JP7466732B2 - インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 - Google Patents
インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7466732B2 JP7466732B2 JP2023050386A JP2023050386A JP7466732B2 JP 7466732 B2 JP7466732 B2 JP 7466732B2 JP 2023050386 A JP2023050386 A JP 2023050386A JP 2023050386 A JP2023050386 A JP 2023050386A JP 7466732 B2 JP7466732 B2 JP 7466732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- command value
- mold
- substrate
- deformation mechanism
- imprinting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Ty=k2+k4y+k6x+k8y2+k10xy+k12x2 ・・・式(2)
ここで、k1、k2はシフト成分であり、基板操作機構4および/または型操作機構3によって基板10と型8とのアライメントを行うことによってシフト成分k1、k2を0にすることができる。k3、k4、k5、k6は1次の成分であり、k3、k4は倍率成分、k5、k6は回転成分、ひし形成分である。k7以上は2次以上の成分(高次成分)である。基板10のショット領域と型8のパターン領域8aとの間の形状差は、ショット領域のパターンとパターン領域8aのパターンとの重ね合わせ誤差をもたらしうる。該形状差は、基板10に設けられたマークと型8に設けられたマークとの相対位置をアライメント計測部6を用いて計測することによって特定されうる。あるいは、該形状差は、インプリント装置1の外部装置を用いて計測されてもよい。
Claims (18)
- 基板のショット領域と型のパターン領域とをインプリント材を介して接触させて前記インプリント材を硬化させることによって前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型に力を加えることによって前記型のパターン領域を変形させる型変形機構と、
前記型変形機構を制御する制御部と、を備え、
前記型変形機構は、前記ショット領域と前記パターン領域との形状差の1次成分を補正するための第1指令値と、前記形状差の2次以上の成分を補正するための第2指令値との和で定まる、許容指令値範囲内の指令値を与えるように制御され、
前記制御部は、前記型変形機構に与える前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記基板の前記ショット領域の形状を変形させる基板変形機構を更に備え、
前記制御部は、前記基板変形機構に与える第3指令値を前記形状差が小さくなるように決定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記基板変形機構は、前記基板を加熱することで前記ショット領域の形状を変形させることを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定し、前記第2指令値の調整範囲を制約として、前記第2指令値および前記第3指令値を決定する、
ことを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。 - 基板のショット領域と型のパターン領域とをインプリント材を介して接触させて前記インプリント材を硬化させることによって前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型に力を加えることによって前記型のパターン領域を変形させる型変形機構と、
前記基板の前記ショット領域の形状を変形させる基板変形機構と、
前記型変形機構と前記基板変形機構とを制御する制御部と、を備え、
前記型変形機構は、前記ショット領域と前記パターン領域との形状差の1次成分を補正するための第1指令値と、前記形状差の2次以上の成分を補正するための第2指令値との和で定まる、許容指令値範囲内の指令値が与えられるように制御され、
前記制御部は、前記型変形機構に与える前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定し、決定された前記調整範囲に基づいて、前記第2指令値および前記基板変形機構に与える第3指令値を決定する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記制御部は、前記第1指令値と前記型変形機構の前記許容指令値範囲とに基づいて、前記第2指令値の前記調整範囲を決定することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記第1指令値は、前記許容指令値範囲に属する任意の値をとりうる、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記1次成分は、倍率成分、回転成分、および、ひし形成分の少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記基板に設けられたマークと前記型に設けられたマークとの相対位置を計測するアライメント計測部を更に備え、
前記制御部は、前記アライメント計測部の出力に基づいて前記形状差を特定する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 基板のショット領域と型のパターン領域とをインプリント材を介して接触させて前記インプリント材を硬化させるインプリント処理によって前記インプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型に力を加えることによって前記型のパターン領域を変形させる型変形機構に与える指令値を決定する決定工程を含み、
前記指令値は、前記ショット領域と前記パターン領域との形状差の1次成分を補正するための第1指令値と、前記形状差の2次以上の成分を補正するための第2指令値との和で定まり、かつ、許容指令値範囲内の指令値であり、
前記決定工程では、
前記型変形機構に与える前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定する、
ことを特徴とするインプリント方法。 - 前記決定工程は、前記基板の前記ショット領域の形状を変形させる基板変形機構に与える第3指令値を決定する工程を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載のインプリント方法。 - 前記基板変形機構は、前記基板を加熱することで前記ショット領域の形状を変形させることを特徴とする請求項11に記載のインプリント方法。
- 前記決定工程では、前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定し、前記第2指令値の調整範囲を制約として、前記第2指令値および前記第3指令値を決定する、
ことを特徴とする請求項11または12に記載のインプリント方法。 - 基板のショット領域と型のパターン領域とをインプリント材を介して接触させて前記インプリント材を硬化させるインプリント処理によって前記インプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型に力を加えることによって前記型のパターン領域を変形させる型変形機構に与える指令値、および、前記基板の前記ショット領域を変形させる基板変形機構に与える第3指令値を決定する決定工程を含み、
前記指令値は、前記ショット領域と前記パターン領域との形状差の1次成分を補正するための第1指令値と、前記形状差の2次以上の成分を補正するための第2指令値との和で定まり、かつ、許容指令値範囲内の指令値であり、
前記決定工程では、前記型変形機構に与える前記第1指令値に基づいて前記第2指令値の調整範囲を決定し、決定された前記第2指令値の前記調整範囲に基づいて、前記第2指令値および前記第3指令値を決定する、
ことを特徴とするインプリント方法。 - 前記決定工程では、前記型変形機構について、前記第1指令値と前記許容指令値範囲とに基づいて、前記第2指令値の前記調整範囲を決定することを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 前記第1指令値は、前記許容指令値範囲に属する任意の値をとりうる、
ことを特徴とする請求項10乃至15のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 前記1次成分は、倍率成分、回転成分、および、ひし形成分の少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項10乃至16のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された基板の加工を行う工程と、
を含み、前記加工が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023050386A JP7466732B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-03-27 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019091617A JP7256684B2 (ja) | 2019-05-14 | 2019-05-14 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
JP2023050386A JP7466732B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-03-27 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019091617A Division JP7256684B2 (ja) | 2019-05-14 | 2019-05-14 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023085393A JP2023085393A (ja) | 2023-06-20 |
JP7466732B2 true JP7466732B2 (ja) | 2024-04-12 |
Family
ID=73222969
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019091617A Active JP7256684B2 (ja) | 2019-05-14 | 2019-05-14 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
JP2023050386A Active JP7466732B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-03-27 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019091617A Active JP7256684B2 (ja) | 2019-05-14 | 2019-05-14 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200363715A1 (ja) |
JP (2) | JP7256684B2 (ja) |
KR (1) | KR20200131760A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI771623B (zh) * | 2018-11-08 | 2022-07-21 | 日商佳能股份有限公司 | 壓印裝置和產品製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130093113A1 (en) | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method using same |
JP2016103603A (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | キヤノン株式会社 | モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法 |
US20160223919A1 (en) | 2015-02-04 | 2016-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5813603B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | インプリント装置およびインプリント方法 |
JP6412317B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2018-10-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
JP6552329B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリントシステム及び物品の製造方法 |
JP6732419B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP7027037B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2022-03-01 | キヤノン株式会社 | モールドの複製方法、インプリント装置、および物品の製造方法 |
-
2019
- 2019-05-14 JP JP2019091617A patent/JP7256684B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-01 US US16/864,201 patent/US20200363715A1/en active Pending
- 2020-05-13 KR KR1020200056801A patent/KR20200131760A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-03-27 JP JP2023050386A patent/JP7466732B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130093113A1 (en) | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method using same |
JP2013102132A (ja) | 2011-10-14 | 2013-05-23 | Canon Inc | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP2016103603A (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | キヤノン株式会社 | モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法 |
US20160223919A1 (en) | 2015-02-04 | 2016-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article |
JP2016143838A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7256684B2 (ja) | 2023-04-12 |
JP2020188126A (ja) | 2020-11-19 |
KR20200131760A (ko) | 2020-11-24 |
JP2023085393A (ja) | 2023-06-20 |
US20200363715A1 (en) | 2020-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108732862B (zh) | 压印装置和物品的制造方法 | |
JP6606567B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
KR20130040723A (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
JP7466732B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 | |
JP2020096077A (ja) | インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 | |
JP2021176200A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
JP2019216143A (ja) | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法 | |
JP7204457B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
JP7117955B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US10948819B2 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP7495815B2 (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
US11422459B2 (en) | Data generation method, imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
JP7433949B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
US20210187797A1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article | |
KR102195515B1 (ko) | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP7358192B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
JP7449171B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US20230145758A1 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP7437928B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 | |
JP2018137360A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
KR20230065157A (ko) | 임프린트 장치 | |
KR20230169850A (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 | |
KR20230029524A (ko) | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP2023156163A (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
KR20220144774A (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230327 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240402 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7466732 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |