SE534274C2 - Form med mikromönster, metod för att bilda formen samt överföringsmetod där formen används för att bilda mikromönster - Google Patents

Description

534 274

[0005] Det följer också, då man bildar ultra-mikromönster för överföring på en stämpel såsom ett kvartssubstrat genom användande av elektronlitografi eller liknande, och då ett område, där ett mikromönster för överföring skall skapas, har stor area, att stämpelberedning (formning av mikromönstret på stämpeln) tar läng tid. En anordning för att exekvera elektronlitograñn eller liknande har en hög arbetstidskostnad (en kostnad per tidsenhet för att använda anordningen), vilket höjer priset på stâmpeln.

[0006] Dessutom är materialkostnaden för ett material såsom kvartsglas som används som stärnpelmaterial också högt. Således, när området där mikromönstret för överföring bildas har stor area, ökar storleken på själva stämpeln, vilket höjer priset på ståmpeln.

[0007] I det avseendet, har följande tidigare varit känd. Speciellt, när mikromönstret som bildats på substratet 105 har en form i vilken samma mönster repeteras, till exempel, då ett mikromönster för överföring bildas på en yta på en relativt liten stämpel. Därefter, överförs mikromönstret för överföring kontinuerligt på resistskiktet 103, vilket är tillhandahållet på substratet 105. Således, bildas ett kontinuerligt mikromönster på ett stort område av substratet 105 på samma sätt som i fallet som visas i Fig. 24. Ovan nämnda metod för att bilda det kontinuerliga mikromönstret är till exempel visat i den japanska patentansökan med publiceringsnummer 2006- 191089 (Dokument 2). [ooos] Det följer också, i fallet då man bildar det kontinuerliga mikromönstret över en stor area av substratet genom att koppla ihop mikrornönster för överföring som beskrivet ovan, att resistskiktet sväller på grund av en första överföring, till exempel. Således år det möjligt att en andra överföring, kontinuerlig med den första överföringen, inte blir exakt utförd.

[0009] Situationen ovan kommer att beskrivas i detalj genom att använda Fig. 25 (som visar ett konventionellt överföringstillstånd). Genom att utföra en första överföring under användande av stämpel M20 (101), bildas ett mikromönster P11 på ett resistskikt W2l (103). Under det händelseförloppet, tillsammans med 534 274 3 mikromönstret P11, bildas ett svällande parti W22, och liknande för resistskíktet W21, runt mikromönstret P1 l.

[OO 10] I fallet med att försöka bilda ett mikromönster att kopplas till mikromönstret P11 i en del P12 av resistskíktet W2 1 genom en andra överföring under användande av stämpel M20, kommer en form av en ände av mikromönstret P11 eller en form av en ände (ände på mikromönstret P11-sidan) av mikromönstret bildat i delen P12, med andra ord, former av mikromönster vid en anslutning av mikromönster P1 l till mikromönstret bildat i delen P12 deformeras av det svâllande partiet W22. Således finns möjligheten att ett precist mikromönster inte kan bildas på resistskíktet W21.

[0011] Till exempel, i tillståndet som visas i Fig. 25, då stämpeln M2O sänks ned för att bilda ett mikromönster i delen P12 av resistskíktet W21, har resistskíktet i det svällande partiet W22 som befinner sig under ståmpeln M2O ingenstans att ta vågen och kommer således att ingå i en ytterst liten konkav del som befinner sig vid änden (änden på delen P12 sidan) av mikromönstret Pl 1.

[0012] Då ett precist mikromönster inte kan bildas på resistskíktet W21, är det ett problem att en form av mikromönstret som skall bildas på ett substrat W2O (ett mikromönster motsvarande mikromönstret som bildats på substratet 105 i Fig. 24e; ett mikromönster bildat genom etsning) inte heller blir precist.

[0013] Föreliggande uppfinning gjordes med hänsyn till ovanstående problem. Ett syfte med föreliggande uppfinning år att tillhandahålla en metod att framställa ett mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där var och ett av mikromönstren motsvarar ett mikromönster för överföring, vilket bildats på en mall, där metoden år kapabel att bilda mikromönster med en mer noggrann form på substratet.

Beskrivning av uppfinningen [OO 14] En första aspekt av föreliggande uppfinning är en metod att bilda ett mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där vart och ett av mikromönstren motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på. en mall, där metoden för att bilda mikromönster inkluderar: ett första täckningssteg för att 534 274 4 täcka en yta av substratet med ett skikt av överföringsmaterial; ett första överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring på överfóringsmaterialet, vilket bildats i det första tåckningssteget genom att pressa mallen mot substratet med skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom det första täckninigssteget; ett första steg för formning av forrnning av mikromönstret för att bilda ett mikromönster på substratet genom etsning, efter överför-ingen av rnikromönstret genom det första överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; ett första borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet tillhandahållet i det första täckningssteget, efter bildandet av mikromönstret genom det första steget för formning av mikromönstret; ett andra täckningssteg för att täcka delar av ytan på substratet med ett skikt av överföringsmaterial efter borttagningen av överföringsmaterialet i det första borttagningssteget; ett andra överföríngssteg för att överföra mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet bildat i det andra täckningssteget genom att pressa en mall mot substratet som har skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom det andra täckníngssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på substratet genom etsning efter överföringen av mikromönstret genom det andra överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett andra borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet tillhandahållet i det andra täckningssteget efter bildandet av mikromönstret genom det andra steget för formning av mikromönster.

[0015] En andra aspekt av föreliggande uppfinning är en metod för formning av mikromönster för att kontinuerligt bilda rnikromönster på ett substrat, där vart och ett av mikromönstren motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall, där metoden för att bilda mikromönstren inkluderar: ett första täckningssteg för att täcka en yta av ett nedre överföringsmaterial på ett substrat med ett skikt av ett övre överföringsmaterial, där substratets yta är täckt med ett skikt av det nedre överiöringsmaterialet, ett första överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring till den övre överföringsmaterialet, vilket bildats i det första tâckningssteget genom att pressa mallen mot substratet med skiktet av det övre överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det första täckningssteget; ett första steg för formning av mikromönstret för att bilda ett mikromönster på det nedre överföringsmaterialet genom att etsa efter överför-ingen av mikromönstret 534 274 5 genom det första överiöringssteget, där mikromönstret motsvarar rnikromönstret för överföring på mallen; ett första borttagningssteg för att ta bort det övre överföringsmaterialet tillhandahållet i det första tåckningssteget efter bildandet av mikromönstret genom det första steget för formning av mikromönstret; ett andra tåckningssteg för att täcka ytan med det nedre överföringsmaterialet med ett skikt av det övre överföringsmaterialet efter borttagningen av det övre överföringsmaterialet i det första borttagningssteget; ett andra överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring till det övre överföringsmaterialet bildat i det andra tåckningssteget genom att pressa en mall mot substratet som har skiktet av det övre överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det andra täckningssteget; ett andra steg för formning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på det nedre överfóringsmaterialet genom etsning efter överíöringen av mikromönstret i det andra överföringssteget, där rnikromönstret motsvarar rnikromönstret för överföring på mallen; ett andra borttagningssteg för att ta bort det övre överföringsmaterialet tillhandahållet i det andra täckningssteget efter bildandet av mikromönstret i det andra steget fór formning av mikromönster; ett tredje steg för forrnning av mikromönster att bilda mikromönstret på substratet genom etsning efter borttagandet av det övre överföringsmaterialet i det andra borttagningssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret på det lägre överföringsmaterialet; och ett tredje borttagningssteg för att ta bort det lägre överföringsmaterialet efter bildandet av mikromönstret i det tredje steget för formning av mikromönster.

[0016] En tredje aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod för mikromönster fór att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där vart och ett av mikromönstren motsvarar ett överföringsmönster bildat på en mall, där metoden för formning av mikromönster inkluderar; ett första tåckningssteg för att täcka en yta av ett tredje material på substratet med ett skikt av ett överföringsmaterial, där substratet bildas genom att stapla ett första material, ett skiktlikt andra material och ett skiktlikt tredje material; ett första överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring till överfóringsmaterialet, vilket bildats i det första täckningssteget genom att pressa mallen mot substratet med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta i det första tåckningssteget; ett första steg för formning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på det tredje materialet genom etsning efter överföringen av mikromönstret i det första 534 274 6 överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret fór överföring på mallen; ett första borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet tillhandahållet i det första tâckningssteget, efter bildningen av mikromönstret i det första steget för formning av mikromönster; ett andra tâckningssteg för att täcka ytan av det tredje materialet med ett skikt av överföringsmaterialet efter borttagandet av överföringsmaterialet i det första borttagningssteget; ett andra överfóringssteg för att överföra mikromönstret fór överföring till det övre överföringsmaterialet, vilket bildats i det andra täckningssteget genom att pressa en mall mot substratet med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta i det andra täckningssteget; ett andra steg för forrnning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på det tredje materialet genom etsning efter överföringen av mikromönstret i det andra överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; ett andra borttagningssteg fór att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i det andra tåckningssteget efter bildandet av mikromönstret i det andra steget för formning av mikromönster;

[0017] En fjärde aspekt av föreliggande uppfinning år en forrnningsmetod för mikromönster fór att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där vart och ett av mikromönstren motsvarar ett överföringsmönster bildat på en mall, där metoden för forrnning av mikromönster inkluderar: ett första täckningssteg fór att täcka en yta med ett skikt av ett överfóringsmaterial; ett första överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring till överföringsrnaterialet bildat i det första täckningssteget genom att pressa mallen mot substratet med skiktet av överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits på dess yta i det första täckningssteget; ett första tillhandahållningssteg för att tillhandahålla ett tâckelement på en del där substratet exponerats genom överförandet av mikromönstret för överföring i det första överföringssteget; ett första borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i det första täckningssteget efter täckning av delen där substratet exponerats med täckelementet i det första tillhandahållningssteget; ett andra tåckningssteg för att täcka delar substratytan med ett skikt av överföringsmaterial efter borttagandet av överföringsmaterialet i det första borttagningssteget; ett andra överiöringssteg för att överföra mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet, vilket bildats i det andra tåckningssteget genom att pressa en mall mot substratet med skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta i det andra täckningssteget; ett andra 534 274 7 tillhandahållningssteg för att täcka en del där substratet exponerats genom överföringen av rnikromönstret för överföring i det andra överföringssteget med ett täckelement; ett andra borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i det andra tåckningssteget efter täckning av delen där substratet är exponerat med täckelementen i det andra tillhandahållningssteget; ett steg för forrnning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på substratet genom etsning efter borttagning av överfóringsmaterialet i det andra borttagningssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett tredje borttagningssteg för att ta bort av täckelementen, vilka tillhandahållits i det första och andra tillhandahållnirigssteget efter bildningen av mikromönstret genomsteget för formning av forrnning av mikromönster.

[0018] En femte aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod enligt någon av de fyra första aspekterna, som vidare inkluderar: ett positionsrelationsdetekterande steg för att detektera en positionsmässíg relation mellan mikromönstret, vilket bildats i det första steget för formning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen efter att mikromönstret bildats i det första steget för formning av mikromönster och innan överföringen år utförd i det andra överföringssteget; och ett korrigeringssteg för att korrigera en position för mallen relativt substratet baserat på ett resultat av detektionen i positionsrelationsdetekteringssteget, så att mikromönstret för överföring som skall bildas i det andra steget för formning av mikromönster år precist kopplat till mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster.

[0019] En sjätte aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod för mikromönster enligt den femte aspekten, i vilken korrigeringssteget är ett steg för att utföra korrigeringen genom att kompensera en ändring i form hos mallen till korrekt form genom användning av en aktuator.

[0020] En sjunde aspekt av föreliggande uppfmning är en forrnningsmetod för mikromönster enligt den femte aspekten, i vilken, genom det första överföringssteget och det första steget för formning av mikromönster, rnikromönster bildas i en första del av överföringsrnaterialet och i en andra del skild från den första delen på ett förbestämt avstånd; genom det andra överföringssteget och det 534 274 8 andra steget för formning av mikromönster, bildas ett mikromönster i en tredje del som förenar den första och andra delen; och det positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för att detektera en posítionsmässig relation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster och rnikromönstret för överföring bildat på mallen genom att detektera en relativ positionsavvikelse av mikromönstret för överföring på mallen vid en gräns mellan den första delen och mikromönstret för överföring bildat på mallen och genom att detektera en relativ positionsavvikelse av mikromönstret för överföring på mallen vid en gräns mellan den andra delen och mikromönstret för överföring bildat på mall.

[0021] En åttonde aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod för mikromönster enligt den sjunde aspekten av föreliggande uppfinning, ivilken en del av mallen med mikromönstret fór överföring bildat däri är formad för att ha en rektangulär plan form; genom att anordna den första delen, den tredje delen och den andra delen i en rät linje, bildas ett mikromönster inom en rektangulär area; det positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för att detektera, på en sida i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, en positionsavvikelse av överföringsmönstret på mallen relativt den första delen vid gränsen mellan den första delen och mikromönstret för överföring bildat på mallen och en positionsavvikelse av överföringsmönstret på mallen relativt den andra delen vid gränsen mellan den andra delen och överföringsmönstret bildat på mallen, och genom att detektera, på den andra sidan i breddriktningen av det rektangulära mikromönstret, en positionsavvikelse av överföringsmönstret på mallen relativt den första delen vid gränsen mellan den första delen och överföringsmönstret bildat på mallen; och korrigeringssteget år ett steg för att genomföra korrigeringen genom att kompensera dimensionema på mallen i breddriktningen genom att ändra en elastisk deformationsandel hos mallen i breddriktníngen av det rektangulära mikromönstret genom att använda en aktuator baserat på avvikelsen i position på den andra sidan i breddriktningen.

[0022] En nionde aspekt av föreliggande uppfinning är en stämpel tillverkad genom elektroforrrming genom användande av ett substrat som inkluderar ett mikromönster bildat genom att använda formningsmetoden för mikromönster enligt någon av den första till fjärde aspekten.

[0023] 534 274 9 En tionde aspekt av föreliggande uppfinning är en mall bildad genom att använda ett substrat som inkluderar ett mikromönster bildat genom användande av forrnningsmetoden för mikromönster enligt någon av den första till den fiärde aspekten, i vilken en del av mallen som har mikromönstret bildat däri är formad att vara långsträckt genom utförande av överföringsstegen och formningsstegen för mikromönster som är linjerade med varandra.

[0024] En elfte aspekt av föreliggande uppfinning är en överföringsmetod fór att överföra mikromönstret på ståmpeln enligt den tionde aspekten till ett objekt-som- skall-bildas, i vilken del av stämpeln som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom att använda ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av cylindern, eller delen av stämpeln som har mikromönstret format däri formas till en konvex ytform genom användande av ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindem, och överföringen genomförs under förflyttning av en linjär pressningsdel av den konvexa ytan mot objektet-som-skall- bildas från den ena till den andra ändan av den konvexa ytan.

[0025] En tolfte aspekt av föreliggande uppfinning år en överföringsmetod enligt den elfte aspekten, i vilken, då den första överföringen är utförd, stämpeln förflyttas i en breddriktning av mikromönstret på stämpeln relativt objektet-som-skall-bildas, och, genom att utföra en andra överföring i överföringsmetoden enligt den nionde aspekten, överförs mikromönstret på stämpeln till objektet-som-skall-bildas på ett sätt kopplat i breddriktningen.

[0026] En trettonde aspekt av föreliggande uppfinning âr en formningsmetod för ett mikromönster för att kontinuerligt bilda ett rnikromönster på objektet-som-skall- bildas, där varje mikromönster motsvarar rnikromönstret bildat på stämpeln enligt den tionde aspekten, där metoden inkluderar: ett första (tredje) täckningssteg för täckning en yta av objektet-som-skall-bildas med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett första (fjärde) överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet, vilket bildats i den första (tredje) täckningssteget genom att pressa stárnpeln mot objektet-som-skall-bildas med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det första 534 274 10 (tredje) täckningssteget; ett första (tredje eller fjärde) steg för formning av mikromönster att bilda ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas genom etsning efter överfóringen av mikromönstret genom det första (fjärde) överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på stämpeln; ett första (tredje eller fjärde) borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tíllhandahållits i det första (tredje) täckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det första (tredje eller fjärde) steget för fonnning av mikromönster; ett andra (fjärde) täckningssteg för att täcka ytan av objektet-som-skall-bildas med ett skikt av överföringsmaterialet efter borttagning av överföringsmaterialet i det första (tredje eller fjärde) borttagningssteget; ett andra (femte) överföringssteg för att överföra mikromönstret fór överföring till överfóringsmaterialet, vilket bildats i det andra tâckningssteget genom att pressa stämpeln mot objektet-som-skall-bildas som har skiktet med överföringsmaterialet tjllhandahållet på dess yta genom det andra (fjärde) tåckningssteget; ett andra (fjärde eller femte) steg fór formning av mikromönster för att bilda ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas genom att etsa efter överföringen av mikromönstret genom det andra (femte) överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på stämpeln; och ett andra (fjärde eller femte) borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i det andra täckníngssteget efter bildandet av mikromönstret genom det andra (fjärde eller femte) steget för formning av mikromönster.

[0027] En fjortonde aspekt av föreliggande uppfinning är formningsmetoden för rnikromönster enligt den trettonde aspekten, i vilken, i vart och ett av överföringsstegen, delen av stämpeln som har rnikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom att använda ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av cylindern, eller delen av stämpeln som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom att använda ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindern, och överför-ingen är utförd medan en linjär pressningsdel av den konvexa ytan förflyttas mot objektet-som-skall-bildas från ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

[0028] 534 274 ll En femtonde aspekt av föreliggande uppfinning är formningsmetoden för mikromönster enligt någon av den första till fjärde aspekten, i vilken mikromönster bildas i delar av substratet som motsvarar delar av en färg av ett rutmönster i det första överföringssteget och det första steget fór formning av mikromönster, och mikromönster bildas i delar av substratet motsvarande delar av den andra färgen av rutrnönstret i det andra överföringssteget och det andra steget för formning av mikromönster.

[0029] En sextonde aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod fór mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall, där formningsmetoden fór mikromönster inkluderar: ett täckningssteg för att täcka en yta av substratet med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett överföringssteg för att överföra mikromönstren för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överfóringsmaterialet bildat i tâckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot substratet som har skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom tâckningssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda mikromönstren i förutbestämda intervall på ett flertal punkter på substratet genom etsning, efter överföringen av rnikromönstren genom överföringssteget, vilka mikromönster vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett borttagníngssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i tâckningssteget efter bildning av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster, i vilket, vart och ett av mikromönstren motsvarande mikromönstret för överföring bildat på mallen kontinuerligt bildas på substratet genom att repetera en cykel av tâckningssteget, överföringssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger.

[0030] En sjuttonde aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där rnikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall, där formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett täckningssteg för att täcka en yta av ett nedre överföringsmaterial på substratet med ett skikt av ett övre överföringsmaterial, där substratets yta är täckt med ett skikt av det nedre överföringsmaterialet; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för 534 274 12 överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det övre överföringsmaterialet bildat i tâckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot substratet med skiktet av det övre överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits på dess yta genom tâckningssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda mikromönstret i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det nedre överföringsmaterialet genom etsning, efter överföringen av mikromönstren genom överföringssteget, där mikromönstren vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet tillhandahållet i tâckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för forrnning av mikromönster, i vilket, mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen kontinuerligt bildas på det nedre överföringsmaterialet genom att repetera en cykel av tâckningssteget, överföringssteget, steget fór formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger, ett nijkromönster motsvarande mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet bildas på substratet genom etsning, efter bildandet av mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet, och mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen kontinuerligt bildas på substratet genom borttagning av det nedre överföringsmaterialet, efter bildningen av mikromönstret på substratet.

[0031] En artonde aspekt av föreliggande uppfinning är en formningsmetod för rnikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där rnikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall, där formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett tåckningssteg för att täcka en yta av ett tredje material på substratet med ett skikt av ett överföringsmaterial, där substratet är bildat genom att stapla ett första material, ett skiktliknande andra material och ett skiktliknande tredje material; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överfóringsmaterialet bildat i tâckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot substratet med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahállet på dess yta genom tâckningssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda mikromönstret i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det tredje materialet genom etsning, efter överföringen av mikromönstren genom överföringssteget, där mikromönstren vart och ett motsvarar 534 274 13 mikromönstret för överföring på mallen; och ett borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i täckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster, i vilket, mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen kontinuerligt bildas på substratet genom att repetera en cykel av tâckningssteget, överföringssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger.

[0032] En nittonde aspekt av föreliggande uppfmning är en formningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall, där formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett täckningssteg för att täcka en yta av substratet med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet bildat i täckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot substratet med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom täckningssteget; ett tillhandahållningssteg för att tillhandahålla ett tâckelement på en del där substratet exponerats genom överföringen av mikromönstret för överföring i överföringssteget; och ett borttagningssteg för att ta bort överfóringsmaterialet tillhandahållet i täckningssteget efter täckning av delen där substratet exponerats med täckningselementen i tillhandahållningssteget, i vilket, mikromönstret motsvarande mikromönstret för överföring på mallen bildas på substratet genom etsning, efter upprepning av respektive steg ett flertal cykler i ordning av tåckningssteget, överföringssteget, tillhandahållningssteget och borttagningssteget, och mikromönstren motsvarande mikromönstret för överföring bildat på mallen kontinuerligt bildas på substratet genom borttagning av tåckelementen tillhandahållna i tillhandahållningssteget efter bildningen av mikromönstret.

[0033] Enligt den första till nittonde aspekten av föreliggande uppfinning, uppnås en effekt där mikromönster med en precis form kan bildas på substratet i formningsmetoden för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på substratet, där mikromönstren vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen. 534 274 14 Beskrivning av flgurerna [Fig. 1] Fig. 1 år en vy framifrån som visar en schematisk konfiguration av en överíöringsanordning.

[Fig. 2] Fig. 2 är en vy från sidan som visar den schematiska konfigurationen av överföringsanordningen och är en vy sett från en pil Il i Fig. 1.

[Fig. 3] Fig. 3 (a) till 3 (d) är vyer som schematiskt visar stegen i en formningsmetod för mikromönster enligt en första utföringsform av föreliggande uppfinning.

[Fig. 4] Fig. 4 (a) och 4 (b) år vyer som visar ett substrat med ett mikromönster bildat på detta.

[Fig. 5] Fig. 5 (a) och 5 (b) är vyer som visar ett substrat med ett mikromönster _ bildat på detta.

[Fig. 6] Fig. 6 år en vy som visar ett installationstillstånd av en mall på en mallbârare och en kamera inkluderad i en positionsrelationsdetekterande anordning.

[Fig. 7] Fig. 7 (a) och 7 (b) år vyer som visat ett läge vid bildning av kopplade mikromönster på substratet.

[Fig. 8] Fig. 8(a) och 8(b) år vyer som visar exempel på resultat av detektion av den positionsrelationsdetekterande anordningen.

[Fig. 9] Fig. 9 (a) och 9 (b) år vyer som visar modifierade exempel av detektion av positionsavvikelse av den positionsrelationsdetekterande anordningen.

[Fig. 10] Fig. 10 år en vy som visar ett tillstånd av mallen deformerad genom användande av en aktuator.

[Fig. 11] Fig. ll (a) och l 1 (b) är vyer som visar ett läge vid bildning av kopplade mikromönster på substratet.

[Fig. 12] Fig. 12 är en vy som visar ett läge vid bildning av kopplade mikromönster på substratet.

[Fig. 13] Fig. 13 år en vy som visar ett låge vid bildning av kopplade mikromönster på substratet.

[Fig. 14] Fig. 14 är en vy som visat ett läge vid bildning av kopplade mikromönster på ett att-bli-forrnat objekt.

[Fig. 15] Fig. 15 är en vy som visar ett huvudparti av överföringsanordningen för genomförande av överföringen som visas i Fig. 14.

[Fig. 16] Fig. 16 år en vy som visar ett modifierat exempel i ett fall där kopplade mikromönster år bildade på ett att-bli-format objekt. 534 274 15 [Fig. 17] Fig. 17 (a) to 17 (c) är vyer som visar modifierade exempel av mallen.

[Fig. 18] Fig. 18 år vyer som visar ett modifierat exempel i ett fall där kopplade mikromönster är bildade på objektet-som-skall-bildas.

[Fig. 19] Fig. 19 (a) to 19 (c) är vyer som schematiskt visar stegen vid en formningsmetod för mikromönster enligt en andra utföringsform av föreliggande uppfinning.

[Fig. 20] Fig. 20 (d) to 20 (f) år vyer som schematiskt visar stegen vid en formningsmetod för mikromönster enligt den andra utföringsformen av föreliggande uppfinning.

[Fig. 21] Fig. 21 (a) to 21 (d) år vyer som schematiskt visar stegen vid en formningsmetod för mikromönster enligt en tredje utföringsform av föreliggande uppfinning.

[Fig. 22] Fig. 22 (a) to 22 (c) är vyer som schematiskt visar stegen vid en forrnningsmetod för mikromönster enligt en fjärde utföringsform av föreliggande uppfmning.

[Fig. 23] Fig. 23 (d) to 23 (f) år vyer som schematiskt visar stegen vid en formningsmetod för rnikromönster enligt en fjärde utföringsform av föreliggande uppfinning.

[Fig. 24] Fig. 24 (a) to 24 (e) år vyer som visar en konventionell överföringsmetod.

[Fig. 25] Fig. 25 är en vy som visar konventionell överföringsmetod.

Det mest föredragna sättet att utöva uppfinningen

[0035] Med referens till figurerna, kommer utföringsformer av föreliggande uppfinning att beskrivas nedan.

[0036] [Första utföringsformen] Fig. 3 är en vy som schematiskt visar stegen i en formningsmetod för mikromönster enligt en första utföringsforrn av föreliggande uppfinning.

[0037] Formningsmetoden för mikromönster år för att kontinuerligt bilda, på en plan yta av ett substrat Wl, mikromönster (samma mikromönster som en mall (stämpel eller pråglare) M1) som vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring (flertalet ytterst fina konvexa och konkava strukturer) bildade på mallen M1 genom att överföra mönstret på ett uppdelat sätt. En area (till exempel en area av den 534 274 16 plana ytan) av substratet Wl på vilket mikromönstret skall bildas är större än den yta hos mallen M1 på vilken mikromönstret för överföring bildas. Observera att mallen M1 är gjord av, till exempel, kvartsglas, och mikromönstret för överföring bildas på en plan yta hos mallen M1.

I formningsmetoden för mikromönster spinns, först, ett överföringsmaterial (till exempel, en i ultraviolett ljus hårdande resin innan härdning, mer specifikt, PAK- 01” tillverkad av Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd.) på ytan (till exempel, ungefârligen hela den plana ytan på en sida i en tjockleksriktning av substratet W1) av substratet (ort av, till exempel, kisel, mer specifikt, enkristallint kisel) W1. Därmed täcks ytan av substratet Wl med ett tunt skikt av överföringsmaterial W2. Vid denna händelse, blir substratet Wl företrädesvis ytbehandlat för att möjliggöra att ytan därav och det tunna skiktet starkare binder till varandra.

[0038] Därefter ska den plana ytan av mallen M1 med det därpå bildade mikromönstret för överföring pressas mot ett parti av substratet Wl med det tunna skiktet av överföringsmaterialet W2 tillhandahållet på dess yta. Således överförs mikromönstret för överföring på mallen M1 till det tunna skiktet av överföringsmaterial W2 (se Fig. 3 (a)). I denna överföring härdas överföringsmaterialet W2 genom ljusbestrålning av överföringsmaterialet med ultraviolett ljus.

[0039] Observera att överföringen som visas i Fig. 3 (a) år utförd, till exempel, mer än en gång, men kan också utföras endast en gång. I Fig. 3 (a), då mallen M1 âr placerad vid PS1, sänks mallen såsom indikeras av en pil ARl för att utföra den första överföringen. Därefter förflyttas mallen såsom indikeras av en pil AR2 och, då mallen M 1 är placerad vid PS2, sänks mallen M 1 såsom indikeras av en pil ARS, för att utföra den andra överföringen.

[0040] Vidare, i överföringen som visas i Fig. 3 (a), möjliggör den ultravioletta ljusbestrålningen, vilken utförs i den första överföringen (överföring vid PS1), att överföringsmaterialet W2 härdas endast vid en del av överföringsmaterialet W2 där ett mikromönster bildas i den första överföringen och i en därtill närliggande del.

Med andra ord, även om den ultravioletta ljusbestrålningen utförs i den första överföringen, blir en del av överföríngsmaterialet W2 där den andra överföringen kommer att utföras inte härdad. 534 274 17

[0041] Dessutom utförs den första överföringen (överföringen vid PS1) och den andra överföringen (överföringen vid PS2) i ett förbestâmt intervall. Till exempel, genom att utföra överföringen i ett efterföljande steg vilket visas i Fig. 3 (c) vid en position mellan den första överföringen (överföring vid PS1) och den andra överföringen (överför-ingen vid PS2), bildas ett kontinuerligt kopplat mikromönster på substratet Wl.

[0042] Dessutom, efter att överföringen visad i Fig. 3 (a) är utförd, bildas väldigt tunna skikt av överföringsmaterial (ej visade) i ytterst fina konkava delar av W2a av överföringsmaterialet W2, vilka formas genom ytterst fma konvexa delar av mikromönstret för överföring på mallen M 1. Med andra ord, vid nederdelarna av de ytterst fina konkava delarna W2a av överföringsmaterialet W2 täcks substratet Wl med ett väldigt tunt skikt av överföringsmaterialet W2.

[0043] Efter att överföringen som visas i Fig. 3 (a) är utförd och mikromönstret av överföringsmaterialet W2 har bildats, förflyttas mallen Ml bort från substratet W1 och överíöringsmaterialet W2. Därefter tas ett kvarvarande skikt bort på samma sätt som i fallet visat i Fig. 24 (c) och 24 (d). Speciellt tas det väldigt tunna skiktet av överföringsmaterial W2 som täcker substratet Wl bort vid den ytterst fina konkava delen W2a av överföringsmaterialet genom ett användning av ett 02- plasma eller liknande. Således exponeras ytan på substratet W1 vilket visas i Fig. 3 (a) med samma mikromönster som mikromönstret för överföring på mallen M1.

[044] Efter borttagning av det kvarvarande skiktet, genom etsning (till exempel torretsning) av substratet Wl under användande av överföringsmaterialet W2 som maskmaterial, bildas ett mikromönster motsvarande mikromönstret fór överföring på mallen M1 på substratet Wl. Speciellt bildas ett mikromönster motsvarande mikromönstret av överföringsmaterialet W2, vilket visas i Fig. 3 (a), på substratet Wl.

[0045] Observera att överföringsmaterialet W2 återstår intakt även efter etsningen.

Vidare, som torretsning, används företrädesvis reaktiv jonetsning (RIE), hög höjd/ bredd-förhållande etsning (Bosch processen eller djup-RIE) eller liknande.

[0046] 534 274 18 Efter att rnikromönstret bildats på substratet Wl, tas (tvättas) överföringsmaterialet W2 som visas i Fig. 3 (a) bort med en lösning vilken löser upp endast överföringsmaterialet W2 utan att lösa upp substratet Wl (se Fig. 3 (b)).

[0047] Efter att överföringsmaterialet W2 är borttaget, täcks ytdelarna av substratet W1 där mikromönstret bildats och andra ytdelar (delar där inget mikromönster är bildat) av substratet Wl, där de andra ytdelarna år kopplade till delarna ovan, med ett tunt skikt av överföringsmaterialet W2. Till exempel täcks huvudsakligen hela plana ytan på en sida i tjockleksríktningen av substratet Wl med överföringsmaterialet W2 på samma sätt som i fallet visat i Fig. 3 (a). [oo4s] Därefter, på huvudsakligen samma sätt som i fallet visat i Fig. 3 (a), pressas mallen Ml mot en annan del kontinuerligt kopplad till delen där mikromönstret bildats som visat i Fig. 3 (b), där delen som pressas mot mallen Ml är ett parti av substratet W1 och har det tunna skiktet av överföringsmaterial W2 tillhandahållet på dess yta. Därefter utförs ultraviolett ljusbestrålning för att överföra mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet W2 (se Fig. 3 (c)).

[0049] Observera att mallen som används i överföringen i Fig. 3 (c) och mallen som används i överföringen i Fig. 3 (a) är samma mall. Emellertid kan mallen som används i överföringen i Fig. 3 (c) och mallen som används i överföringen i Fig. 3 (a) vara olika.

[0050] Efter att rnikromönstret överförts till överfóringsmaterialet W2, vilket visas i Fig. 3 (c), förflyttas mallen Ml bort från substratet Wl och överföringsmaterialet W2, och det kvarvarande skiktet tas bort, och sedan utförs samma etsning som beskrivits ovan på substratet Wl. Således bildas ett rnikromönster vilket motsvarar rnikromönstret för överföring på mallen M1, och vilket är kontinuerligt kopplat till mikromönstren som visas i Fig. 3 (b) (liknande mikromönstren erhållna genom att » kontinuerligt koppla mikromönstret för överföring på mallen M 1) på substratet Wl.

[0051] Efter att de kontinuerligt kopplade rníkromönstren bildats på substrat Wl, tas överföringsmaterialet W2, vilket tillhandahållits i steget visat i Fig. 3 (c), bort med lösningsmedlet vilket bara löser överföringsmaterialet W2 utan att lösa upp substratet Wl (se Fig. 3 (d)). 534 274 19

[0052] Substratet Wl med mikromönstret således bildat på detsamma används för tillverkning av en elektroformad mall, en replika av ett skikt eller liknande. Särskilt tillverkas en nickelmall genom en elektroformningsprocess för nickel baserad på substratet Wl, med mikromönstret bildat på densamma. Altemativt, överförs ett mikromönstret till en resin genom att använda substratet Wl med mikromönstret bildat på detsamma för att tillverka en resinreplika såsom en plastisk resin och en i ultraviolett ljus härdbar resin. Därefter, tillverkas nickelrnallen från resinreplikan genom elektroformningsprocessen för nickel. Denna nickelmall inkluderar ett nlikromönster (samma mikromönster som det på substratet Wl) motsvarande rriikromönstret bildat på substratet Wl.

[0053] Genom att använda nickelmallen, utförs överföringen av mikromönstret till ett resinsubstrat kontinuerligt en gång eller fler än en gång. Således genereras ett optiskt element för en display, en linjenätspolarisator, en fotonisk kristall och en antireflekterande struktur.

[0054] Observera att de kontinuerligt kopplade mikromönstren som visas i Fig. 3 (d) bildas på substratet Wl på ett sådant sätt att ett parti (ett ändparti i en horisontell riktning i Fig. 3 (a) och 3 (b)) av mikromönstret bildat på överföringsmaterialet W2 och substratet W1 vilket visas i Fig. 3 (a) och 3 (b) och ett parti (ett åndparti i en horisontell riktning i Fig. 3 (c) och 3 (d)) av mikromönstret bildat på överföringsmaterialet W2 och substratet W1 vilket visas i Fig. 3 (c) och 3 (d) överlappar med varandra (med, exempelvis, ungefärligen 100 pm till 500 pm). Dock är ett sådant överlapp inte alltid nödvändigt. Speciellt så kan ändpartiet av mikromönstret bildat på överfóringsmaterialet W2 och substratet W1 som visas i Fig. 3 (a) och 3 (b) och ändpartiet av mikromönstret bildat på överföringsmaterialet W2 och substratet Wl som visas i Fig. 3 (c) och 3 (d) vara närliggande, eller något separerade, från varandra utan att överlappa med varandra.

[0055] Mikromönstret bildat på substratet Wl i stegen visade i Fig. 3 år utsträckta i en riktning (en breddriktning av substratet Wl) vinkelrät mot en longitudinell riktning av substratet Wl som visat i Fig. 4 (a). Dock kan ett substrat (liknande ett substrat W3 visat i Fig. 5) Wla som har ett mikromönster utsträckt i en longitudinell 534 274 20 riktning av substratet Wl som visat i Fig. 4 (b) tillverkas, till exempel, genom att ändra en monteringsposition av mallen M1.

[0056] Vid en koppling mellan mikromönster (en koppling mellan rnikromönster bildade i stegen i Fig. 3 (a) och 3 (b) och mikromönstren bildade i stegen i Fig. 3 (c) och 3 (d)) på substratet Wla som visat i Fig. 4 (b), återfinns små steg W3a som i fallet med substratet W3 som visat i Fig. 5. Dessa steg W3a orsakar dock inga praktiska besvär.

[0057] Hår kommer en beskrivning av överföringsanordningen 1 för att utföra stegen i Fig. 3 (a) och 3 (c) att ges.

[0058] Fig. 1 är en vy framifrån som visar en schematisk konfiguration av överföringsanordningen 1. Fig. 2 är en vy från sidan som visar den schematiska konfigurationen av överföringsanordningen 1 och år en vy sett från en pil II i Fig. 1.

[0059] I det följande, för att förenkla beskrivningen, antas att en riktning i en horisontell riktning är en X-axelriktning, och att en annan riktning i den horisontella riktningen som är vinkelrât mot X-axelriktningen år en Y-axelriktning, och att en riktning (en övre och en nedre riktning eller en vertikal riktning) vinkelrät mot X-axelriktningen och Y-axelriktningen är en Z-axelrikming.

[0060] Överföringsanordningen 1 år en anordning vilken överför mikromönster bildade på en yta (till exempel, en plan nedre yta) av en pråglare (mall) M1 till en yta (till exempel, en plan övre yta) av överföringsmaterialet W2 på substratet W1 genom att låta ytan av pråglaren M1 att komma i kontakt med ytan av överföringsmaterialet W2 och pressa präglaren M1 såsom krävs.

[0061] Överföringsanordningen 1 inkluderar en baskropp 3. En substrathållare 5 år tillhandahållen i baskroppen 3 för att hålla substratet Wl. Substrathållaren 5 har, till exempel, en plan övre yta på vilken substratet Wl som har det tunna överföringsmaterialet W2 tillhandahållet på detsamma kan monteras och hållas.

Såsom substratet Wl således år monterat och hålls kvar, är Z-riktningen en tjockleksriktning därav och det tunna överföringsmaterialet W2 tillhandahålls på 534 274 21 den övre ytan därav. Vidare år substratet W1 placerat vid en förutbestämd position i X-axel och y-axel riktningen.

[0062] Substrathållaren 5 bärs upp av baskroppen 3 genom en XYG-plattform 7. Därför är substrathållaren 5 (substratet Wl) fritt flyttbar och positionerbar i X-axel och Y- axel riktningarna och även fritt roterbar och positionerbar runt en axel parallell med Z-axeln genom att driva en aktuator (ej visad), såsom en servomotor inkluderad i XYG-plattformen 7, som kontrolleras av en kontrollanordning (ej visad).

[0063] I baskroppen 3, tillhandahålls en stämpelhållare (mallhållare) 9.

Stämpelhållaren 9 har, till exempel, en plan nedre yta, på vilken präglaren M1 kan hållas kvar. Såsom präglaren M1 således hålls kvar, har den nedre ytan ett rnikromönster för överföring bildat därpå riktat mot substrathållaren 5 (substratet W1 och överföringsmaterialet W2).

[0064] Stämpelhållaren 9 bärs upp av baskroppen 3 genom ett icke illustrerat Styrlager och är fritt förflyttningsbar och positionerbar i Z-axelriktningen genom att driva en aktuator (ej visad), såsom en servomotor som kontrolleras av en kontrollanordning.

[0065] Vidare, i överföringsanordnirigen 1, tillhandahålls en UV-ljus generator (ej visad) för att ljusbestråla substratet W1 (överföringsmaterialet W2) med UV-ljus. Således, vid bildning av mikromönstret på överfóringsmaterialet W2, kan Överföringsmaterialet W2 skapat av det i ultraviolett ljus härdbara resinet hårdas.

[0066] Observera att, som överföringsmaterial W2, kan en termoplastisk resin eller en termobindande resin väljas istället för den i ultraviolett ljus härdbara resinen. I detta fall, tillhandahålls en värmaranordning (ej visad) för att värma upp substratet W1 (överföringsmaterialet W2) i överföringsanordningen 1. Vidare, som substrat Wl, kan ett glassubstrat väljas istället för ett kiselsubstrat. Dessutom, som material för mallen M1, kan kisel, metall såsom nickel, glasigt kol eller lilmande väljas istället för kvartsglas.

[0067] Vidare tillhandahålls en positionsrelationsdetekterande anordning 11 och en korrigeringsanordning 13 i överföringsanordningen 1.

[0068] 534 274 22 Den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 är en anordning såsom följer. Efter att mikromönstret bildats på substratet Wl genom en första grupp av enkla eller multipla överföringar och etsningar såsom visas i Fig. 3 (a) och 3 (b), och innan en andra grupp av enkla eller multipla överföringar utförs såsom visas i Fig. 3 (c), detekterar den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 en positionsrelation mellan ett mikromönster bildat på substratet Wl genom den första gruppen av multipla överföringar (pressning av överföringsmaterialet W2 med mallen M1) och ett mikromönster för överföring bildat på mallen (mallen vilken år i position för att utföra den andra gruppen överföringar i X- och Y-axelriktningarna och ej år i kontakt substratet W1 och överföringsmaterialet W2 i Z-axelriktningen, till exempel, med mallen positionerad vid PS3 eller PS4 i Fig. 3 (c)) M1.

[0069] Korrigeringsanordningen 13 år en anordning som korrigerar mallens M1 position relativt substratet Wl baserat på ett resultat av detektionen av den positionsrelationsdetekterande anordningen 11, på ett sätt så att mikromönstret för överföring, vilket som bildats genom den andra gruppen av överföringar och etsningar, precist kan kopplas till mikromönstret bildat på substratet W1 genom den första gruppen av överföringar och etsningar. Observera att denna korrigering utförs, till exempel, då mallen M1 är positionerad vid PS3 och PS4 i det läge som visas i Fig. 3 (c).

[0070] Den positionsrelationsdetekterande anordningen 11, korrigeringsanordningen 13 och liknande kommer att beskrivas mer i detalj genom att ge exempel. [007 1] Fig. 6 år en vy som visar en installationstillstånd för mallen Ml till stämpelhållaren 9 och en kamera (till exempel en CCD kamera) 25 inkluderade i den positionsrelationsdetekterande anordningen 1 1.

[0072] I ett mittparti av stämpelhållaren 9, tillhandahålls ett i Z-axelriktningen penetrerande hål 23. Den plana plattmallen M1 tillhandahålls för att tåcka ett nedre åndparti av hålet 23. Det ultravioletta ljuset som genereras genom UV- ljusgeneratorn passerar genom hålet 23, transmitteras genom mallen M1 och når överföringsmaterialet W2. Mallens M1 sidoytor stöds av en mallstödjande anordning 17. Dessutom pressas ett ändparti av sidoytorna genom en sko 16 med en aktuator 21 såsom ett piezoelektriskt element. Således är mallen M1 förspånd uppåt och 534 274 23 tillhandahållen integrerad med stämpelhållaren 9. Observera att då mallen M 1 inte transmitterar det ultravioletta ljuset, utförs ultraviolett ljusbestrålning till exempel genom substrathållaren 5.

[0073] I Fig. 6, för att förenkla beskrivningen, är mallen M1 pressad (hoppressad) i X- axelriktningen av aktuatorn 21. Mallen Ml är emellertid i själva verket hoppressad i Y-axelriktningen av aktuatom 21. Vidare, i Fig. 6 och 7, år överföringen och liknande utförda kontinuerligt i X-axelriktningen för att bilda mikromönster kontinuerligt kopplade i X-axelriktningen på substratet Wl vilket visas i Fig. 4 (b) och 5.

[0074] Vidare, för mallen M1 hoppressad i Y-axelriktningen av aktuatom 21, är dess dimension i Y-axelriktningen DY1 i ett normalt tillstånd, vilket visas i Fig. 10.

Genom att öka en spänning som skall appliceras på det piezoelektriska elementet (aktuatom) 21 över en spänning i ett normalt tillstånd, krymper mallen M1 genom elastisk deformation till en dimension DY2, vilken är mindre än dimensionen DYl. Å andra sidan, genom att minska spänningen som skall appliceras på det piezoelektriska elementet 21 under spänningen i det normala tillståndet, förlängs mallen M1 genom elastisk deformation till en dimension DY3, vilken år större än dimensionen DYl. Därför kan dimensionen hos mallen M1 i Y-axelriktningen således ändras och upprätthållas genom att i enlighet med detta ändra värdet på spänningen som skall appliceras på det piezoelektriska elementet 21 och som kontrolleras av en kontrollanordning.

[0075] Den positionsrelationsdetekterande anordningen ll inkluderar kameran 25 såsom beskriven ovan. Kameran 25 tillhandahålls integrerad med stämpelhållaren 9 inuti hålet 23 i stämpelhållaren 9 genom att till exempel använda ett ej illustrerat fäste. Kameran 25 är kapabel att observera substratet Wl genom mallen M1. För att vara mer precis, år kameran 25 kapabel att observera en koppling mellan en av den första gruppen av överföringar TRl och en av den andra gruppen av överföringar TR2, vilket utförs kontinuerligt med nämnda en av den första gruppen av överföringar TR1.

[0076] Mer specifikt, som visat i Fig. 7 (a), under antagande att ett mikromönster är bildat på substratet genom en första överföring TR1a av den första gruppen och ett 534 274 24 mikromönster är bildat på substratet genom en andra överföring TRlb av den första gruppen, är det möjligt för kameran 25 att observera delar av anslutningarna mellan den andra gruppen av överföringar TR2 som skall utföras och rnikromönstren TRla och TRlb och en del däromkring (delarna P1 till P3 visade i Fig. 7 (a)).

[0077] I fallet då delen P1 observeras, till exempel, kan ljusintensiteter detekteras längs en linje A, en linje B (överlappande del) och en linje C som visas i Fig. 7 (b). I fallet att försöka framställa substratet Wla med mikromönstret, vilket visas i Fig. 4 (b) eller Fig. 5, är ljusintensiteterna som detekteras längs linje A till C enligt vad som visas i Fig. 8.

[0078] Var och en av ljusintensiteterna längs linje A till C är i en rektangulär vågform i ett normalt tillstånd som visas i Fig. 8 (a). Men, då en position av ett mikromönster (överföringsmönster på mallen M1) som skall bildas är fórskjutet relativt mikromönstret TRla med, till exempel, AY vilket visas i Fig. 8 (b), kommer ljusintensiteten längs linje A och ljusintensiteten längs linje C approximativt att sammanfalla. Således, har ljusintensiteten längs linje B inte en uniform enstegs rektangulär vågform, men en tvåstegs rektangulär vågform.

[0079] Observera att delarna P2 och P3 år ungefärligen samma som fallet för delen P1.

[0080] Då det har detekterats att ljusintensitetema Pl och P2, baserat på en signal mottagen från kameran 25, inte har en rektangulär form vilket visas i Fig. 8 (b), kontrollerar kontrollenheten i enlighet därmed XY G-plattformen 7 till korrekt position på substratet W1 relativt mallen M1 så att ljusintensiteterna i delarna P1 och P2 har den rektangulära formen som visas i Fig. 8 (a).

[0081] Vidare, då det detekterats, baserat på en signal mottagen från kameran 25, att ljusintensiteten i delen P3 inte har den rektangulära formen som visas i Fig. 8 (b), kontrollerar kontrollanordningen spänningen som appliceras på det piezoelektriska elementet 2 1 så att det ungefärligen kompenserar mallen M1 i Y-axelriktningen.

[0082] För övrigt kan positionsrelationsdetekterande anordningen 1 1 ha en annan konfiguration. 534 274 25

[0083] Särskilt, i överföringsanordningen 1 visad i Fig. 1, kan den positionsrelationsdetekterande anordningen» ll inkludera en tunn plattliknande detektor 15. En tjockleksriktning av detektorn 15 är Z-axelriktningen. Vidare, positionsrelationsdetekterande anordningen 11 kan vara konfigurerad att detektera en positionsavvikande andel av substratet Wl (överföringsmateríalet W2) relativt mallen M1 genom införsel av detektorn 15 mellan mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) innan överföringen utförs.

[0084] I fallet då detektorn 15 förs in mellan mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) för att detektera den positionsawikande andelen, är det föredraget att detektorn 15 är införd mellan mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) till ett tillstånd då det knappt är någon dimensionellt glapp alls eftersom mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) kommer så nära varandra som möjligt.

[0085] Till exempel, i fallet då detektorn 15 förs in mellan mallen M1 och substratet W1 (överföringsmatelialet W2) för att detektera avvikelsen i position, är det föredraget att ett avstånd L3 mellan detektorn 15 och mallen M1 år ungefärligen 0,5 mm till 3 mm och att avståndet L5 mellan detektorn 15 och överföringsmaterialet W2 också är ungefärligen 0,5 mm till 3 mm. Vidare år det föredraget att en tjocklek (dimension i Z-axelriktningen) hos detektom 15 minimeras åtminstone i en del positionerad mellan mallen M1 och substratet Wl (överföringsmaterialet W2).

[0086] Den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 kommer att beskrivas mer i detalj genom att ge exempel.

[0087] Detektom 15 i positionsrelatíonsdetekterande anordningen (detekterande anordning för positionsavvikelse) 11 är förflyttningsbar mellan en första position (se detektor 15 indikerad med en heldragen linje i Fig. 1) där detektor 15 år införd mellan mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) då mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) är separerade från varandra med ett förbeståmt avstånd och en andra position (se detektor 15 indikerad med en dubbelstrâckad kedjelinje i Fig. 1) separerad från mallen M1 och substratet Wl 534 274 26 (överfóringsmaterialet W2), vilken möjliggör fór mallen M1 och substratet W1 (överföringsmaterialet W2) att komma i kontakt med varandra. [ooss] I detta fall är detektorn 15 integrerat tillhandahållen med ett första detektorbårande element 29 vid en toppdel av det första detektorbårande elementet 29. Det första detektorbârande elementet 29 är tillhandahållet till ett andra detektorbärande elementet 31 genom ett linjärt Styrlager (ej visat) för att på så sätt vara förflyttningsbart relativt det andra detektorbärande elementet 31 i X- axelriktningen. Vidare, under kontroll av kontrollenheten, förflyttas detektorn 15 mellan den första positionen (position indikerad med den heldragna linjen i Fig. 1) där detektorn år inßrd mellan mallen och substratet och den andra positionen (position indikerad med den dubbelstråckade kedjelinjen i Fig. 1) avskild från mallen och substratet genom en aktuator (ej visad) såsom en pneumatisk cylinder.

[0089] Det andra detektorbärande elementet 31 tillhandahålls till baskroppen 3 genom ett linjärt Styrlager (ej visat) för att på så sätt vara förflyttningsbar i Z- axelriktningen relativt baskroppen 3. Vidare är det andra detektorbärande elementet 31 fritt fórflyttningsbart och positionerbart i en vertikal riktning genom en aktuator (ej visad) såsom en servomotor och en kulskruv (ej visad] under kontroll av kontrollenheten.

[0090] Därför kan positionen av detektorn 15 justeras i Z-axelriktningen enligt konfigurationerna av mallen M1 och substratet Wl (överföringsmaterialet W2).

[0091] Mer specifikt, den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 inkluderar en kamera (ej visad). Kameran tillhandahålls i en position separerad från detektorn 15 (till exempel i det första detektorbärande elementet 29). Dessutom är ett prisma (ej visat) tillhandahàllet i detektorn 15. Den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 år konfigurerad att detektera en positionsavvikelse på substratet W1 (överfóríngsmaterialet W2) eller mallen Ml genom användande av kameran genom prismat. Särskilt reflekteras ljus som färdas i Z-axelriktningen från substratet Wl (överíöringsmaterialet W2) eller mallen M1 av prismat så att det färdas i X-axelriktnirigen, till exempel. Kameran tar in det reflekterade ljuset.

Observera att tjockleken av detektorn 15 beskriven ovan inkluderar en tjocklek hos 534 274 27 prismat. Vidare, en reflekterande spegel eller liknande kan tillhandahållas istället för prismat.

[0092] Konñgurationen där detektorn 15 utnyttjas som beskrivet ovan möjliggör detektion av en positionsavvikelse på substratet W1 (överföringsmaterialet W2) eller mallen M1 även då mallen M1 år tillverkad av metall eller liknande och inte år transparent.

[0093] Således, i steget att bilda mikromönstret på substratet Wl, vilket visas i Fig. 3, detekteras en positionsrelation mellan ett mikromönster, vilket bildats på substratet W1 genom den första gruppen av överföringar och liknande, och ett mikromönster för överföring, vilket bildats på mallen M1 före utförandet av den andra gruppen av överföringar, genom att använda detektom 15 och liknande i den positionsrelationsdetekterande anordningen 1 1 efter att mikromönstret är bildat på substratet Wl genom den första gruppen av överföringar och liknande som visas i Fig. 3 (b) och före den andra gruppen av överföringar är utförd, som i fallet att använda kameran 25 beskriven ovan och liknande. Mer specifikt detekteras relationen i position mellan mikromönstret bildat på substratet W1 och mikromönstret bildat på mallen i tillståndet visat i Fig. 3 (c).

[0094] Vidare korrigerar korrigeringsanordningen 13 en position hos mallen M1 relativt substratet W1 baserat på ett detektionsresultat av relationen i position, för att med precision koppla mikromönstret för överföring att bildas i det andra steget för formning av mikromönster till mikromönstret bildat på substratet W1 genom den första gruppen av överföringar och liknande. Särskilt är en relativ positionsrelation mellan substratet Wl och mallen M1 i tillståndet visat i Fig. 3 (c) satt att vara precis.

[0095] Vidare, i korrigeringen av positionen av mallen M1 relativt substratet Wl genom att kontrollera aktuatom 21 i överföringsanordningen 1 kompenseras till exempel en ändring i form hos mallen M1 till följd av en temperaturändring för att åstadkomma en exakt form hos mallen M 1.

[0096] 534 274 28 I detta fall, med referens till Fig. 7, kommer en mer detaljerad beskrivning av korrigeringen och liknande i steget att bilda mikromönstret på substratet Wl visat i Fig. 3 att ges genom att visa exempel.

[0097] Först, genom den första gruppen av överfóringssteg och steg för formning av mikromönster, bildas mikromönster i en första del TRla av överföringsmaterialet W2 och i en andra del TRlb avskilt från den första delen TRla med ett fórbestämt avstånd.

[0098] Därefter bildas ett mikromönster i en tredje del TR2 mellan den första och andra delen TRla och TRlb genom den andra gruppen av överfóringssteg och steg för formning av mikromönster, där den tredje delen TR2 kontinuerligt sammanbinder de första och andra delarna TRla och TRlb.

[0099] I detta fall, som beskrivet ovan, detekterar den posítionsrelationsdetekterande anordningen 11 en positionsavvikelse för ett mikromönster fór överföring bildat på mallen M1 relativt den första delen TRla vid en gränslinje mellan den första delen TRla och mikromönstret fór överföring på mallen M1 och en positionsavvikelse för mikromönstret bildat på mallen M1 relativt den andra delen TRlb vid en grånslinje mellan den andra delen TRlb och mikromönstret för överföring på mallen M1.

Därmed detekterar den positionsrelationsdetekterande anordningen 11 en positionsrelation mellan mikromönstret bildat genom den första gruppen av steg för formning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (mallen positionerad vid en position för att utföra en andra grupp av överföringar) M1.

[0100] Mer specifikt, delen av mallen M1 med mikromönstret för överföring bildat därpå är formad till en rektangulär plan form. Genom att arrangera den första delen TRla, den tredje delen TR2 och den andra delen TRlb i en rät linje, bildas ett mikromönster inom ett rektangulärt område. [o1o1] Den positionsrelationsdetekterande anordningen ll detekterar, på ena sidan i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, en relativ positionsavvikelse (den avvikande andelen i position av mikromönstret för överföring på mallen M1 relativt den första delen TRla) i delen P1 vid grånslinjen mellan den första delen 534 274 29 TRla och mikromönstret för överföring bildat på mallen M1 och en relativ positionsavvikelse (positionsavvikelsen för mikromönstret för överföring på mallen M1 relativt den första delen TRlb) i delen P2 vid grånslinjen mellan den andra delen TRlb och mikromönstret för överföring bildat på mallen M1.

[0102] Vidare, den positionsrelationsdetekterande anordningen ll detekterar, på andra sidan i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, en relativ positionsavvikelse (positionsavvikelsen för mikromönstret för överföring på mallen M 1 relativt den första delen TRlb) i delen P3 vid grånslinjen mellan den andra delen TRlb (eller den första delen TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen M1.

[0103] Korrigeringsanordningen 13 kompenserar positionen och tillståndet av substratet W1 genom användande av XYO-plattform 7 baserat på positionsavvikelsen på en sida (delarna P1 och P2) i en breddriktning och positionsavvikelsen på den andra sidan (delen P3) i en breddriktning. Vidare, korrigeringsanordningen 13 kompenserar även dimensionen av mallen M1 i breddriktningen genom användande av aktuatom 21 för att ändra en elastisk deformationsandel av mallen M1 i breddriktningen i det rektangulära mikromönstret.

[O 104] Observera att, vilket visas i Fig. 4 (b) och 11 (a), i fallet att bilda ett mikromönster som år utsträckt i den longitudinella riktningen (X-axelriktningen, en horisontell riktning i Fig. 11 (a)), kan positionen av mallen M1 relativt substratet W1 korrigeras genom en korrektion, till exempel, i Y-axelriktningen, i en rotationsandel kring Z-axeln och en korrektion under användande av aktuatorn 21 i den andra gruppen av överföringar TR2 om nödvändigt.

[O 105] Å andra sidan, vilket visas i Fig. 4 (a) och 11 (b), i fallet att bilda ett mikromönster som utstrâcker sig i breddriktningen (Y-axelriktningen, en vertikal riktning i Fig. 11 (b)) på substratet Wl, kan positionen av mallen M1 relativt substratet W1 korrigeras med en korrektion, till exempel, i X-axelriktningen, i en rotationsandel kring Z-axeln och en korrektion under användande av aktuatorn 21 i den andra gruppen av överföringar TR2 om nödvändigt.

[0106] 534 274 30 Vidare, i beskrivningen ovan, är positionsrelationen detekterad genom att jämföra positionen av mikromönstret bildat på substratet Wl med positionen av mikromönstret på mallen M1. Dock kan mârkningar placeras ut på substratet Wl och mallen M1, och dessa mårkningar fotograferas med en kamera eller liknande för att detektera en positionsrelation och därigenom utföra en korrigering.

[O 107] Till exempel, vilket visas i Fig. 9 (a), år märkningarna MM1 till MM4 utplacerade i fyra hörn av mallen M1. Observera att mikromönstret för överföring antas tillhandahållas i ett område TRS2 innanför mârkningarna MM1 till MM4.

[0108] Då ett míkromönster bildas genom att utföra en första grupp av överföringar TR] på ett substrat W4, år mârkningarna MWl till MW4 motsvarande märkningarna MM1 till MM4 på mallen M1 utplacerade på substratet W4 tillsammans med mikromönstret. Därefter, vid utförandet av en andra grupp av överföringar TR2, detekteras en positionsavvikelse mellan märkningarna MW2 och MW4 på substratet W4 och mârkningarna MM1 och MM3 på mallen M1. Således kan en positionsavvikelse på mallen M1 (substratet W4) korrigeras då en andra grupp av överföringar TR2 skall utföras relativt positionen av den första gruppen av överföringar TRl.

[0109] Vidare, vilket visas i Fig. 9 (b), kan märkningania MW6 till MW1l placeras på substratet W4a innan ett mikromönster för överföring bildas. Observera att mikromönstret för överföring bildas i ett område TRSl innanför mârkningarna MW6 till MW11.

[O 1 10] Vid utförandet av den första gruppen av överföringar TRl, kan en positionsavvikelse på mallen M1 (substratet W4a) korrigeras genom att detektera positionen av minst två av mârkningarria MW6 till MW9 och detektera en positionsavvikelse av mallen M1 mot substratet W4a baserat på ett resultat av detektionen ovan. Även vid utförande av den andra gruppen av överföringar TR2, som i fallet med utförandet av den första gruppen av överföringar T R1, kan en positionsavvikelse på mallen M1 (substratet W4a) korrigeras genom att detektera positionerna av minst två av märkningama MW7, MW9, MWlO, MW1l och detektera en positionsavvikande andel av mallen M1 mot substratet W4a baserat på resultatet av detektionen ovan. 534 274 31

[0111] Vidare, i fallet visat i Fig. 9 (b), kan en positionsavvíkelse på mallen M1 (substratet W4a) korrigeras genom att tillhandahålla märkningar även på mallen M1 och detektera positionsavvikande andelar mellan mârkningarna tillhandahällna tidigare på substratet W4a och märkningarna tillhandahållna på mallen M 1.

[O 1 12] För övrigt, vilket redan insetts, är överföringsanordningen 1 en anordning som används för att överföra ett mikromönster för överföring på mallen M1 till överfóringsmaterialet W2 genom att pressa mallen M1 mot substratet W1 vilket visas i Fig. 3 (a) och 3 (c). Därför används olika anordningar för att täcka ytan på substratet W1 med ett skikt av överföringsmaterialet W2 eller för att bilda ett mikromönster på substratet Wl genom etsning och borttagning av överföringsmaterialet W2 vilket visas i Fig. 3 (b) och 3 (d). I denna händelse är substratet Wl borttaget från överföringsanordningen l.

[O l 13] Som visas i Fig. 4 (a) och 4 (b), genom att använda substratet W1 (Wla) med mikromönstret för överföring bildat på dess rektangulära yta som en stämpel M3, kan mikromönstret på stämpeln M3 överföras till ett skikt som skall formas (till exempel, en i ultraviolett ljus härdbar resin, en termoplastisk resin eller liknande) W6 tillhandahållet på ett objekt-som-skall-bildas (till exempel, kisel, glas eller liknande) W5 (se Fig. 14). I detta fall, kan substratet W1 (Wla) användas som det är som en mall. Alternativt kan en nickelmall tillverkas (formad) genom elektroforrrming, från substrat Wl (Wla) till exempel, som beskrivet ovan, och överföringen kan utföras genom att använda en nickelmall.

[0114] Vidare, då överföringen utförs genom att använda stämpeln M3, är det föredraget att utföra överföringen enligt följande. Som visas i Fig. 14, är en del (yta) av stämpeln M3 som har mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom att använda ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning av cylindem och en breddriktning av ytan sätts som en höjdriktning av cylindern. Vidare utförs överföringen genom att förflytta en linjär pressningsdel (utsträckt i en riktning vinkelrätt mot sidans plan i Fig. 14) av den konvexa ytan pressad mot det objekt- som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) från ena änden till den andra änden av den konvexa ytan i dess longitudinella riktning (till exempel, genom att 534 274 32 förflytta den linjära pressningsdelen från änden av vänstersidan till änden av högersidan i Fig. 14).

[Ol 15] Vidare, motsvarande överföringen kan utföras genom att bilda delen (ytan) av stârnpeln M3 som har mikromönstret bildat däri till en konvex ytform formad genom att använda ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindern och breddriktningen av ytan sätts som en höjdriktning av den elliptiska cylindern. [01 16] Vidare, efter att den första överföringen visad i Fig. 14 är utförd, kan liknande överföring utföras genom att förflytta stänlpeln M3 i en breddriktning (riktning vinkelrätt mot sidans plan i Fig. 14) av mikromönstret på ståmpeln M3 relativt objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) för att på så sätt utföra överföringen, på skiktet-som-skall-bildas W6 på objektet-som-skall-bildas WS, i vilken mikromönstret på stämpeln M3 år kopplat i breddriktningen (se Fig. 13). [01 17] I det följande kommer en beskrivning att ges av en överföringsanordning la för att utföra en överföring under användande av en konvex yta med fonnen av en lateral yta av en cylinder vilket visas i Fig. 14.

[Ol 18] Överföringsanordningen la skiljer sig från överföringsanordningen 1 såsom beskriven ovan i det att en nedre yta av en ståmpelbärare 51 för att hålla stämpehi M3 är formad i form av en lateral yta av en cylinder och stämpelhållaren 51 år vriden runt en förutbestämd axel CLl. Andra konfigurationer år dock desamma som de för överföringsanordningen 1 såsom beskriven ovan. [01 19] Fig. 15 är en vy som visar ett huvudparti av överföringsanordningen la.

[0120] Överfóringsanordningen la kommer nu att beskrivas i detalj. Mellan en substratbärare (substratbord) 5 och ett förflyttningsbart element 19 (ekvivalent med stâmpelbâraren 9 i överföringsanordningen 1), tillhandahålls stâmpelbâraren 51.

Ståmpelbåraren 51 har en konvex yta 53 i sin nedre del. Den konvexa ytan 53 vetter mot, i ett ungefârligen parallellt tillstånd, en övre yta av ett objektet-som- skall-bildas (på vilket ett skiktet-som-skall-bildas W6 är tillhandahållet) W5 534 274 33 kvarhållen av substratbäraren 5, där den övre ytan är en yta på en sida i en tjockleksriktning.

[0121] Den konvexa ytan 53 formas genom användande av ett parti av en lateral yta av en cylinder. Observera att cylindern inte måste ha en fullständig cylindrísk form, till exempel, en elliptisk cylindrisk form. Vidare kan den konvexa ytan 53 formas genom användande av ett parti av en lateral yta av en kolonnformad fast kropp (en fast kropp formad genom en bana av ett plan med en förutbestämd form, såsom en cirkel och en ellips, då planet med den förutbestämda formen förflyttas en förutbestämd distans i en riktning vinkelrätt mot planet).

[0122] Den konvexa ytan 53 hos stämpelbäraren 51 kommer nu att beskrivas mer i detalj. Den konvexa ytan 53 har en form av en yta med liten area bland fyra ytor (två ytor med stor area och två ytor med liten area) erhållna genom att dela den laterala ytan av cylindern med ett första plan som inkluderar en centralaxel (som sträcker sig i en höjdriktning hos cylindern) av cylindern och ett andra plan vilket inkluderar centralaxeln av cylindern och skär det första planet med en liten vinkel.

[0123] Observera att den konvexa ytan 53 har en form nåra den av ett plan eftersom en diameter hos cylinder är stor och den skärande vinkeln är liten. Under antagande att en utsträckt axiell riktning (riktning vinkelrätt mot skivytan i Fig. 2) av centralaxeln hos cylinder är en längdriktning av den konvexa ytan 53 och en perifer riktning (ungefärligen en horisontal riktning i Fig. 15) av den laterala ytan av den cylindem är en breddríktning av den konvexa ytan 53, en centrumdel av den konvexa ytan 53 sticker endast ut ungefär 0,1 mm (T) till en bredd B av 300 mm, till exempel, som visas i Fig. 15.

[0124] I enlighet därmed, har cylindern en stor radie så att proportionen av en utstickande andel T av centrumpositionen av den konvexa ytan 53 till bredden B av den konvexa ytan 53 år, till exempel, ”l/ 100000 till 1/3000”. Särskilt så har radien av cylindern ett värde så stort som 125 till 2750 gånger bredden B av den konvexa ytan 53.

[0125] Vidare är det möjligt för en stämpel 55 (Stämpeln M3) för överföring att följa den konvexa ytan 53 och kan till exempel kvarhållas med vakuumadsorption. Stämpeln 534 274 34 55 år formad genom Ni elektroforrnutning, såsom beskrivet ovan, i formen av en tunn rektangulär plan platta. Ett ultra-mikromönster för överföring bildas på en sida (en nedre sida i Fig. 15) av ståmpeln 55.

[0126] Observera att radien av cylindern kan vara sådan att ett förhållande av den utstickande andelen T av centrumdelen av den konvexa ytan 53 till bredden av den konvexa ytan 53 år ”l / 3000 till 1/30”. Med andra ord, radien hos cylindern kan ha ett värde 3 till 125 gånger bredden B av den konvexa ytan 53. Till exempel, då bredden B av den konvexa ytan 53 år 300 mm, kan den utstickande andelen T ökas till ungefär 10 mm.

[0127] Vidare år ståmpelhållaren 51 uppburen av det rörliga elementet 19 genom ett rörligt element 57 och rörlig relativt substratbåraren 5 i en riktning (vertikal riktning, Z-axelriktningen] som gör att den kan komma nåra och separeras från substratbäraren 5 i enlighet med fórflyttningen av det rörliga elementet 19.

[0128] Observera att trots att ståmpelbåraren 51 och ståmpeln 55 år separerade från varandra i beskrivningen ovan, kan ståmpelbåraren 51 och ståmpeln 55 vara integrerade med varandra. Med andra ord, ett överfóringsmönster kan tillhandahållas direkt på den konvexa ytan 53 av ståmpelbåraren 51.

[0129] Vidare år en pressningsanordning 59 tillhandahållen i överföringsanordningen la. Pressanordningen 59 används för att möjliggöra för ståmpeln 55 uppburen av ståmpelhållaren 51 att komma nära relativt objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet- som-skall-bildas W6) kvarhållet av substratbâraren 5, och pressa objektet-som- skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) med ståmpeln 55 och således överföra ett överföringsmönster på ståmpeln 55 till skiktet-som-skall-bildas W6 på objektet- som-skall-bildas W5.

[0130] Pressanordningen 59 år konfigurerad att pressa objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) med ståmpeln 55 genom att förflytta en linjär pressningsdel parallellt med centrumaxeln av cylindern från ena änden till den andra änden av den konvexa ytan 53 (från den vänstra sidan till den högra sidan i Fig. 15).

[O 131] 534 274 35 Observera att pressningsdelen är utsträckt i längdriktningen av den konvexa ytan 53 (i riktningen vinkelrätt mot skivytan i Fig. 15). Vidare, pressningsdelen år bildad mellan ett parti av en yta av stämpeln 55 som har överföringsmönstret bildat därpå, där stämpeln 55 är kvarhållen av den konvexa ytan S3 av ståmpelbåraren 51 och en yta av objektet-som-skall-bildas WS (skiktet-som-skall-bildas W6) som kommer i kontakt med partiet av ytan. Pressningsdelen har i själva verket en bestämd bredd (bredd i den horisontala riktningen i Fig. 2).

[O 132] Vidare år en UV (ultraviolett) bestrålare tillhandahållen i överfóringsanordningen la, vilken ljusbestrålar, med UV (ultraviolett) ljus, en pressad del (som inkluderar omgivningen av den pressade delen) som pressas av pressningsanordningen 59 eller den pressade delen som pressas av pressningsanordnjngen 59 och en del redan pressad av pressningsanordningen 59. Observera att en del av skiktet-som-skall- bildas W6 som skall pressas inte ljusbestrålas med ultraviolett ljus fór att förhindra hârdning före pressning.

[0133] Överiöringsanordningen la kommer nu att beskrivas mer i detalj.

Substrathållaren 5 håller objektet-som-skall-bildas WS (skiktet-som-skall-bildas W6) som har formen av en rektangulär plan platta på ett rektangulärt plan (övre yta) av substratbäraren 5 utsträckt i X-axel och Y-axel riktningarna. Objektet-som- skall-bildas WS (skiktet-som-skall-bildas W6) inkluderar objektet-som-skall-bildas WS som har formen av en rektangulär plan platta och det tunnskiktiga skiktet- som-skall-bildas W6 som har överföringsmönstret bildat på en yta i tjockleksriktningen av objektet-som-skall-bildas WS. Objektet-som-skall-bildas WS (sldktet-som-skall-bildas W6) hålls kvar på den övre ytan av substrathållaren 5 på ett sådant sätt att ytan på vilken skiktet-som-skall-bildas W6 tillhandahålls vetter uppåt (på ett sådant sätt att en nedre yta motstående ytan på vilken skíktet-som- skall-bildas W6 tillhandahålls kommer i kontakt med den övre ytan hos substratbåraren S).

[0134] Under det rörliga elementet 19, tillhandahålls det andra rörliga elementet S7.

Detta rörliga element 57 är rörligt i X-axelriktningen till det rörliga elementet 19 genom ett linjärt glidlager 58. Vidare, vid en ände (änden på vänstersidan i Fig. 15) av det rörliga elementet 57 i X-axelriktningen, tillhandahålls en stoppare 63, med vilken det rörliga elementet S7 kommer i kontakt. Vidare, vid den andra änden av 534 274 36 det rörliga elementet 57 i X-axelriktningen, tillhandahålls en förspänningsanordning såsom en fjäder 65 för att förspänna det rörliga elementet 57 mot stopparen 63 (vänstersidan i Fig. 15).

[0135] På insidan (övre sidan i Fig. 15, sidan där en icke illustrerad centrumaxel av cylindern existerar relativt den konvexa ytan 53) av den konvexa ytan 53 av stämpelhållaren 51 och i en mellanliggande del (till exempel ungefärligen i en centrumdel i X-axelriktningen) av den konvexa ytan 53 tillhandahålls en svängande centrumaxel CLl. Denna svängande centrumaxel CL1 är en rak linje utsträckt i Y- axelriktningen. Stämpelhållaren 51 är uppburen på så sätt att den är svängbar mot det rörliga elementet 57 runt den svängande centrumaxeln CLl.

[O 136] Observera att den svängande centrumaxeln CLl år positionerad nära den konvexa ytan 53. Särskilt är den svängande centrumaxeln CLl positionerad nära den konvexa ytan 53, på. den konvexa ytans 53 sida mellan centrumaxeln av cylindem och den konvexa ytan 53. Mer specifikt, vilket visas i Fig. 15, sätts ett avstånd L1 mellan den konvexa ytan 53 och den svängande centrumaxeln CL att vara mindre än bredden B av den konvexa ytan 53. Observera att avståndet L1 kan bestämmas som lika eller aningen mindre än bredden B.

[O 137] För övrigt, då den konvexa ytan 53 formas genom användande av ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder, där den konvexa ytan 53 är formad av en konvex yta med en större krökningsradie mellan två typer av konvexa ytor erhållna genom att skära den laterala ytan av den elliptiska cylindem med två plan (placerade vid med varandra symmetriska positioner omkring centrumaxeln utsträckt i en höjdriktning av den elliptiska cylindem) vilka är parallella med den korta axeln av ellipsen, utsträckt i höjdriktningen av den elliptiska och bort från varandra.

[O 138] Den svängande centrumaxeln av den konvexa ytan, formad genom användande av ett parti av den laterala ytan av den elliptiska cylindem, är också placerad nära den konvexa ytan såsom i fallet med den konvexa ytan 53, formad genom användande av ett parti av den laterala ytan av cylindem. Observera att den svängande centrumaxeln av den konvexa ytan, formad genom användande av den elliptiska cylindem, kan tillåtas sarnmanfalla med centrumaxeln av den elliptiska 534 274 37 cylindern genom att öka en skillnad mellan den långa och korta axeln av den elliptíska cylindern.

[0139] Mellan stämpelbäraren 51 och det förflyttningsbara elementet 57 tillhandahålls en förspänningsanordning och en aktuator. Förspänningsanordningen är bildad av, till exempel, en skivfiäder 67 tillhandahållen på vänstra sidan i Fig. 15.

Förspänningsanordningen förspänner stämpelhållaren 51 så. att den svänger stämpelhållaren 51 i en riktning (riktning indikerad med en pil ARll i Fig. 15) runt den svängande centrumaxeln CL1. Å andra sidan, bildas aktuatom av, till exempel, ett piezoelektriskt element 69 tillhandahållet på den högra sidan i Fig. 15. Dä en spänning appliceras på det piezoelektriska elementet 69 och spänningen gradvis ökas under kontroll av en kontrollenhet (ej visad) i överföringsanordningen la, sträcks det piezoelektriska elementet 69 gradvis ut och stämpelhållaren 51 svänger i den andra riktningen (riktningen indikerad med en pil AR13 i Fig. 15) runt den svängande centrumaxeln CLl trots att mallbäraren är förspänd av skivfiädem 67.

[0140] Observera att en aktuator såsom en motor kan användas istället för det piezoelektriska elementet. Mer specifikt, stämpelhållaren 51 kan svängas genom att använda en servomotor för att rotera en mutter av en kulskruv, därigenom linjärt förflytta en gängad axel av kulskruven.

[0141] I fallet då objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) pressas med stämpeln 55 för att utföra en överföring till objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6), lyfts stämpeln 55 först, fór att vara separerad från objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6), och det piezoelektriska elementet 69 är avstängt (är fórpassat till ett tillstånd då ingen spänning år applicerad till densamma). Observera att, i Fig. 15, en centrumdel 55B av stämpeln 55 är den lägsta av delarna av stämpeln 55. Dock, i ett för det piezoelektriska elementet 69 avstängt läge, blir en vänstra ände (där skivljädern 67 är tillhandahållen) 55A av stämpeln 55 den lägsta av delarna av stämpeln 55 genom fórspänningskraften av skivijädern 67.

[0142] I det tillstånd då den vänstra änden 55A av stämpeln 55 är lägst som beskrivet ovan, sänks det fórflyttningsbara elementet 19 tills den vänstra änden 55A av stämpeln 55 kommer i kontakt med objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som- 534 274 38 skall-bildas W6) med ett förbestämt tryck. Som resultat, placeras stämpeln 55 i en position indikerad med en dubbelstreckad kedjelinje i Fig. 15. I detta, då det piezoelektriska elementet 69 sätts på (spänning appliceras på detsamma) och gradvis sträcks ut, svänger stämpeln 55 (stämpclhållaren 51). På samma sätt förflyttas en kontaktposition (en pressposition av stämpeln 55) mellan stämpeln 55 indikerad av den dubbelstreckade kedjelinjen i Fig. 15 och objektet-som-skall- bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) från vänster till höger i Fig. 15. Till slut blir en högra ände 55C av stämpeln 55 lägst och kommer i kontakt med objektet-som- skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6).

[O 143] Då kontaktpositionen (pressningsdelen) mellan stämpeln 55 och objektet-som- skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) förflyttas från vänster till höger i Fig. 15, utförs en återkopplingskontroll baserad på presskraften detekterad av en ej illustrerad belastningsmätare (med möjlighet att mäta presskraften av stämpeln 55 mot objektet- som- skall-bildas W5 (skiktet-som- skall-bildas W6), presskraftsdetekterande anordning) för att bibehålla presskraften av stämpeln 55 mot objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) vid ett konstant värde. Således är momentet hos en ej illustrerad servomotor (för att driva den förflyttningsbara anordningen 19) kontrollerad av kontrollanordningen.

[O 144] Vidare, då kontaktpositionen (pressningsdelen) mellan stämpeln 55 och objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) förflyttas från vänster till höger i Fig. 15, förändras följaktligen en höjdposition hos det förflyttningsbara elementet 19. Således, även om centrumaxeln av cylindern och den svängande centrumaxeln CLl av stämpelhållaren 51 inkluderande den konvexa ytan 53 inte sammanfaller med varandra, kan den pressande delen mjukt förflyttas från vänster till höger i Fig. 15.

[0145] Genom användande av en vätsketryckcylinder såsom en pneumatisk cylinder istället för servomotorn och kontrollera ett tryck av en vätska tillförd till cylindern, kan presstrycket av stämpeln 55 mot objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som- skall-bildas W6) bibehållas vid ett konstant värde som i fallet med återkopplingen.

[O 146] Observera att, i Fig. 15, år den svängande centrumaxeln CLl placerad i centrumdelcn i X-axelriktningen, skivijädem 67 är placerad på en sida och det 534 274 39 piezoelektriska elementet 69 är placerat på den andra sidan. Den svängande centrumaxeln 69 kan dock placeras på den ena sidan och skivfjâdern 67 och det piezoelektriska elementet 69 kan placeras på den andra sidan.

[0147] Vidare, som beskrivet ovan, förflyttas det förflyttningsbara elementet 57 i X- axelriktningen till det förflyttningsbara elementet 19. Således, då objektet-som- skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) pressas genom att sänka det förflyttningsbara elementet 19 och svänga stämpelhållaren 51 (stämpeln 55) med det piezoelektriska elementet 69, flyttas det förflyttningsbara elementet 57 bort från stopparen 63 trots att den fórspårms av fjädern 65. Således flyttas positionen hos den svängande centrumaxeln CL1 något relativt objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) i en rörelseriktning (till höger i Fig. 15) av pressningsdelen.

[O 148] Förflyttningen av den svängande centrumaxeln CL1 kan förhindra problem (till exempel, deformation av ett mönster som skall överföras till skiktet-som-skall- bildas W6 till följd av små positionsavvikelser i rörelserikmingen (X-axelriktningen) av den pressande delen mellan överföringsmönstret på stärnpeln och skiktet-som- skall-bildas W6) vilka framkommer då en distans av fórflyttningen av pressningsdelen på stämpeln 55 år längre än en distans i förflyttningen av pressningsdelen i plana platt objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6).

[O 149] Hårnåst kommer UV (ultraviolett ljus) ljusbestrålningsanordningen 61 att beskrivas.

[0150] Under substrathållaren 5, tillhandahålls en slutare 71 i formen av flat platta. I slutaren 71, tillhandahålls en slits 73 utsträckt i Y-axelriktningen. Slitsen 73 delar in slutaren 71 i en högra del 71A och en vänstra del 71B vilket visas i Fig. 15.

Slutaren 71 styrs av ett ej illustrerat styrelement och fórflyttas i X-axelriktningen av en ej illustrerad aktuator såsom en servomotor. Följaktligen förflyttas också slitsen 73 i X-axelriktningen. [01511 Vidare, under slutaren 71, tillhandahålls UV ljuskällor (UV ljus) 75. I ett tillstånd då UV ljusen år påslagna, fórflyttas slutaren 71 synkroniserat med 534 274 40 pressningsdelen under kontroll av kontrollanordningen. Således ljusbestrålas endast en del där objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som-skall-bildas W6) pressas av stämpeln 55 med UV-ljus. Observera att en del som pressas och den redan pressade delen är ljusbestrålade med UV ljus, om vänstra delen 71B av slutaren 71 tas bort.

[0152] l fallet då slutaren 71 fórflyttas synkroniserat med fórflytmingen av pressningsdelen, förflyttas till exempel slutaren 71 enligt värdet av spänningen som appliceras på det piezoelektriska elementet 69.

[0153] Genom att använda överföringsanordningen la och stämpeln M3 beskriven ovan, kan överföringen till skiktet-som-skall-bildas W6 och bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas WS utföras på samma sätt som i fallet visat i Fig. 3. I detta fall, som visas i Fig. 13, bildas ett mikromönster i en del TRl 1 av objektet-som-skall-bildas W5 genom en första grupp av överföringar och liknande och mikromönstret bildas i en del TR12 av objektet-som-skall-bildas W5 genom en andra grupp av överföringar och liknande. Således bildas kontinuerligt ett rnikrornönster erhållet genom tvådimensionell expansion av mikromönstret för överföring och som ursprungligen bildats på mallen M1, på objektet-som-skall- bildas W5 genom stämpeln M3.

[0154] För övrigt kan rnikromönster såsom visas i Fig. 12 bildas genom användande av stegen visade i Fig. 3. Särskilt bildas mikromönster i delar (TR1 delarna indikerade med diagonala linjer i Fig. 12) av substratet Wl, där delarna motsvarar delar av en färg av ett rutmönster, genom den första gruppen av överföringar och bildning av mikromönster. Vidare, mikromönster bildas i delar (TR2 delar visade i Fig. 12) av substratet, där delarna motsvarar delarna av den andra färgen av rutmönstret, genom den andra gruppen av överföringar och bildning av mikromönster.

[0155] Då mikromönstren bildas såsom beskrivet ovan, kommer vissa delar av substratet Wl motsvarande delarna av en färg av rutmönstret vara närliggande varandra. Delarna år dock närliggande varandra vid deras hörn, med andra ord, delarna är inte i ett linjekontaktläge utan i ett punktkontaktlåge. Således, även om överföringsmatelialet W2 sväller upp på grund av överföringen, har knappast 534 274 41 uppsvällningen någon påverkan. Följaktligen kan precis överföring av överföringsmaterialet W2 utföras. i

[0156] Vidare, vilket visas i Fig. 16, kan mikromönster kontinuerligt bildas på substratet genom multipla grupper av steg, såsom en tredje grupp av överföringar och bildning av mikromönster TR3, utöver den första gruppen av överföringar och bildning av mikromönstren TRl såväl som den andra gruppen av överföringar och bildning av mikromönstren TR2.

[0157] Vidare kan mikromönstret för överföring på mallen M1 stråckas ut snett såsom visas i Fig. 17 (a). Ett mikromönster för överföring på en mall M4 kan bildas av multipla ytterst små cylindriska (eller fyrkantskolonner eller liknande) utsprång såsom visas i Fig. 17 (b). Altemativt kan ett mikromönstret för överföring på en mall M5 bildas av multipla ytterst små cylindriska hål såsom visas i Fig. 17 (c).

Utsprången eller hålen kan ha samma storlek eller skilja i storlek från varandra.

[0158] Vidare, viket visas i Fig. 18, kan kontinuerliga mikromönster bildas på ett skivformat substrat genom en första grupp av överföringar och bildning av mikromönster TR1 såväl som den andra gruppen av överföringar och bildning av mikromönstret TR2.

[0159] Observera att formningsmetoden för mikromönster enligt den första utfóringsformen är ett exempel på en formningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på mallen. Formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett tåckningssteg för att täcka en yta av substratet med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet bildat i tâckningssteget genom att pressa mallen mer ån en gång mot ett parti av substratet som har skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom överiöringssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda mikromönstret i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på substratet genom etsning, efter överföringen av mikromönstret genom överföringssteget, där vart och ett av mikromönstren motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet 534 274 42 tillhandahållet i täckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster. Mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen är kontinuerligt bildade på substratet genom att repetera en cykel av täckningssteget, överföringssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger och samtidigt i enlighet därmed byta positioner för att bilda mikromönstren i överföringssteget och steget för formning av mikromönster.

[0160] I enlighet med formningsmetoden för mikromönster enligt en första utföringsformen, tas överfóringsmaterialet W2 bildat i det första tåckningssteget efter att mikromönstren (första mikromönstren) genom det första (första gruppen) tåckningssteget bort, det första (första gruppen) överföringssteget och det första (första gruppen) steget för formning av mikromönster bildats på substratet Wl.

Efter borttagningen, bildas mikromönster (andra mikromönster) på substratet W1 genom ett andra (andra gruppen) täckningssteg, ett andra (andra gruppen) överföringssteg och ett andra (andra gruppen) steg för forrnning av mikromönster.

Således, i utförandet av det andra överföringssteget, tas det överföringsmaterial W2 som svällt upp under utförandet av det första överföringssteget bort.

[0161] Därmed, även om de första och andra mikromönstren är sammanbundna med varandra, kan precis överföring utföras i det andra överföringssteget. I enlighet därmed, kan kopplingen mellan mikromönstren bildade på substraten Wl i det första steget för forrnning av mikromönster och mikromönstren bildade på substratet W1 i det andra steget för formning av mikromönster bildas med precision. Således kan mikromönster som har en precis form kontinuerligt bildas på substratet W1.

[0162] Vidare, en position av mallen M1 relativt substratet W1 korrigeras genom ett korrigeringssteg. Således år mikromönstren bildade på substratet W1 genom det första överföringssteget och liknande och mikromönstren bildade på substratet Wl genom det andra överföringssteget och liknande precist kopplade till varandra.

Därigenom kan mer precisa mikromönster bildas på substratet Wl.

[0163] Vidare kompenseras mallen M1 som ändrar form genom användning av aktuatom 21 till en precis form i korrigeringssteget. Således kan en precis 534 274 43 överföring utföras även om formen på mallen M1 ändras genom en temperaturändring eller liknande.

[0164] Dessutom, vilket visas i Fig. 14 och 15, utförs överföringen medan pressningsdelen förflyttas från den ena änden till den andra änden av den konvexa delen av stämpeln M3. Således är det mindre sannolikt att luftbubblor genereras i skiktet-som-skall-bildas W6 på objektet-som-skall-bildas W5. Särskilt, då överföxingen utförs genom att pressa hela den plana ytan av stämpeln M3 mot skiktet-som-skall-bildas W6 på objektet-som-skall-bildas W5 i formen av en plan platta, âr det osannolikt att luft närvarande i centrumdelen av stämpeln M3 tar sig ut från periferin av M3 till utsidan (utsidan av den pressande ytan). Således kan luftbubblor genereras i skiktet-som-skall-bildas W6. Dock, genom att pressa objektet-som-skall-bildas WS (skiktet-som-skall-bildas W6) medan pressningsdelen förflyttas från ena änden till den andra änden av stämpeln 55, uppstår aldrig en situation där det är osannolikt att luft tar sig ut.

[0165] Vidare utförs överfóringen medan pressningsdelen förflyttas från ena änden till den andra änden av stämpeln M3, med andra ord, objektet-som-skall-bildas W5 pressas inte simultant av hela ytan av stämpeln M3. Således kan presskraften fór överföringen reduceras jämfört med det konventionella fallet. Resultatet blir att en precis överföring kan utföras utan att öka stabiliteten hos anordningen som skall användas fór överfóringen.

[0166] Vidare, då pressningen är avslutad, fäster inte hela ytan av mallen vid objektet- som-skall-bildas till skillnad frän det konventionella fallet, utan endast den förflyttade pressningsdelen fäster vid objektet-som-skall-bildas W5 (skiktet-som- skall-bildas W6). Således, en kraft fór att separera objektet-som-skall-bildas WS (skiktet-som-skall-bildas W6) från stämpeln M3 kan reduceras. Resultatet blir att lösgörandet av mallen förenklas.

[0167] [Andra utföringsform] Fig. 19 och 20 är vyer som schematiskt visar stegen i en forrnningsmetod för mikromönster enligt en andra utföringsforrn av föreliggande uppfinning.

[O 1 68] 534 274 44 Formningsmetoden fór mikromönster i enlighet med den andra utföringsformen är olik formningsmetoden för mikromönster i det att ett nedre överföringsmaterial (till exempel kiseloxid) W7 och ett övre överföringsmaterial (till exempel i ultraviolett ljus härdbar resin) W2 tillhandahålls på ett substrat (till exempel kisel) W1 och ett mikromönster bildas på substratet Wl genom etsning användande det nedre överföringsmaterialet W7 som maskmaterial. De andra punkterna år ungefärlígen desamma som i forrnningsmetoden för mikromönster enligt den första utföringsforrnen.

[0169] Mer specifikt, i formningsmetoden för mikromönster enligt den andra utföringsforrnen, blir först en yta (till exempel, ungefärlígen hela den plana ytan av det nedre överföringsmaterialet W7) av det nedre överföringsmaterialet W7 på substratet W1 som har sin yta täckt med ett tunt skikt av det nedre överföringsmaterialet W7, täckt med ett tunt skikt av det övre överföringsmaterialet (till exempel UV hârdbar resin innan det härdas) W2. Genom denna täckning, staplas substratet W1, det nedre överföringsmaterialet W7 och det övre överföringsmaterialet W2.

[0170] Därefter, överförs ett mikromönster fór överföring till det övre överföringsmaterialet W2 genom att pressa mallen M1 mot ett parti av substratet W1 (det nedre överföringsmaterialet W7) som har det tunna skiktet av det övre överföringsmaterialet W2 tillhandahållet på dess yta (se Fig. 19 (al).

[O 17 1] Genom att etsa det nedre överföringsmaterialet W7 efter överföringen av mikromönstret till det övre överföringsmaterialet W2, bildas endast på det nedre överföringsmaterialet W7 ett mikromönster motsvarande mikromönstret för överföring hos mallen M1. Därefter tas det övre överföringsmaterialet W2 bort (se Fig. 19 (b)).

[0172] i Efter borttagning av det övre överföringsmaterialet W2, täcks ytdelar av det nedre överföringsmaterialet W7 där mikromönstren har bildats och andra ytdelar av det nedre överföringsmaterialet W7, där de andra ytdelarna år kopplade till delarna ovan (till exempel, ungefärlígen hela den plana ytan av det nedre överföringsmaterialet W7), med ett tunt skikt av det övre överföringsmaterialet W2.

[O 173] 534 274 45 Därefter, överförs ett mikromönster för överföring till det övre överföringsmaterialet W2 genom att pressa mallen M1 mot andra delar kontinuerligt kopplade till delarna som har mikromönstren bildade därpå som visas i Fig. 19 (b), där de andra delarna år ett parti av substratet W1 (det nedre överföringsmaterialet W7) som har det tunna skiktet av det övre överföringsmaterialet W2 tillhandahållet på dess yta (se Fig. 19 (c)).

[0174] Genom att etsa det nedre överföringsmaterialet W7 efter överför-ingen av mikromönstret till det övre överföringsmaterialet W2, kommer mikromönstren, vilka motsvarar mikromönstret för överföring på mallen M 1 och år kontinuerligt kopplade till mikromönstren visade i Fig. 19 (b) att bildas endast på det nedre överföringsmaterialet W7. Substratet W1 etsas inte i etsningen beskriven ovan.

Efter bildningen av mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet W7, tas det övre överföringsmaterialet bort (se Fig. 20 (d)).

[0175] Genom att etsa substratet Wl efter borttagningen av det övre överföringsmaterialet W2, bildas ett :mikromönster motsvarande mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet W7 (det kontinuerliga mikromönstret fór överföring på mallen M1) på substratet W1 (se Fig. 20 (e)) och efter det tas det nedre överföringsmaterialet W7 bort (se Fig. 20 (1)).

[0176] Formningsmetoden för mikromönster enligt den andra utföringsforrnen uppnår följande effekter utöver de effekter som uppnås genom formningsmetoden för mikromönster enligt den första utföringsformen.

[O 177] Enligt formningsmetoden för mikromönster enligt den andra utföringsformen, bildas mikromönster på det nedre överföringsmaterialet W7 medan ordningen växlas för det första (första grupp) steget för formning av mikromönster och det andra (andra grupp) steget för formning av mikromönster. Därefter, bildas mikromönstren på substratet W1 genom att etsa substratet W1 på vilket det nedre överföringsmaterialet W7 med rnikromönstret har tillhandahållits. Särskilt utförs bildningen av mikromönstret på substratet W1 genom etsning inte i flera steg, utan i ett steg. Således kan mikromönstret med en mer precis form bildas på substratet, så att konkava delar av mikromönstret bildade på substratet W1 har ett enhetligt djup. 534 274 46

[0178] Som nämnda substrat Wl kan ett glassubstrat användas. Som det nedre överföringsmaterialet kan kiseloxid, ett tunt skikt av metall såsom krom och aluminium eller en resin såsom en akiylresin användas. Som det övre överföringsmaterialet kan en termoplastisk resin eller hârdbar resin användas.

[0179] Observera att formningsmetoden för mikromönster enligt den andra utfóringsformen är ett exempel på en formníngsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på mallen. Formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett täckníngssteg för att täcka en yta av ett nedre överfóringsmaterial på substratet med ett skikt av ett övre överföringsmaterial, där substratet har sin yta täckt med ett tunt skikt av det nedre överföringsmaterialet; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring med förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det övre överföringsmaterialet bildat i tåckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång (till exempel, vid intervall något snävare än bredden av mallen) mot ett parti av substratet som har det tunna skiktet av det övre överfóringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom tâckningssteget; ett steg för formning av mikromönster för att bilda mikromönstret i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det nedre överföringsmaterialet genom etsning efter överföringen av mikromönstret genom överföringssteget, där mikromönstren vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen; och ett borttagningssteg för att ta bort överfóringsmaterialet, vilket tillhandahållits i tâckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster. Mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen bildas kontinuerligt på det nedre överföringsmaterialet genom att repetera en cykel med täckningssteget, överföringssteget, steget för forrnning av rnilrromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger samtidigt som, i enlighet med detta, positioner andras för att bilda mikromönster i överföringssteget och steget för formning av mikromönster. Därefter bildas ett niikromönster motsvarande rnikromönstret på det nedre överföringsmaterialet, på substratet, genom etsnirig efter bildandet av mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet. Därefter, bildas kontinuerligt mikromönster som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen, på substratet, genom 534 274 47 borttagning av det nedre överföringsmaterialet efter bildningen av mikromönster på substratet.

[0180] (Tredje utföringsform] Fig. 21 är en vy som schematiskt visar stegen i en formningsmetod för mikromönster enligt en tredje utföringsform av föreliggande uppfinning.

[0181] Formningsmetoden för mikromönster enligt den tredje utföñngsforrnen skiljer sig från formningsmetoden för mikromönster enligt den första utföringsformen i det att ett substrat Wl bildas genom att stapla ett första material Wl 1 tillverkat av, till exempel, kisel, ett andra material W8 tillverkat av, till exempel, kiseloxid, och ett tredje material W9 tillverkat av, till exempel, kisel. De andra punkterna är ungefårligen de samma som formningsmetoden för mikromönster enligt den första utföringsfonnen.

[0182] Mer specifikt, i formningsmetoden för mikromönster enligt den tredje utföringsformen, täcks först en yta av ett tredje material W9 på substratet (SOI; kisel på isolator) W1 med ett skikt av ett överföringsmaterial (till exempel, en i ultraviolett ljus härdbar resin) W10, där substratet Wl bildas genom att stapla det första plattliknande första materialet (till exempel, Si; kisel) Wll, det tunnskiktsliknande andra materialet (till exempel, kiseloxid] W8, och det tunnskiktsliknande tredje materialet (till exempel, Si; det tredje materialet kan vara samma som eller skilt från det första materialet W1 1).

[0183] Därefter, överförs ett mikromönster för överföring till överíöringsmaterialet W10 genom att pressa en mall Ml mot ett parti av substratet W1 som har ett tunt skikt av överföringsmaterialet W10 tillhandahållet på dess yta (se Fig. 21 (a)).

[0184] Genom etsning, efter överföringen av mikromönster till överföringsmaterialet W10, bildas endast på det tredje materialet W9 ett mikromönster som motsvarar mikromönstret för överföring på mallen M 1. Därefter, tas överföringsmaterialet W10 bort (se Fig. 21 (b)).

[0185] Efter borttagningen av överföringsmaterialet W10, täcks ytdelar av det tredje materialet W9 där mikromönstren bildas och andra delar av det tredje materialet 534 274 48 W9, där de andra delarna är kopplade till delarna ovan, (till exempel, ungefårligen hela ytan av det tredje materialet W9) med ett tunt skikt av överföringsmaterial WlO.

[O 186] Därefter överförs ett mikromönster för överföring till överföringsmaterialet WlO genom att pressa mallen M1 mot andra delar kontinuerligt kopplade till delarna som har mikromönstret bildat därpå som visas i Fig. 21 (b), där de andra delarna är ett parti av substratet W1 som har ett tunt skikt av överföringsmaterialet W10 tillhandahållet på dess yta (se Fig. 21 (c)).

[0187] Genom etsning, efter överfóringen av mikromönstret till överföringsmaterialet WlO, bildas endast på det tredje materialet W9 mikromönster vilka motsvarar rnikromönstret för överföring på mallen M1 och som är kontinuerligt kopplade till rnikromönstren visade i Fig. 21 (b). Därefter tas överföringsmaterialet WlO bort (se Fig. 21 (dl).

[0188] I enlighet med formningsmetoden för mikromönster enligt den tredje utföringsformen, i vart och ett av stegen för formning av mikromönster, etsas inte det andra materialet W8 på substratet W1 vid bildningen av mikromönstren på det tredje materialet W9 genom etsning. Därmed har konkava delar av mikromönstren bildade på substratet W1 (det tredje materialet W9) ett enhetligt djup. Således kan rnikromönstret som har en mer precis form bildas på substratet Wl.

[0189] Observera att formningsmetoden för mikromönster enligt den tredje utföringsformen är ett exempel av en formningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda rnikromönster på. ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall. Formningsmetoden för rnikromönster inkluderar: ett täckningssteg för att täcka en yta av ett tredje material på substratet med ett tunt skikt av ett överföringsmaterial, där substratet bildas genom att stapla ett första material, ett tunnskiktsliknande andra material och ett tunnsldktsliknande tredje material; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring med förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet bildat i täckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot ett parti av substratet som har det tunna skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom täckningssteget; ett steg för formning av 534 274 49 mikromönster för att bilda mikromönstren i förutbestämda intervall i ett flertal punkter endast på det tredje materialet genom etsning efter överföringen av mikromönstren genom överföringssteget, där mikromönstren vart och ett motsvarar mikromönstren för överföring på mallen; och ett borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i tåckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom steget för formning av mikromönster. Mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen år kontinuerligt bildade på substratet genom att repetera en cykel av täckningssteget, överiöringssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger och samtidigt i enlighet med detta ändra position för att bilda mikromönstren i överföringssteget och steget för fonnning av mikromönster.

[0190] [Fjärde utföringsforrn] Fig. 22 och 23 är vyer som schematiskt visar stegen av en formningsmetod för mikromönster enligt en fjärde utföringsform av föreliggande uppfinning.

[O 191] Fonnningsmetoden fór mikromönster enligt en fjärde utföringsformen skiljer sig från fornmingsmetoden för mikromönster enligt den första utföringsformen i följande punkter. I formningsmetoden för mikromönster enligt den fjärde utfóringsformen tillhandahålls ett överföringsmaterial W2 på substratet Wl, och ett mikromönster för överföring på mallen M1 överförs till överföringsmaterialet W2.

Därefter tillhandahålls täckelement W2l vid underdelen av de konkava delarna i ett mikromönster bildat genom överfóringen ovan, och sedan tas överfóringsmaterialet W2 bort. Dessa steg repeteras mer än en gång, varefter substratet Wl etsas i ett tillstånd då täckelementen W21 fmns kvar på substratet Wl. Därmed bildas mikromönstret för överföring på substratet Wl. De andra punkterna år ungefärligen de samma som i formningsrnetoden för mikromönster enligt den första utföringsformen.

[0192] Mer specifikt, i forrrmingsmetoden för rnikzromönster enligt den fjärde utföringsformen, är först en yta av substratet W1 täckt med ett sldkt av överföringsmaterialet W2. Därefter överförs ett mikromönster för överföring till överföringsmaterialet W2 genom att pressa mallen M 1 mot överföringsmaterialet W2 (se Fig. 22 (a)]. I detta läge finns det ett fall då det tunna skikt av 534 274 50 överíöringsmaterial W2 återstår vid nederdelarna av de konkava delarna i överföringsmaterialet W2. I det fallet tas de återstående skikten bort, till exempel, genom användning av Oq-plasma för att exponera substratets Wl yta vid nederdelen av de konkava delarna.

[0193] Därefter tillhandahålls täckelementen W21 i delar (nederdelarna av de konkava delarna i mikromönstret för överföring) där substratet Wl exponeras, genom överföringen av mikromönstret för överföring. Tåekelementen W2 1 bildas av element (till exempel, metallelement) av en annan typ från överföringsmaterialet W2. Vidare tillhandahålls överföringsmaterialet W21 genom plåtering eller deponering (fysisk deponering såsom vakuumdeponering eller kemisk deponering kan användas).

Täckelementen W21 täcker nederdelarna av de konkava delarna i mikromönstret för överföring, där nederdelarna är delarna där substratet Wl år exponerat.

[O 194] För övrigt, vid tillhandahållandet av täckelementen W21, kan täckelementen W21 täcka endast delarna (nederdelarna av de konkava delarna i mikromönstret för överföring) där substratet W1 exponeras genom överför-ingen av mikromönstret för överföring. Dock, i vissa verkliga fall, tillhandahålls inte bara täckelementen W21 så att dessa fyller ut alla konkava delar i mikromönstret för överföring, utan en yta W2b som inte år de konkava delarna i mikromönstret för överföring kan också täckas med täckelementen W21. För att lämna täckelementen W21 endast i de konkava delarna i mikromönstret för överföring, skärs täckelementen W21 som täcker ytan W2b av, till exempel, genom bearbetning såsom skärning. Således, som visas i Fig. 22 (b), exponeras ytan W2b av överföringsmaterialet W2 och de konkava delarna i mikromönstret för överföring är fyllda med metallelementen W21.

[0195] Efter att delarna där substratet W1 exponerats täckts med täckelementen W21 som visas i Fig. 22 (b), tas överföringsmaterialct W2 bort. Denna borttagning utförs genom att använda, till exempel, ett lösningsmedel vilket löser upp överfóringsmaterialet W2 utan att lösa upp substratet W1 och täckelementen W2 1.

[0196] Därefter täcks ytdelar av substratet Wl (ytdelar av substratet W1 där täckelementen W21 inte existerar och substratet W1 är exponerat då täckelementen W21 endast finns kvar på en plan yta av substratet Wl genom borttagning av överföringsmaterialet W2 och täckelementen W21 bildar ett mikromönster) med ett 534 274 51 skikt av Överföringsmaterialet W2. En tjocklek på överfóringsmaterialet W2 i detta läge är ungefärligen lika med en tjocklek av överföringsmaterialet W2 tillhandahållet i det första läget (se Fig. 22 (a)) och en tjocklek av täckelementen W2l i Fig. 22 (b).

[0197] Därefter, överförs ett mikromönster för överföring till överföringsmaterialet W2 genom att pressa mallen M1 mot substratet Wl som har skiktet av överföringsmaterialet W2 tillhandahållet på dess yta (se Fig. 22 (c)). Som beskrivet ovan, finns det även ett fall i detta läge, då tunna skikt av överfóringsmaterialet W2 finns kvar vid nederdelarna av de konkava delarna i överfóringsmaterialet W2. I det fallet tas de återstående skikten bort, till exempel, genom användande av ett 02- plasma fór att exponera ytan av substratet Wl vid nederdelen av de konkava delarna.

[0198] Därefter, som i fallet ovan, täcks delar där substratet Wl exponerats genom överför-ingen av mikromönstret för överföring med tâckelementen W2l (se Fig. 23 (d)), och sedan tas överföringsmaterialet W2 bort. Observera att, i fallet där överföringsmaterialet W2 är borttaget, bildas ett mikromönster för överföring av täckelementen (tillhandahållna genom vart och ett av täckningsstegen) W2l motsvarande mikromönstret fór överföring på mallen M1 på den plana ytan av substratet Wl.

[0199] Efter borttagning av överföringsmaterialet W2, bildas ett rnikromönster motsvarande mikromönstret för överföring på mallen M1 på ytan av substratet Wl genom etsning under användande av täckelementen W2l som resistskikt (skyddande skikt) (se Fig. 23 (c)). Efter bildningen av mikromönstret, tas täckelementen W21 bort (se Fig. 23 (1)).

[0200] Således bildas kontinuerligt mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret bildat på mallen M1 på substratet Wl.

[0201] Observera att formningsmetoden för mikromönster enligt den fjärde utföringsformen är ett exempel på en fonnningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat, där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall. Formningsmetoden för mikromönster inkluderar: ett täckningssteg fór att täcka en yta av med ett skikt av 534 274 52 ett överföringsmaterial; ett överföringssteg för att överföra mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på. överföringsmaterialet, vilket bildats i täckningssteget genom att pressa mallen mer än en gång mot en del av substratet som har det tunna skiktet av överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom täckningssteget; ett tillhandahållningssteg för att tillhandahålla ett tâckelement på en del där substratet exponerats genom överföringen av mikromönstret för överföring i överföringssteget; och ett borttagningssteg för att ta bort överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i täckningssteget efter täckning av delen av delen där substratet är exponerat med täckelementen i tillhandahållningssteget. Mikromönstret motsvarande mikromönstret för överföring på mallen bildas på substratet genom etsning under användande av täckelementen W som resistskikt efter upprepning av respektive steg för multipla cykler i ordningen täckningssteg, överföringssteg, tillhandahållningssteg och borttagningssteg. Mikromönstren som vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen bildas kontinuerligt på substratet genom borttagning av täckelementen tillhandahållna i tillhandahållningssteget efter bildningen av mikromönstret.

[0202] Föreliggande uppfinning år inte begränsad till beskrivningen av utföringsformerna av uppfmningen ovan utan kan implementeras i andra varianter genom att göra lämpliga ändringar till densamma.

[0203] Observera att hela innehållet av Japansk Patent Ansökan No. 2007-59016 (inlämnad: Mars 8, 2007) och 2008-8011 (inlämnad: Januari 17, 2008) införlivas i denna text genom referens.

Claims (44)

534 274 53 Patentkrav

1. Formníngsmetod för mikromönster för att kontinuerlig bilda mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M 1), kännetecknad av att formningsmetoden för rnikromönster innefattar: ett första täckningssteg för täckning av en yta hos substratet (Wl) med ett skikt av överföringsmaterial (W2); ett första överföringssteg för överföring av niikromönstret fór överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter till överfóringsmaterialet (W2) som har bildats i det första tåckningssteget genom pressning av mallen (M1) mot substratet (W 1) som har skiktet av överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet på dess yta genom det första täckningssteget; ett första steg för formning av mikromönster för formníng av ett mikromönster på substratet (Wl) genom etsning efter överföringen av xrxiliromönstret genom det första överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); ett första borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2), vilket tillhandahållits i det första tåclmingssteget, efter bildning av mikromönstret genom det första steget för forrnning av mikromönster; ett andra tåckningssteg för täckning av ytdelar av substratet (W 1) med ett skikt av överföringsmaterialet (W2) efter borttagning av överföringsmaterialet (W2) i det första borttagningssteget; ett andra överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i punkter andra än de punkter som erhöll överföring i det första överföringssteget till överföringsmaterialet (W2) som har bildats i det andra täckningssteget genom pressning av en mall (M1) mot substratet (Wl) med skiktet av överföringsmaterial (W2) tillhandahållet på dess yta i det andra tåckningssteget; ett andra steg för formning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på. ett substrat (Wl) genom etsning efter överföríngen av 534 274 mikromönstret i det andra överfóringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M1); och ett andra borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2), vilket tillhandahållits i det andra täckningssteget, efter bildningen av mikromönstret i det andra steget för formning av mikromönster.

2. Forrnningsmetod för mikromönster enligt patentkrav l, kännetecknad av att formningsmetoden vidare innefattar: ett positionsrelationsdetekteringssteg för detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för forrrming av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1) efter att mikromönstret bildats i det första steget för formning av mikromönster och innan överföringen är utförd i det andra överföringssteget; och ett korrigeringssteg för korrigering av en position av mallen (M 1) relativt substratet (W 1) baserat på ett resultat av detekteringen i positionsrelationsdetekteringssteget, så att mikromönstret för överföring som skall bildas i det andra steget för formning av mikromönster är precist kopplat till mikromönstret bildat i det första steget för forrrming av mikromönster.

3. »Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 2, kännetecknad av att korrigeringssteget är ett steg som utför korrigeringen genom kompensering av en ändring i form hos mallen (M1) till en precis form genom användande av en aktuator (21).

4. Forrnningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 2, kännetecknad av att mikromönster, genom det första överföringssteget och det första steget för forrrming av mikromönster, bildas i en första del (TRla) av överföringsmaterialet (WZ) och i en andra del (TRlb) separerad från den första delen (TRla) med ett förbeståmt avstånd; ett mikromönster, genom det andra överföringssteget och det andra steget för forrnning av mikromönster, bildas i en tredje del (TR2) som sammanbinder den första delen (TRla) och den andra delen (TRlb); och 534 274 55 det positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) genom detektering av en positionsavvikelse av rnikromönstret för överföring på mallen (M 1) vid en grânslinje mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) och genom att* detektera en positionsavvikelse av rnikromönstret för överföring på mallen (M1) vid en grânslinje mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1).

5. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 4, kännetecknad av att en del av mallen (M1) med mikromönstret för överföring bildat därpå är anordnad att ha en rektangulär plan form; genom att anordna den första delen (TRla), den tredje delen (TR2) och den andra delen (TRlb) i en rät linje, bildas ett mikromönster inom en rektangulär afea; det positionsrelationsdetekterande steget år ett steg för detektering, på en sida i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, av en positionsavvikelse för mikromönstret på mallen (M l) relativt den första delen (TRla) vid grånslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1) och en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M 1) relativt den andra delen (TRlb) vid grånslínjen mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1), och för detektering, på den andra sidan av breddriktningen av det rektangulära mikromönstret, av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M 1) relativt den första delen (TRla) vid grånslinjen mellan den första delen (TR la) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1); och korrigeringssteget år ett steg för att utföra korxigeringen genom kompensation av mallens (M1) dimension i breddriktningen genom att ändra en elastisk deformationsandel av mallen (M1) i breddriktningen för det rektangulära mikromönstret genom användande av aktuator (21) baserat på positionsavvikelsen för den andra sidan i breddriktningen. 534 274 Sb

6. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 1, kännetecknad av att forrnningsrnetoden vidare innefattar: ett steg för formning av en stämpel (M3, 55) genom användande av ett substrat (W1) inkluderande ett rnikromönster bildat genom användande av formningsmetoden för mikromönster, i vilket en del av stärnpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå är formad att vara långsträckt genom utförande av överföringsstegen och formningsstegen för mikromönster upplinjerade med varandra; och ett tredje överföringssteg fór överföring av rnikromönstret på stâmpeln (M3, 55) till ett objekt-som-skall-bildas (W5), varvid delen av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom användande av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av cylindern; eller delen av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom användande av ett parti en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindern; överför-ingen utförs under förflyttning av en linjär pressningsdel av den konvexa ytan mot objektet-som-skall-bildas (W5) från ena änden till andra änden av den konvexa ytan.

7. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 6, kännetecknad av att stämpeln (M3, 55), efter utförande av den tredje överfóringen, fórflyttas i en breddriktning av rnikromönstret på stâmpeln (M3, 55) relativt objektet-som- skall-bildas (W5); en stämpel (M3, 55) tillverkas genom elektroformning genom användande av ett substrat (Wl) inkluderande ett niikromönster bildat genom användande av formningsmetoden för mikromönster; och 534 274 S? genom ett fjärde överföringssteg för överföring av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) tillverkat genom elektroformning på objektet-som-skall-bildas (WS), där mikromönstret på stämpeln (M3, SS) år överfört till objektet-som-skall- bildas (WS) på ett sätt kopplat i breddriktningen.

8. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 6 för att kontinuerligt bilda ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS), där rrlikromönstret motsvarar mikromönstret bildat på stâmpeln (M3, SS), kännetecknad av att formningsmetoden vidare innefattar: ett tredje täckningssteg för att täcka en yta hos objektet-som-skall-bildas (WS) med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett fjärde överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring till överfóringsmaterialet bildat i det tredje tâckningssteget genom pressning av stämpeln (M3, SS) mot objektet-som-skall-bildas (WS) med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det tredje tåckningssteget; ett tredje steg för fornming av mikromönster för bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS) genom etsning efter överför-ingen av mikromönstret genom det fjärde steget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på ståmpeln (M3, 55); ett tredje borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet, vilket tillhandahållits i det tredje täckningssteget, efter bildningen av mikromönstret genom det tredje steget för formning av rnikromönster; ett fjärde täckningssteg för täckning av ytan av objektet-som-skall-bildas (W5) med ett skikt av överföringsmaterial efter borttagningen av överfóringsmaterialet i det tredje borttagningssteget; ett femte överföringssteg fór överföring av mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet bildat i det fjärde tåckningssteget genom pressning av stämpeln (M3, SS) mot objektet-som-skall-bildas (WS) som har skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det fjärde tâckningssteget; ett fjärde steg för formning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS) genom etsning efter överföringen 534 274 S8 av mikromönstret genom det femte överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M1); och ett fjärde borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det fjärde tâckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det fjärde steget för forrnning av mikromönster.

9. Formningsrnetod för mikromönster enligt patentkrav 8, kännetecknad av att i varje överföringssteg, delen av stämpeln (M3, 55) med rnikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytforrn genom användande av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av cylindern, eller delen av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom användande av ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindern; och överföringen utförs under fórflyttning av en linjär pressningsdel av den konvexa ytan mot objektet-som-skall-bildas (W5) från ena änden till den andra änden av den konvexa cylindern.

10. Forrnningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 1, kännetecknad av att mikromönstren bildas i delar av substratet (Wl) motsvarande delarna av en färg av ett rutmönster i det forsta överföringssteget och det första steget för formning av mikromönster, och mikromönstren bildas på delar av substratet (Wl) motsvarande delarna av den andra färgen av rutmönstret i det andra överföringssteget och det andra steget för forrnning av mikromönster.

11. Forrnningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring på en mall (M1), kännetecknad av att formningsmetoden för mikromönster innefattar: 534 274 S9 ett första tåclmingssteg för täckning av en yta av ett nedre överföringsmaterial (W7) på ett substrat (Wl) med ett skikt av ett övre överföringsmaterial (W2), där substratets yta år täckt med ett skikt av det nedre överföringsmaterialet (W7); ett första överföringssteg för överföring av mikromönstret fór överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter till det övre Överföringsmaterialet (W2) bildat i det första tåckningssteget genom pressning av mallen (M1) mot substratet (W 1) som har skiktet av det övre överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet på dess yta genom det första tåckningssteget; ett första steg för formning av rnikromönster för bildning av ett mikromönster på det nedre överföringsmaterialet (W7) genom etsning efter överföringen av rnikromönstret genom det första överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); ett första borttagningssteg för borttagning av det övre överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet i det första tâckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det första steget för formning av rnikromönster; ett andra tâckningssteg för täckning av ytan av det nedre överföringsmaterialet (W7) med ett skikt av det övre överföringsmaterialet (W2) efter borttagning av det övre överföringsmaterialet (W2) i det första borttagningssteget; ett andra överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i punkter andra än de punkter som erhöll överföring i det första överföringssteget till det övre överföringsmaterialet (W2) bildat i det andra tâckningssteget genom pressning av en mall (M1) mot substratet (Wl) som har skiktet av det övre överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet på dess yta genom det andra tåckningssteget; ett andra steg för formning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på det nedre överföringsmaterialet (W7) genom etsning efter överföring av mikromönstret genom det andra överföringssteget, där rnikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M1); ett andra borttagningssteg för borttagning av det övre överföríngsmaterialet (W2) tillhandahållet i det andra tåckningssteget efter 534 274 50 bildningen av mikromönstret genom det andra steget för formning av mikromönster; ett tredje steg för formning av mikromönster för formning av mikromönstret på substratet (Wl) genom etsning efter borttagningen av det övre överföringsmaterialet (W2) i det andra borttagningssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret på det nedre överföringsmaterialet (W7); och ett tredje borttagningssteg för borttagning av det nedre överföringsmaterialet (W7) efter bildningen av rnikromönstret genom det tredje formningsmetoden för mikromönster.

12. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 11, kännetecknad av att forrnningsmetoden vidare innefattar: ett positionsrelationsdetekterande steg för detektering av en positíonsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av rnikromönster och rnikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1) efter att mikromönstret bildats i det första steget för formning av mikromönster och innan överföringen år utförd i det andra överföringssteget; och ett korrigeringssteg för korrigering av en position av mallen (M1) relativt substratet (Wl) baserat på ett resultat av detektíonen i det positionsrelationsdetekterande steget, så att mikromönstret för överföring att bildas i det andra steget för formning av mikromönster år precist kopplat till rnikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster.

13. Formningsrnetod för mikromönster enligt patentkrav 12, kännetecknad av att korrigeringssteget är ett steg för utförande av korrigeringen genom kompensering av en formföråndring av mallen (M 1) till en precis form genom användande av en aktuator (2 1).

14. En formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 12, kännetecknad av att mikromönster, genom det första överfóringssteget och det första steget för formning av niikromönster, bildas i en första del (TR1a) av överföringsmaterialet 534 274 61 (W2) och i en andra del (TRlb) avskilt från den första delen (TRla) med ett förbestämt avstånd; genom det andra överföringssteget och det andra steget för formning av mikromönster, bildas mikromönster i en tredje del (TR2) som sarnrnanbinder den första delen (TRla) och den andra delen (TR1b); och det positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster och inikromönstret för överföring bildat på mallen (Ml) genom detektering av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M 1) vid en grânslinje mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1) och genom detektering av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) vid en grânslinje mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1).

15. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 14, kännetecknad av att en del av mallen (M 1) med mikromönstret för överföring bildat därpå år anordnat att ha en rektangulär plan form; genom att anordna den första delen (TRla), den tredje delen (TR2) och den andra delen (TRlb) i en rät linje, bildas ett mikromönster inom en rektangulär area; det positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för detektering, på ena sidan i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, av en positionsavvikelse för rnikromönstret fór överföring på mallen (M 1) relativt den första delen (TRla) vid gränslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret bildat på mallen (M1) och en positionsavvikelse för :mikromönstret för överföring på mallen (Ml) relativt den andra delen (TRlb) vid en grânslinje mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1), och detektering, på den andra sidan i en breddriktning av det rektangulära mikromönstret, av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) relativt den första delen (TRla) vid gränslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1); och 534 274 62 korrigeringssteget är ett steg for utförande av korrigeringen genom kompensering av dimensionen på mallen (M1) i breddriktningen genom att ändra en elastisk deformationsandel av mallen (M1) i breddriktningen av det rektangulära mikromönstret genom användande av en aktuator (21) baserat på den avvikande andelen i position på den andra sidan i breddriktningen.

16. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 11, kännetecknad av att formningsmetoden vidare innefattar: ett steg för formning av en stämpel (M3, 55) genom användande av ett substrat (Wl) inkluderande ett mikromönster bildat genom användande av fommingsmetoden för rnikromönster, i vilket en del av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå är formad att vara långsträckt genom utförande av överföringsstegen och formningsstegen för mikromönster upplirijerade med varandra; och ett tredje överföringssteg för överföring av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) till ett objekt-som-skall-bildas (W5), varvid delen av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom användande av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindern; eller delen av stämpeln (M3, 55) med mikromönstret bildat därpå formas till en konvex ytform genom användande av ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning av den elliptiska cylindem; och överföringen utförs under förflyttning av en linjär pressningsdel av den konvexa ytan mot objektet-som-skall-bildas (W5) från ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

17. Forrnningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 16, kännetecknad av att 534 274 (95 stämpeln (M3, 55), efter utförandet av den tredje överföringen, förflyttas i en breddriktning av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) relativt objektet-som- skall-bildas (W5); en stämpel (M3, 55) tillverkas genom elektroformning genom användande av ett substrat (W 1) inkluderande ett mikromönster bildat genom användande av formningsmetoden för mikromönster; och genom ett fjärde steg för överföring av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) tillverkad genom elektroformning till objektet-som-skall-bildas (W5), där mikromönstret på stämpeln (M3, 55) år överfört till objektet-som-skall-bildas (WS) på ett sätt kopplat i breddriktningen.

18. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 16 för att kontinuerligt bilda ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS), där mikromönstret motsvarar mikromönstret bildat på stämpeln (M3, SS), kännetecknad av att forrnningsmetoden vidare innefattar: ett tredje täckningssteg att täcka en yta av objektet-som-skall-bildas (WS) med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett fjärde överföringssteg för överföring av niikromönstret för överföring till överföringsmaterialet bildat i det tredje tâckningssteget genom pressning av stämpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bildas (WS) med skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det tredje tâckningssteget; ett fjärde steg för forrnning av mikromönster för forrnning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS) genom etsníng efter överföringen av mikromönstret genom det fjärde steget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på stâmpeln (M3, 55); ett fjärde borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det tredje tâckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det fjärde steget för forrnning av mikromönster. ett fjärde täckningssteg för täckning av ytan av objektet-som-skall-bildas (WS) med ett skikt av överföringsmaterialet efter borttagningen av överföringsmaterialet i det fjärde borttagningssteget; 534 274 614 ett femte överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring till överföringsmaterialet bildat i det fjärde täckningssteget genom pressning av stämpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bildas (W5) som har skiktet av överföringsmaterialet tillhandahållet på dess yta genom det fjärde tåckningssteget; ett femte steg för formning av mikromönster för formning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (W5) genom etsning efter överför-ingen av mikromönstret genom det femte överföringssteget, där mikromönstret motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); och ett femte borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det fjärde tâckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det femte steget för formning av mikromönster.

19. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 18, kännetecknad av att i varje överföringssteg, delen av stämpeln (M3, 55) som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform bildad genom användning av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av partiet sätts som en perifer riktning av cylindern; eller delen av stämpeln (M3, 55) som har mikromönstret bildad däri formas till en konvex ytform format genom användning av ett parti av en lateral yta på en elliptisk cylinder på ett sådant sånt att den longitudinella riktningen av partiet sätts som en perifer riktning hos den elliptiska cylindern; och överföringen utförs medan en linjär pressningsdel hos den konvexa ytan rörs mot objektet-som-skall-bildas (WS) från den ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

20. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 1 1, kännetecknad av att mikromönstren bildas i delar av substratet (Wl) motsvarande delarna av en färg av ett rutmönster i det första överföringssteget och det första steget för formning av mikromönster, och mikromönstren bildas på delar av substratet (W1) 534 274 55 motsvarande delarna av den andra färgen av rutmönstret i det andra överföringssteget och det andra steget för formning av mikromönster.

21. Formningsmetod för mikromönster för att kontinuerligt bilda mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikrornönster för överföring bildat på en mall (M 1), kännetecknad av att formningsmetoden för mikromönster innefattar: ett första täckningssteg för täckning av en yta av ett tredje material (W9) i substratet (W1) med ett skikt av ett överföringsmaterial (W10), vilket substrat (Wl) bildas genom stapling av ett första material (W 1 1), ett skiktliknande andra material (W8) och ett skiktliknande tredje material (W9); ett första överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet (W 10) bildat i det första täckningssteget genom pressning av mallen (M1) mot substratet (W1) som har skiktet med överföringsmaterialet (W10) tillhandahållet på sin yta genom det första täckningssteget; ett första steg för formning av ett mikromönster för bildning av ett mikromönster på det tredje materialet (W9) genom etsning efter överfóringen av mikromönstret genom det första överföringssteget, vilket mjkromönster motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); ett första borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W10) tíllhandahållet i det första täckningssteget efter bildningen av niikrornönstret i det första mikromönsterbildningssteget; ett andra täckningssteg för täckning av ytan av det tredje materialet (W9) med ett skikt av överföringsmaterialet (W10) efter borttagningen av överföringsmaterialet (W10) i det första borttagningssteget; ett andra överfóringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i punkter andra än de punkter som erhöll överföring i det första överföringssteget på överföringsmaterialet (W10) bildat i det andra tåckningssteget genom pressning av en mall (M 1) mot substratet (W l) som har skiktet med överföringsmaterialet (W10) tillhandahàllet på sin yta genom det andra tåckningssteget; 534 274 bl» ett andra steg för formning av ett mikromönster för bildning av ett mikromönster på det tredje materialet (W9) genom etsning efter överföringen av mikromönstret i det andra överföringssteget, vilket rnikromönster motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); och ett andra borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W10) tillhandahållet i det andra tåckningssteget efter bildningen av rnikromönstret genom det andra mikromönsterbildningssteget.

22. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 21, kännetecknad av att formningsmetoden vidare innefattar: ett positionsrelationsdetekteringssteg för detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för forrnning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) efter att mikromönstret bildats i det första steget för formning av mikromönster och innan överföringen år utförd i det andra överföringssteget; och ett korrigeringssteg för korrigering av en position av mallen (M1) relativt substratet (Wl) baserat på ett resultat av detekteringen i positionsrelationsdetekteringssteget, så att mikromönstret för överföring som skall bildas i det andra steget för formning av mikromönster är precist kopplat till mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster.

23. Forrnningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 22, kännetecknad av att korrigeringssteget år ett steg som utför korrigeringen genom kompensering av en ändring i form hos mallen (M1) till en precis form genom användande av en aktuator (21).

24. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 22, kännetecknad av att mikromönster, genom det första överfóringssteget och det första steget för formning av mikromönster, bildas i en första del (TR la) av överföringsmaterialet (W10) och i en andra del (TRlb) separerad från den första delen (TRla) med ett förbestämt avstånd; 534 274 lo? ett mikromönster, genom det andra överfóringssteget och det andra steget för formning av mikromönster, bildas i en tredje del (TR2) som sammanbinder den första delen (TRla) och den andra delen (TR 1b); och det positionsrelationsdetekterande steget år ett steg fór detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) genom detektering av en positionsavvikelse av mikromönstret för överföring på mallen (M 1) vid en grånslinje mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) och genom att detektera en positionsavvikelse av mikromönstret för överföring på mallen (M 1) vid en gränslinje mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret fór överföring bildat på mallen (M 1).

25. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 24, kännetecknad av att en del av mallen (M 1) som har mikromönstret för överföring bildat därpå år utformat med en plan, rektangulär form; genom anordning av den första delen (TRla), den tredje delen (TR2) och den andra delen (TR1b) i en rât linje så bildas ett mikromönster inom en rektangulär area; positionsrelationsdetekterande steget år ett steg för detektering, på ena sidan i det rektangulära mikromönstrets breddriktning, av en positionsawikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) relativt den första delen (TRla), vid grânslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildad på mallen (M1), och en positionsawikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M 1) relativt den andra delen (TRlb), vid grånslinjen mellan den andra delen (TRlb) och rnikromönstret fór överföring bildad på mallen (M1), och för detektering, på den andra sidan i det rektangulära mikromönstrets breddriktning, av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) relativt den första delen (TRla), vid gränslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildad på mallen (M 1); och korrigeringssteget är ett steg för att utföra korrigering genom kompensering av dimensionen för mallen (M l) i breddriktningen genom att ändra en elastisk deformationsandel hos mallen (M1) i det rektangulära mikromönstrets 534 274 68 breddriktning, genom användning av en aktuator (21) baserat på positionsavvikelsen på den andra sidan i breddriktningen.

26. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 21, kännetecknar! av att formningsrnetoden vidare innefattar: ett steg fór att bilda en stämpel (M3, 55) genom användning av ett substrat (W 1) som innefattar ett mikromönster bildat genom användning av fornmingsmetoden för mikromönster, i vilket en del av mallen (M1) som har mikromönstret bildat däri är formad att vara långstråckt genom utförande av överföringsstegen och mikromönsterbildningsstegen i linje med varandra; och ett tredje överföringssteg för överföring av mikromönstret på ståmpeln (M3, 55) på ett objekt-som-skall-bildas (W5), varvid ståmpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning hos cylindern; eller ståmpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta hos en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av partiet sätts som en perifer riktning hos den elliptiska cylindern; och överför-ingen utförs medan en linjär pressningsdel hos den konvexa ytan förs mot objektet-som-skall-bildas (WS) från ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

27. Formningsmetod för rnikromönster enligt patentkrav 26, kännetecknad av att ståmpeln (M3, 55), efter det att den tredje överföringen utförts, rörs i breddriktningen för mikrornönstret på ståmpeln (M3, 55) relativt objektet-som- skall-bildas (W5); 534 274 (fl en stämpel (M3, 55) tillverkas genom elektroformning genom användning av ett substrat (Wl) som innefattar ett mikromönster bildat genom användning av metoden för formning av mikromönster; och genom ett fjärde överföringssteg för överföring av mikromönstret på stärnpeln (M3, 55) tillverkad genom elektroformning pä objektet-som-skall-bildas (WS), så att mikromönstret på stämpeln (M3, 55) överförs på objektet-som-skall- bildas (W5) på ett i breddriktningen anslutet sätt.

28. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 26, för kontinuerlig bildning av mikromönstret på objektet-som-skall-bildas (W5), vilket rnikromönster motsvarar mikromönstret bildat på ståmpeln (M3, 55), kännetecknad av att formningsrnetoden vidare innefattar: ett tredje täckningssteg för täckning av en yta av objektet-som-skall- bildas (W5) med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett fjärde överföringssteg för överföring av mikromönstret som skall överföras på överföringsmaterialet bildat i det tredje täckningssteget genom pressning av stärnpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bildas (W5) och som har skiktet med överfóringsmaterialet pä sin yta genom det tredje täckningssteget; ett tredje steg för formning av mikromönster för bildande av ett rnikromönster på objektet-som-skall-bildas (W5) genom etsning efter överföringen av mikromönstret genom det fjärde överföringssteget, vilket rnikromönster motsvarar mikromönstret för överföring på stämpeln (M3, 55); ett tredje borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det tredje täckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det tredje mikromönsterbildningssteget; ett fjärde täckningssteg for täckning av en yta på objektet-som-skall- bildas (WS) med ett skikt av överföringsmaterialet efter borttagning av överföringsmaterialet genom det tredje borttagningssteget; ett femte överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring på överfóringsmaterialet bildat i det fjärde täckningssteget genom pressning av 534 274 70 stämpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bíldas (W5) och som har skiktet med överföringsmaterial tillhandahållen på sin yta genom det fjärde täckningssteget; ett fjärde mikromönsterbildningssteg med bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (W5) genom etsning efter överfóringen av rnikromönstret genom det femte överföringssteget, vilket rnikromönster motsvarar överföringsmönstret på mallen (M 1); och ett fjärde borrtagningssteg med borttagning av överföringsmaterialet som tillhandahållits i det fjärde täckningssteget efter bildningen av rnikrornönstret i det fjärde mikromönsterbildningssteget.

29. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 28, kännetecknad av att i varje överföringssteg, stämpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta av en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning hos cylindern; eller stämpelns (M3, 55) del som har niikromönstret bildad däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta på en elliptisk cylinder på ett sådant sänt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning hos den elliptiska cylindem; och överföringen utförs medan en linjär pressningsdel hos den konvexa ytan rörs mot objektet-som-skall-bildas (W5) från den ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

30. Forrnningsmetod för rnikromönster enligt patentkrav 21, kännetecknad av att rnikromönster bildas i partier av substratet (Wl) motsvarande partier med en färg hos ett rutmönster i det första överfóringssteget och det första steget för forrnning av rnikromönster, och mikromönster bildas i delar av substratet (Wl) 534 274 71 motsvarande partier med den andra färgen av rutmönstret i det andra överföringssteget och det andra steget för forrnning av mikromönster.

31. Formningsmetod för mikromönster för kontinuerlig bildning av mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M1), kännetecknad av att formningsmetoden för mikromönster innefattar: ett första täckningssteg för täckning av en yta av substratet (Wl) med ett skikt av ett överiöringsmaterial (W2); ett första överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet (W2) bildat i det första täckningssteget genom pressning av mallen (M 1) mot substratet (W 1) som har skiktet med övertöringsmaterial (W2) tillhandahållet på dess yta genom det första täckningssteget; ett första tillhandahållningssteg för tillhandahållande av ett täckelement (W21) i en del där substratet (Wl) exponerats genom överföringen av rnikromönstret för överföring i det första överföringssteget; ett första borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2) som tillhandahållits i det första tåckningssteget efter täckning av delen där substratet (W 1) exponerats med täckelementet (W21) i det första tillhandahållningssteget; ett andra täckningssteg för täckning av ytdelar av substratet (Wl) med ett skikt av överfóringsmaterialet (W2) efter borttagningen av överföringsmaterialet (W2) i det första borttagningssteget; ett andra överföringssteg för överföring av mikromönstret för överföring i punkter andra än de punkter som erhöll överföring i det första överföringssteget på överföringsmaterialet (W2) bildat i det andra tåckningssteget genom pressning av mallen (M 1) mot substratet (W 1) som har skiktet med överföringsmaterial (W2) tillhandahållet på dess yta genom det andra täckningssteget; 534 274 ?2 ett andra tillhandahållningssteg för täckning av en del där substratet (Wl) exponerats genom överföring av mikromönstret för överföring i det andra överiöringssteget med ett tåckelement (W2 1); ett andra borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet i det andra täckningssteget efter täckning av delen där substratet (Wl) exponerats med täckelementet (W2 l) i det andra tillhandahållningssteget; ett steg för formning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på substratet (Wl) genom etsning efter borttagningen av överföringsmaterialet (W2) genom det andra borttagningssteget, vilket mikromönster motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); och ett tredje borttagningssteg med borttagning av täckelementen (W2 l) tillhandahållna i det första och det andra tillhandahållningsstegen efter bildningen av mikromönstret i rnikromönsterbildningssteget.

32. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 31, kännetecknad av att fornmingsmetoden vidare innefattar: ett positionsförhållandedetektionssteg för detektering av en positíonsrelation mellan mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M l) efter det att mikromönstret bildats i det första steget fór forrrming av mikromönster och innan överföríngen utförs i det andra överföringssteget; och ett korrigeringssteg med korrigering av en position hos mallen (M1) relativt substratet (Wl) baserat på resultatet av detekteringen i positionsrelationsdetekterande steget, så att mikromönstret för överföring som skall bildas i det andra steget för formning av mikromönster är precist kopplat till mikromönstret bildat i det första steget för formning av mikromönster.

33. F ormningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 32, kännetecknad av att korrigeringssteget är ett steg för utförande av korrigeringen genom 534 274 ÄB kompensering av en förändring i form hos mallen (M 1) till en noggrann form genom användning av en aktuator (21).

34. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 32, kännetecknad av att mikromönster, genom det första överföringssteget och det första mikromönsterbildningssteget, bildas i en första del (TRla) av överföringsmaterialet (W2) och i en andra del (TRlb) avskild från den första delen (TRla) med ett förbeståmt avstånd; ett mikromönster, genom det andra överföringssteget och det andra mikromönsterbildningssteget, bildas i en tredje del (TR2) som sammanbinder den första delen (TR la) och den andra delen (TRlb); och positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för detektering av en positionsrelation mellan mikromönstret som bildats i det första steget för formníng av mikromönster och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1) genom detektering av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1), vid gränslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1) och genom detektering av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) vid en gränslinje mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1).

35. Formnirigsmetod fór mikromönster enligt patentkrav 34, kännetecknad av att ett parti av mallen (M1) som har rnikromönstret fór överföring bildat däri är format med en rektangulär plan form; genom anordning av den första delen (TRla), den tredje delen (TR2) och den andra delen (TRlb) i en rät linje så bildas ett mikromönster inom en rektangulär area; 534 274 '#1 positionsrelationsdetekterande steget är ett steg för detektering, på ena sidan i det rektangulära mikromönstrets breddriktning, av en positionsawikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) relativt den första delen (TRla) vid en gräns mellan den första delen (TR1a) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1), och en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (Ml) relativt den andra delen (TRlb) vid gränslínjen mellan den andra delen (TRlb) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M1), och av detektering, på den andra sidan i det rektangulära mikromönstrets breddriktning, av en positionsavvikelse för mikromönstret för överföring på mallen (M1) relativt den första delen (TR1a) vid grånslinjen mellan den första delen (TRla) och mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1); och korrigeringssteget är ett steg för utförande av korrigeringen genom kompensering av rnallens (M 1) dimension i breddriktningen genom förändring av en elastisk deformationsandel hos mallen (M1) i breddriktningen av det rektangulära mikromönstret genom användning av ett aktuator (21) baserat på positionsavvikelse på den andra sidan i breddriktningen.

36. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 31, kännetecknad av att forrnningsmetoden vidare innefattar: ett steg för att bilda en stämpel (M3, 55) genom användning av ett substrat (Wl) innefattande ett mikromönster bildat genom användning av fornmingsmetoden för mikromönster, i vilket en del av mallen (M1) som har ett mikromönster bildat däri är bildad att vara långsträckt genom utförande av överföringssteg och mikromönsterbildningssteg i linje med varandra; och ett tredje överföringssteg för överföring av mikromönstret på stämpeln (M3, 55] på ett objekt-som-skall-bildas (WS), varvid stämpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri är format till en konvex ytform formad genom användning av ett parti av en lateral yta hos en cylinder på ett sådant sätt att en longitudinell riktning hos delen sätts som en perifer riktning hos cylindern; eller 534 274 YS stâmpelns (M3, 55) del som har ett mikromönster bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta av en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen av delen sätts som en perifer riktning hos den elliptiska cylindern; och överför-ingen utförs medan en linjär pressningsdel hos den konvexa ytan rörs mot objektet-som-skall-bildas (WS) från den ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

37. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 36, känneteclmad av att stämpeln (M3, 55), efter den tredje överfóringen år utförd, rörs i en breddriktning av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) relativt objektet-som-skall- bildas (W5); en stämpel (M3, 55) tillverkas genom elektroforrnning genom användning av ett substrat (W 1) som innefattar ett mikromönster bildat genom användning av fornmingsmetoden för rnikromönster; och genom ett fjärde överföringssteg med överföring av mikromönstret på stämpeln (M3, 55) tillverkad genom elektroformning på ett objekt-som-skall-bildas (W5), varvid mikromönstret på stämpeln (M3, 55) överförs på objektet-som-skall- bildas (WS) på ett kopplat sätt i breddriktningen.

38. Formningsmetod för mikromönster enligt patentkrav 36 för kontinuerlig formning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (W5), varvid milaomönstret motsvarar mikromönstret bildat på stämpeln (M3, 55), kännetecknad av att forrnningsmetoden vidare innefattar: ett tredje tåckningssteg för täckning av en yta hos objektet-som-skall- bildas (WS) med ett skikt av ett överföringsmaterial; ett fjärde överföringssteg med överföring av mikromönstret för överföring på överföringsmaterialet bildat i det tredje täckningssteget genom pressning av 534 274 Yß stämpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bildas (W5) och som har skiktet med överföringsmaterial tillhandahållet på dess yta genom det tredje tâckningssteget; ett tredje steg för formning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (W5) genom etsning efter överföringen av mikromönstret genom det fjärde överföringssteget, vilket mikromönster motsvarar mikromönstret för överföring på ståmpeln (M3, 55); ett fjärde borttagningssteg för borrtagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det tredje tåckningssteget efter bildning av mikromönstret genom det tredje mikromönsterbildningssteget; ett fjärde täckningssteg för täckning av ytan hos objektet-som-skall- bildas (W5) med ett skikt av överföringsmaterial efter borttagning av överföringsmaterialet i det fjärde borttagningssteget; ett femte överfóringssteg med överföring av mikromönstret för överföring på överföringsmaterialet (W2) bildat i det fjärde tåckningssteget genom pressning av ståmpeln (M3, 55) mot objektet-som-skall-bildas (W5) och som har skiktet med överföringsmaterial tíllhandahållen på sin yta genom det fjärde tåckningssteget; ett fjärde steg för forrnning av mikromönster för bildning av ett mikromönster på objektet-som-skall-bildas (WS) genom etsning efter överför-ingen av rnikromönstret genom det femte överföringssteget, vilket mikromönster motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); och ett femte borttagningssteg med borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i det fjärde tåckningssteget efter bildningen av mikromönstret genom det fjärde steget för formning av mikromönster.

39. Forrrmingsmetod för mikromönster enligt patentkrav 38, kännetecknad av att i varje överföringssteg, stâmpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta hos en cylinder på 534 274 W ett sådant sätt att en longitudinell riktning av delen sätts som en perifer riktning hos cylindern; eller stämpelns (M3, 55) del som har mikromönstret bildat däri formas till en konvex ytform genom användning av ett parti av en lateral yta hos en elliptisk cylinder på ett sådant sätt att den longitudinella riktningen hos delen sätts som en perifer riktning hos den elliptiska cylindem; och överföringen utförs medan en linjär pressningsdel hos den konvexa ytan rörs mot objektet-som-skall-bildas (W5) från den ena änden till den andra änden av den konvexa ytan.

40. Fornmingsmetod för mikromönster enligt patentkrav 31, kännetecknad av att mikromönster bildas i delar av substratet (Wl) motsvarande delar med en färg hos ett rutmönster i det första överfóringssteget och det första steget för formning av mikromönster, och mikromönster bildas i delar av substratet (Wl) motsvarande delar med den andra färgen hos rutmönstret i det andra överföringssteget och det andra mikromönsterbildningssteget.

41. Formningsmetod för mikromönster för kontinuerlig bildning av mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M 1), kännetecknar! av att fommingsmetoden för rnikromönster innefattar: ett tåckningssteg för täckning av en yta på substratet (Wl) med ett skikt av ett överfóringsmaterial (W2); ett överlöringssteg för överföring av mikromönstren för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överfóringsmaterialet (W2) bildat i täckningssteget genom pressning av mallen (M1) mer än en gång mot substratet (Wl) som har skjktet av överfóringsmaterial (W2) tillhandahållet på sin yta genom täckningssteget; ett steg för formning av mikromönster fór bildning av mikromönster i förutbestämda intervall på ett flertal punkter på substratet (Wl) genom etsning 534 274 78 efter överföringen av mikromönster genom överföringssteget, vilka mikromönster vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1); och ett borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet i tâckningssteget efter bildningen av mikromönstren i steget för formning av mikromönster, varvid mikromönstren, vilka vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1), kontinuerligt bildas på substratet (Wl) genom upprepning av en cykel av tåckningssteget, överföringssteget, steget för forrnning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger.

42. Formningsmetod för mikromönster för kontinuerlig bildning av mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M 1), kännetecknad av att formningsmetoden för mikromönster innefattar: ett tâckningssteg för täckning av en yta med ett nedre överföringsmaterial (W7) i substratet (Wl) med ett skikt av ett övre överföringsmaterial (W2), vilket substrat (Wl) har sin yta täckt med ett skikt av det nedre överföringsmaterialet (W7); ett överföringssteg för överföring av mikromönster för överföring i förutbestämda intervall på ett flertal punkter på det övre överföringsmaterialet (W2) bildat i täckningssteget genom pressning av formen mer än en gång mot substratet (Wl) som har skiktet med det övre överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet på sin yta genom tåckningssteget; ett rnikromönsterbildningssteg för bildning av mikromönster i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på det nedre överföringsmaterialet (W7) genom etsning efter överföringen av mikromönster genom överföringssteget, vilka mikromönster vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M1), och 534 274 ?q ett borttagningssteg med borttagning av överföringsmaterialet tillhandahållet i täckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster, varvid mikromönstren, vilka vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen (M l), kontinuerligt bildas på det nedre överföringsmaterialet (W7) genom upprepande av en cykel med täckningssteget, överíöringssteget, steget för fornming av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger, ett rnikromönster motsvarande mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet (W7) bildas på substratet (Wl) genom etsning efter bildningen av mikromönstren på det nedre överföringsmaterialet (W7), och rnikromönstren, vilka vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildat på mallen (M 1), kontinuerligt bildas på substratet (W 1) genom borttagning av det nedre överföringsmaterialet (W7) efter bildningen av mikromönstret på substratet.

43. Formnirigsmetod för mikromönster för kontinuerlig bildning av mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M 1), kännetecknad av att formningsmetoden för rnikromönster innefattar: ett täckningssteg med täckning av en yta av ett tredje material (W9) i substratet (W 1) med ett skikt av ett överföringsmaterial [W10), vilket substrat (Wl) är bildat genom stapling av ett första material (Wll), ett filmliknande andra material (WS) och ett filmliknande tredje material (W9); ett överföringssteg med överföring av mikromönstren i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet (WIO) bildat i täckningssteget genom pressning av mallen (M 1) mer än en gäng mot substratet (Wl) som har skiktet av överiöringsmaterial (W2) tillhandahållet på dess yta genom täckningssteget; ett steg för formning av mikromönster för bildning av mikromönster i förutbestämda intervall på ett flertal punkter på det tredje materialet (W9) genom etsning efter överíöringen av mikromönstren genom överiöringssteget, vilka 534 274 80 mikromönster vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (Ml); och ett borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (WIO) tillhandahållet i tåckningssteget efter bildningen av mikromönstren genom steget för formning av mikromönster, varvid mikromönstren, vilka vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring bildad på mallen (M 1), kontinuerligt bildas på substratet (Wl) genom upprepning av en cykel med tåckningssteget, överföringssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i denna ordning ett flertal gånger.

44. Formningsmetod för mikromönster för kontinuerlig bildning av mikromönster på ett substrat (Wl), där mikromönstren vart och ett motsvarar ett mikromönster för överföring bildat på en mall (M1), kännetecknad av att forrnningsmetoden för rnikromönster innefattar: ett tâckningssteg med täckning av en yta av substratet (Wl) med ett skikt av ett överföringsmaterial (W2); ett överföringssteg med överföring av mikromönster för överföring i förutbestämda intervall i ett flertal punkter på överföringsmaterialet (W2) bildat i täclcningssteget genom pressning av mallen (M 1) mer än en gång mot substratet (Wl) som har skiktet av överföringsmaterialet (W2) tillhandahållen på sin yta i täckningssteget; ett tillhandahållningssteg för tillhandahållnirig av ett tåckelement (W2l) i en del där substratet (Wl) är exponerat vid överfóringen av mikromönstret för överföring i överföringssteget; och ett borttagningssteg för borttagning av överföringsmaterialet (W2) tillhandahållet i tåckningssteget efter täckning av delen där substratet (Wl) exponerats med tâckelementet (W2 1) i tillhandahållningssteget, varvid mikromönstren, vilka vart och ett motsvarar rnikromönstret för överföring på mallen (M 1), kontinuerligt bildas på substratet: genom bildning av mikromönstren, vilka vart och ett motsvarar mikromönstret för överföring på mallen (M 1), på substratet (Wl) genom etsning efter upprepning av en cykel med 534 274 81 täckningssteget, överföringssteget, tillhandahållningssteget, steget för formning av mikromönster och borttagningssteget i den ordningen ett flertal gånger; och genom borttagning av täckelementen (W2l) tíllhandahållna i tillhandahållningssteget efter bildningen av mikromönstren.