SI24863A - Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava - Google Patents
Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava Download PDFInfo
- Publication number
- SI24863A SI24863A SI201400380A SI201400380A SI24863A SI 24863 A SI24863 A SI 24863A SI 201400380 A SI201400380 A SI 201400380A SI 201400380 A SI201400380 A SI 201400380A SI 24863 A SI24863 A SI 24863A
- Authority
- SI
- Slovenia
- Prior art keywords
- sensor
- flash
- estimate
- correction
- list
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 20
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 16
- 206010033799 Paralysis Diseases 0.000 claims description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 210000000349 chromosome Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000029918 bioluminescence Effects 0.000 description 1
- 238000005415 bioluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Abstract
Predmet izuma sodi v področje senzorskih sistemov, ki temeljijo na silicijevih fotopomnoževalkah, bolj natančno v področje postopkov za razširjanje uporabnosti senzorskih sistemov s silicijevimi fotopomnoževalkami v režim nakopičenih bliskov svetlobe, in naprava, ki temelji na tem postopku. Razširitev delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režim nakopičenih bliskov je izvedena tako, da je v postopek obdelave meritev svetlobnega toka dodan korak, ki upošteva lastnosti omenjenega senzorja in temu ustrezno dinamično prilagaja oceno za zmanjšanje občutljivosti senzorja zaradi začasne hromitve proženih senzorskih mikrocelic. Na osnovi te ocene sistem poroča numerično modificirane ocene za svetlost bliskov.
Description
Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava
Predmet izuma sodi v področje senzorskih sistemov, ki temeljijo na silicijevih fotopomnoževalkah, bolj natančno v področje postopkov za razširjanje uporabnosti senzorskih sistemov s silicijevimi fotopomnoževalkami v režim nakopičenih bliskov svetlobe, in naprava, ki temelji na tem postopku.
Tehnični problem je, kako minimizirati posledice nasičenja detektorja s silicijevimi fotopomnoževalkami. Pri silicijevih fotopomnoževalkah v režimu nakopičenih bliskov svetlobe senzor zaradi visoke pogostosti bliskov svetlobe le-te ne more pravilno zaznati, kar ima za posledico sistematične merske napake.
Na področju detekcije posamičnih fotonov vidne svetlobe se je okoli leta 2001 pojavila tehnologija, imenovana silicijeve fotopomnoževalke (SiPM). V dobrih desetih letih od odkritja je sledila intenzivna industrializacija tehnologije in zlasti prodor na področje medicinske diagnostične opreme (pozitronska tomografija), letalske ter vesoljske tehnologije (LIDAR) in biotehnologije (analitske metode z bioluminiscenco), kjer SiPM postopno izpodriva starejšo tehnologijo steklenih fotopomnoževalk.
Silicijeva fotopomnoževalka je senzor svetlobe, občutljiv na posamične fotone in narejen kot tesno zloženo polje večjega števila drobnih plazovnih fotodiod na skupnem silicijevem substratu. V kontekstu SiPM delujejo posamične fotodiode v Geigerjevem načinu, kar pomeni, da v vsaki fotodiodi lahko pride do plazovne razelektritve, če nanjo vpade en ali več fotonov svetlobe. Naboj, ki ob razelektritvi preteče, ni odvisen od števila fotonov, ki so fotodiodo vzbudili, torej se vsaka zase diode binarno odzivajo na svetlobne dražljaje. Posamično fotodiodo v režim pripravljenosti vsakič znova vrne zaporedno vezani upor ali pa temu namenjeno tranzistorsko stikalo. Ta proces traja navadno 100ns ali manj, mikrocelica pa medtem ni občutljiva na fotone. Sklop fotodiode in upora ali tranzistorskega stikala oz. mehanizma za ugašanje toka se imenuje mikrocelica. Tokovni signal celotnega senzorja je vsota signalov s posamičnih mikrocelic in je zato približno sorazmeren s številom osvetljenih mikrocelic.
Tipična raba tovrstnega senzorja je v scintilacijskih detektorskih sistemih, kjer visokoenergijski delec v scintilatorju izgubi določeno količino kinetične energije in s tem inducira scintilacijo, to je blisk vidne svetlobe, ki navadno traja od nekaj ns do nekaj ps. Na blisk vidne svetlobe senzor SiPM reagira s sunkom električnega toka. Časovni potek tokovnega sunka je podoba časovnega poteka svetlosti v merjenjem scintilacijskem blisku, iz amplitude tokovnega sunka pa se oceni količina energije, ki jo je vpadni delec odložil v scintilacijskem detektorju.
Zaradi zgoraj opisane narave senzorja SiPM lahko pride pri merjenju svetlobnih bliskov do razmer, ko se v senzorju v kratkem času sproži znaten delež mikrocelic. Te so nato začasno ohromljene in senzor je tedaj bistveno manj občutljiv na nadaljnji vpad svetlobe, kar je znano kot binomsko zasičenje silicijeve fotopomnoževalke. Prva očitna posledica je, da ima senzor tem manjše ojačenje za merjenje svetlosti bliska, čim svetlejši je blisk. To vodi v nelinearen odziv tovrstnega senzorja in mu omejuje dinamični obseg. Druga posledica se izrazi v režimu delovanja, ko je pogostost merjenih bliskov tako velika, da se nekateri bliski delno prekrivajo v času. Takrat na ojačenje senzorja za meritev posamičnega bliska vplivajo tudi časovna dinamika in amplitude predhodnih bliskov. Na sliki 3 sta prikazana simbolična grafa razvoja intenzitete vpadle svetlobe in izmerjenega toka, kar poenostavljeno ilustrira, da je pri posameznem blisku rezultat meritve svetlosti sistematično podcenjen, kadar prejšnji blisk še ni izzvenel. Odprava te sistemske napake pri merjenju oz. zaznavanju bliskov svetlobe je naloga pričujočega izuma.
Izum z vstavitvijo vmesnega koraka manipulacije merjenega signala v sistem odpravi sistematično mersko napako pri določanju svetlosti pogostih bliskov svetlobe, kakršni se pojavijo na primer v scintilacijskih detektorjih pri visokih števnih hitrostih.
Patent US8476571B2 in patentna prijava EP2428820A2 opisujeta različne izvedbe silicijeve fotopomnoževalke kot take. Patenta EP2487704A3 in EP2530490A2, razkrivata specifične aplikacije tovrstnega senzorja. EP2376942B1 rešuje problem kompenzacije temperaturne odvisnosti lastnosti senzorjev SiPM. Problema nakopičenja bliskov se dotakneta dve rešitvi, ena opisana v JP2012251999A, kjer opišejo samodejno prilagajanje hitrosti vzorčenja glede na stopnjo kopičenja, s čimer znižajo povprečno električno moč sistema za zajem, ne odpravijo pa prej omenjene sistematične merske napake, in druga v US2013/0009267A1, ki predlaga sočasno rabo različno velikih senzorskih celic, glede na povprečno osvetlitev delov občutljive površine, kar pa predstavlja znatno komplikacijo pri proizvodnji senzorjev.
Bistvo postopka za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov je v tem, da se izmerjeni električni signal mikrocelic po blisku svetlobe pretvori v digitalni signal, ki je v korekcijskem procesorju korigiran skladno z vnaprej pripravljeno oceno za trenutno občutljivost detektorja.
Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in senzor po tem postopku bo v nadaljevanju podrobneje opisan s pomočjo slik, ki prikazujejo:
Slika 1 Silicijeva fotopomnoževaIka - stanje tehnike
Slika 2 Tipična raba silicijeve fotopomnoževalke v scintilacijskih detektorskih sistemih - stanje tehnike
Slika 3 Simbolična grafa razvoja intenzitete vpadle svetlobe in izmerjenega toka
Slika 4 Blok shema izvedbenega primera I po izumu
Slika 5 Blok shema izvedbenega primera II po izumu
Silicijeva fotopomnoževalka je senzor svetlobe, občutljiv na posamične fotone 1 in narejen kot tesno zloženo polje večjega števila drobnih plazovnih fotodiod 2 na skupnem silicijevem substratu. V kontekstu SiPM delujejo posamične fotodiode v Geigerjevem načinu, kar pomeni, da v vsaki fotodiodi lahko pride do plazovne razelektritve, če nanjo vpade en ali več fotonov svetlobe. Naboj, ki ob razelektritvi preteče, ni odvisen od števila fotonov, ki so fotodiodo vzbudili, torej se vsaka zase diode binarno odzivajo na svetlobne dražljaje. Posamično fotodiodo v režim pripravljenosti vsakič znova vrne zaporedno vezani upor 3 ali pa temu namenjeno tranzistorsko stikalo. Ta proces traja navadno 100ns ali manj, mikrocelica 4 pa medtem ni občutljiva na fotone. Mikrocelica 4 je sklop fotodiode 2 in upora 3 ali tranzistorskega stikala oz. mehanizma za ugašanje toka. Tokovni signal celotnega senzorja je vsota signalov s posamičnih mikrocelic in je zato približno sorazmeren s številom osvetljenih mikrocelic.
Tipična raba senzorja SiPM je v scintilacijskih detektorskih sistemih, kjer visokoenergijski delec 5 v scintilatorju 6 izgubi določeno količino kinetične energije in s tem inducira scintilacijo, to je blisk vidne svetlobe 7, ki navadno traja od nekaj ns do nekaj us. Na blisk vidne svetlobe 7 senzor SiPM 8 reagira s sunkom električnega toka 9. Časovni potek sunka električnega toka 5 je podoba časovnega poteka svetlosti v merjenjem scintilacijskem blisku, iz amplitude tokovnega sunka pa se oceni količina energije, ki jo je vpadni delec odložil v scintilacijskem detektorju.
Ker imajo tipični senzorji SiPM po več tisoč mikrocelic, gre pri binomskem zasičenju za statističen proces z razmeroma majhno relativno negotovostjo števila ohromljenih mikrocelic. Tedaj je proces zasičenja v dobrem približku določljiv iz izmerjenega signala. Senzorski sistem je zato lahko nadgrajen z dodatno fazo obdelave merjenega signala, ki sistem tehnično izboljša tako, da v izhodnem signalu ni več sistematičnih merskih napak, nastalih zaradi zasičenja senzorja.
Nadgradnja senzorskega sistema temelji na spoznanju, da omenjeno binomsko zasičenje merilna naprava lahko kompenzira tako, da v vsakem od primerno izbranih dovolj kratkih zaporednih časovnih intervalov izvede naslednje ključne korake:
- Iz ocen za hromljenje mikrocelic, pripravljenih v predhodnih časovnih intervalih, in iz znanih lastnosti senzorja pripravi oceno za število trenutno še ohromljenih mikrocelic,
- iz tako pripravljene ocene za število trenutno ohromljenih mikrocelic pripravi oceno za trenutno občutljivost detektorja, ki je sorazmerna številu trenutno aktivnih mikrocelic,
- iz trenutnega električno izmerjenega senzorskega signala pripravi oceno za dejanski trenutni vpadni svetlobni tok na senzor tako, da pri tem upošteva zmanjšano občutljivost senzorja zaradi ohromljenega deleža mikrocelic,
- tako ocenjeni dejanski vpadni svetlobni tok poroča nadaljnjim podsklopom senzorskega sistema,
- iz zgoraj pridobljenih ocen pripravi oceno za število na novo ohromljenih mikrocelic.
Postopek po izumu vključuje meritev vpadnega svetlobnega toka v senzorju 12, katerega sestavni del je polje plazovnih fotodiod v geigerskem režimu, ter korekcijo nastale merske napake na osnovi tega,
- da omenjena merska napaka pri meritvi vpadnega svetlobnega toka nastane, ker vsak detektirani foton začasno ohromi eno od fotodiod omenjenega senzorja,
- da se iz merjenega električnega signala 13 iz senzorja 12 v realnem času ocenjuje aktualno število ohromljenih diod,
- da se slednjo oceno za število ohromljenih diod uporabi pri izračunu korekcijskega faktorja za trenutno občutljivost detektorja.
Postopek po izumu, ki vključuje meritev amplitude svetlobnega bliska v senzorju 20, katerega sestavni del je polje plazovnih fotodiod v geigerskem režimu, ter korekcijo nastale merske napake na osnovi tega,
- da omenjena napaka pri meritvi amplitude omenjenega bliska nastane, ker ob vsaj enem drugem skoraj sočasnem blisku detekcija slednjega sočasnega bliska ohromi vsaj eno fotodiodo omenjenega senzorja,
- da se zaporedje bliskov upodobi v procesnem delu 22 naprave s seznamom zapisov 23, kjer vsak zapis tvorita vsaj ocena svetlosti bliska in ocena časovne značke istega bliska,
- da omenjena korekcija popravi oceno svetlosti vsaj enemu blisku iz omenjenega seznama,
- da se omenjeno korigirano oceno 25 svetlosti bliska izračuna v korekcijski procesni enoti 24 iz ocene 23 svetlosti in časovne značke vsaj enega od ostalih bliskov,
- da so korekcijski parametri pripravljeni vnaprej in tabelirani za različne kombinacije izmerjenih amplitud in časovnih značk,
- da izmerjene amplitude korigira kjerkoli v verigi za zajem podatkov v realnem času,
- da izmerjene podatke, shranjene na spominskem mediju v obliki seznama zapisov, kjer vsak omenjeni zapis vključuje vsaj amplitudo in časovno oznako dogodka, korigira naknadno,
- da se izvede korekcija amplitudne ocene za posamični detektirani sunek, na osnovi vrednosti enega ali več korekcijskih parametrov, ki jih postopek dinamično prilagaja glede na izmerjene lastnosti doslej detektiranih sunkov.
V izvedbenem primeru I (glej sliko 4) je problem rešen tako, da se električni signal 13 iz senzorja 12 neprestano vzorči s hitrim analogno-digitalnim pretvornikom (ADC) 14, kjer se analogni signal 13 pretvori v neprekinjen niz števil 15. V korekcijskem procesorju 16 se niz števil 15 korigira in pretvori v berljiv niz števil 17, ki je popravljen na takšne vrednosti, kot bi jih bili pridobili iz senzorja brez binomskega zasičenja mikrocelic; je torej proporcionalna podoba dejanskega vpadlega toka svetlobe. Tak niz števil 17 se nato navadno obdela v večkanalnem analizatorju (MCA) 18, ki pripravi seznam 19 opisov amplitud sunkov. Seznam 19 je neposredno uporaben za nadaljnjo obdelavo v raziskovalnih in industrijskih merilnih sistemih, medicinskih diagnostičnih napravah in kamerah, varnostnih sistemih ter ostalih sistemih, ki imajo vgrajene silicijeve fotopomnoževalke. V tem primeru je tipična izvedba korekcijskega procesorja v programabilnem polju logičnih vrat (Field-programmable gate array, FPGA).
V izvedbenem primeru II (glej sliko 5), ki je posebno primeren za scintilacijske detekcijske sisteme in ga poleg tega odlikuje znatno manjša procesna zahtevnost v primerjavi z izvedbenim primerom I, je problem rešen tako, da se že pred aplikacijo korekcijskega procesiranja analogni električni signal 21 iz senzorja 20 analizira v večkanalnem analizatorju (MCA) 22, nastali seznam 23 opisov posamičnih električnih sunkov iz signala 21 pa je takšen, da vsak opis tvorita vsaj ocena amplitude sunka in časovna značka trenutka sunka. Seznam opisov 23 se korigira v procesni enoti 24, kjer se korigirane zapise novega seznama 25 pridobi iz vnaprej pripravljenih tabel glede na amplitude in časovne značke časovno bližnjih skupin sunkov. Omenjene korekcijske tabele so pripravljene bodisi s sistematičnim prečesavanjem parametričnega prostora svetlosti in časovnih značk, bodisi na drug način, ki vodi v tabelirane vrednosti, numerično ekvivalentne zgornjim. Slednji seznam 25 je prav tako neposredno uporaben v enakih aplikacijah kot v izvedbenem primeru I.
Razširitev delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režim nakopičenih bliskov je izvedena tako, da je v postopek obdelave meritev svetlobnega toka dodan korak, ki upošteva lastnosti senzorja SiPM in temu ustrezno dinamično prilagaja oceno za zmanjšanje občutljivosti senzorja zaradi začasne hromitve proženih senzorskih mikrocelic. Na osnovi te ocene sistem poroča numerično modificirane ocene za svetlost bliskov.
S postopkom po izumu in izvedbenimi primeri je zagotovljena uporaba silicijevih fotopomnoževalk za različne aplikacije, pri čemer je minimiziran vpliv napak zaradi fizikalnih lastnosti senzorjev na delovanje takih naprav.
Claims (10)
- Patentni zahtevki1. Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov, značilen po tem, da vključuje meritev vpadnega svetlobnega toka v senzorju (12), katerega sestavni del je polje plazovnih fotodiod v geigerskem režimu, ter korekcijo nastale merske napake na osnovi tega,- da omenjena merska napaka pri meritvi vpadnega svetlobnega toka nastane, ker vsak detektirani foton začasno ohromi eno od fotodiod omenjenega senzorja,- da se iz merjenega električnega signala (13) iz senzorja (12) v realnem času ocenjuje aktualno število ohromljenih diod,- da se slednjo oceno za število ohromljenih diod uporabi pri izračunu korekcijskega faktorja za trenutno občutljivost detektorja.
- 2. Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov, značilen po tem, da vključuje meritev amplitude svetlobnega bliska v senzorju (20), katerega sestavni del je polje plazovnih fotodiod v geigerskem režimu, ter korekcijo nastale merske napake na osnovi tega,- da omenjena napaka pri meritvi amplitude omenjenega bliska nastane, ker ob vsaj enem drugem skoraj sočasnem blisku detekcija slednjega sočasnega bliska ohromi vsaj eno fotodiodo omenjenega senzorja,- da se zaporedje bliskov upodobi v procesnem delu (22) naprave s seznamom zapisov (23), kjer vsak zapis tvorita vsaj ocena svetlosti bliska in ocena časovne značke istega bliska,- da omenjena korekcija popravi oceno svetlosti vsaj enemu blisku iz omenjenega seznama,- da se omenjeno korigirano oceno (25) svetlosti bliska izračuna v korekcijski procesni enoti (24) iz ocene (23) svetlosti in časovne značke vsaj enega od ostalih bliskov.
- 3. Postopek po zahtevku 2, značilen po tem, da so korekcijski parametri pripravljeni vnaprej in tabelirani za različne kombinacije izmerjenih amplitud in časovnih značk.
- 4. Postopek po zahtevku 2, značilen po tem, da izmerjene amplitude korigira kjerkoli v verigi za zajem podatkov v realnem času.
- 5. Postopek po zahtevku 2, značilen po tem, da izmerjene podatke, shranjene na spominskem mediju v obliki seznama zapisov, kjer vsak omenjeni zapis vključuje vsaj amplitudo in časovno oznako dogodka, korigira naknadno.
- 6. Postopek po zahtevku 2, značilen po tem, da se izvede korekcija amplitudne ocene za posamični detektirani sunek, na osnovi vrednosti enega ali več korekcijskih parametrov, ki jih postopek dinamično prilagaja glede na izmerjene lastnosti doslej detektiranih sunkov.
- 7. Naprava, značilna po tem, da vključuje postopek po kateremkoli izmed zahtevkov od 1 do 6.
- 8. Naprava po zahtevku 7, značilna po tem, da se električni signal (13) iz senzorja (12) neprestano vzorči s hitrim analogno-digitalnim pretvornikom (ADC) (14), kjer se analogni signal (13) pretvori v neprekinjen niz števil (15); da se v korekcijskem procesorju (16) niz števil (15) korigira in pretvori v berljiv niz števil (17), ki je proporcionalna podoba dejanskega vpadlega toka svetlobe; da se niz števil (17) nato obdela v večkanalnem analizatorju (18), ki pripravi seznam (19) opisov amplitud sunkov.
- 9. Naprava po zahtevku 7, značilna po tem, da se že pred aplikacijo korekcijskega procesiranja analogni električni signal (21) iz senzorja (20) analizira v večkanalnem analizatorju (22), nastali seznam (23) opisov posamičnih električnih sunkov iz signala (21) pa je takšen, da vsak opis tvorita vsaj ocena amplitude sunka in časovna značka trenutka sunka; da se seznam opisov (23) korigira v procesni enoti (24), kjer se korigirane zapise novega seznama (25) pridobi iz vnaprej pripravljenih tabel glede na amplitude in časovne značke časovno bližnjih skupin sunkov.
- 10. Naprava po kateremkoli od zahtevkov od 7 do 9, značilna po tem, da je vgrajena v raziskovalne in industrijske merilne sisteme, medicinske diagnostične naprave in kamere, varnostne sisteme in ostale sisteme, ki imajo vgrajene silicijeve fotopom noževa I ke.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SI201400380A SI24863A (sl) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava |
| PCT/SI2015/000033 WO2016060622A1 (en) | 2014-10-17 | 2015-10-16 | Process and a device for improvement of operation of silicon photomultipliers in the regime of piled-up pulses of light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SI201400380A SI24863A (sl) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SI24863A true SI24863A (sl) | 2016-04-29 |
Family
ID=55070113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SI201400380A SI24863A (sl) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| SI (1) | SI24863A (sl) |
| WO (1) | WO2016060622A1 (sl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110133710B (zh) * | 2019-04-24 | 2021-02-26 | 苏州瑞派宁科技有限公司 | 一种信号校正的方法及装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2376942B1 (en) | 2008-12-15 | 2013-03-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Temperature compensation circuit for silicon photomultipliers and other single photon counters |
| US8476571B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-07-02 | Siemens Aktiengesellschaft | SiPM photosensor with early signal digitization |
| EP2428820A3 (en) | 2010-09-13 | 2012-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Silicon photomultiplier and radiation detector |
| EP2487703A1 (en) | 2011-02-14 | 2012-08-15 | Fei Company | Detector for use in charged-particle microscopy |
| EP2530490B1 (en) | 2011-06-03 | 2019-02-27 | Toshiba Medical Systems Corporation | Device for radiation detection, radiation detection system and radiation detection method |
| US8309933B1 (en) | 2011-06-03 | 2012-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Count rate adaptive filter for medical imaging systems |
| US8791514B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-07-29 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Providing variable cell density and sizes in a radiation detector |
-
2014
- 2014-10-17 SI SI201400380A patent/SI24863A/sl active IP Right Grant
-
2015
- 2015-10-16 WO PCT/SI2015/000033 patent/WO2016060622A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016060622A1 (en) | 2016-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10585174B2 (en) | LiDAR readout circuit | |
| Cates et al. | Improved single photon time resolution for analog SiPMs with front end readout that reduces influence of electronic noise | |
| US10852183B2 (en) | Optical pulse detection device, optical pulse detection method, radiation counter device, and biological testing device | |
| US9677931B2 (en) | Detection of radiation quanta using an optical detector pixel array and pixel cell trigger state sensing circuits | |
| US9442201B2 (en) | CMOS SPAD array with mixed timing pick-off for time-of-flight positron emission tomography | |
| CN110462437B (zh) | 光检测器 | |
| US9057789B2 (en) | Radiation measuring device | |
| US20190353803A1 (en) | Multiple Energy Detector | |
| US11994586B2 (en) | Using time-of-flight and pseudo-random bit sequences to measure distance to object | |
| US8969814B2 (en) | System and method of determining timing triggers for detecting gamma events for nuclear imaging | |
| EP3158363A2 (en) | X-ray detector operable in a mixed photon-counting/analog output mode | |
| US9817135B2 (en) | Performance stabilization for scintillator-based radiation detectors | |
| US8716647B2 (en) | Analog silicon photomultiplier using phase detection | |
| US9945962B2 (en) | Signal processor and radiation detection device | |
| JP2014228464A (ja) | 放射線計測装置および放射線計測方法 | |
| US7638760B1 (en) | Method for tracking and correcting the baseline of a radiation detector | |
| US11047996B2 (en) | Photodetector | |
| SI24863A (sl) | Postopek za izboljšanje delovanja silicijevih fotopomnoževalk v režimu nakopičenih bliskov in naprava | |
| US10660589B2 (en) | Baseline shift determination for a photon detector | |
| JP2016016130A (ja) | フォトンカウンティングｃｔ装置 | |
| US20200386616A1 (en) | Method for counting photons by means of a photomultiplier | |
| US8957362B2 (en) | Determining relative timing offset in different electronic pathways using internal signals | |
| US11041965B2 (en) | Radiation-detecting device | |
| Gamal et al. | Silicon photomultiplier timing performance study | |
| Vinke et al. | Timing performance comparison of P-on-N and N-on-P silicon photomultipliers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OO00 | Grant of patent |
Effective date: 20160525 |