SE513967C2 - Råmatris för optisk minnesmedia samt sätt för att tillverka en sådan matris - Google Patents

Description

10 513 §67 Uppfinningen bygger på idén att man i ett första steg framställer en ”råmatris”, vilken i ett senare steg förses med en inskription genom bearbetning av råmatri- sens yta.

I enlighet med en första aspekt av uppfinningen åstadkommes en skivformig matrisstomme på vilken ett resistlager, exempelvis ett fotoresistlager, appliceras på en sida. Detta àstadkommes i enlighet med uppfinningen genom att en polymer spinnes ut över stommen utgående från ett centralt parti av stommen.

Genom att polymeren spinnes ut fràn det centrala partiet kan man på ett enkelt sätt erhålla ett jämnt resistlager över hela den skivformiga stommen. Eventuella ojämnheter är därvid begränsade till det centrala par- tiet.

Efter att resistskiktet bildats utformas en central öppning i stommen genom att det centrala partiet avlägs- nas, företrädesvis genom att stommens centrala parti stansas ut. Härigenom kommer hela resistskiktet att vara jämnt från öppningens kant och radiellt utåt. Matrisen kan således förses med en inskription av hög kvalitet ända fram till öppningens kant.

Genom att i enlighet med uppfinningstanken spinna ut resistskiktet från en central position och först därefter stansa ut en centrumöppning erhåller man såväl högre kva- litet, större skrivbar yta och lägre tillverkningskostna- der än om man skulle spinna ut resistskikten efter att öppningen stansats ut.

Den öppning som bildas när det centrala partiet av- lägsnats utgör företrädesvis den slutgiltiga öppningen, som används vid tillverkningen av optiska minnesmedia.

Det är föredraget att matrisstommen täcker hela det cen- trala partiet vid appliceringen av resist, eftersom resistmaterialet därmed kan spinnas ut från en enda cen- tral position. Uppfinningen är emellertid ej begränsad till detta. Det kan i vissa fall vara fördelaktigt att utforma en mindre öppning i stommen och att applicera -y 513 9673 resisten utgående från ett centralt område kring den mindre öppningen, varefter det centrala området avlägs- nas. Även detta utförande ingår i den uppfinningstanke som kommer till uttryck i de efterföljande patentkraven.

Vid en föredragen utföringsform åstadkommes i ett senare steg en informationsbärande inskription i resist- lagret genom bestràlning (exponering) och framkallning på något känt sätt, varefter en motsvarande struktur åstad- kommes i matrisstommen genom etsning eller beläggning.

Enligt en andra aspekt av uppfinningen omfattar den ett ämne för en matris, vilket har en skivformig matris- stomme, som från ett centralt parti sträcker sig ut till en cirkulär periferilinje, och ett från stommens centrala parti radiellt utåt sig sträckande resistlager. Det cent- rala partiet är avsett att avlägsnas i ett senare steg.

Ingen slutlig centrumöppning har således ännu utformats i matrisstommen. Vid en särskilt föredragen utföringsform saknar ämnet helt öppning innanför periferilinjen.

Enligt en tredje aspekt av uppfinningen omfattar den en råmatris med en skivformig matrisstomme, som har en centrumöppning och ett från centrumöppningens periferi- kant sig sträckande resistlager, vilket har jämn skikt- tjocklek. Råmatrisen, som i sig utgör en mellanprodukt vid framställning av en färdig matris, har således fram- ställts genom att en centrumöppning utformats i det ovan- beskrivna matrisämnet. Ingen ytterligare förändring eller bearbetning görs därefter av vare sig innerdiameter eller ytterdiameter efter exponering eller formning av struk- tur, t ex medelst etsning eller beläggning.

I det följande beskrivs ett föredraget utförande av uppfinningen i exemplifierande syfte.

En matrisstomme i form av en cirkulär skiva av nickel åstadkommes. En lämplig volym av ett lämpligt resistmaterial placeras i skivans centrum, varefter skivan roteras så att resistmaterialet spinns ut till ett jämnt skikt över matrisstommen, som därefter utgör ett ämne till en matris. Därefter stansas skivans centrala 513 967 4 parti ut till bildande av en ràmatris. Denna ràmatris genomgår en litografisk behandling, vid vilken ett in- formationsbärande mönster exponeras för strålning och framkallas enligt kända metoder så att matrisstommen blottläggs vid valda ytpartier i ett mönster som motsva- rar den information som matrisen ska förses med. Därefter etsas en struktur in i matrisstommen vid de blottlagda ytpartierna. Slutligen avlägsnas resten av resistskiktet, varvid en färdig matris med en informationsbärande yt- struktur har bildats. Eventuellt ges ytstrukturen en skyddande behandling innan matrisen är färdig att an- vända.

Claims (5)

10 15 20 25 30 967 513 PATENTKRAV

1. Sätt att framställa en matris för tillverkning av optisk minnesmedia, k ä n n e t e c k n a t av stegen att att åstadkomma en skivformig matrisstomme att applicera ett resistlager pä stommens ena sida genom att spinna ut en polymer över stommen utgående frán ett centralt parti av stommen, och att efter nämnda appliceringssteg utforma en central öppning i den med ett resistlager försedda stommen genom att avlägsna det centrala partiet, företrädesvis genom att stansa ut stommens centrala parti.

2. Sätt enligt patentkrav 1, vid vilket en informa- tionsbärande inskription därefter àstadkommes i resist- lagret genom ett exponerings- och framkallningsförfa- rande.

3. Sätt enligt krav 2, vid vilket en struktur mot- svarade inskriptionen i resistlagret àstadkommes i mat- risstommen genom ett etsnings- eller beläggningsförfa- rande.

4. Ämne för matris för optisk minnesmedia k ä n - n e t e c k n a t av en skivformig matrisstomme, vilken sträcker sig ut frän ett centralt parti, som är avsett att avlägsnas, till en cirkulär periferilinje, och ett fràn stommens centrala parti radiellt utåt sig sträckande resistlager.

5. Ràmatris för optisk minnesmedia, vilken omfattar en skivformig matrisstomme som har en central öppning och ett fràn den centrala öppningens periferikant sig sträckande resistlager, som har jämn skikttjocklek fràn den centrala öppningens periferikant och radiellt utàt.