SE519103C2 - Strålningspositionsdetektor - Google Patents
StrålningspositionsdetektorInfo
- Publication number
- SE519103C2 SE519103C2 SE0002057A SE0002057A SE519103C2 SE 519103 C2 SE519103 C2 SE 519103C2 SE 0002057 A SE0002057 A SE 0002057A SE 0002057 A SE0002057 A SE 0002057A SE 519103 C2 SE519103 C2 SE 519103C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- barrier layer
- plate
- layers
- layer
- barrier
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 title 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005293 physical law Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
- -._- --.. 10 15 20 25 30 35 519 103 2 mellan uppsamlingselektroder anordnade på det konduktiva skikten. Genom att mäta strömmarna i de yttre förbindel- serna mellan respektive spärrskikts elektroder kan ljus- punktens position bestämmas.
Beroende pà antalet elektroder på de konduktiva skikten och arrangemanget av dessa kan detektorn sägas ha ett antal axlar utefter vilka strömmen delar sig. För fallet med tvà elektroder sägs detektorn vara en-axlig och för fyra elektroder sägs detektorn vara tvà-axlig, etc. Det ena konduktiva skiktet kan t.ex. ha fyra elek- troder mellan vilken strömmen delar sig och det andra skitet endast en uppsamlingselektrod varvid man får en två-axlig detektor. Samma antal axlar kan också åstadkom- mas om de bàda konduktiva skikten har vardera tvà elek- troder.
De konduktiva skikten och elektroderna kan utformas godtyckligt vilket innebär att den axel utefter viken strömmen delar sig kan ha ett godtyckligt utseende och inte nödvändigtvis utgöres av en rät linje.
Tidigare anordning av detta slag är exempelvis kända fràn sökandens egen ansökan EP O 801 725. Sådana tidigare kända anordningar har dock nackdelen att känsligheten, dvs. hur stor ström som genereras av ljusfläcken och som kan dela upp sig mellan elektroderna, är begränsad av hur mànga laddningsbärarpar som genereras för varje infallan- de stràlningskvanta. Detta antal är begränsat av fysika- liska lagar. Detta leder till att en detektor av ovan- nämnda typ inte kan användas i många tillämpningar, eller att resultatet inte blir helt tillförlitligt. Exempel pà sådana situationer där de tidigare kända detektorerna vi- sat sig otillräckliga är vid mätningar utförda över lànga avstånd eller mätningar där reflexioner från ytor med làg reflektivitet användes.
Uppfinningens syfte Det är därför ett syfte med föreliggande uppfinning att tillhandahålla en detektor av det inledningsvis nämn- lO 15 20 25 30 35 519 103 3 da slaget, som helt eller åtminstone delvis, löser pro- blemen hos den kända tekniken.
Detta syfte uppnås medelst en detektor enligt de bi- fogade patentkraven.
Sammanfattning av uppfinningen I den föreliggande uppfinningen elimineras denna nackdel hos den kända tekniken genom att en transistor- funktion tillagts i den laterala detektorn och som för- stärker den av strålningen genererade strömmen och på så sätt väsentligt ökar detektorns känslighet. Detta åstad- kommes genom att ytterligare åtminstone ett spärrskikt anordnas i den laterala detektorn enligt det föregående.
Dessa nya spärrskikt har en konduktivitetstyp som är mot- satt den ursprungliga i den punkt där skikten anbringas och är så elektriskt förspända i att de leder ström när det ursprungliga spärrskitet är elektriskt förspänt så att det spärrar för strömledning (backspänt). Dessa spärrskikt är också så anordnade att den strålningsgene- rerade strömmen förutom att passera genom de förut nämnda konduktiva skikten också måste passera genom dessa nya spärrskikt på sin väg till uppsamlingselektroderna. Den ström som uppkommer ur de av bestrålningen alstrade ladd- ningsbärarparen (basström) kommer under sin passage av spärrskikten genom transistorfunktionen att förstärkas och den förstärkta strömmen kommer på samma sätt som för- ut beskrivits att dela upp sig i de konduktiva skikten på sin väg till uppsamlingselektroderna ur vilken delning den bestràlade punktens läge kan bestämmas.
Det är vidare fördelaktigt att utforma uppsamlings- elektroden som en bas i ytterligare en transistor som åstadkommits genom introduktion av ytterligare indopade spärrskikt. Denna transistor kan utnyttjas till att yt- terligare förstärka den redan förstärkta och uppdelade, strålningsgenererade strömmen.
Spärrskikten kan antingen tillverkas genom att de- tektorplattans grundmaterial dopas med störämnen så att 10 15 20 25 30 35 519 103 4 dess konduktivitetparametrar (konduktivitetstyp och led- ningsförmàga) förändras eller genom att olika halvledar- material med olika bandgap används i de olika konduktiva skikten. Detta senare sätt med s.k. heteroövergängar kan förbättra transistorns elektriska egenskaper.
Ett stort antal utföringsformer av uppfinningen är tänkbara inom ramen för uppfinningen såsom den defineras av de efterföljande kraven, och speciellt är många olika konfigurationer av spärrskikten, de konduktiva skikten och uppsamlingselektroderna hos anordningen möjliga.
Kort beskrivning av ritningarna Nàgra utföranden skall i det följande, i exemplifie- rande syfte, närmare beskrivas med hänvisning till bifo- gade ritningar, varà: Fig. 1 är en perspektivvy av en anordning enligt ett första utförande av uppfinningen.
Fig. 2a-c är planvyer av samma utförande som i fig Fig. 3 är en perspektivvy av en anordning enligt ett andra utförande av uppfinningen.
Fig. 4a-c är planvyer av samma utförande som i fig Fig. 5 är en perspektivvy av en anordning enligt ett tredje utförande av uppfinningen.
Fig. 6a-c är planvyer av samma utförande som i fig Fig. 7a-c är planvyer av en fjärde utföringsform av uppfinningen.
Beskrivning av föredragna utföringsformer Ett första utförande av anordningen enligt uppfin- ningen, visat i fig. 1 och 2a-c, omfattar en halvledar- platta 1 av en konduktivitets typ n eller p med tvà genom dopning àstadkomna konduktiva skikt 2 och 3 på vardera sidan av plattan. Konduktivitetstypen hos de dopade omrä- dena har valts sä att de är motsatta mot den i halvledar- 10 15 20 25 30 35 519 103 - ífëišï 5 plattan. Om t.ex. plattan är av N-typ så är skiktens dop- ning av P-typ. Det omvända fallet är dock likaledes möj- ligt. På så sätt kommer de konduktiva skikten att samti- digt utgöra spårrskikt. På de konduktiva skikten är an- bringade par av elektroder 4 och 5 respektive 6 och 7.
Elektroderna bör vara anordnade parvis parallella, och där utbredningsriktningarna för de respektive paren skiljer sig, och företrädesvis är vinkelräta mot var- andra. Företrådesvis har elektroderna vidare en sådan form och är så anordnade , att de båda paren definierar vardera två varandra motstående sidor i en rätvinklig fyrkant vilken definierar två mitt emot varandra och pa- rallellt belägna delar av de konduktiva skikten.
I exemplet ovan fungerar spärrskikten 2, 3 även som de konduktiva skikt till vilka elektroderna ansluts. Det är dock även möjligt att använda separata konduktiva skikt 2b, 3b. Dessa kan exempelvis åstadkommas genom att ett skikt med en annan dopning tillhandahålls ovanpå spärrskiktet, eller att ett tunt metallskikt eller lik- nande tillhandahålls.
Ett alternativt utförande är att elektroderna 4&5 samt 6&7 alla är placerade på plattans över- eller under- sida. Den motsatta sidan har i så fall endast en uppsam- lingselektrod.
Mellan plattans framsida och baksida páföres en spänning så polariserad att framsidans spärrskikt blir backspänt och därmed baksidans spärrskikt förspänt. Dessa två spärrskikt tillsammans med halvledarmaterialet i plattan bildar nu en transistor där det förspända spärr- skiktet 3 utgör emitter, det backspända spärrskiktet 2 kollektor och plattans halvledarmaterial däremellan utgör basen l. Om denna nu bestrålas punktformigt (bestrålning- en kan t.ex. vara ljus eller annan elektromagnetisk strålning) kommer laddningsbärarpar bestående av elektro- ner och hål att bildas vid denna punkt. Det elektriska fältet över det backspända spärrskiktet kommer att skilja hålen och elektronerna åt så att den ena laddningstypen 10 15 20 25 30 35 s 19 103 - f” 6 rör sig mot plattans framsida och den andra mot plattans baksida. Om nu strömkretsen mellan fram och baksida slu- tes via de konduktiva skikten 2 & 3, elektrodparen 4&5, 6&7 och yttre elektronik (ej visad) kommer den anbringade spänningen att driva en ström genom denna yttre krets.
Genom transistorfunktionen hos de kombinerade spärrskik- ten kommer denna ström att vara en förstärkt kopia av den ursprungliga stràlningsgenererade strömmen. Ur den ström- uppdelning som sker i de konduktiva skikten kan nu den bestràlade punktens läge bestämmas.
Genom att förse basen med en elektrisk anslutning kan vidare den förstärkta strömmens storlek pâverkas me- delst en yttre spännings- eller strömkälla.
Det omvända fallet, där spärrskiktet 2 förspänns och spärrskiktet 3 backspänns är likaledes möjligt. Dock är det nödvändigt att det backspända skiktet anordnas nära den stràlningskänsliga detektorytan i de fall ädr stràl- ningen har ett litet inträngningsdjup.
Ett andra utförande av anordningen enligt uppfin- ningen, visat i fig. 3 & 4a-c, omfattar en halvledarplat- ta l av en konduktivitets typ n eller p med ett genom dopning àstadkommet konduktivt skikt 2 med en konduktivi- tetstyp motsatt den i plattans grundmaterial. Detta kon- duktivitetskikt utgör samtidigt pà samma sätt som förut beskrivits ett spärrskikt. Pà samma sätt som förut be- skrivits finns ett konduktivt skikt 3 anordnat under spärrskiktet. I detta utförande är dock konduktivitetsty- pen hos detta skikt samma som den i plattans grundmateri- al. Detta skikt kan utgöras av plattans grundmaterial. Pà samma sätt som förut beskrivits finns elektroder 4,5 och 6,7 anordnade i kontakt med de konduktiva skikten Anord- ningen enligt detta utförande omfattar vidare ytterligare spärrskikt 8 och 9, som erfordras för att åstadkomma för- stärkning, vilka är anbringade under de elektroder som anordnats i kontakt med det konduktiva skiktet 3. Dessa spärrskikt har en konduktivitetstyp motsatt den i det konduktiva skikt där de anbringas. 10 15 20 25 30 519 103 7 Alternativt, kan, enligt ett tredje utförande av uppfinningen, de ytterligare spärrskikten 8,9 anordnas under de elektroder som anordnats i kontakt med det kon- duktiva skiktet 2, såsom visas i fig. 5 och fig. 6a-c.
På samma sätt som förut beskrivits kommer den strål- ningsgenererade strömmen i dessa båda sistnämnda utföran- den att förstärkas och uppdelas varur läget av den be- strålade punkten kan bestämmas.
I figur 7 visas ett fjärde utförande där alla de konduktiva skikten kontakteras från samma sida av halvle- darplattan. På samma sätt som i det föregående utförandet kan här de framspända spärrskikten anbringas antingen un- der de elektroder som kontakterar skiktet 2 eller skiktet 3.
Detektorn enligt uppfinningen tillhandahåller en de- tektor som är mycket känsligare än tidigare kända detek- torer, och som därmed lämpar sig väl för mätningar pà långa avstånd eller mätningar på mörka ytor med låg re- flektivitet. Exempelvis lämpar sig detektorn väl för tri- anguleringssystem och liknande.
Uppfinningen har ovan beskrivits med hjälp av utfö- ringsexempel. Flera andra varianter är dock möjliga, så- som ytterligare andra placeringar av spärrskikten på det uppbärande halvledarsubstratet, anordnade av ytterligare spärrskikt, anordnande av ytterligare elektrodpar osv.
Det är även i alla utföranden av uppfinningen möjligt att antingen låta spärrskiktet fungera som konduktivt skikt eller att anordna ett separat konduktivt skikt ovanpå spärrskiktet. Sådana närliggande utföringsvarianter måste anses omfattas av uppfinningen såsom den avgränsas av de efterföljande patentkraven.
Claims (10)
1. l. Strålningsdetektor av sådant slag som via elekt- riska signaler anger läget hos en på en i detektorn ingå- ende detektoryta (10) bestràlad punkt (ll) Iuad av' att detektorn omfattar en halvledarplatta (1) känneteck- omfattande åtminstone två spärrskikt så anordnade att när en elektrisk förspänning läggs över skikten det ena skik- tet blir backspänt och det andra förspänt och där det backspända spärrskiktets utbredning väsentligen samman- faller med detektorytan, och àtminstone två, med àtmin- stone en strömuppsamlingselektrod (4,5;6,7) försedda, konduktiva skikt (2b,3b,2,3), varvid de konduktiva skik- ten är så anordnade att en transistorförstärkning mellan det förspända och bakspända skiktet möjliggörs av från strålningen i den bestrålade punkten genererade, och av det backspända spärrskiktet åtskilda laddningsströmmar.
2. Strålningsdetektor enligt patentkrav 1,}<änJ1e- tec:kr1ad. av' att den vidare omfattar en yttre elekt- risk förbindelse, vilken är så anordnad att strömbanor skapas som förbinder det backspända spärrskiktets båda sidor och vilka strömbanor passerar de konduktiva skikten och de förspända spärrskikten på sådant sätt att transis- torförstärkning av strömmarna sker genom samverkan av de två spärrskikten och så att en resistiv strömdelning mel- lan uppsamlingselektroderna sker i det konduktiva skikten i omvänd proportion till avståndet från den punkt där strömmen genererades.
3. Anordning enligt kravet 1 eller 2, kär1net:ec}<- riad av' att det backspända spärrskiktet tillsammans med det ena med åtminstone en strömuppsamlingselektrod för- sedda konduktiva skiktet är anbringat på plattans ena sida och att det förspända spärrskiktet tillsammans med det andra med åtminstone två strömuppsamlingselektroder försedda konduktiva skiktet är anbringat under det back- spända spärrskiktet och att strömuppsamlingselektroderna 10 15 20 25 30 35 519 105 9 kontakterar detta konduktiva skikt antingen från plattans översida eller från plattans baksida.
4. Anordning enligt kravet l eller 2, käI1net:ec}ç_ Iiad av' att det backspända spärrskiktet tillsammans med det ena med åtminstone två uppsamlingselektroder försedda konduktiva skiktet är anbringat på plattans ena sida och att det förspända spärrskiktet tillsammans med det andra med åtminstone en strömuppsamlingselektrod försedda kon- duktiva skiktet är anbringat under det backspända spärr- skiktet och att strömuppsamlingselektroden kontakterar detta konduktiva skikt antingen från plattans översida eller från plattans undersida.
5. Anordning enligt kravet l eller 2, känneteck- ziad av' att det backspända spärrskiktet tillsammans med det ena med åtminstone två uppsamlingselektroder försedda konduktiva skiktet är anbringat på plattans ena sida och att det förspända spärrskiktet tillsammans med det andra med åtminstone två strömuppsamlings elektroder försedda konduktiva skiktet är anbringat under det backspända spärrskiktet och att strömuppsamlingselektroderna kontak_ terar detta konduktiva skikt antingen från plattans över- sida eller från plattans undersida.
6. Anordning enligt något av ovanstående patentkrav, kännetecknad av att det förspända spärrskiktet en- ligt föregående delats upp så att ett spärrskikt anbring_ ats under respektive strömuppsamlingselektrod och i kon- takt med det till det framspända spärrskiktet tillhörande konduktiva skiktet.
7. Anordning enligt något av ovanstående patentkrav, kånnetecknad av att det förspända spärrskiktet en_ ligt föregående delats upp så att ett spärrskikt anbring_ ats under respektive strömuppsamlingselektrod och i kon_ takt med det till det backspända spärrskiktet tillhörande konduktiva skiktet.
8. Anordning enligt något av ovanstående patentkrav, kännetecknad av att respektive spärrskikt åstad- kommits genom att olika halvledarmaterial sammanfogats_ 10 l5 519 103 10
9. Anordning enligt något av ovanstående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d a v att åtminstone ett av spärrskikten är så dopat att det även fungerar som konduktivt skikt.
10. Anordning enligt något av ovanstående patent- krav, k ä nn e t e c k n a d a v att uppsamlingselektroden vidare utgör en bas i ytterligare en transistor, där den- na bas uppsamlar den tidigare förstärkta och uppdelade, stràlningsgenererade strömmen, och där till transistorn hörande emitter och kollektor företrädesvis utgörs av yt- terligare spärrskikt anordnade i halvledarplattan.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0002057A SE519103C2 (sv) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | Strålningspositionsdetektor |
PCT/SE2001/001235 WO2001093340A1 (en) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | Position sensitive photo detector |
AU2001262872A AU2001262872A1 (en) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | Position sensitive photo detector |
US10/296,823 US6952026B2 (en) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | Position sensitive photo detector |
EP01937107.9A EP1295345B1 (en) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | Position sensitive photo detector |
JP2002500457A JP5016771B2 (ja) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | 位置検出用光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0002057A SE519103C2 (sv) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | Strålningspositionsdetektor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE0002057D0 SE0002057D0 (sv) | 2000-06-02 |
SE0002057L SE0002057L (sv) | 2001-12-03 |
SE519103C2 true SE519103C2 (sv) | 2003-01-14 |
Family
ID=20279936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE0002057A SE519103C2 (sv) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | Strålningspositionsdetektor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6952026B2 (sv) |
EP (1) | EP1295345B1 (sv) |
JP (1) | JP5016771B2 (sv) |
AU (1) | AU2001262872A1 (sv) |
SE (1) | SE519103C2 (sv) |
WO (1) | WO2001093340A1 (sv) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7729515B2 (en) * | 2006-03-08 | 2010-06-01 | Electronic Scripting Products, Inc. | Optical navigation apparatus using fixed beacons and a centroid sensing device |
US7826641B2 (en) | 2004-01-30 | 2010-11-02 | Electronic Scripting Products, Inc. | Apparatus and method for determining an absolute pose of a manipulated object in a real three-dimensional environment with invariant features |
US9229540B2 (en) | 2004-01-30 | 2016-01-05 | Electronic Scripting Products, Inc. | Deriving input from six degrees of freedom interfaces |
US7961909B2 (en) | 2006-03-08 | 2011-06-14 | Electronic Scripting Products, Inc. | Computer interface employing a manipulated object with absolute pose detection component and a display |
DE102013010731A1 (de) | 2013-06-24 | 2014-12-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Schnell und genau schaltende Lichtweiche und Strahlstabilisierungsvorrichtung |
US11577159B2 (en) | 2016-05-26 | 2023-02-14 | Electronic Scripting Products Inc. | Realistic virtual/augmented/mixed reality viewing and interactions |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5111052A (en) * | 1988-11-10 | 1992-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radiation sensor and a radiation detecting apparatus using the same |
JP2717839B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-02-25 | 松下電子工業株式会社 | 光半導体装置 |
NL8901400A (nl) * | 1989-06-02 | 1991-01-02 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met een stralingsgevoelig element. |
JP3108528B2 (ja) * | 1992-05-28 | 2000-11-13 | 株式会社東芝 | 光位置検出半導体装置 |
US5459332A (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Semiconductor photodetector device |
SE506654C2 (sv) | 1994-09-16 | 1998-01-26 | Sitek Electro Optics Ab | Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus |
DE69523285D1 (de) | 1995-02-27 | 2001-11-22 | Cons Ric Microelettronica | Halbleiterteilchendetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR100233263B1 (ko) * | 1996-12-12 | 1999-12-01 | 정선종 | 적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법 |
JPH11251568A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Omron Corp | Psd内蔵位置検出用ic |
US6174750B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-01-16 | Raytech Corporation | Process for fabricating a drift-type silicon radiation detector |
EP1198845A4 (en) * | 1999-07-02 | 2008-07-02 | Digirad Corp | INDIRECT CONTACT BY POSTERIOR SURFACE WITH SEMICONDUCTOR DEVICES |
-
2000
- 2000-06-02 SE SE0002057A patent/SE519103C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-06-01 WO PCT/SE2001/001235 patent/WO2001093340A1/en active Application Filing
- 2001-06-01 EP EP01937107.9A patent/EP1295345B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-01 US US10/296,823 patent/US6952026B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-01 JP JP2002500457A patent/JP5016771B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-01 AU AU2001262872A patent/AU2001262872A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE0002057L (sv) | 2001-12-03 |
JP2003535476A (ja) | 2003-11-25 |
US6952026B2 (en) | 2005-10-04 |
EP1295345A1 (en) | 2003-03-26 |
US20040089907A1 (en) | 2004-05-13 |
SE0002057D0 (sv) | 2000-06-02 |
EP1295345B1 (en) | 2017-08-16 |
JP5016771B2 (ja) | 2012-09-05 |
WO2001093340A1 (en) | 2001-12-06 |
AU2001262872A1 (en) | 2001-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1513202B1 (en) | Detector for electromagnetic radiation assisted by majority current | |
JP2004006877A5 (sv) | ||
KR920010983A (ko) | 전기 광학 감지기 어레이 | |
US10267824B2 (en) | Shunt resistor | |
SE519103C2 (sv) | Strålningspositionsdetektor | |
JPH02192781A (ja) | ホール素子および磁気センサシステム | |
KR20070073755A (ko) | 전리 방사선 검출기 | |
JP3108528B2 (ja) | 光位置検出半導体装置 | |
JP3116409B2 (ja) | 半導体歪みセンサ | |
US6459109B2 (en) | Semiconductor position sensor | |
JPS5928072B2 (ja) | 輻射線感知装置 | |
KR101091720B1 (ko) | 카드뮴 텔룰라이드/카드뮴 아연 텔룰라이드 방사선 영상 검출기 및 고 전압/바이어스 전압 수단 | |
SE443245B (sv) | Vetskekristall-ljusventil | |
JPS6085570A (ja) | 不純物バンド伝導半導体装置 | |
JP3107585B2 (ja) | 二次元光入射位置検出素子 | |
US9613993B2 (en) | Segmented AC-coupled readout from continuous collection electrodes in semiconductor sensors | |
US4717946A (en) | Thin line junction photodiode | |
US20070222017A1 (en) | Photodetector arrangement, measurement arrangement with a photodetector arrangement and process for operating a measurement arrangement | |
EP0106044B1 (en) | Space charge modulating semiconductor device and circuit comprising it | |
KR101821400B1 (ko) | 2차원 물질 기반의 능동소자 | |
US3925658A (en) | Grid lateral photodetector with gain | |
JP6948668B2 (ja) | 中性子半導体検出器 | |
US5990533A (en) | Semiconductor device including a magnetoresistance effect element functioning as a current detector | |
US6407444B1 (en) | Single event upset hardening of a semiconductor device using a buried electrode | |
SE464736B (sv) | Bildalstrande anordning foer termisk straalning och dess anvaendning i en apparat foer att avsoeka en termisk straalningsbild |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |