SE536362C2 - Spinnfilter och detektor innefattande sådan - Google Patents
Spinnfilter och detektor innefattande sådan Download PDFInfo
- Publication number
- SE536362C2 SE536362C2 SE1150326A SE1150326A SE536362C2 SE 536362 C2 SE536362 C2 SE 536362C2 SE 1150326 A SE1150326 A SE 1150326A SE 1150326 A SE1150326 A SE 1150326A SE 536362 C2 SE536362 C2 SE 536362C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- spin
- film
- thin
- filter
- thin film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical group C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000004 low energy electron diffraction Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- -1 but notlimited to Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1284—Spin resolved measurements; Influencing spins during measurements, e.g. in spintronics devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66984—Devices using spin polarized carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/325—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film applying a noble metal capping on a spin-exchange-coupled multilayer, e.g. spin filter deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Spinnfilter för detektering av spinnmoment hos elektroner, kännetecknat av att spinnfiltret (1)innefattar ett substrat (10) försett med minst ett membranskikt (12) med en första yta (11) medett flertal stödstrukturer (12n) för tunnfilm, där stödstrukturerna (12n) för tunnfilm innefattar enmagnetisk tunnfilm (14) för transmission av elektroner (e-). FIG. 1
Description
25 30 535 352 Kortfattad beskrivning av uppfinningen Enligt en aspekt, tillhandahåller uppfinningen ett spinnfilter som är baserat på ett membranskikt med stödstrukturer för tunnfilm överdragna med, eller försedda med magnetisk(a) tunnfilm(er), i det följande betecknade porer. Typiskt är stödstrukturerna för tunnfilm smà hål, eller porer, men även andra stödstrukturer för tunnfilm såsom ett fint nät eller liknande kan användas istället.
I detta sammanhang betyder termen ”por” ett hål överdraget med en magnetisk tunnfilm, eller en hålstruktur som innefattar en magnetisk tunnfilm. Termen ”por” inkluderar även alla andra typer av kaviteter av alla former, som kan uppbära tunnfilmen så att filmen kan vara tillräckligt tunn för överföring av elektroner, men hindra andra komponenter frän att överföras. l detta sammanhang betyder termen "spinfiltermembranskikt" ett skikt med en eller flera stödstrukturer för tunnfilm, vilka innefattar små hål, där varje hål är täckt av eller försett med ett magnetiskt tunnfilmskikt. Varje hål eller hålstruktur som innefattar ett magnetiskt tunnfilmsskikt, som även betecknas en så kallad por kan även ses som en stödstruktur för tunnfilm i sig som är iform av en långsträckt hålstruktur liknande ett rör med ett tunnfilmsskikt anordnat däri vinkelrätt mot den längsgående riktningen. Pga liten storlek hos hälstrukturen kan det magnetiska tunnfilmsskiktet anordnat däri göras tillräckligt tunt för att medge elektroner att överföras genom tunnfilmsskiktet, men hindra andra komponenter fràn att överföras. Typiskt är en yta av den magnetiska tunnfilmen väsentligen lägre än hela ytan hos spinnfiltermembranskiktet. l detta sammanhang betyder ”liten” mikroskopisk dimension.
Spinnfiltret enligt uppfinningen är baserat på principen med spinnfiltereffekt hos magnetiska tunnfilmer. Det är känt att en magnetisk tunnfilm är verksam som ett spinnfilter och att magnetiska tunnfilmer uppvisar en spinnberoende transmissionssannolikhet för elektroner med låg energi (i detta sammanhang, betyder termen "låg energi" < 20 eV).
För att uppvisa rimlig transmission behöver filmtjockleken vara mindre än10 nm och de tekniska svårighetema att övervinna detta över ett tvàdimensionellt omrâde som är tillräckligt stort har försvårat försök att använda magnetiska tunnfilmer som spinnfilter för detektering av spinn.
Detta problem har nu Iösts genom att uppfinningen baserad på magnetiska tunnfilmer stabiliserade av, eller uppburna av en stödstruktur med små hål eller porer som innefattar magnetisk tunnfilm som är tillräckligt tunn för transmission av elektroner. 10 15 20 25 30 535 362 Genom uppfinningen kan en högre transmission och en högre Sherman-funktion tillhandahållas sàväl som parallell spinn-filtrering och tvà-dimensionella spinn-detekteringsscheman. \fidare medger även utformningen utvidgningar till tredimensionella detekteringsscheman.
Enligt en utföringsform av uppfinningen tillhandahålls ett spinnfilter för detektering av spinnmoment hos elektroner, vilket innefattar ett tunnfilmselektronspinnfilter, där spinnfiltret innefattar ett substrat försett med ett membranskikt som innefattar ett flertal stödstrukturer för tunnfilm. som innefattar porer som innefattar magnetisk tunnfilm för transmission av elektroner.
Typiskt innefattar membranskiktet ett stort antal stödstrukturer för tunnfilm som är fördelade över ett tvàdimensionellt omrâde av substratet.
Typiskt är ytorna hos poremas tunnfilmer väl under en yttre yta av membranskiktet.
Typiskt är tjockleken av den magnetiska tunnfilmen hos porerna inom intervallet 1 till 10 nm, vilket är lángt under membranskiktets tjocklek.
Flera än ett magnetiskt skikt kan vara anordnade i en kombination av skikt, förutsatt att tjockleken hos kombinationen av skikt är tillräckligt tunn för transmission av elektroner. Även andra skikt kan vara anordnade i något lämpligt antal.
Typiskt är den magnetiska tunnfilmen överdragen med ett eller flera kapslande skikt.
Enligt en andra aspekt av uppfinningen tillhandahålls även en detektoranordning med spinnfilter för detektering av spinnmoment hos elektroner, vilken innefattar ett elektroniskt tunnfilmsspinnfilter. där spinnfiltret innefattar ett substrat, försett med minst ett membranskikt med ett flertal stödstrukturer för tunnfilm, där stödstrukturerna för tunnfilm är försedda med porer med magnetisk(a) tunnfilm(er) för transmission av elektroner.
De mikroskopiska dimensionerna av porerna medger den totala magnetiska tunnfilmstjockleken till att enbart vara nägra fà nm. I detta fall är tunnfilmstjockleken tillräckligt tunn för att medge elektroner att överföras genom tunnfilmen. 10 15 20 25 30 535 362 Spinnfiltret enligt uppfinningen kan användas till exempel i anordningar såsom spinndetektorer.
Kortfattad beskrivning av ritningsfigurer Sårdragen och fördelar med uppfinningen sàsom beskrivits och ytterligare sàdana framgår av följande detaljerade beskrivning och åtföljande ritningsfigurer, av vilka: FIG. 1A år en vy från ovan av ett spinnfilter med ett antal stödstruktu rer för magnetisk tunnfilm för detektering av spinnmoment hos elektroner enligt en utföringsform av uppfinningen; Fig. 1B är en tvärsnittsvy längs med linje A-A av samma spinnfilter som visas i FIG. 1A; F|G.1C är en förstorad vy i tvärsnitt av en stödstruktur för en tunnfilm; Fig. 2 visar en förstorad vy ovanifrän av stödstrukturen för tunnfilm med porer med en meterskala áskádliggjord; FIG. 3 visar ett spinnfilter för detektering av spinnmoment hos elektroner enligt en annan utföringsform av uppfinningen, som innefattar kapslande skikt som omger det magnetiska tunnfilmsskiktet, och FIG. 4 visar en detektoranordning med ett spinnfilter enligt en utföringsform av uppfinningen.
Detaljerad beskrivning av uppfinningen Nu hänvisas först till FIG. 1A-C som visar ett spinnfilter enligt en utföringsform av uppfinningen.
FIG. 1A är en vy från ovan av ett spinfilter; FIG. 1B är en tvärsnittsvy av samma spinnfilter som visas i FIG. 1A längs med linjen A-A; och FlG.1C är en förstorad vy i tvärsnitt av ett enskilt membran. FIG. 1A-C visar en spinnfilteranordning 1 för detektering av vinkelmoment av elektroner enligt en utföringsform av uppfinningen. Nu hänvisas särskilt till FIG. 1A och B.
Spinnfiltret 1 innefattar ett substrat 10 med en första yta 11, försedd med minst ett membranskikt 12 med ett flertal stödstrukturer 12n för tunn film, med hålstrukturer såsom porer eller kaviteter.
Såsom framgår av denna särskilda figur är stödstrukturerna 12n för tunnfilm försedda med porer 13, vilka innefattar en magnetisk tunnfilm 14 för transmission av elektroner e- (Se förstorad vy i FIG. 1C).
Typiskt är tjockleken av den magnetiska tunnfilmen 14 mindre än 10 nm för att uppvisa rimlig transmission, men typiskt är tjockleken av den magnetiska filmen 14 enbart några få nm.
Membranskiktet 12 kan uppvisa ett stort antal n stödstrukturer för tunnfilm 12,., där n= 1-1000 000, fördelade över ett tvädimensionellt område X-Y av substratet 10. Varje stödstruktur 12,., för 10 15 20 25 30 535 382 tunnfilm där enbart en visas i förstoring i FIG. 1C, är typiskt i form av en por som innefattar en tunnfilm 14. Tunnfilmen 14 är typiskt anordnad under en ytteryta 11 av substrat-/membranskiktet 12 i en kavitet så att tunnfilmen 14 skyddas mekaniskt (Se FIG. 1C). Stödstrukturerna 12n för tunnfilm kan ha vilken lämplig typ av form som helst såsom kvadratisk, cirkulär, triangulär, rektangulär, där kvadratisk form visas i FIG. 1A-C.
Substratet 10 kan vara en cirkulär skiva med stor storlek såsom en diameter 2 " som visas i FIG. 1A och B, eller tom 4" (som inte visas), vilket är en stor fördel. Detta medger användandet av spinnfiltret 1 enligt uppfinningen direkt framför ett typiskt MCP-detektorpaket. Spinnfiltret 1 enligt uppfinningen kan ersätta bländaren, överföringslinsen och högspänningselektroniken som krävs för kända detektorer. Detta kommer visas och beskrivas mera med hänvisning till FIG. 4.
Stödstrukturen 12n för tunnfilm kan ha en sida på några få hundra pm, såsom visas i FIG. 1A, men även mindre eller större diametrar eller vilket antal membran 12,. som helst förutsatt att det finns tillräckligt med plats är möjliga.
Substratet 10 är typiskt en konventionell 2 “ kisel (Si) halvledarskiva, men även alla andra typer av halvledande material såsom germanium (Ge), eller galliumarsenid (GaS) eller dimensioner kan användas istället förutsatt att steget att täcka den första ytan 11 med ett eller flera ytterligare membraner kan tillhandahållas. Substratet 10 kan alternativt vara vilken annan stabiliserande struktur som helst (som inte visas I någon ritningsfigur) tillverkad av stödstänger, nät, eller liknande som uppbär membranskiktet 12.
Membranskiktet 12 mönstras sedan på substratet 10, här i form av ett stort antal kvadrater i en matris. Se FIG. 3. Därefter gros/avsätts/appliceras den magnetiska tunnfilmen 14 på den mönstrade skivan pà membranskiktet 12. Tillväxt kan åstadkommas genom att använda existerande förfaranden som år kända för fackmannen. Efter tillväxt av film mönstras skivan ytterligare genom att använda kända förfaranden som är kända för fackmannen såsom litografiska tekniker. Sedan öppnas mikroporer (eller kaviteter) i halvledarskivan 12n genom att använda konventionella förfaranden såsom reaktivjonetsning eller annan etsningsteknik så att en matris med mikroskopiska fritt stående magnetiska tunnfilmer 14 skapas i varje stödstruktur för 12n för tunnfilm. Den lilla storleken av porerna 12n medger de fritt stående tunnfilmerna 14 till att ha en mycket liten tjocklek, typiskt väl under 10 nm så att transmissionen kan bli jämförbar med andra typer av detektorer > 103. Sherman-funktionen hos tunnfilmen kan överskrida 0,5 10 15 20 25 30 535 362 och figure of merit är därför potentiellt högre än den hos en konventionell spinn-LEED eller Mott- detektor och jämförbar med den hos en magnetisk-film-absorptions-detektor (dvs. G=10'3). l motsats till nämnda magnetisk-film-absorptions-detektor, arbetar spinnfiltret i transmission och kan innehålla ett eller flera skyddsskikt som förhindrar nedbrytning av den magnetiska filmen eller de magnetiska filmema. Detta förlänger spinnfiltrets livslängd.
Tunnfilmen innefattar ett eller flera magnetiska skikt genom vilka elektrontransmissionssannolikheten är beroende av elektronens spinnriktning. Till exempel kan tunnfilmen 14 vara en flerskiktsstruktur som innefattar olika skikt, vara magnetisk eller inte såväl som innefatta skikt som ger andra egenskaper även om dessa inte visas eller beskrivs explicit i FIG. 1. Skikten som ger elektrontransmissionsannolikheten kan vara ferromagnetiska material, såsom men inte begränsade till Ni, Fe, Co, inklusive deras legeringar.
Nu hänvisas till FIG. 3, som är en schematisk vy i tvärsnitt längs med linje A-A i FIG. 1, som visar vägen för inkommande elektroner e-.
De mikroskopiska dimensionerna av porerna 13 medger den totala filmtjockleken A till att vara enbart några få nm, såsom mindre än 10 nm, och typiskt mindre än 3 nm, förutsatt att tjockleken A av filmen 14 är tillräckligt tunn för att medge elektroner att överföras genom filmen 14 med hög sannolikhet.
Typiskt kan det magnetiska skiktet 14 vara kapslat för att förhindra problem med nedbrytning.
Den magnetiska tunnfilmen 14 är anordnad mellan tvä skikt 14a och 14b för att förhindra tunnfilmen 14 från exponering av mekanisk pákänning och nedbrytning. Andra kapslingsskikt eller -medel är även tänkbara även om de inte visas i FIG. 3 eller beskrivs mera detaljerat.
Tillväxt av filmerna kan åstadkommas genom att använda konventionella förfaranden som är kända för fackmannen inom området. Efter filmtillväxt ástadkoms mikroporer/kaviteter 12n medelst konventionell teknik.
Nu hänvisas till FIG. 4.
En viktig fördel med spinnfiltret enligt uppfinningen är att det kan tillverkas i stora storlekar, såsom 2“-, eller även 4- skivor. Detta medger användning av ett spinnfiltemembran framför en typisk mikrokanaldetektor MCP (Micro Channel Plate). Således anordnas spinnfiltret framför 10 15 20 25 30 535 352 nämnda MCP. På detta sätt kan en flerkanalsplatta i full storlek med 40 mm diameter, som medger att hela den normala detektorytan användas. Wdare används enbart den normala mikrokanaldetektorn med fluorescerande skärm och CCD-kamera bakom nämnda MCP.
Högspänningskretsar, separata detektorer, extern elektronik och vakuumkammare utgàr med spinnfiltret enligt uppfinningen.
Ett exempel på en detektor med spinnfiltret enligt uppfinningen anordnat enligt en utföringsform av uppfinningen visas i FIG. 4, till vilken nu hänvisas.
Detektorn innefattar i på varandra följande ordning från vänster till höger, ett slutgaller 41, spinnfiltret enligt uppfinningen 42, mikrokanalplattor (MCP) 43, en fluorescerande skärm 44, ett fönster 45 och en CCD 46.
Genom särskild mönstring och selektiv magnetisering kan spinnfiltret tillverkas med växlande områden, stödstrukturer för tunnfilmen, eller enskilda porer med vinkelrät i-plan och utur plan magnetisering som medger att spinnpolarisering kan bestämmas i tre dimensioner. Dessa områden överför företrädesvis uppspinn, nerspinn, vänsterspinn, högerspinn, framátspinn och bakàtspinn. En typisk svepkurva hos en hemisfärisk analysator kan således bestämma storlek och riktning av i-plan polarisation under det att tvàdimensionell parallell upptagning bibehålls.
Detta visas i FlG. 5.
Utföringsforrner av uppfinningen har beskrivits ovan med hänvisning till figurerna. 1-5. Emellertid inser fackmannen inom området att den detaljerade beskrivningen som givits här i anslutning till dessa figurer enbart är exemplifierande och att uppfinningen sträcker sig utanför dessa utföringsformer.
Den detaljerade beskrivningen är avsedd att illustrera och ge bättre förståelse av uppfinningen och ska inte ses som begränsande. Altemativa utföringsformer är uppenbara för fackmannen inom omrâdet utan att fràngâ uppfinningens skyddsomràde.
Claims (8)
1. Spinnfilter för detektering av spinnmoment hos elektroner, kännetecknat av att spinnfiltret (1) innefattar ett substrat (10) försett med minst ett membranskikt (12) med en första yta (11) med ett flertal stödstrukturer (12n) för tunnfilm, där stödstrukturerna (12n) innefattar porer (13) med en magnetisk tunnfilm (14) för transmission av elektroner (e-), där en yta av den magnetiska tunnfilmen (14) är väsentligen lägre än hela ytan hos membranskiktet (12), där en tjocklek av den magnetiska tunnfilmen (14) hos porerna (13) är inom intervallet 1 till 10 nm.
2. Spinnfilter enligt krav 1, där membranskiktet (12) innefattar ett antal stödstrukturer (12n) för tunnfilm distribuerade över en tvàdimensionell yta (X-Y) av substratet (10).
3. Spinnfilter enligt krav 1 eller 2, där den magnetiska tunnfilmen (14) hos stödstrukturen (12n) för tunnfilm är under den första ytan (11).
4. Spinnfilter enligt något av kraven 1-3 , där den magnetiska tunnfilmen (14) innefattar ett ferromagnetiskt material.
5. Spinnfilter enligt något av kraven 1-4, där tjockleken av den magnetiska tunnfilmen (14) av stödstrukturen (12n) för tunnfilm ligger inom intervallet 1 till 10 nm.
6. Spinnfilter enligt krav 4, där den magnetiska tunnfilmen (14) är överdragen med ett eller flera kapslingsskikt (14a, 14b).
7. Spinnfilter enligt nagot av kraven 1-5, där den magnetiska tunnfilmen (14) och/eller membranskiktet (12) uppvisar selektiv magnetisering av den magnetiska tunnfilmen film (14) i selektiva områden (X, Y, Z) som medger selektiv transmission av selektiva elektronspinnriktningar.
8. Detektor som innefattar mikrokanalplattor (44) och ett spinnfilter (1) enligt krav 1, för detektering av spinnmoment hos elektroner, kännetecknad av att spinnfiltret (1) innefattar ett substrat (10), försett med minst ett membranskikt (12) med en första yta (11) och med ett flertal stödstrukturer (12n) för tunnfilm, där stödstrukturerna (12n) innefattar porer med en magnetisk 536 352 tunnfilm (14) för transmission av elektroner (e-), där en yta av den magnetiska tunnfilmen (14) är väsentligen lägre än hela ytan (11) hos membranskiktet (12), där en tjocklek av den magnetiska tunnfilmen (14) hos porerna är inom intervallet 1 till 10 nm..
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE1150326A SE536362C2 (sv) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | Spinnfilter och detektor innefattande sådan |
US14/110,202 US9366734B2 (en) | 2011-04-15 | 2012-03-22 | Spin-filter and detector comprising the same |
PCT/SE2012/050318 WO2012141643A1 (en) | 2011-04-15 | 2012-03-22 | Spin-filter and detector comprising the same |
EP12771520.9A EP2697807B1 (en) | 2011-04-15 | 2012-03-22 | Spin-filter and detector comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE1150326A SE536362C2 (sv) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | Spinnfilter och detektor innefattande sådan |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE1150326A1 SE1150326A1 (sv) | 2012-10-16 |
SE536362C2 true SE536362C2 (sv) | 2013-09-10 |
Family
ID=47009579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE1150326A SE536362C2 (sv) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | Spinnfilter och detektor innefattande sådan |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9366734B2 (sv) |
EP (1) | EP2697807B1 (sv) |
SE (1) | SE536362C2 (sv) |
WO (1) | WO2012141643A1 (sv) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9814775D0 (en) * | 1998-07-09 | 1998-09-09 | Council Cent Lab Res Councils | Polarimeter |
JP4244312B2 (ja) | 2003-10-02 | 2009-03-25 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
US20070064351A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Wang Shan X | Spin filter junction and method of fabricating the same |
JP2009064826A (ja) | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Tdk Corp | スピントランジスタ及びその製造方法 |
GB201101862D0 (en) | 2011-02-03 | 2011-03-23 | Univ Muenster Wilhelms | Method and device |
-
2011
- 2011-04-15 SE SE1150326A patent/SE536362C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-22 US US14/110,202 patent/US9366734B2/en active Active
- 2012-03-22 WO PCT/SE2012/050318 patent/WO2012141643A1/en active Application Filing
- 2012-03-22 EP EP12771520.9A patent/EP2697807B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2697807A4 (en) | 2015-05-27 |
SE1150326A1 (sv) | 2012-10-16 |
US20140021569A1 (en) | 2014-01-23 |
EP2697807B1 (en) | 2016-08-10 |
WO2012141643A1 (en) | 2012-10-18 |
EP2697807A1 (en) | 2014-02-19 |
US9366734B2 (en) | 2016-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI602331B (zh) | 使用外部鐵磁偏壓膜之壓控磁各向異性切換裝置 | |
US8726491B2 (en) | Method of forming a spin-transfer torque random access memory (STT-RAM) device | |
US6912107B2 (en) | Magnetic element with insulating veils and fabricating method thereof | |
CN103081008B (zh) | 对于零偏移具有降低的补偿角的二轴磁场传感器 | |
US7023310B2 (en) | Method for manufacturing magnetic sensor, magnet array used in the method, and method for manufacturing the magnet array | |
US20070292973A1 (en) | Mram layer having domain wall traps | |
US9537087B2 (en) | Magnetoresistance sensor with perpendicular anisotropy | |
KR20020062852A (ko) | 자기 센서 및 그 제조방법 | |
EP2073285A3 (en) | A high performance MTJ element for STT-RAM and method for making the same | |
KR101800237B1 (ko) | 자기저항 효과 소자 | |
US10361361B2 (en) | Thin reference layer for STT MRAM | |
KR100450468B1 (ko) | 기억 셀 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP2011164068A (ja) | 超伝導光検出素子 | |
CN107195721B (zh) | 一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器 | |
EP2332145B1 (en) | Symmetric stt-mram bit cell design | |
US20120038355A1 (en) | Magnetic sensor and magnetic detection apparatus | |
Han et al. | Control of offset field and pinning stability in perpendicular magnetic tunnelling junctions with synthetic antiferromagnetic coupling multilayer | |
US20070231826A1 (en) | Article and assembly for magnetically directed self assembly | |
SE536362C2 (sv) | Spinnfilter och detektor innefattande sådan | |
CN113227814A (zh) | 磁性隧道结包括具有固有各向异性的自由层的tmr传感器 | |
US20120061782A1 (en) | Spin wave device | |
Shah et al. | Magnetic tunneling junction based magnetic field sensors: Role of shape anisotropy versus free layer thickness | |
CN112863565B (zh) | 基于自旋轨道矩的差分存储单元及其制备方法 | |
KR101685640B1 (ko) | 열전변환 소자 및 그 제조방법 | |
JP2010199320A (ja) | シリコンスピン伝導素子の製造方法及びシリコンスピン伝導素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |