２７を介して
流れるため、段間バリキャップダイオード２０．２１の
ＤＣバイアス抵抗３７．３８を別に設けるとともに、Ｄ
Ｃカットコンデンサ３２゜３３が必要となる。このよう
に段間回路の部品点数が増加し、パターンレイアウト設
計が複雑になる。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional interstage circuit. As explained above, in addition to the switching bias resistors 11 and 12, it is necessary to provide the crotch damping resistors 39 and 40 during low channel reception. In addition, since the switching current flows through the low channel coils 25 to 27, DC bias resistors 37 and 38 of the interstage varicap diodes 20 and 21 are separately provided, and
A C-cut capacitor 32°33 is required. In this way, the number of components of the interstage circuit increases, and pattern layout design becomes complicated.
本発明は上記問題点を解決するもので、局部発振回路１
段間回路、アンテナ回路のスイッチング回路と他の能動
素子のバイアス回路の分離独立をはかることにより、設
計自由度を増大できる電子チューナの電源供給回路を提
供することを目的としている。The present invention solves the above-mentioned problems, and includes a local oscillation circuit 1
The present invention aims to provide a power supply circuit for an electronic tuner that can increase the degree of freedom in design by separating and independent switching circuits for interstage circuits and antenna circuits, and bias circuits for other active elements.
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために１本発明は、局部発振回路
、段間回路およびアンテナ回路の各ローチャンネル・ハ
イチャンネル切換用スイッチングダイオードの電流負荷
回路にＲＦ増幅回路のＭＯＳＦＥＴのソースバイアス回
路を用い、その他の能動素子のバイアス回路への電源供
給には別個のダイオードを用いて、スイッチング回路と
バイアス回路を分離独立して構成したものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides an RF amplifier circuit in the current load circuit of the switching diode for switching between the low channel and high channel of the local oscillation circuit, the interstage circuit, and the antenna circuit. The switching circuit and the bias circuit are constructed separately and independently by using a source bias circuit of the MOSFET and using separate diodes to supply power to the bias circuits of other active elements.
作用
上記構成により、ローチャンネル受信時とハイチャンネ
ル受信時の局部発振回路、ミキサー回路、ＲＦ増幅回路
の各バイアスを共通にして消費電流を一定にすることが
でき、一方ローチャンネル・ハイチャンネル切換用スイ
ッチングダイオードの動作電圧を拡大することができ、
スイッチングダイオードのバイアス抵抗の設計自由度の
増大を図ることができる。Effects With the above configuration, the local oscillation circuit, mixer circuit, and RF amplification circuit can use the same bias for low channel reception and high channel reception to keep the current consumption constant, while the current consumption can be kept constant for low channel/high channel switching. The operating voltage of the switching diode can be expanded,
It is possible to increase the degree of freedom in designing the bias resistance of the switching diode.
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。Example Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
第１図は本発明の電子チューナの電源供給装置の一実施
例を示す回路図である。第１図において、１はＯ５Ｃス
イッチングダイオード、２，３は股間スイッチングダイ
オード、４はアンテナスイッチングダイオード、５はバ
ンドスイッチングダイオード、６，７はバイアス回路用
スイッチングダイオード、８，９は逆バイアス安定化抵
抗、 １０．１１゜１２、１３はスイッチング回路のバ
イアス供給としてのスイッチングダイオードバイアス抵
抗、１４はＲＦ増幅用ＭＯ５ＦＥＴ、 １５はＲＦ増幅
用ＭＯ３ＦＥＴ１４のソースバイアス補正抵抗、 １６
．１７はＲＦ増幅用ＭＯ５ＦＥＴ１４のソースバイアス
抵抗である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a power supply device for an electronic tuner according to the present invention. In Figure 1, 1 is an O5C switching diode, 2 and 3 are crotch switching diodes, 4 is an antenna switching diode, 5 is a band switching diode, 6 and 7 are bias circuit switching diodes, and 8 and 9 are reverse bias stabilizing resistors. , 10.11° 12, 13 is a switching diode bias resistor as a bias supply for the switching circuit, 14 is an MO5FET for RF amplification, 15 is a source bias correction resistor for MO3FET 14 for RF amplification, 16
．． 17 is a source bias resistance of MO5FET 14 for RF amplification.
ハイチャンネル受信時にはスイッチングダイオード１〜
４は導通状態であり、Ｏ８Ｃ回路、段間回路、アンテナ
回路ともハイチャンネルモードとなるにの時スイッチン
グダイオード１〜４の消費電流の負荷回路はＲＦ増幅用
ＭＯ３ＦＥＴ１４のソースバイアス抵抗回路となる。そ
のため、スイッチングダイオード１〜４の消費電流の負
荷回路を従来のようにＲＦ増幅トランジスタ用、ミキサ
ートランジスタ用、Ｏ８Ｃトランジスタ用のバイアス回
路にした場合と比べて、スイッチングダイオード１〜４
の動作電圧を拡大することができ、スイッテングダイオ
ード１〜４のバイアス抵抗の設計に自由度が増す、スイ
ッチングダイオード５はハイチャンネル受信時のスイッ
チング電流のＢＬ端子への逆流を防止するものである。When receiving high channel, switching diode 1~
4 is in a conductive state, and when the O8C circuit, the interstage circuit, and the antenna circuit are all in the high channel mode, the load circuit for the current consumption of the switching diodes 1 to 4 becomes the source bias resistance circuit of the MO3FET 14 for RF amplification. Therefore, compared to the conventional case where the load circuit for the current consumption of switching diodes 1 to 4 is a bias circuit for RF amplification transistors, mixer transistors, and O8C transistors, switching diodes 1 to 4
The switching diode 5 prevents the switching current from flowing back to the BL terminal during high channel reception. .
また、ＲＦ増幅用肋５ＦＥＴ１４のソースバイアス以外
の各回路へのバイアス電圧は、ダイオード７を介して独
立に印加される。Further, bias voltages to each circuit other than the source bias of the RF amplification rib 5FET 14 are applied independently via the diode 7.
ローチャンネル受信時には、スイッチングダイオード１
〜４は遮断状態、ダイオード５は導通状態となり、Ｏ８
Ｃ回路、段間回路、アンテナ回路ともローチャンネルモ
ードとなる。この時、ダイオード５の消費電流はＲＦ増
幅用ＭＯ５ＦＥＴ１４のソースバイアス抵抗１６．１７
に供給される。また、ソースバイアス回路以外の各回路
へのバイアス電圧はダイオード６を介して独立に印加さ
れる。When receiving low channel, switching diode 1
~4 is in the cutoff state, diode 5 is in the conduction state, and O8
The C circuit, interstage circuit, and antenna circuit are all in low channel mode. At this time, the current consumption of the diode 5 is the source bias resistance 16.17 of the MO5FET 14 for RF amplification.
supplied to Further, bias voltages to each circuit other than the source bias circuit are independently applied via the diode 6.
第２図は本発明による段間回路での構成例を示す回路図
である。第２図において、２．３は段間スイッチングダ
イオード、１１．１２はスイッチングダイオードバイア
ス抵抗、１９．２０．２１．２２は同調用ダイオード、
２３．２４．２５．２６．２７は段間コイル、２８、２
９は結合コンデンサ、３０．３１は同調用ダイオードの
バイアス抵抗、３２．３３．３４．３５はＤＣカット用
コンデンサである。この回路では、スイッチングダイオ
ードバイアス抵抗１１．１２はローチャンネルダンピン
グ抵抗を兼ねているとともに、同調用ダイオード２０．
２１のアノード側は段間コイル２３〜２７を介してアー
スに結合されるため、バイアス抵抗を設ける必要はない
。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of an interstage circuit according to the present invention. In Figure 2, 2.3 is an interstage switching diode, 11.12 is a switching diode bias resistor, 19.20.21.22 is a tuning diode,
23.24.25.26.27 are interstage coils, 28, 2
9 is a coupling capacitor, 30.31 is a tuning diode bias resistor, and 32, 33, 34, 35 is a DC cut capacitor. In this circuit, switching diode bias resistors 11.12 also serve as low channel damping resistors, and tuning diodes 20.12 also serve as low channel damping resistors.
Since the anode side of 21 is coupled to the ground via the interstage coils 23 to 27, there is no need to provide a bias resistor.
このように、段間回路の簡素化が図れるとともに、スイ
ッチング回路のバイアス供給と、Ｏ５Ｃ回路、段間回路
、アンテナ回路の各回路のバイアス供給とを分離独立さ
せることにより、ローチャンネル受信時とハイチャンネ
ル受信時の供給電圧を共通にすることができ、しかも、
消費電流を一定にすることができるという効果が得られ
る。In this way, the interstage circuit can be simplified, and the bias supply for the switching circuit, the O5C circuit, the interstage circuit, and the antenna circuit can be separated and independent, so that it can be used for both low channel reception and high channel reception. The supply voltage can be shared during channel reception, and
The effect is that the current consumption can be made constant.
発明の効果 以上のように本発明によれば、アンテナ回路。Effect of the invention As described above, according to the present invention, there is provided an antenna circuit.
段間回路、 ＯＳＣ回路の各回路とスイッチング回路の
バイアス供給を分離独立させることにより、回路の簡素
化が可能となるとともに、ローチャンネル受信時とハイ
チャンネル受信時のバイアス電圧を共通にし、消！！電
流を一定にすることが可能で。By separating and independent bias supply for the interstage circuit, OSC circuit, and switching circuit, the circuit can be simplified, and the bias voltage for low channel reception and high channel reception can be made common and the bias voltage can be switched off. ! It is possible to keep the current constant.
かつスイッチングダイオードの動作電圧を拡大でき、ス
イッチングダイオードのバイアス抵抗の設計自由度が増
大するという効果が得られる。Moreover, the operating voltage of the switching diode can be increased, and the degree of freedom in designing the bias resistance of the switching diode can be increased.
第１図は本発明の電子チューナの電源供給装置の一実施
例を示す回路図、第２図は本発明による段間回路での構
成例を示す回路図、第３図は従来例の電子チューナの電
源供給装置の回路図、第４図は従来例による段間回路で
の構成例の回路図である。
１．２，３．４・・・ローチャンネル・ハイチャンネル
切換用スイッチングダイオード、５・・・バンド切換用
スイッチングダイオード、６，７・・・バイアス回路用
スイッチングダイオード、８，９・・・逆バイアス安定
化抵抗、１０．１１．１２．１３・・・スイッチングダ
イオードバイアス抵抗、１４・・・ＲＦ増幅用ＭＯ３Ｆ
ＥＴ、１５・・・ソースバイアス補正抵抗、 １６．１
７・・・ソースバイアス抵抗、１９＋ ２Ｌ ２１＋
２２・・・同調用ダイオード、２３．２４．２５．２６
．２７・・・段間コイル、２８．２９・・・結合コンデ
ンサ、 ３０．３１・・・同調用ダイオードバイアス抵
抗、３２．３３．３４．３５・・・ＤＣカット用コンデ
ンサ。
代理人 森 本 義 弘
第１図
５−−−ノずンＦ１のギ吹串スＡツ子ン２′！゛イｆ−
）”ｚ、７−一バイアス８メリηス４ブ＋ｙフ”ｆ’４
に一ド／Ｉ〜／３・−ス４ツケイリ°４キード“バＡ１
ス柾ｌぶ・′７− ソー人バイアス肴太坑
第２図FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a power supply device for an electronic tuner according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of an interstage circuit according to the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a configuration of an interstage circuit according to the present invention. FIG. 4 is a circuit diagram of a configuration example of a conventional interstage circuit. 1.2, 3.4...Switching diode for low channel/high channel switching, 5...Switching diode for band switching, 6,7...Switching diode for bias circuit, 8,9...Reverse bias Stabilizing resistor, 10.11.12.13...Switching diode bias resistor, 14...MO3F for RF amplification
ET, 15... Source bias correction resistance, 16.1
7... Source bias resistance, 19+ 2L 21+
22...Tuning diode, 23.24.25.26
．． 27... Interstage coil, 28.29... Coupling capacitor, 30.31... Tuning diode bias resistor, 32.33.34.35... DC cut capacitor. Agent Yoshihiro Morimoto Figure 1 5 --- Nozun F1's Gibuki Kushisu Atsuko 2'!゛I f-
)"z, 7-1 bias 8 meri η s 4 b+y f'f'4
Niichido/I~/3・-su4tsukeiri°4keydo “BaA1”
Su 柾LB・'7- Sou Bias Appetizer Diagram 2
Claims (1)
ーチャンネル・ハイチャンネル切換用スイッチングダイ
オードの電流負荷回路にＲＦ増幅回路のＭＯＳＦＥＴの
ソースバイアス回路を用い、その他の能動素子のバイア
ス回路への電源供給には別個のダイオードを用いて、ス
イッチング回路とバイアス回路を分離独立して構成した
電子チューナの電源供給装置。1. The MOSFET source bias circuit of the RF amplifier circuit is used as the current load circuit of the switching diode for low channel/high channel switching in the local oscillation circuit, interstage circuit, and antenna circuit, and the power supply to the bias circuit of other active elements is used. A power supply device for an electronic tuner that uses separate diodes for power supply, and the switching circuit and bias circuit are configured separately and independently.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792786A JPS6354013A (en) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Power supply device for electronic tuner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792786A JPS6354013A (en) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Power supply device for electronic tuner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6354013A true JPS6354013A (en) | 1988-03-08 |
Family
ID=16382594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19792786A Pending JPS6354013A (en) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Power supply device for electronic tuner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6354013A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125717A (en) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Toppan Printing Co Ltd | Antifungal plastic container, its manufacturing device and manufacture |
| JPH02200866A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-09 | Kanebo Ltd | Method for scouring and bleaching zeolite particle-containing polyester fiber and cellulosic fiber |
| JPH02238923A (en) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Kyoraku Co Ltd | Preparation of antifungal molded item |
| JPH0379831U (en) * | 1989-12-08 | 1991-08-15 | ||
| JPH03247626A (en) * | 1990-02-27 | 1991-11-05 | Michio Kawai | Master batch |
| JPH04146218A (en) * | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Alginic acid salt fiber, its planar aggregate and their production |
| JPH04231063A (en) * | 1990-09-18 | 1992-08-19 | Create Medic Kk | Antimicrobial composition |
| JPH04231062A (en) * | 1990-09-18 | 1992-08-19 | Create Medic Kk | Antimicrobial medical product |
| JPH0726394U (en) * | 1993-10-19 | 1995-05-16 | 株式会社ネオテック | Antibacterial cloth silo |
| JPH07178008A (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-18 | Ryoichi Nishio | Roll towel |
| US7250453B2 (en) | 2001-10-17 | 2007-07-31 | Kabushiki Kaisha Sangi | Anti-bacterial composite particles and anti-bacterial resin composition |
| US9136035B2 (en) | 2010-10-13 | 2015-09-15 | Sumitomo Riko Company Limited | Flexible conductive material and transducer, flexible wiring board, and electromagnetic shield using the same |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19792786A patent/JPS6354013A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125717A (en) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Toppan Printing Co Ltd | Antifungal plastic container, its manufacturing device and manufacture |
| JPH02200866A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-09 | Kanebo Ltd | Method for scouring and bleaching zeolite particle-containing polyester fiber and cellulosic fiber |
| JPH02238923A (en) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Kyoraku Co Ltd | Preparation of antifungal molded item |
| JPH0379831U (en) * | 1989-12-08 | 1991-08-15 | ||
| JPH03247626A (en) * | 1990-02-27 | 1991-11-05 | Michio Kawai | Master batch |
| JPH04231063A (en) * | 1990-09-18 | 1992-08-19 | Create Medic Kk | Antimicrobial composition |
| JPH04231062A (en) * | 1990-09-18 | 1992-08-19 | Create Medic Kk | Antimicrobial medical product |
| JPH04146218A (en) * | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Alginic acid salt fiber, its planar aggregate and their production |
| JPH0726394U (en) * | 1993-10-19 | 1995-05-16 | 株式会社ネオテック | Antibacterial cloth silo |
| JPH07178008A (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-18 | Ryoichi Nishio | Roll towel |
| US7250453B2 (en) | 2001-10-17 | 2007-07-31 | Kabushiki Kaisha Sangi | Anti-bacterial composite particles and anti-bacterial resin composition |
| US9136035B2 (en) | 2010-10-13 | 2015-09-15 | Sumitomo Riko Company Limited | Flexible conductive material and transducer, flexible wiring board, and electromagnetic shield using the same |
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