SE506654C2 - Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus - Google Patents
Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljusInfo
- Publication number
- SE506654C2 SE506654C2 SE9403098A SE9403098A SE506654C2 SE 506654 C2 SE506654 C2 SE 506654C2 SE 9403098 A SE9403098 A SE 9403098A SE 9403098 A SE9403098 A SE 9403098A SE 506654 C2 SE506654 C2 SE 506654C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- area
- light
- pct
- stray light
- stray
- Prior art date
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Portable Nailing Machines And Staplers (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
506 654 en bländare placeras strax ovanför detektorn eller att något appliceras direkt på detektorytan som skärmar av ljuset från det inaktiva området. En bländare kan antingen vara en tunn metallfolie som placerar strax framför detektorn, eller en, genom tunnfilmsteknik, i skyddsglaset integrerad bländare. Detta ställer stora krav på monteringen av bländaren, speciellt om detektorn är liten. Dessutom kan diffraktionsfenomen uppträda i bländaröppningen som därmed genererar ströljus. Den andra möjligheten, att i processen av detektorn själv applicera något material som skärmar av ljuset från de inaktiva området kan göras genom förångning av en metall, guld eller aluminium. Nackdelarna är att den tjocklek som krävs för absolut avskärmning av ströljuset inte är förenligt med en normal halvledarprocess. Dessutom genererar metall på dessa ytor, problem med detektorns elektriska egenskaper. Följden blir ofta höga läckströmmar samt drift av dessa. En absorberande färg alternativt epoxy kan också appliceras direkt på det inaktiva området på detektorn. Detta innebär vissa uppenbara nackdelar, dels är det svårt att få färgen/epoxyn tillräckligt tät så att inget ströljus går igenom, dels är arbetet med att applicera färgen/epoxyn ett rent hantverk som enbart är möjligt för små kvantiteter samt att det är svårt att göra detta med den noggrannhet som är önskvärd.
Uppfinningen avser att eliminera inverkan av ströljus på det inaktiva området genom att runtom den aktiva ytan (1) dopa ytterligare ett område (2) som också bildar en pn-övergång.
Detta område förbinds till jord. All fotoström som genereras pga av ljus som träffar det ströljusupptagande området (2) kommer att ledas till jord och därmed heller inte påverka positionssignalen från den aktiva ytan (1). Även den fotoström som bildas av ströljus som träffar det inaktiva området (6) utanför det ströljusupptagande området (2) kommer att tas om hand av det senare området (2) och ledas via dess elektrod (4) till jord. Det aktiva området och det ströljusupptagande området måste vara åtskilda med ett inaktiv området (5).
Görs detta så smalt som möjligt, ca 10 |,Lm, vilket är betydligt mindre än vad som är möjligt med någon av ovanstående metoder kommer signalen från detta område (S) att ha minimal inverkan på positionsignalen.
Uppfinningen är inte på något vis begränsad till den geometri som är visad i bilden utan kan användas till godtyckliga geometrier både för 1-dimensionella PSD, 2-dimensionella PSD liksom också för fotodetektorer av olika utseende och geometrier, som ex.vis dual, 4-kvadrant, arrayer etc.
Claims (1)
1. 506 654 Patentkrav LPositionskänslig fotodetektor, bestående av en halvledarplatta med en dopad aktiv yta, vars signaler bildas genom att en av ljusenergin alstrad fotoström via ett rcsistivt skikt på den aktiva ytan delas upp och ledes till två varandra motstående elektrodet, kännetecknad av, att runtom den aktiva ytan (1) finns ett område (2) som förhindrar ströljus att påverka mätsignalen och att detta område består av ett dopat område som innehåller en lan-övergång och att signalen från området (2) leds till jord.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9403098A SE506654C2 (sv) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus |
JP8510111A JPH10506187A (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | 迷光の作用を除去するための総合機能を有する光電検出器 |
AT95932983T ATE222650T1 (de) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetektor mit integrierter funktion zur verhinderung des streulichteffekts |
AU35801/95A AU3580195A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light |
US08/809,536 US5869834A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light |
PCT/SE1995/001021 WO1996008702A1 (en) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light |
EP95932983A EP0801725B1 (en) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light |
DE69527853T DE69527853T2 (de) | 1994-09-16 | 1995-09-11 | Photodetektor mit integrierter funktion zur verhinderung des streulichteffekts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9403098A SE506654C2 (sv) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9403098D0 SE9403098D0 (sv) | 1994-09-16 |
SE9403098L SE9403098L (sv) | 1996-03-17 |
SE506654C2 true SE506654C2 (sv) | 1998-01-26 |
Family
ID=20395258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9403098A SE506654C2 (sv) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5869834A (sv) |
EP (1) | EP0801725B1 (sv) |
JP (1) | JPH10506187A (sv) |
AT (1) | ATE222650T1 (sv) |
AU (1) | AU3580195A (sv) |
DE (1) | DE69527853T2 (sv) |
SE (1) | SE506654C2 (sv) |
WO (1) | WO1996008702A1 (sv) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6480639B2 (en) * | 1997-09-26 | 2002-11-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Optical module |
SE519103C2 (sv) * | 2000-06-02 | 2003-01-14 | Sitek Electro Optics Ab | Strålningspositionsdetektor |
US8686529B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-04-01 | Osi Optoelectronics, Inc. | Wavelength sensitive sensor photodiodes |
US8164151B2 (en) * | 2007-05-07 | 2012-04-24 | Osi Optoelectronics, Inc. | Thin active layer fishbone photodiode and method of manufacturing the same |
US7576369B2 (en) * | 2005-10-25 | 2009-08-18 | Udt Sensors, Inc. | Deep diffused thin photodiodes |
US8519503B2 (en) * | 2006-06-05 | 2013-08-27 | Osi Optoelectronics, Inc. | High speed backside illuminated, front side contact photodiode array |
US7256470B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-08-14 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode with controlled current leakage |
US7880258B2 (en) * | 2003-05-05 | 2011-02-01 | Udt Sensors, Inc. | Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics |
US7655999B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-02-02 | Udt Sensors, Inc. | High density photodiodes |
US7656001B2 (en) | 2006-11-01 | 2010-02-02 | Udt Sensors, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
US8035183B2 (en) * | 2003-05-05 | 2011-10-11 | Udt Sensors, Inc. | Photodiodes with PN junction on both front and back sides |
US7279731B1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-10-09 | Udt Sensors, Inc. | Edge illuminated photodiodes |
US7057254B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-06-06 | Udt Sensors, Inc. | Front illuminated back side contact thin wafer detectors |
US8120023B2 (en) | 2006-06-05 | 2012-02-21 | Udt Sensors, Inc. | Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array |
US7242069B2 (en) | 2003-05-05 | 2007-07-10 | Udt Sensors, Inc. | Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics |
US7709921B2 (en) | 2008-08-27 | 2010-05-04 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics |
JP4627402B2 (ja) | 2003-11-28 | 2011-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器を用いた分光器 |
US7826641B2 (en) * | 2004-01-30 | 2010-11-02 | Electronic Scripting Products, Inc. | Apparatus and method for determining an absolute pose of a manipulated object in a real three-dimensional environment with invariant features |
US7961909B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-06-14 | Electronic Scripting Products, Inc. | Computer interface employing a manipulated object with absolute pose detection component and a display |
US7729515B2 (en) * | 2006-03-08 | 2010-06-01 | Electronic Scripting Products, Inc. | Optical navigation apparatus using fixed beacons and a centroid sensing device |
US9229540B2 (en) | 2004-01-30 | 2016-01-05 | Electronic Scripting Products, Inc. | Deriving input from six degrees of freedom interfaces |
US9178092B2 (en) | 2006-11-01 | 2015-11-03 | Osi Optoelectronics, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
US20100053802A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Masaki Yamashita | Low Power Disk-Drive Motor Driver |
JP2012503314A (ja) * | 2008-09-15 | 2012-02-02 | オーエスアイ.オプトエレクトロニクス.インコーポレイテッド | 浅いn+層を有する薄い能動層フィッシュボーン・フォトダイオードとその製造方法 |
US8399909B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-03-19 | Osi Optoelectronics, Inc. | Tetra-lateral position sensing detector |
US8912615B2 (en) | 2013-01-24 | 2014-12-16 | Osi Optoelectronics, Inc. | Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light |
DE102015011934A1 (de) | 2015-09-13 | 2017-03-16 | Androtec Gmbh | Positionsempfindliche optoelektronische Detektoranordnung und Laserstrahlempfänger, der diese verwendet |
US11577159B2 (en) | 2016-05-26 | 2023-02-14 | Electronic Scripting Products Inc. | Realistic virtual/augmented/mixed reality viewing and interactions |
JP7466624B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-04-12 | 京セラ株式会社 | 光検出装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0719394B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
JP2590902B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1997-03-19 | ソニー株式会社 | 発光・受光複合素子 |
-
1994
- 1994-09-16 SE SE9403098A patent/SE506654C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-09-11 AT AT95932983T patent/ATE222650T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-09-11 AU AU35801/95A patent/AU3580195A/en not_active Abandoned
- 1995-09-11 US US08/809,536 patent/US5869834A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-11 JP JP8510111A patent/JPH10506187A/ja not_active Ceased
- 1995-09-11 WO PCT/SE1995/001021 patent/WO1996008702A1/en active IP Right Grant
- 1995-09-11 EP EP95932983A patent/EP0801725B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-11 DE DE69527853T patent/DE69527853T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0801725A1 (en) | 1997-10-22 |
AU3580195A (en) | 1996-03-29 |
SE9403098D0 (sv) | 1994-09-16 |
WO1996008702A1 (en) | 1996-03-21 |
ATE222650T1 (de) | 2002-09-15 |
DE69527853D1 (de) | 2002-09-26 |
EP0801725B1 (en) | 2002-08-21 |
SE9403098L (sv) | 1996-03-17 |
JPH10506187A (ja) | 1998-06-16 |
US5869834A (en) | 1999-02-09 |
DE69527853T2 (de) | 2003-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE506654C2 (sv) | Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus | |
Bagduev et al. | The optical module of the Baikal deep underwater neutrino telescope | |
JPS5950579A (ja) | 半導体光位置検出器 | |
Deconihout et al. | Implementation of an optical TAP: preliminary results | |
US3129329A (en) | Fast neutron spectrometer using spaced semiconductors for measuring total energy of neutrons captured | |
US20080258057A1 (en) | Integrated circuit chips, apparatuses for obtaining backscatter data from samples, methods of backscatter analysis, and methods of forming alpha particle emission and detection systems | |
TW201545236A (zh) | 為功能元件製造輻射不能穿透之介質的方法 | |
CN113433581B (zh) | 一种低本底的α、β射线探测装置 | |
GB996777A (en) | Apparatus for measuring very thin film thicknesses | |
GB2132757A (en) | Infra-red detector assembly | |
US4369369A (en) | X Or gamma radiation detector, particularly for radiology and a radiological apparatus comprising such a detector | |
Wiczer et al. | Permanent damage effects in Si and AlGaAs/GaAs photodiodes | |
CN207833013U (zh) | 十二象限激光探测器 | |
JPH0550857B2 (sv) | ||
US3792257A (en) | Lateral photodetectors | |
Bellazzini et al. | The MicroGap Chamber: a new detector for the next generation of high energy, high rate experiments | |
US3320495A (en) | Surface-barrier diode for detecting high energy particles and method for preparing same | |
JPH01115170A (ja) | 入射位置検出用半導体装置 | |
RU2300825C1 (ru) | Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор | |
CN109321231A (zh) | 一种红外响应材料及其制备方法、红外响应设备 | |
CA1078974A (en) | Economic solid state alpha detector for monitoring radon gas and its daughter products | |
JP2000031542A (ja) | 発光装置、及び発光装置の光度測定方法 | |
JP2950971B2 (ja) | 光センサ | |
JPS61102075A (ja) | 光電変換素子を用いて波長を識別する方法 | |
JPS59197880A (ja) | β線検出器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |