SE533531C2 - Nanostrukturerad anordning - Google Patents

Nanostrukturerad anordning

Info

Publication number
SE533531C2
SE533531C2 SE0850167A SE0850167A SE533531C2 SE 533531 C2 SE533531 C2 SE 533531C2 SE 0850167 A SE0850167 A SE 0850167A SE 0850167 A SE0850167 A SE 0850167A SE 533531 C2 SE533531 C2 SE 533531C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
nanowires
group
contact
nanowire
creating
Prior art date
Application number
SE0850167A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0850167A1 (sv
Inventor
Steven Louis Konsek
Youri Martynov
Jonas Ohlsson
Peter Jesper Hanberg
Original Assignee
Glo Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Glo Ab filed Critical Glo Ab
Priority to SE0850167A priority Critical patent/SE533531C2/sv
Priority to JP2011542074A priority patent/JP5383823B2/ja
Priority to CN200980151050.7A priority patent/CN102257645B/zh
Priority to KR1020117013913A priority patent/KR20110103394A/ko
Priority to PCT/SE2009/051479 priority patent/WO2010071594A1/en
Priority to US13/133,371 priority patent/US8664636B2/en
Priority to EP09833757.9A priority patent/EP2359416B1/en
Publication of SE0850167A1 publication Critical patent/SE0850167A1/sv
Publication of SE533531C2 publication Critical patent/SE533531C2/sv
Priority to US14/174,015 priority patent/US9287443B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0673—Nanowires or nanotubes oriented parallel to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0676—Nanowires or nanotubes oriented perpendicular or at an angle to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/068—Nanowires or nanotubes comprising a junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

15 20 25 533 531 Redogörelse för uppfinningen Syftet med föreliggande uppfinningen år att överbrygga åtminstone några av nackdelarna i tidigare känd teknik. Detta uppnås av anordningar såsom de år definierade i de oberoende kraven.
En anordning enligt uppfinningen innefattar en första grupp av nanotrådar utskjutande fràn ett substrat där varje nanotråd innefattar till exempel en pn- eller p-i-n-övergång. En första kontaktering år anordnad för att åtminstone delvis innesluta och elektriskt förbinda till en första sida av vardera nanotråds pn- eller p- i-n-övergâng i den första gruppen av nanotrådar. Vidare innefattar en andra kontaktering en andra grupp av nanotrådar utskjutande från substratet, och möjligen ytterligare elektriskt ledande material, vilken andra kontakter-ing år anordnad för att elektriskt förbinda till den andra sidan av pn- eller p-i-n- övergången i den första gruppen av nanotrådar.
Uppfinningen år avsedd att överbrygga problem som hänför sig till kontakter-ing av nanotrådsstrukturer, och speciellt till nanotrådslysdioder, nämligen till att förbättra processintergration och minska processtid eftersom uppfinningen möjliggör att terminalema kontakteras direkt. Speciellt så möjliggör uppfinningen användandet av likadana och homogena vâxtbetingelser över hela substratet, vilket minimerar till exempel kanteffekter och gör att komplicerat borttagande av nanotràdar kan undvikas. Vidare så år uppfinningen användbar för alla nanostrukturerade anordningar med vertikala nanotrådar som kontakteras elektriskt från ett bufferlager eller ett substrat.
Utföringsfonner av uppfinningen år definierade i de beroende lcraven. Andra syften, fördelar och nya kännetecken för uppfinningen kommer att bli uppenbara i detaljerade utföríngsforrner när beskrivningen betraktas tillsammans med medföljande den följande beskrivningen av exempel av uppfinningens ritningar och krav. 10 15 20 25 30 235 533 531 Figurbeskrivning Föredragna utföñngsformer av uppfinningen kommer nu att beslnivas med hånvisningen till medföljande ritningar, där FIG. 1 visar schematiskt ett tvärsnitt av en kontakterad nanoträdslysdiod, med en radiell pn-övergång, där den andra kontakteringen år i elektrisk kontakt med bufferlagtret.
FIG.2 visar schematiskt ett tvärsnitt av en kontakterad nanotrådslysdiod, med en radiell pn-övergång, där den andra kontakteringen är i elektrisk kontakt med bufferlagret och kärnan av den andra gruppens nanotrådar.
FIG.3 visar steg innefattade i metoden för att forma en nanostrukturerad lysdiod.
FIG.4 visar schematiskt ett tvärsnitt av en kontakterad nanotrådslysdiod, med en axiell pmövergång, där den andra kontakteringen är i elektrisk kontakt med bufferlagret och bottendelen av den andra gruppens nanotrádaina.
Detaljerad beskrivning av utföringsformer Utföringsformer av föreliggande uppfinning som beskrivs nedan är alla baserade på nanostrukturerade anordningar som till exempel nanostrukturerad lysdiod/nanostxukturerade lysdioder. Tidigare känd teknik av nanostrukturerade komponenter är till exempel beskrivet i US7396696 och W02008048704.
Inom teknikområdet är nanotràdar vanligtvis uppfattade som endimensíonella nanostrukturer vars diameter år i storleksordningen nanometer. Som termen nanotråd antyder är det den laterala utbredningen som är i nanoskala medan den i längdskala är oinskränkt, Sådana endimensíonella nanostrukturer är vanligtvis vanligen även kallade nanowhiskers, endimensíonella nanoelement, nanostavar, nanotuber, etc. Generellt så anses nanotràdar ha en utbredning åtminstone i två dimensioner, vilken var och en är inte större än 300 nm. Emellertid så kan nanotrådar ha en diameter eller bredd upp till ungefär 1 pm. Den endimensíonella karaktären hos nanoträdarna ger unika fysikaliska, optiska och elektroniska egenskaper. Dessa egenskaper kan till exempel begagnas för skapa anordningar som använder kvantmekaniska effekter eller för att skapa heterostrukturer av material som har olika sammansättning, vilket vanligtvis inte kan kombineras på grund av att dess atomgitter ej passar ihop. Som termen nanotråd antyder är den endimensíonella karaktären förbunden med en långsträckt form. Emellertid så kan nanotrådar också dra fördel av andra unika egenskaper utan att ha en icke långstrâckt form. Exempelvis kan icke lângsträckta nanotrådar formas pá ett 10 15 20 25 30 533 531 substrat med relativt hög defekttâtlriet för att tillhandahålla en defektfri mall för vidare processning eller för att skapa en länk mellan substratmaterialet och ett annat material. Därför år föreliggande uppfinning ej begränsad till en att nanotrådarna har en långstråckt form. Eftersom nanotrådar kan ha olika form på tvärsnittsarean så menas med diametern den effektiva diametern.
De här exempliñerade nanostrukturerade anordningarna, det vill såga lysdioder, fàltefïekttransistorer, dioder och detektorer âr baserade på en eller flera pn~ eller p-i-n-övergångar ordnade i olika former. Skillnaden mellan en pn-övergång och en p-i-n övergång år att den senare har ett bredare aktivt område. Det bredare aktiva området ger en högre sannolikhet för rekombiriation i i-området. P-i-n- övergången i en nanostrukturerad anordning kan vara radiell eller axiell.
Utföringsforzner enligt den föreliggande uppfinning kan appliceras på båda och fortfarande omfattas av uppfinningen.
I en utföríngsforrn av en nanostmkturerad anordning enligt uppfinningen, exemplifierad schematiskt i FIG. 1 med en lysdiod, utskjuter en första grupp av nanotrådar 101 från ett substrat 100 och varje nanotrådvinnefattar en pn- eller p-í- n-övergång 150. En första kontaktering innesluter åtminstone delvis, och är elektriskt förbunden till en första sida av, varje nanotråds, pn- eller p-i-n-övergång 150 i den första gruppen an nanotrådar 101. En andra kontaktering, vilken innefattar en andra grupp av nanotrådar 102 som utskjuter från substratet 100, år anordnad att vara elektriskt förbunden med den andra sidan av pn- eller p-í-n- övergången 150.
Kontakterna som innefattas i både den första och andra kontakter-ingen kan vara en metall eller en halvledare. I fallet metall kan det vara vilken metall som helst som har en hög elektrisk ledningsförrnåga, till exempel Al, Ti, Ag, Cu etc, användas. I fallet halvledarmaterial måste halvledarmaterialet vara elektriskt ledande, vilket uppnås med en hög dopkoncentration i materialet. Halvledaren kan till exempel vara högdopat GaN, lnP, GaAs, AlInGaN, AlGaN och InGaN etc.
Vid växt av nanotrådarna så deponeras en mask 90 på substratet 100 eller på ett bufferlagret 120 (i det följande kallat bara bufferlagret 120). Masken 90, företrädesvis ett dielektrika eller en isolator såsom SiOQ, SiaN4, och Al203, är mönstrat genom till exempel att använda litografi, vilket definierar områdena i masken 90 där nanotrådarna år avsedda att växa. Efter växt av nanotrådarna så täcker masken fortfarande bufferlagret 120 i utrymmet mellan nanotrådarna.
Genom att ta bort masken 90 i utrymmet mellan nanotrådarna för den andra 10 15 20 25 30 L) k. 533 531 gruppen av nanotràdar 120 och därefter deponera ett kontaktlager så kan en elektrisk kontakt göras direkt på bufferlagret 120. Genom att låta den andra kontakteringen 102 vara i direkt elektrisk kontakt med bufferlagret 120 så år också kontakt skapad till kärnan av nanotrådarna i den första gruppen av nanotrådar 101. våtetsningsrnetoder med användande av till exempel HF, HCl eller torretsmetoder Metoderna för att bara ta bort masklagret är enkla och innefattar med användande av till exempel CF4, SFÖ tillsammans med andra reaktiva gaser.
Pn- eller p-í-n-övergångazna som omger nanotrådania, vilka kan ses i FlG.l, år växta radiellt, med en n-sida 190 an pn- eller p-i-mövergången 150 som inre lager i direkt med en nanotrådkänia 110. I det följande menas med uttrycket p-i-n- övergång 150 att både pn- och p-i-n-övergångar 150 är inkluderade såtillvida inte något annat är tillkännagett.
I utföringsformen enligt FIG. 1 av en nanostrukturerad lysdíod enligt uppfinningen utskjuter nanoträdarna från substratet 100. Substratet 100 kan vara Si, Ge, 111203, SiC, Quartz, glass, GaN eller något annat material lämpligt för växt av nanotråd. .Substratet 100 kan också vara täckt med ett bufferlager 120 före växt av nanotråd. Bufferlagret 120 kan vara giort av ett material som skiljer sig från substratmaterialet. Bufferlagret 120 är företrädesvis valt för att passa det önskade nanotrådmaterialet och sålunda senare i processen forma en växtbas för nanotrådarna. Växten av nanotrådarna kan åstadkommas genom att använda de ovan nämnda ansökndngarna (US7396696 and WO2008048704), där välkända masktekniker resulterar i nanotrådar med en p-i-n- övergång 150. Nanotrådarna kan vara av vilket halvledarmaterial som helst, även metoder beskrivna i om de vanligaste materialen funna är 1II~V halvledare, såsom GaN, InP, GaAs, AlInGaN, AlGaN och InGaN etc.
Det finns flera sätt på vilka nanotrådar kan kontakteras genom en andra kontakter-ing och dessa beror på kontakterlngsmetoden och kontakteríngsmaterialet. Deponerings- eller växtmetodcn kan vara en CVD-metod för att växa kontakteringslager av halvledarmaterial såsom GaN, InP, GaAs, AlInGaN, AlGaN and InGaN etc., medan en PVD-metod är att föredra för deponering av metallkontakteringsmaterial såsom Al, Ag, CU, eller någon annan metal som någorlunda hög ledningsförmåga. Även legeringar som uppvisar de önskade fysikaliska egenskaper skulle kunna användas.
Den andra kontakter-ingen, det vill säga den andra gruppen av nanotrådar 102, vilket i fallet av radiellt tillväxta nanotrådarna år avsedda att kontaktera kärnan 10 15 20 25 30 L< UI 533 53'l 110 hos den ñrsta gruppen av nanotrådar 101 och i fallet med axiellt växta nanotrådar avsedda att kontaktera bottendelen hos den första gruppen av nanotrådar, kan beroende på. den använda deponerings- eller vâxtmetoden, antingen vara täckt av ett kontakteringsmaterial på toppdelen av nanoträdarna, delvis täckt, vilket betyder att kontakteringsmaterialet sträcker sig ner mellan nanotrådarna, eller helt täckt vilket betyder att väsentligen ingen ytarea innefattad i gruppen av 102 saknar kontaktering med kontakteringsmaterialet. den andra nanotrådar I en utföringsforrn av föreliggande uppfinning är den första kontakteringen förbunden med p-sidan 180 av p-i~n~övergågen 150 och den andra kontakteringen år förbunden med n-sidan av 190 av p-i-n-övergången 150. Den andra kontakteringen, avsedd att elektriskt förbinda till nanotrådens kärna 110 eller bottendelen av den axiellt växta p-n eller p~i-n övergången hos den första gruppen av nanotrâdar 101 genom den andra gruppen av nanotrådar 102, kan ordnas på fler sätt. Den skulle kunna täcka den andra gruppen av nanotrådar 102 på toppen av lagren som bildar pin-övergången 150, eller ett eller flera av lagren av p-i-n- övergången skulle kunna tas bort före deponering eller växt av kontakteringslagret, därigenom erbjudande en förbättrad elektrisk kontakter-ing till bufferlagret 120. I en utföringsforrn av föreliggande uppfinning, illustrerad i FIG.2, är väsentligen alla lager innefattade í p-i-n-övergàngen 150 helt och hållet borttagna på den andra gruppen av nanoträdar 102. Denna uppbyggnad kan uppnås genom etsning, och erbjuder en mycket bra elektrisk kontakt pågrund av den stora kontakteringsytan mellan nanotrådens kärna och den andra kontakteringen.
Den andra kontakteringen kan sålunda bilda elektrisk kontakt med bufferlagret eller till substratet genom att skapa fysisk kontakt antingen enbart med bufferlagret, eller i tillägg, genom att skapa fysisk kontakt med nanotrådskäxnan hos andra gruppen av nanotrådar. Når lagren som bildar p-i-n-övergángen inte tas bort från den andra gruppen av nanotràdar så är den aktiva kontaktarean kontakten mellan n-kontaktmaterialet och bufferlagret och pin-övergången hos den andra gruppen av nanotrådar är inaktiv eftersom den är kortsluten till den andra kontakteringen. Följaktligen så är hela ytarean av nanotråden som år täckt av lagren som bildar p-i-mövergången i också huvudsak elektriskt inaktiv. Denna situation ses i FIGQ. I fallet där lagren som bildar p-i-n-övergången tas bort så ökar kontaktarean mycket och ytarean på nanotrâden är elektriskt aktiv och deltar i ledningen av laddning till bufferlagret, vilket ses i FIG. 2. 10 15 20 25 30 35 533 531 I en annan utföringsform av föreliggande uppfinning, schematiskt illustrerad i FIG.4, år metoden ßr att kontaktera nanotrådar enligt uppfinningen applícerad på axiella nanotrådar. I detta fall är en toppdel, motsvarande till exempel en första sida av en pn-övergång, av nanotrådarna från första gruppen av nanotrådar kontakterad av den första kontakteringen. Bottendelen, motsvarande till exempel en andra sida av en pn-övergång, hos nanotrådarna från första gruppen av nanotrådar är kontakterade genom bufferlagret via den andra kontakteringen.
I en annan utföringsforrn av ßreliggande uppfinning är ett sätt att kontakter-a nanotrådarna att ta bort en toppdel av p-i-n-övergången på en toppdelen av en andra grupp av nanotrådar 102. Det vill säga, för att öppna toppdelen hos den andra gruppen av nanotrådar och för att exponera nanotrådskârnan. Detta möjliggör direkt elektrisk kontakt mellan kärnan 110 hos den andra gruppen av nanotrådar 102 och den andra kontakteríngens kontakteringslager på toppen av den andra gruppen av nanotrådar 102. Toppdelen hos den andra gruppen av nanotrådar 102 kan tas bort genom etsning eller kemisk-mekanisk polering.
Vidare år det möjligt genom etsning att ta bort lagren som täcker bufferlagret 120 i ett utrymme mellan nanotràdarna hos den andra gruppen av nanotrådar.
Detta exponerar bufferlagret i utrymmet mellan dessa nanotrådar, och sålunda möjliggör att kontaktera bufferlagret 120 med den andra kontakteringen 102 i detta utrymme. Detta tillhandahåller en direkt elektrisk kontakt mellan den andra kontakteringen 102 och bufferlagret 120. Genom att använda ett lämpligt etsrecept kan även både kärnan 110 av den andra gruppen av nanotrådar 102 och bufferlagret 120 mellan den andra gruppen av nanotràdar 102 friläggas. Detta ger en mycket stort område att anordna den andra kontakteringen på, vilket visas i FIG. 2, och hjälper till att tillförsåkra en ändamålsenlig elektrisk kontakt.
I en utföringsfonn av föreliggande uppfinning schematiskt illustrerad i FIG. 3 innefattar metoden för att skapa nanostrukturerade lysdioder stegen att tillhandahålla ett substrat 100, vilket kan vara ett halvledarsubstrat, till exempel kisel; skapade av en första grupp av nanotrådar 101 och en andra grupp av nanotrådar 102 på substratet 100, eller, fóre skapandet av nanotrådar, skapande av ett bufferlager 120 på substratet och därefter skapandet av den första gruppen av nanotrådar 101 och den andra gruppen av nanotrådar 102; bildande en pn- eller p-i-mövergång 150 på varje nanotråd som innesluter nanotrådkârnan 110; skapande av en första kontaktering som åtminstone delvis innesluter och elektriskt kontaktar till den första sidan av pn- eller p-i-n-övergången 150 av varje nanotråd i 10 15 20 25 30 533 531 den första gruppen av nanotrådar 101; skapandet av en andra kontaktering Sammanhörande med den andra gruppen av nanotrådar 102 utskjutandet från substratet 100, ordnad att elektriskt förbinda till en andra sida av pn- eller p-i-n övergången 150 av den första gruppen av nanotrådar.
I en utföringsform av föreliggande uppfinning, är metoden för att skapa nanostrukturerade lysdioder där steget att skapa den andra kontakteríngen innefattar en andra grupp av nanotrådar 102 utskjutande från substratet 100, anordnad att elektriskt förbinda till en andra sidan av pin-övergången.
I en annan utföringsform av föreliggande uppfinning, innefattar metoden för att ta bort fördefinierade områden på en toppdel av varje nanotråd hos den andra gruppen av nanotrådar 102 etsning. Det kan vara en kemisk ets eller det kan vara en fysikalisk ets beroende på den önskade profilen. Etsen kan antingen vara en våtets med användande av kemiskt bad eller en torrets med användande av vakuumutrustning.
I en ytterligare utföringsforrn av föreliggande uppfinning, innefattar metoden att ta bort fördefinierade områden på toppdelen av varje nanotråd hos den andra gruppen av nanotrådar 102 kemisk mekanisk polering.
Emedan utföringsforrnerna av uppfinningen har beskrivits med exempel där nanotrâden år av n~typ material, så är det tänkbart att använda nanotrådskårnor av p-typ material och i detta fall skulle det vara möjligt att ha p-sidan som det inre lagret.
Utföringsfonnerna visar exempel av kontaktering av radiella och axiella p-i-n- övergångar vâxta på nanotrådar, ehuru uppfinningen självklart kan appliceras på. vilken nanostrukturerad anordning som helst, givet att åtminstone en terminal är tillhandahållen och elektriskt kontakterad via bottendelen av nanotråden genom substratet eller bufferlagret, utan lämna uppfinningens omfång. Många halvledarkomponenter innefattar en eller flera pá-mövergångar, varmed nanotrådsteknologin möjliggör skapandet av olika halvledarkomponenter innefattande p-i-n-övergångar, eller komponenter innefattande ett flertal övergångar genom att kombinera två eller flera p-i-n-övergångar.
I en utföringsform av en nanostrukturerad anordning utskjuter en första grupp av nanotrådar från ett bufferlager 120 där varje nanotråd innefattar en radíell pn- eller p-i-mövergång. En första kontaktering innefattar en första kontakt som åtminstone delvis innesluter och elektriskt förbinder till en första sida av pn- eller 10 15 20 25 30 35 533 531 pin-övergången av varje nanotråd i den första gruppen av nanotrådar. En andra kontaktering är anordnad att elektriskt förbinda, via bufferlagret 120 och en toppdel av den första gruppen av nanotrådar, till en andra sida av den radiella pn- eller p-i-n-övergången.
I en utföringsforrn av en nanostrukturerad anordning enligt uppfinningen utskjuter nanotrådar från ett bufferlager 120, vilket âr växt eller deponerat på ett substrat 100. Bufferlagret 120 kan vara gjort av ett material som skiljer från substratmaterialet och år företrädesvis ett III-V halvledarmaterial såsom GaN, InP, InGaN, etc. Bufferlagret 120 år företrädesvis valt för att passa det önskade nanotrådsmaterialet och sålunda skapa in våxtbas för nanotrådarna som skapas vid ett senare skede i processen. Med detta menas att bufferlagret 120 år valt så att gitterparametrarna för nanotrådama och bufferlagret 120 tillåter växt av nanotrådar. Växten av nanotrådar på ett första område kan åstadkommas genom metoder beskrivna i ovan hänvisade ansökningar där välkända masktekniker resulterar i nanotrådar med en pn- eller p-i-n-övergång 150. Nanotrådarna kan vara av vilket halvledarmaterial som helst, ehuru de mest vanliga materialen som kan användas är III-V halvledare såsom GaN, InP, GaAs, AlInGaN, AlGaN och InGaN etc. Varje nanotråd innefattar en första kontaktering vilken innefattar en första kontakt som år anordnad att delvis förbinda till en första sida av pn- eller p- i-n-övergången 150. Den första kontakteringen är förbunden till cylinderytan av nanotråden, men täcker ej toppdelen av nanotråden. En andra kontaktering, i elektrisk kontakt med en andra sida av pn- eller p-i-mövergången 150, och i elektrisk kontakt med den första kontakteringen bara genom pn- eller p~i-n- övergången 150 av den första gruppen av nanotrådar, år anordnad att kontaktera bufferlagret 120 och toppdelen av nanotrådarna hos den första gruppen av nanotrådar I det följande avses med utttjrcket p-i-n-övergång 150 inkludera både pn~ och p-i-n-övergångar såtillvida inte något annat år tillkännagett.
I denna beskrivning syftas med termen ”första sidan av pin-övergången 150” p-sidan, och termen ”andra sidan av pin-övergången 150” n-sidan. Icke desto mindre så detta ändras utan att lämna uppñnningens omfång.
Det riktiga valet av kontaktmaterial for kontakterna innefattar i den första och andra kontakteringen ledare för öka prestanda. Kontaktmaterialet bör företrädesvis kunna bilda bra ohmsk kontakt till materialet som det år avsett att kontaktera. Det vill såga att ström-spänning (I-V) karakteristika bör vara förutsägbar och linjär. Om w dessa I-V-karakteristika ar icke~linjära och osymmetriska, så år kontaktens 10 l5 20 25 30 533 53 'l 10 uppträdande mer diodlikt, vilket ej år önskvärt för en kontakt. Kontakter på halvledarmaterlal är vanligen deponerade med användande av metoder innefattande fysisk ångdeponering (physical vapour deposition [PVD)) såsom sputtring eller förångning, men också metoder innefattande kemisk ängdeponering (chemical vapour deposition (CVD)) kan också användas. Lämpliga material för att användas i metallkontakter på halvledare är Al, Ag, Cu, Ti, Au eller Pd. Emellertid kan också legeringar av de nämnda metallerna användas. Egenskaperna för metallerna eller metallegeringarna år en hög elektrisk ledningsfönnåga och kompatibilitet med det totala materialsystemet. Också ícke-metalliska kontaktmaterial kan användas, såsom högdopade halvledarmaterial. I en utföringsform av föreliggande uppfinning innefattar en metod att skapa en nanostrukturerad komponent stegen: -301 tillhandahållande av ett substrat; -302 skapande av en första och en andra grupp av nanotrådar på ett substrat; ~303 skapande av en radiell pn- eller pin-övergång 150 åtminstone delvis täckande varje nanotråd; -304 skapande en första kontaktering innefattande en första kontakt vilken åtminstone delvis innesluter och elektriskt förbinder till en första sida av pn- eller p-i-n-övergången 150 hos varje nanotråd i den första gruppen av nanotrådar; -305 skapande av en andra kontakter-ing anordnad att elektriskt förbinda, via buiferlagret 120 och toppdelen av första gruppen av nanotrádar, till en andra sida av den radiella pn- eller pin-övergången 150. Den första kontakteringen skapar kontakt med den första sidan av pn-övergángen 150, och den andra kontakter-ingen skapar kontakt med den andra sidan av pn-övergången 150. Detta betyder att toppdelen av nanotrådkärnan behöver vara tillgänglig, sålunda att inga lager är deponerade på den, för att möjlígöra kontakt mellan den andra sidan av pn- övergången 150, vilken är en nanotrådkärna, och den andra kontakteringen. Ett första sätt att göra detta är att selektivt skapa pn-övergången 150 på nanotråden, täcka en väsentlig del av den cylídriska ytterytarean av nanotråden, men lämna toppdelen öppen.
Ett andra sätt att göra detta är genom att skapa en pn~övergång 150 på hela den cylindriska ytarean av nanotråden och därefter ta bort lagren innefattade i pn- övergången 150 på toppdelen av nanotråden, och därigenom exponera nanotrådkänian. Detta kan göras, till exempel, genom etsning. Beroende på det använda materíalsystcmet kan torretsning med användande av ett vakuumsystem och lämpliga gaser eller vàtetsning med användande lämpliga vätskor användas.
Pn-övergängen 150 täckande de cylindriska ytorna av nanotråden kan sedan bli 10 15 20 25 30 533 531 ll kontakterad av den första kontakteringen, och toppdelen av nanotråden med den exponerade nanotrådkårnan, kan sedan bli kontakterad av den andra kontakteringen. Den andra kontakteringen är sålunda anordnad att kontaktera både toppdelen av nanotråden såväl som bufferlagret 120 i kontakt med nanotrådkåman.
I en annan utföringsform av föreliggande uppfinning innefattar metoden för att ta bort lagren som skapar pn-övergången 150 på toppdelen av nanotràdarria kemisk mekanisk polering. I kemisk mekanisk polering används en polervåtska innefattande mycket små abrasiva partiklar i nanometerstorlek tillsammans med en kemisk blandning avpassad för materialsystemet i fråga fór att mekaniskt och kemiskt ta bort material på toppdelen av nanotrådarna. Detta resulterar i en mycket slät yta, och exponerar nanotràdkärnan på en toppdel av nanotråden.
I en utföringsform av föreliggande uppfinning ar den nanostrukturerade anordníngen en lysdiod, och en nanotrådlysdiod år avsedd att antingen utstråla ljus från toppen av nanotråden eller från botten av nanotråden, och detta måste tas med i beräkningen när kontaktmaterialen vâljes. I fallet av en bottenutstrålande nanotrådlysdiod kan toppkontaktrnaterialet vara ett reflekterande lager såsom silver eller aluminium, men för en topputstrålande nanotrådlysdiod behöver toppkontaktmaterialet vara transparent. Silver, bland metallerna, har den bästa reflektionskoefficienten i det synliga området av det optiska spektrumet, men är mer benäget att uppvisa korrosionsskador i normal atmosfär om inte kapslad i en struktur. SigNq, SiOz, A120; eller något annat stabilt dielektrika kan användas som kapslingsmaterial. Aluminium har ett reflektionsindex i det synliga området något lägre än silver, men uppvisar mycket bra korrisionsresistans i torratrnosfârmiljöer.
För att förbättra komponenttillförlitlighet kan en tillagd dielektrisk kapsling som önskvärd. I fallet av ett toppkontaktlager kan Indium Tin Oxide (ITO) eller andra transparenta föreningar ovan beskrivet fortfarande vara transparent eller högdopade halvledare med hög elektrisk ledningsförrnåga och transmittans användas.
Medan uppfinningen har beskrivits i förbindelse med vad som för närvarande anses vara de mest praktiska utfóringsformema att föredra är det underförstått att uppfinningen ej år begränsad till de tillkânnagivna utföringsforrnerna. Tvärtemot, så år det avsett att behandla olika modifieringar och ekvivalenta anordningar inom omfattningen av de bifogade kraven.

Claims (11)

10 15 20 25 30 533 531
1. KL
2. PATENTKRAV
3. En nanostrukturerad anordning innefattande en första grupp av nanotrådar (101) utskjutande från ett substrat (100) där varje nanotråd innefattar åtminstone en pn- eller p-i-n-övergång (150), en första kontakteríng som åtminstone delvis innesluter och elektriskt förbinder till en första sida av en pn- eller p-i-n-övergång (150) av varje nanotråd i den första gruppen av nanotrådar (10 1) kånnetecknad av att en andra kontaktering, vilken innefattar en andra grupp av nanotrådar (102) som utskjuter från substratet (100) och år anordnad att elektriskt förbinda till en andra sida av pn- eller p-i-n övergången (150), varvid den andra kontakteringen innefattar en andra kontakt som innesluter eller åtminstone delvis innesluter nanotrådarna i den andra gruppen av nanotrådar.
4. En nanostrukturerad anordning enligt krav 1, där substratet (100) innefattar ett buiïerlager (120).
5. En nanosmllcturerad anordning enligt något av kraven 1 till 2, varvid den första kontakteringen âr förbunden med p-sidan (180) och den andra kontakteringen är förbunden med n-sídan (190).
6. En nanostrukturerad anordning enligt något av lcraven 2-3, varvid den andra kontakteríngen år i direkt elektrisk kontakt med kärnan (1 10) av den andra gruppen av nanotrådar (102), ovanpå den andra gruppen av nanotrådar (102).
7. En nanostnilcturerad anordning enligt något av kraven 2-4, varvid den andra kontakteringen år i direkt elektrisk kontakt med bufferlagret (120).
8. En nanostrukturerad anordning enligt något av kraven 1-5, varvid den nanostrukturerade anordningen år en lysdiodanordning.
9. Metod för att skapa en nanostrukturerad anordning innefattande stegen: (301) tillhandahållande av ett substrat (100), (302) skapande av en första grupp av nanotrådar (101) och en andra grupp av nanotrådar (102) på substratet (100), (303) skapande av åtminstone en pn- eller p-i-n-övergång på varje nanotråd, (304) skapande av en första kontaktering vilken åtminstone delvis ínnesluter och elektriskt förbinder till en första sida av åtminstone en pn- eller p-i-n- övergång (150) av varje nanotråd i den första gruppen av nanotrådar (101), 10 15
10.
11. 533 531 lö (305) skapande av en andra kontaktering tillhörande den andra gruppen av nanotrådar (102) utskjutande från substratet (100), anordnade att elektriskt ßrbinda till en andra sida av nämnda åtminstone en pn- eller p-i-n-övergång (150). Metod att skapa en nanostrukturerad anordning enligt krav 7, varvid steget att skapa den andra kontakteringen innefattar den andra gruppen av nanotrådar (102) utskjutande från substratet (100), anordnade att elektriskt förbinda till en andra sida av åtminstone en pn- eller p-i-n-övergång (150). Metod att skapa en nanostrukturerad anordning enligt krav 7 eller 8, varvid ßrdefinierade områden på en toppdel av den andra gruppen av nanotrådar (102) år borttagna. Metod att skapa en nanostrukturerad anordning enligt krav 9, varvid borttagandet av fördefinierade områden på en toppdel av den andra gruppen av nanotrådar (102) innefattar etsning. Metod att skapa en nanostrukturerad anordning enligt krav 9, varvid borttagandet av fördefinierade områden på en toppdel av den andra gruppen av nanotrådar (102) innefattar kemisk mekanisk polering.
SE0850167A 2008-12-19 2008-12-19 Nanostrukturerad anordning SE533531C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0850167A SE533531C2 (sv) 2008-12-19 2008-12-19 Nanostrukturerad anordning
JP2011542074A JP5383823B2 (ja) 2008-12-19 2009-12-21 ナノ構造デバイス
CN200980151050.7A CN102257645B (zh) 2008-12-19 2009-12-21 纳米结构器件
KR1020117013913A KR20110103394A (ko) 2008-12-19 2009-12-21 나노구조 장치
PCT/SE2009/051479 WO2010071594A1 (en) 2008-12-19 2009-12-21 A nanostructured device
US13/133,371 US8664636B2 (en) 2008-12-19 2009-12-21 Nanostructured device
EP09833757.9A EP2359416B1 (en) 2008-12-19 2009-12-21 A nanostructured device
US14/174,015 US9287443B2 (en) 2008-12-19 2014-02-06 Nanostructured device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0850167A SE533531C2 (sv) 2008-12-19 2008-12-19 Nanostrukturerad anordning

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE0850167A1 SE0850167A1 (sv) 2010-06-20
SE533531C2 true SE533531C2 (sv) 2010-10-19

Family

ID=42269047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0850167A SE533531C2 (sv) 2008-12-19 2008-12-19 Nanostrukturerad anordning

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8664636B2 (sv)
EP (1) EP2359416B1 (sv)
JP (1) JP5383823B2 (sv)
KR (1) KR20110103394A (sv)
CN (1) CN102257645B (sv)
SE (1) SE533531C2 (sv)
WO (1) WO2010071594A1 (sv)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2091862B1 (en) * 2006-12-22 2019-12-11 QuNano AB Elevated led and method of producing such
SE533531C2 (sv) 2008-12-19 2010-10-19 Glo Ab Nanostrukturerad anordning
AU2011268135B2 (en) 2010-06-18 2014-06-12 Glo Ab Nanowire LED structure and method for manufacturing the same
KR101650720B1 (ko) * 2010-08-04 2016-09-06 삼성전자주식회사 나노로드 기반의 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
FR2975532B1 (fr) * 2011-05-18 2013-05-10 Commissariat Energie Atomique Connexion electrique en serie de nanofils emetteurs de lumiere
FR2976123B1 (fr) * 2011-06-01 2013-07-05 Commissariat Energie Atomique Structure semiconductrice destinee a emettre de la lumiere et procede de fabrication d'une telle structure
US8350249B1 (en) * 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Coalesced nanowire structures with interstitial voids and method for manufacturing the same
US9035278B2 (en) 2011-09-26 2015-05-19 Glo Ab Coalesced nanowire structures with interstitial voids and method for manufacturing the same
US8350251B1 (en) 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
KR101269053B1 (ko) * 2011-11-09 2013-06-04 삼성전자주식회사 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법
FR2983639B1 (fr) * 2011-12-01 2014-07-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique comprenant des nanofils de structure coeur/coquille
DE102011056140A1 (de) * 2011-12-07 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US8895337B1 (en) 2012-01-19 2014-11-25 Sandia Corporation Method of fabricating vertically aligned group III-V nanowires
DE102012101718A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US20130313514A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5946333B2 (ja) * 2012-06-07 2016-07-06 エルシード株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイス及びその製造方法
FR2995729B1 (fr) * 2012-09-18 2016-01-01 Aledia Dispositif opto-electrique a microfils ou nanofils semiconducteurs et son procede de fabrication
US9076945B2 (en) 2012-10-26 2015-07-07 Glo Ab Nanowire LED structure and method for manufacturing the same
FR3000298B1 (fr) * 2012-12-20 2015-01-16 Aledia Procede optimise de fabrication de nanofils electroluminescents
KR101916274B1 (ko) 2013-01-24 2018-11-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
FR3004006B1 (fr) * 2013-03-28 2016-10-07 Aledia Dispositif electroluminescent a nanofils actifs et nanofils de contact et procede de fabrication
DE102013211707B4 (de) * 2013-06-20 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anordnung mit einem Träger, Array mit mehreren Anordnungen und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung
KR102137745B1 (ko) * 2013-12-23 2020-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102285786B1 (ko) * 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR101713818B1 (ko) 2014-11-18 2017-03-10 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 포함하는 전극어셈블리 및 그 제조방법
KR101672781B1 (ko) * 2014-11-18 2016-11-07 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
CN105470274B (zh) * 2015-11-23 2018-09-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
JP6741943B2 (ja) * 2016-08-31 2020-08-19 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI760282B (zh) 2017-01-09 2022-04-01 美商納諾西斯有限公司 用於直接視野顯示之具有集成反射器的發光二極體及其製造方式
US10998465B2 (en) 2017-01-09 2021-05-04 Glo Ab Light emitting diodes with integrated reflector for a direct view display and method of making thereof
US10418499B2 (en) 2017-06-01 2019-09-17 Glo Ab Self-aligned nanowire-based light emitting diode subpixels for a direct view display and method of making thereof
WO2019036439A1 (en) 2017-08-15 2019-02-21 Glo Ab METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING NANO-PRINT LITHOGRAPHY FOR FORMING SELECTIVE GROWTH MASK
WO2019055271A1 (en) 2017-09-15 2019-03-21 Glo Ab OPTICAL EXTENSION IMPROVEMENT OF LIGHT-EMITTING DIODE SUB-PIXELS
US11362238B2 (en) 2017-10-06 2022-06-14 Nanosys, Inc. Light emitting diode containing oxidized metal contacts
US10804436B2 (en) 2017-10-06 2020-10-13 Glo Ab Light emitting diode containing oxidized metal contacts
JP6978669B2 (ja) * 2017-11-28 2021-12-08 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信装置及び発電装置
DE102017130760A1 (de) * 2017-12-20 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
US10627673B2 (en) 2018-04-06 2020-04-21 Glo Ab Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same
US11239212B2 (en) 2018-08-24 2022-02-01 Nanosys, Inc. Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same
JP6935657B2 (ja) * 2019-03-26 2021-09-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
CN110190162A (zh) * 2019-06-04 2019-08-30 深圳扑浪创新科技有限公司 一种led芯片的外延结构及其制备方法
US11594663B2 (en) 2019-12-20 2023-02-28 Nanosys, Inc. Light emitting diode device containing a micro lens array and method of making the same
CN112614910B (zh) * 2020-12-17 2023-07-21 华南师范大学 一种基于pin型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
TWI220319B (en) * 2002-03-11 2004-08-11 Solidlite Corp Nano-wire light emitting device
US7335908B2 (en) 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
US6969897B2 (en) * 2002-12-10 2005-11-29 Kim Ii John Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission
US6969679B2 (en) * 2003-11-25 2005-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Fabrication of nanoscale thermoelectric devices
US7662706B2 (en) * 2003-11-26 2010-02-16 Qunano Ab Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same
US20050167655A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 International Business Machines Corporation Vertical nanotube semiconductor device structures and methods of forming the same
US7132677B2 (en) 2004-02-13 2006-11-07 Dongguk University Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
US20070122916A1 (en) * 2004-11-16 2007-05-31 Oleynik Vladislav A Methodology and Apparatus for the Detection of Biological Substances
WO2006135336A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Qunano Ab Semiconductor nanowire transistor
US20080191191A1 (en) * 2005-06-27 2008-08-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light Emitting Diode of a Nanorod Array Structure Having a Nitride-Based Multi Quantum Well
JP4525500B2 (ja) * 2005-07-14 2010-08-18 パナソニック電工株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
WO2007021047A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Postech Foundation Light--emitting device comprising conductive nanorods as transparent electrodes
MX2008011275A (es) * 2006-03-10 2008-11-25 Stc Unm Crecimiento pulsado de nanoalambres de gan y aplicaciones en materiales y dispositivos de substrato semiconductor de nitruros del grupo iii.
LV13631B (en) 2006-03-16 2008-01-20 Olainfarm As Manufacturing method of n-carbamoylmethyl-4(r)-phenyl-2-pyrrolidinone
WO2008034823A1 (en) 2006-09-18 2008-03-27 Qunano Ab Method of producing precision vertical and horizontal layers in a vertical semiconductor structure
GB2442768A (en) 2006-10-11 2008-04-16 Sharp Kk A method of encapsulating low dimensional structures
US7608905B2 (en) * 2006-10-17 2009-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Independently addressable interdigitated nanowires
US8183587B2 (en) * 2006-12-22 2012-05-22 Qunano Ab LED with upstanding nanowire structure and method of producing such
JP5453105B2 (ja) * 2006-12-22 2014-03-26 クナノ アーベー ナノ構造のｌｅｄ及びデバイス
KR100904588B1 (ko) * 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
SE533531C2 (sv) * 2008-12-19 2010-10-19 Glo Ab Nanostrukturerad anordning
JP2012521655A (ja) * 2009-03-25 2012-09-13 クナノ アーベー ショットキーデバイス
AU2011268135B2 (en) * 2010-06-18 2014-06-12 Glo Ab Nanowire LED structure and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102257645A (zh) 2011-11-23
KR20110103394A (ko) 2011-09-20
EP2359416A4 (en) 2014-06-04
US9287443B2 (en) 2016-03-15
EP2359416B1 (en) 2015-10-21
CN102257645B (zh) 2014-01-01
EP2359416A1 (en) 2011-08-24
US20110240959A1 (en) 2011-10-06
SE0850167A1 (sv) 2010-06-20
US20140246650A1 (en) 2014-09-04
WO2010071594A1 (en) 2010-06-24
JP5383823B2 (ja) 2014-01-08
US8664636B2 (en) 2014-03-04
JP2012513115A (ja) 2012-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE533531C2 (sv) Nanostrukturerad anordning
US9312442B2 (en) Nanowire structure and method for manufacturing the same
US8937295B2 (en) Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
US8872214B2 (en) Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
US9741895B2 (en) Removal of 3D semiconductor structures by dry etching
US20130017635A1 (en) Techniques of Forming Ohmic Contacts on GaN Light Emitting Diodes
JP5075786B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2009158696A (ja) 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
US9059355B2 (en) Stopping an etch in a planar layer after etching a 3D structure
KR101695761B1 (ko) 유연 발광 소자 및 그 제조 방법
US20100029035A1 (en) Method of manufacturing a photoelectronic device
US10797200B2 (en) Method for producing an optoelectronic device comprising a step of etching the rear face of the growth substrate
JPH10341038A (ja) 半導体発光素子
KR101701316B1 (ko) 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed