SU1046804A1 - Способ контрол точности совмещени при микролитографии - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть исгТол&зовано дл  контрол  топологического рисунка при изготовлении фотошаблонов дл  полупроводниковых приборов и интегральных схем. Известен способ контрол  совмещаемости фотошаблонов на оптическом компараторе, при котором изображени  .контролируемых фотошаблонов проспируютс  на экран и совмещаютс  l j . Недостатком данного способа  вл етс  то, что он не позвол ет контролировать более двух фотошаблонов. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ-контрол  точности совмещени , при котором на подложку последовательно нанос т планки окиси кремни , по каждой из которых провод т пробную фотолитографию с использованием различных фотошаблонов комплекта, а затем измер ют погреши ности совмещени  элементов топологического рисунка, расположенных в раз ных сло х .. Недостатком известного способа  в л етс  низка  точность контрол , обусловленна  тем, что границы элементов , расположенных в нижних сло х получаютс  нечеткими. Цель изобретени  - повышение точности контрол . Поставленна  цель достигаетс  тем что согласно способу контрол  точнос ти совмещени  при иикролитографии, включающему последовательную пропечатку рисунков топологических слоев на подложку путем пробных литографических процессов и измерение погрешностей совмещени , все пробные литографические процессы провод т по одной и той же прозрачной дл  видимого света пленке, примем а каждом литографическом процессе микрогравировку осуществл ют на глубину ut, определ емую по формуле At . , где t - начальна  толщина прозрачно пленки; N - количество литографических процессов. В результате осуществлени  предла гаемого способа в прозрачной пленке .формируетс  ступенчатый рельеф, Kf-xда  ступенька которого соответствует определенному топологическому слою. Так как в процессе контрол  на подложку не нанос тс  ,никакие пленки, очертани  элементов всех топологических рисунков остаютс  четкими, что обеспечивает высокую точность контрол . На чертеже показан рельеф, получаемый в результате микрогравировки. В результате последовательной пропечатки рисунков топологических слоев на одну и ту же прозрачную пленку 1, расположенную на подложке 2, элементы этих рисунков представл ют собой углублени , вписанные друг в друга, и образуют ступенчатый рельеф 3 с четкими очертани ми каждой ступени. Затем подложку наблюдают под микроскопом в отраженном свете. При этом ступени рельеЛа оказываютс  поразному окрашенными за счет интерференции лучей и 5 света, отраженных от нижней и.верхней поверхностей прозрачной пленки соответственно, что обеспечивает хорошую контрастность изображени . Далее провод т измерение погреш ностей совмещени  с помощью специальных измерительных приспособлений, например окул рного микрометра. Пример. На стандартной стекл нной подложке, покрытой прозрачной дл  видимого света пленкой фоторезиста типа ФП-617 выполн ют совмещенный рисунок семи топологических слоев линейной интегральной схемы.; Формирование осуществл ют на прецизионном фотоповторителе ЭМ-552 путем последовательной пропечатки семи промежуточных фотооригиналов со вре.менем экспонировани  в семь раз меньше , чем при обычной экспозиции. Затем пластину обрабатывают в 0,5%-ном растворе КОН. В результате получают ступенчатый рельеф, где каждый топологический слой совмещенного рисунка имеет определенный цвет, и определенную глубину рельефа, что позвол ет четко определить границы элементов каждого , сло  и точно оценить степень совмещенности контролируемых слоев. Таким образом, изобретение позвол ет повысить точность контрол , что при контроле совмещаемости комплектов фотошаблонов дает возможность повысит

камество этих комплектов, а при технй- этой диагностики, что в конечном итоге ческой диагностике литографического приведет к повышению выхода годных иноборудовани  повысить.достоверность тегральных схем.

Claims (1)

1. СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЧНОСТИ СОВМЕЩЕНИЯ ПРИ МИКРОЛИТОГРАФИИ, включающий последовательную пропечатку рисунков топологических слоев на подложку путем пробных ΠΜΤΟΓρθφΗ4β<:ΚΜΧ^Ί процессов вмещения, тем, что, контроля, кие процессы проводят по одной и той же прозрачной для видимого света пленке, причем в каждом литографическом процессе микрогравирокуг'· осуществляют на глубину At, определяемую по формуле пробных литографических¹ измерение погрешностей со тл имеющийся целью повышения точности

   И о с все пробные литографичес^а N где t₀ - начальная толщина прозрачной пленки;

   N - количество литографических процессов.

   SU η·.1Ό46804