SE506654C2 - Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus - Google Patents

Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus

Info

Publication number
SE506654C2
SE506654C2 SE9403098A SE9403098A SE506654C2 SE 506654 C2 SE506654 C2 SE 506654C2 SE 9403098 A SE9403098 A SE 9403098A SE 9403098 A SE9403098 A SE 9403098A SE 506654 C2 SE506654 C2 SE 506654C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
area
light
pct
stray light
stray
Prior art date
Application number
SE9403098A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9403098D0 (sv
SE9403098L (sv
Inventor
Jan Wipenmyr
Original Assignee
Sitek Electro Optics Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sitek Electro Optics Ab filed Critical Sitek Electro Optics Ab
Priority to SE9403098A priority Critical patent/SE506654C2/sv
Publication of SE9403098D0 publication Critical patent/SE9403098D0/sv
Priority to JP8510111A priority patent/JPH10506187A/ja
Priority to AT95932983T priority patent/ATE222650T1/de
Priority to AU35801/95A priority patent/AU3580195A/en
Priority to US08/809,536 priority patent/US5869834A/en
Priority to PCT/SE1995/001021 priority patent/WO1996008702A1/en
Priority to EP95932983A priority patent/EP0801725B1/en
Priority to DE69527853T priority patent/DE69527853T2/de
Publication of SE9403098L publication Critical patent/SE9403098L/sv
Publication of SE506654C2 publication Critical patent/SE506654C2/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Portable Nailing Machines And Staplers (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

506 654 en bländare placeras strax ovanför detektorn eller att något appliceras direkt på detektorytan som skärmar av ljuset från det inaktiva området. En bländare kan antingen vara en tunn metallfolie som placerar strax framför detektorn, eller en, genom tunnfilmsteknik, i skyddsglaset integrerad bländare. Detta ställer stora krav på monteringen av bländaren, speciellt om detektorn är liten. Dessutom kan diffraktionsfenomen uppträda i bländaröppningen som därmed genererar ströljus. Den andra möjligheten, att i processen av detektorn själv applicera något material som skärmar av ljuset från de inaktiva området kan göras genom förångning av en metall, guld eller aluminium. Nackdelarna är att den tjocklek som krävs för absolut avskärmning av ströljuset inte är förenligt med en normal halvledarprocess. Dessutom genererar metall på dessa ytor, problem med detektorns elektriska egenskaper. Följden blir ofta höga läckströmmar samt drift av dessa. En absorberande färg alternativt epoxy kan också appliceras direkt på det inaktiva området på detektorn. Detta innebär vissa uppenbara nackdelar, dels är det svårt att få färgen/epoxyn tillräckligt tät så att inget ströljus går igenom, dels är arbetet med att applicera färgen/epoxyn ett rent hantverk som enbart är möjligt för små kvantiteter samt att det är svårt att göra detta med den noggrannhet som är önskvärd.
Uppfinningen avser att eliminera inverkan av ströljus på det inaktiva området genom att runtom den aktiva ytan (1) dopa ytterligare ett område (2) som också bildar en pn-övergång.
Detta område förbinds till jord. All fotoström som genereras pga av ljus som träffar det ströljusupptagande området (2) kommer att ledas till jord och därmed heller inte påverka positionssignalen från den aktiva ytan (1). Även den fotoström som bildas av ströljus som träffar det inaktiva området (6) utanför det ströljusupptagande området (2) kommer att tas om hand av det senare området (2) och ledas via dess elektrod (4) till jord. Det aktiva området och det ströljusupptagande området måste vara åtskilda med ett inaktiv området (5).
Görs detta så smalt som möjligt, ca 10 |,Lm, vilket är betydligt mindre än vad som är möjligt med någon av ovanstående metoder kommer signalen från detta område (S) att ha minimal inverkan på positionsignalen.
Uppfinningen är inte på något vis begränsad till den geometri som är visad i bilden utan kan användas till godtyckliga geometrier både för 1-dimensionella PSD, 2-dimensionella PSD liksom också för fotodetektorer av olika utseende och geometrier, som ex.vis dual, 4-kvadrant, arrayer etc.

Claims (1)

1. 506 654 Patentkrav LPositionskänslig fotodetektor, bestående av en halvledarplatta med en dopad aktiv yta, vars signaler bildas genom att en av ljusenergin alstrad fotoström via ett rcsistivt skikt på den aktiva ytan delas upp och ledes till två varandra motstående elektrodet, kännetecknad av, att runtom den aktiva ytan (1) finns ett område (2) som förhindrar ströljus att påverka mätsignalen och att detta område består av ett dopat område som innehåller en lan-övergång och att signalen från området (2) leds till jord.
SE9403098A 1994-09-16 1994-09-16 Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus SE506654C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403098A SE506654C2 (sv) 1994-09-16 1994-09-16 Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus
JP8510111A JPH10506187A (ja) 1994-09-16 1995-09-11 迷光の作用を除去するための総合機能を有する光電検出器
AT95932983T ATE222650T1 (de) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetektor mit integrierter funktion zur verhinderung des streulichteffekts
AU35801/95A AU3580195A (en) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light
US08/809,536 US5869834A (en) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light
PCT/SE1995/001021 WO1996008702A1 (en) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light
EP95932983A EP0801725B1 (en) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetector having an integrated function for elimination of the effects of stray light
DE69527853T DE69527853T2 (de) 1994-09-16 1995-09-11 Photodetektor mit integrierter funktion zur verhinderung des streulichteffekts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403098A SE506654C2 (sv) 1994-09-16 1994-09-16 Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9403098D0 SE9403098D0 (sv) 1994-09-16
SE9403098L SE9403098L (sv) 1996-03-17
SE506654C2 true SE506654C2 (sv) 1998-01-26

Family

ID=20395258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9403098A SE506654C2 (sv) 1994-09-16 1994-09-16 Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5869834A (sv)
EP (1) EP0801725B1 (sv)
JP (1) JPH10506187A (sv)
AT (1) ATE222650T1 (sv)
AU (1) AU3580195A (sv)
DE (1) DE69527853T2 (sv)
SE (1) SE506654C2 (sv)
WO (1) WO1996008702A1 (sv)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6480639B2 (en) * 1997-09-26 2002-11-12 Nippon Telegraph And Telephone Corp. Optical module
SE519103C2 (sv) * 2000-06-02 2003-01-14 Sitek Electro Optics Ab Strålningspositionsdetektor
US8686529B2 (en) * 2010-01-19 2014-04-01 Osi Optoelectronics, Inc. Wavelength sensitive sensor photodiodes
US8164151B2 (en) * 2007-05-07 2012-04-24 Osi Optoelectronics, Inc. Thin active layer fishbone photodiode and method of manufacturing the same
US7576369B2 (en) * 2005-10-25 2009-08-18 Udt Sensors, Inc. Deep diffused thin photodiodes
US8519503B2 (en) * 2006-06-05 2013-08-27 Osi Optoelectronics, Inc. High speed backside illuminated, front side contact photodiode array
US7256470B2 (en) * 2005-03-16 2007-08-14 Udt Sensors, Inc. Photodiode with controlled current leakage
US7880258B2 (en) * 2003-05-05 2011-02-01 Udt Sensors, Inc. Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics
US7655999B2 (en) 2006-09-15 2010-02-02 Udt Sensors, Inc. High density photodiodes
US7656001B2 (en) 2006-11-01 2010-02-02 Udt Sensors, Inc. Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays
US8035183B2 (en) * 2003-05-05 2011-10-11 Udt Sensors, Inc. Photodiodes with PN junction on both front and back sides
US7279731B1 (en) * 2006-05-15 2007-10-09 Udt Sensors, Inc. Edge illuminated photodiodes
US7057254B2 (en) * 2003-05-05 2006-06-06 Udt Sensors, Inc. Front illuminated back side contact thin wafer detectors
US8120023B2 (en) 2006-06-05 2012-02-21 Udt Sensors, Inc. Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array
US7242069B2 (en) 2003-05-05 2007-07-10 Udt Sensors, Inc. Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics
US7709921B2 (en) 2008-08-27 2010-05-04 Udt Sensors, Inc. Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics
JP4627402B2 (ja) 2003-11-28 2011-02-09 浜松ホトニクス株式会社 光検出器を用いた分光器
US7826641B2 (en) * 2004-01-30 2010-11-02 Electronic Scripting Products, Inc. Apparatus and method for determining an absolute pose of a manipulated object in a real three-dimensional environment with invariant features
US7961909B2 (en) * 2006-03-08 2011-06-14 Electronic Scripting Products, Inc. Computer interface employing a manipulated object with absolute pose detection component and a display
US7729515B2 (en) * 2006-03-08 2010-06-01 Electronic Scripting Products, Inc. Optical navigation apparatus using fixed beacons and a centroid sensing device
US9229540B2 (en) 2004-01-30 2016-01-05 Electronic Scripting Products, Inc. Deriving input from six degrees of freedom interfaces
US9178092B2 (en) 2006-11-01 2015-11-03 Osi Optoelectronics, Inc. Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays
US20100053802A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Masaki Yamashita Low Power Disk-Drive Motor Driver
JP2012503314A (ja) * 2008-09-15 2012-02-02 オーエスアイ．オプトエレクトロニクス．インコーポレイテッド 浅いｎ＋層を有する薄い能動層フィッシュボーン・フォトダイオードとその製造方法
US8399909B2 (en) 2009-05-12 2013-03-19 Osi Optoelectronics, Inc. Tetra-lateral position sensing detector
US8912615B2 (en) 2013-01-24 2014-12-16 Osi Optoelectronics, Inc. Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light
DE102015011934A1 (de) 2015-09-13 2017-03-16 Androtec Gmbh Positionsempfindliche optoelektronische Detektoranordnung und Laserstrahlempfänger, der diese verwendet
US11577159B2 (en) 2016-05-26 2023-02-14 Electronic Scripting Products Inc. Realistic virtual/augmented/mixed reality viewing and interactions
JP7466624B2 (ja) * 2020-02-28 2024-04-12 京セラ株式会社 光検出装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0719394B2 (ja) * 1986-04-23 1995-03-06 ソニー株式会社 半導体レ−ザ装置
JPS6415970A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Canon Kk Image reading equipment
JP2590902B2 (ja) * 1987-07-30 1997-03-19 ソニー株式会社 発光・受光複合素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP0801725A1 (en) 1997-10-22
AU3580195A (en) 1996-03-29
SE9403098D0 (sv) 1994-09-16
WO1996008702A1 (en) 1996-03-21
ATE222650T1 (de) 2002-09-15
DE69527853D1 (de) 2002-09-26
EP0801725B1 (en) 2002-08-21
SE9403098L (sv) 1996-03-17
JPH10506187A (ja) 1998-06-16
US5869834A (en) 1999-02-09
DE69527853T2 (de) 2003-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE506654C2 (sv) Positionskänslig fotodetektor med eliminerad inverkan av ströljus
Bagduev et al. The optical module of the Baikal deep underwater neutrino telescope
JPS5950579A (ja) 半導体光位置検出器
Deconihout et al. Implementation of an optical TAP: preliminary results
US3129329A (en) Fast neutron spectrometer using spaced semiconductors for measuring total energy of neutrons captured
US20080258057A1 (en) Integrated circuit chips, apparatuses for obtaining backscatter data from samples, methods of backscatter analysis, and methods of forming alpha particle emission and detection systems
TW201545236A (zh) 為功能元件製造輻射不能穿透之介質的方法
CN113433581B (zh) 一种低本底的α、β射线探测装置
GB996777A (en) Apparatus for measuring very thin film thicknesses
GB2132757A (en) Infra-red detector assembly
US4369369A (en) X Or gamma radiation detector, particularly for radiology and a radiological apparatus comprising such a detector
Wiczer et al. Permanent damage effects in Si and AlGaAs/GaAs photodiodes
CN207833013U (zh) 十二象限激光探测器
JPH0550857B2 (sv)
US3792257A (en) Lateral photodetectors
Bellazzini et al. The MicroGap Chamber: a new detector for the next generation of high energy, high rate experiments
US3320495A (en) Surface-barrier diode for detecting high energy particles and method for preparing same
JPH01115170A (ja) 入射位置検出用半導体装置
RU2300825C1 (ru) Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор
CN109321231A (zh) 一种红外响应材料及其制备方法、红外响应设备
CA1078974A (en) Economic solid state alpha detector for monitoring radon gas and its daughter products
JP2000031542A (ja) 発光装置、及び発光装置の光度測定方法
JP2950971B2 (ja) 光センサ
JPS61102075A (ja) 光電変換素子を用いて波長を識別する方法
JPS59197880A (ja) β線検出器

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed