SE508968C2 - Förfarande för att göra elastiska kulor - Google Patents

Förfarande för att göra elastiska kulor

Info

Publication number
SE508968C2
SE508968C2 SE9604675A SE9604675A SE508968C2 SE 508968 C2 SE508968 C2 SE 508968C2 SE 9604675 A SE9604675 A SE 9604675A SE 9604675 A SE9604675 A SE 9604675A SE 508968 C2 SE508968 C2 SE 508968C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
mold
mould
bumps
release agent
steps
Prior art date
Application number
SE9604675A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9604675D0 (sv
SE9604675L (sv
Inventor
Jan Peter Bodoe
Lillebror Hjalmar Hesselbom
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9604675A priority Critical patent/SE508968C2/sv
Publication of SE9604675D0 publication Critical patent/SE9604675D0/sv
Priority to TW086100964A priority patent/TW508699B/zh
Priority to DE69719805T priority patent/DE69719805T2/de
Priority to EP97951402A priority patent/EP0954420B1/en
Priority to KR1019997005475A priority patent/KR20000069541A/ko
Priority to AU55053/98A priority patent/AU5505398A/en
Priority to CN97180834A priority patent/CN1073005C/zh
Priority to CA002275650A priority patent/CA2275650A1/en
Priority to JP52762898A priority patent/JP3992747B2/ja
Priority to PCT/SE1997/002176 priority patent/WO1998026913A1/en
Priority to US08/995,194 priority patent/US6068801A/en
Publication of SE9604675L publication Critical patent/SE9604675L/sv
Publication of SE508968C2 publication Critical patent/SE508968C2/sv
Priority to HK00103992A priority patent/HK1024662A1/xx

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/58Applying the releasing agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/60Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/62Releasing, lubricating or separating agents based on polymers or oligomers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/60Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/62Releasing, lubricating or separating agents based on polymers or oligomers
    • B29C33/64Silicone
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

10 15 20 25 30 508 968 US patent 5.064.583, al, beskriver ett förfarande för att anbringa silan släppskikt. Emellertid John J. Dagostino et. är omgivningen under anbringandet inte begränsad till att va- ra fritt från fukt, varvid formbara skikt inte produceras.
Den europeiska patentskriften 0 244 884 Al, Ponjèe Jo- hannes Jacobus, beskriver ett förfarande för att föra mycket tunna släppskikt av vattenfritt anbringad silan, men nämner inte gjutningar med Si med etsade V-spår.
Sammanfattning Uppfinningen har löst problemet med att gjuta mikrome- terstora elastiska konstruktioner med hjälp av en mikroma- skinbearbetad Si-gjutform.
Uppfinningen används för produkter inom områdena elek- tronik och opto-elektronik för elektriska och optiska kon- taktdon och mekanisk inriktning av komponenter.
Där finns också andra tillämpningsområden som erfordrar små elastiska konstruktioner med hög precision.
Uppfinningen beskriver en reproducerbar gjutteknik för att åstadkomma elastiska bulor som en perfekt återgivning av gjutformen. Spåren kan ha en 5-hörns pentaeder eller pyramid- form och bulorna kan ha en trunkerad 5-hörns pentederform el- ler trunkerad pyramidform. Gjutformen är gjord av ett eller flera spår etsade i en kiselskiva av samma typ som används vid tillverkning av IC-kretsar, med hjälp av spår etsade i en polerad sida. Ett släppmedel används, eftersom i annat fall vidhäftar elastomeren, typiskt en silikonelastomer, mycket starkt pá gjutformens yta under härdning. Släppmedlet kan va- ra exempelvis "Parylene” eller silan. När släppmedlet har an- 10 15 20 25 30 35 5os 96s bringats på gjutformen adderas den flytande icke-härdade elastomeren på gjutformen och härdas i en ugn.
Uppfinningen kan använda ett beläggningsförfarande och material för att åstadkomma ett släppmedel, som bildar ett synnerligen formbart skikt på gjutformens yta, varigenom de nanometer stora detaljerna hos topografin och gjutformens to- tala mått bevaras. Genom att använda en ovan beskriven gjut- form är det möjligt att göra elastiska bulor med mycket pre- cision. De kan gjutas till en separat konstruktion eller på de flesta substrat.
En fördel hos uppfinningen är att den använder kända ma- terial och beläggningsförfaranden för att bilda extremt form- bara skikt på Si-gjutformen så att elastomeren inte vid- häftar.
En annan fördel hos uppfinningen är att släppskiktet är extremt formbart.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är gjutningen av mikrometerstora konstruktioner.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att de elas- tiska bulorna utgör en perfekt återgivning av gjutformen.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att det är lätt att göra i ordning släppskiktet på gjutformen.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att samma gjutform kan återanvändas.
Uppfinningen beskrivs nu vidare med hänvisning till den detaljerade beskrivningen av de föredragna utföringsformerna och de bifogade figurerna. 10 15 20 25 30 508 968 Kortfattad figurbeskrivning Fig. 1 visar ett tvärsnitt av en typisk gjutform med spår.
W Fig. 2 visar ett tvärsnitt av elastiska bulor gjutna på ett substrat.
Fig. 3a-b visar tvärsnitt av alternativa elastiska bulor gjutna på ett substrat.
Fig. 4 visar i ett tvärsnitt en alternativ struktur av fristående elastiska bulor.
Fig. 5a-f visar vyer ovanifrån av olika elastiska bulor.
Detaljerad beskrivning av utföringsformer Uppfinningen löser problemet med att bearbeta en mikro- maskinbearbetad Si-gjutform, som formar konstruktioner eller bulor av elastomer med en màttnoggrannhet under mikrometerom- rådet, dvs en perfekt återgivning av den använda gjutformen, och kan lätt separera bulorna från gjutformen.
En gjutform 100 används för att tillverka de elastiska bulorna, se fig. 1. Den iordninggjorda gjutformen 100 är gjord är en mikromaskinbearbetad Si-skiva. Spåren i gjutfor- men 100 har gjorts på traditionellt sätt. En etsningsmask an- vänds för att göra spåren 104, 106. Beroende på etsningsmas- kens öppningsstorlek bestäms djupet och formen på spåren 104, 106, som i sin tur bestämmer storleken och formen på bulorna 202, 204, fordras ett släppmedel, se fig. 2. Innan silikon-elastomeren anbringas er- eftersom elastomeren, vanligtvis en silikon-elastomer, vidhäftar mycket kraftigt på gjutformens 10 15 20 25 30 s 508 968 100 yta under härdningen. Släppmedlet kan vara Parylene eller silan, som bildar ett släppskikt 118 som är formbart över ytan. När släppmedlet har anbringats på gjutformen 100 adde- ras den flytande icke-härdade elastomeren på gjutformen och härdas i en ugn. Bulorna 202, 204 kan bildas genom etsning av gjutformen 100, antingen så att bulorna separat bildar en tunn separat struktur, med bulorna på en eller två sidor/s, se fig. 3, eller så görs bulorna på ett godtyckligt substrat, se fig. 2.
En mer detaljerad beskrivning av hur bulor tillverkas följer nedan. Mycket väldefinierade rektangulära eller fyr- kantiga spår 104, 106 kan göras i en enda kristallin kisel- skiva, om den etsas anisotropiskt, exempelvis i (100), (110), (lll) de önskade elastiska bulorna. Ett etsningsförfarande är an- skivor. Spàrens storlek och form är exakt densamma som isotropisk etsning och användningen av (100) riktade skivor.
Mikromaskinbearbetning av spår 104, 106 i kiselskivor, och andra enskilda kristallmaterial, med anisotropisk etsning, utgör välkänd teknik. Den använda etsmasken kan bestå av ett skikt av Sign (~1600Å) och ett mellanliggande skikt av SiO2 <~5soÅ) etsmedel är 4M-lösningen KOH, etshastigheter för de tre huvudkristallriktningarna (100) (110) (111), är 100 160 : 1. 85°C. Det tar ungefär åtta timmar att etsa genom en (100) för att minska spänningar i nitriden. Ett ofta använt för vilken typiska relativa Etsningen genomförs vid 75- skiva, 2 500um tjock. Användningen av (100) riktade skivor alstrar V-spår, vars sidoväggar 110-116 åstadkommes i spåren 104, 106 i (111) plan, som har en vinkel a om 54,7° i för- hallande till en yta vinkelrät mot (100) skivan. Spårens 104, 106 bredd och läge på skivan bestäms av öppningarna i den etsmask som tillverkats genom standarprocesser för elek- tronisk produktion vid en upplösning under mikrometerområdet. 10 15 20 25 30 508 968 6 Reproducerbarheten hos masklitografi och kiseletsning är mycket hög. 204 pá som är repliker av de ovan tillverkade I fig. 2 visas mycket väldefinierade bulor 202, ett substrat 206, spåren 104, 106, gjutformen 100 har gjorts,användssläppmedlet så att det se fig. 1. Följande förfarande används. När elastiska materialet inte vidhäftar på gjutformens 100 yta.
Detta gör gjutformen 100 àteranvändningsbar. Varje gång bul- orna 202, 204 tillverkas har de samma konstruktion som tid- igare bulor gjorda av samma gjutform 100. Konstruktionen 208 som innefattar bulorna 202, 204 har exakt samma utformning, med samma mått och avstånd från varandra som i gjutformen 100. det nödvändigt att avlägsna damm och andra partiklar fràn Innan släppmedlet anbringas pà gjutformens 100 yta är ovannämnda yta. Ett mycket tunt oxidskikt blir kvar pà ytan.
Därefter doppas gjutformen 100 i en etanolvätska, som har en liten mängd silan. Silanen bildar en mono-skiktyta på gjut- formen 100, Den bildar ett mycket tunt och formbart skikt 118 genom tillväxt. Ett annat sätt att som utgör släppmedlet. anbringa släppmedlet är att använda ett gasfas-beläggnings- förfarande. Nästa steg är att täcka gjutformen 100 med en härdbar elastisksammansättning, samtidigt som tjockleken styrs genom tryckning, skrapning eller sprutning. Därefter trycks gjutformen 100 och substratet 206 ihop. Beroende pà komplexiteten hos den struktur som skall gjutas, kan luft- bubblor bli kvar i elastomeren under beläggningen. Sådana eventuella bubblor kan avlägsnas genom att placera paketet i vacuum före härdning. Det är också möjligt att inrikta sub- stratet i förhàllandetill gjutformen för att åstadkomma bulor vid en specificerad plats pä substratet. Paketet kan sedan placeras i en ugn vid en förhöjd temperatur för att härda sammansättningen, vanligtvis vid l50° under 2 timmar. Det elastomeriska materialet formas genom härdning efter spåren 104, 106 i gjutformen 100. Efter härdning separeras struk- 10 15 20 25 30 v 508 968 turen 208 från gjutformen 100. Om ett styvt substrat används måste separeringen genomföras i vakuum på grund av samman- sättningens lufttäta passning med gjutformen 100. För specifika tillämpningar kan substratet 206 vara gjort av elastiskt material, som underlättar separeringen. Dessutom kan gjutformen vara konstruerad så att bulorna 202, 204 får spetsar 302, 304, istället för att vara trunkerade. Andra möjliga konstruktioner av bulor visas i se fig. 3a, fig. 3b. Bulkonstruktionerna är inte begränsade till de som visas i fig. 2 till fig. 5.
Andra typer av högprecisionskomponenter kan göras i delar med bulor genom att använda en två delar; bulor på ett styvt eller flex- ordning: fristående gjutform i en eller ibelt substrat genom att anbringa silikonelastomeren mellan gjutformen och substratet. Användningen av det flexibla sub- stratet, såsom en polymerfolie förenklar separeringen från gjutformen, i synnerhet i fallet med komponenter över ett stort område. När så erfordras möjliggör uppfinningen iord- ningsställandet av substratet med elastomerbulor och ett mycket tunt silkonskikt mellan bulorna. Den icke-härdade elastomeren är i detta fall tryckbelagd på gjutformen, vilket möjliggör en styrd elastomertjocklek. Substratet placeras sedan ovanpå elastomerskiktet (eventuella luftbubblor kan avlägsnas med vakuum) före härdning.
Såsom nämnts ovan vidhäftar elastomerer mycket starkt på silikon och följaktligen används en mycket speciell ytbehand- ling med släppmedel för att möjliggöra separering av den här- dade silikonelastomeren från gjutformen 100. För detta ända- mål innefattar uppfinningen två alternativa förfaranden, si- lan-förfarandet och Parylen-förfarandet. Båda resulterar i en kemiskt inert yta med làg ytenergi fràn vilken silikonelasto- meren lätt kan avlägsnas. lO 3.5 20 25 30 508 968 a Silanförfarandet använder förmågan att bilda ett själv- (SAM) Innan silan anbringas pà kiselgjutformen 100, måste den ren- HCl monterat mono-skikt av silan på en yta oxiderat kisel. göras, exempelvis i två kända steg med H;O2, NH; och H2O2, lösningar, vilket ger ett tunt skikt av oblandad oxid. Gjut- formen behandlas därefter i silan, exempelvis 1% dimetyl-dik- lorsilan lösning, med etanol som lösningsmedel och rengörs därefter i etanol, där den också kan lagras före användning.
Det resulterande släppmedelsskiktet består av ett mono-skikt av silanmolekyler som ligger nära varandra på ytan förhind- rande silikonelastomeren från att vidhäfta pà gjutforemen.
Efter gjutning kan gjutformen återanvändas eller om-silaneras för att åstadkomma ett nytt släppmedelsskikt fritt från even- tuell mekanisk skada.
Det kommersiellt tillgängliga Parylene-förfarandet àsta- kommer en extremt formbar poly-para-xylylen beläggning, som enhetligt täcker spàrens kanter och undersidor. Den yta som skall beläggas, och som hålls vid rumstemperatur, utsätts för monomeránga, para-xylylen vid 0,1 Torr, som kondenseras och polymeriseras pà alla ytor som utsätts för gasen, under reak- tionen: Smälttemperaturen är 405°C, vilken möjliggör elastome- CH; = CH; _) f “CHg " 'CH^_>"] rens härdning, och där finns många andra goda egenskaper, så- som hög kemisk motstàndskraft. Parylene-skikt av godtycklig tjocklek kan göras i ordning, och för att fungera som släpp- medel behövs bara ett mycket tunt skikt. Emellertid ger àstadkommandet av en tjocklek om några tiondelar av en mikro- meter en god mekanisk stabilitet för upprepad användning av samma gjutform. 10 15 20 25 30 35 9 508 968 Naturligtvis kan inte bara silan eller Parylene användas som släppmedel. Exempelvis kan varje lämpligt självmonterat monoskikt med en icke-reaktiv spets användas.
I fig. 3 visas sidovyn av olika bulor, som kan vara gjorda på substratet 206. I en första uppsättning 300 har 304, V-formade bulor. strukturen 208 bulor 302, som är utformade som ett upp och nedvänt V, I fig. 3b visas en andra upp- sättning 312 med strukturen 208 och bulorna 314, 316, som är utformade som stift. Naturligtvis måste formen för att göra spår ha exakt samma form som bulorna i dessa figurer. Att förbereda gjutformen är något annat än att göra den första 304. som i fig. 1, uppsättningen 300 av bulor 302, Istället för att stoppa etsningen innan den når botten, fortsätter ets- ningen till de båda lutande väggarna 110-116 anligger mot varandra. Hos nästa uppsättning med 312 med bulor 314, 316 måste gjutformen göras av en <1l0> skiva.
I fig. 4 visas bulor gjorda på båda sidor om strukturen 208. Detta åstadkoms genom att använda exakt samma förfarande som beskrivs ovan, men innan silikonelastomeren härdas an- vänds en liknande eller en annan gjutform, på samma sätt som ovan, ovanpå elastomerskiktet. Den liknande gjutformen kan hal samma form som gjutformen 100, fig. 1, eller ha en annan form för att bilda spåren. Efter härdning avlägsnas de två formar- na. Strukturen 208 har bildat en uppsättning bulor 402-408, som bildar en fjärde uppsättning 400.
I fig. 5a-c visas vyn ovanifrån av de fyrkantiga bulorna 202, 302 och 314 och i fig. Sd-f visas en vy ovanifrån av rektangulära bulor 202, 302 och 314.
Ovannämnda strukturer och former av bulorna är inte be- gränsade till de som har beskrivits. De kan ha andra struktu- rer och former, som inte visas. 10 15 20 25 508 968 10 Ett annat förfarande för att åstadkomma föredragna bulor och de föredragna spåren är att använda fotolitografisk mask- ning inriktad med redan existerande strukturer, exempelvis, lasrar eller IC-kretsar. Innan de har separerats görs spåren genom antingen anisotropisk etsning eller något liknande för- farande. Liknande, men speglade spår görs av liknande eller något annat material, som används som en gjutform. Antingen denna gjutform, eller den del på vilken de elastiska bulorna fästes, täcks sedan med elastiskt material i dess för-härdade form, varefter denna del och gjutformen trycks ihop i vakuum.
Härigenom fyller det elastiska materialet spåren i gjutfor- men. Efter detta härdas det elastiska materialet med värme, eller eventuellt ljus, om gjutformen eller delen släpper ige- nom härdningsljus, och till slut skiljs gjutformen från det elastiska materialet.
Den ovan beskrivna uppfinningen kan utformas på ytterli- gare andra specifika sätt utan att avvika fràn uppfinningens anda eller väsentliga egenskaper. Följaktligen skall dessa utföringsformer i alla avseenden betraktas som illustrativa och är inte begränsande, där uppfinningen ram indikeras av de bifogade kraven, istället för av ovanstående beskrivning, och alla förändringar som faller inom betydelsen och motsva- righeten till kraven är följaktligen avsedda att falla inom ramen för dessa.

Claims (1)

10 15 20 25 30 1. ll 508 968 Patentkrav Förfarande för att tillverka bulor av en skivgjutform med spår innefattande stegen att: anbringa ett släppmedel på gjutformen, kännetecknat av att förfarandet innefattar ste- gen att: (100) yta fràn damm och andra partiklar; anbringa släppmedelskiktet (118), där det bildar rengöra gjutformens ett självmonterande monoskikt; anbringa en härdbar elasto- mer för att bilda en elastomerisk struktur (208) pà gjut- formen; härda gjutformen och strukturen; och separera strukturen från gjutformen. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att rengöringen först med PQOZ och NH3, och sedan med Hgh utförs i två steg: och HCl lösningar. Förfarande enligt krav 2, kännetecknat av att anbringandet av släppmedelsskiktet (118) har följande steg: gjutformen (100) sätts på en vattenfri dimetylklorsilan lösning, och rengörs sedan med etanol. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att anbringande av släppskiktet (188) har följande steg: gjutformen (100) utsätts för gas, en monomerànga av para-xylylen; po- lymerisera alla ytor som utsätts för gasen; härda vid en smälttemperatur om ungefär 400°C bildande en formbar poly- para-xylen beläggning. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att förfarandet för anbringning pà den härdbara elastomeren kan vara genom tryckning, skrapning eller sprutning. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att den härdbara elastomeren kan vara en silikonelastomer. 7. 5 8 10 508 968 12 Förfarande enligt något av ovanstående krav, kännetecknat av att förfarandet innefattar steget att anbringa ett sub- strat (206) på strukturen (208) före härdning. Förfarande enligt krav 7, kännetecknat av att substratet (206) är gjort av ett flexibelt material. Förfarande enligt något av kraven 1-6, kännetecknat av att förfarandet innefattar steget att anbringa liknande gjut- (208) form ovanpå elestomerstrukturen före härdning.
SE9604675A 1996-12-19 1996-12-19 Förfarande för att göra elastiska kulor SE508968C2 (sv)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9604675A SE508968C2 (sv) 1996-12-19 1996-12-19 Förfarande för att göra elastiska kulor
TW086100964A TW508699B (en) 1996-12-19 1997-01-29 Method for making elastic bumps
US08/995,194 US6068801A (en) 1996-12-19 1997-12-19 Method for making elastic bumps from a wafer mold having grooves
CN97180834A CN1073005C (zh) 1996-12-19 1997-12-19 制备弹性凸起的方法
EP97951402A EP0954420B1 (en) 1996-12-19 1997-12-19 Method for making elastic bumps
KR1019997005475A KR20000069541A (ko) 1996-12-19 1997-12-19 탄성 범프를 만드는 방법
AU55053/98A AU5505398A (en) 1996-12-19 1997-12-19 Method for making elastic bumps
DE69719805T DE69719805T2 (de) 1996-12-19 1997-12-19 Verfahren zum erzeugen von elastischen höckern
CA002275650A CA2275650A1 (en) 1996-12-19 1997-12-19 Method for making elastic bumps
JP52762898A JP3992747B2 (ja) 1996-12-19 1997-12-19 弾力性バンプの製法
PCT/SE1997/002176 WO1998026913A1 (en) 1996-12-19 1997-12-19 Method for making elastic bumps
HK00103992A HK1024662A1 (en) 1996-12-19 2000-06-30 Method for making elastic bumps

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9604675A SE508968C2 (sv) 1996-12-19 1996-12-19 Förfarande för att göra elastiska kulor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9604675D0 SE9604675D0 (sv) 1996-12-19
SE9604675L SE9604675L (sv) 1998-06-20
SE508968C2 true SE508968C2 (sv) 1998-11-23

Family

ID=20405041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9604675A SE508968C2 (sv) 1996-12-19 1996-12-19 Förfarande för att göra elastiska kulor

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6068801A (sv)
EP (1) EP0954420B1 (sv)
JP (1) JP3992747B2 (sv)
KR (1) KR20000069541A (sv)
CN (1) CN1073005C (sv)
AU (1) AU5505398A (sv)
CA (1) CA2275650A1 (sv)
DE (1) DE69719805T2 (sv)
HK (1) HK1024662A1 (sv)
SE (1) SE508968C2 (sv)
TW (1) TW508699B (sv)
WO (1) WO1998026913A1 (sv)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7758794B2 (en) 2001-10-29 2010-07-20 Princeton University Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US6309580B1 (en) 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
WO1999012207A1 (fr) * 1997-09-01 1999-03-11 Fanuc Ltd Procede d'assemblage de petites pieces et ensemble de petites pieces
DE19909477C2 (de) * 1999-03-04 2002-01-17 Freudenberg Carl Fa Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung von oberflächenmodifizierenden Hilfssubstanzen auf die Arbeitsrauminnenflächen von Werkzeugformen
US6411754B1 (en) 2000-08-25 2002-06-25 Corning Incorporated Micromechanical optical switch and method of manufacture
US6673287B2 (en) * 2001-05-16 2004-01-06 International Business Machines Corporation Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer
DE10134011B4 (de) * 2001-07-12 2007-08-16 Infineon Technologies Ag Trägersubstrat, das zur Kontaktierung mit einer integrierten Schaltung vorgesehen ist
US7813634B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Tessera MEMS Technologies, Inc. Autofocus camera
JP4184140B2 (ja) * 2002-05-10 2008-11-19 キヤノン化成株式会社 遠心成形金型およびその製造方法ならびにこれを用いて製造される遠心成形体およびブレードならびにその製造方法
TWI286272B (en) * 2004-01-16 2007-09-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Manufacturing method of a cavity
CN100395121C (zh) * 2004-11-19 2008-06-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 热压印方法
US20060204699A1 (en) * 2004-12-08 2006-09-14 George Maltezos Parylene coated microfluidic components and methods for fabrication thereof
US7646969B2 (en) * 2005-02-28 2010-01-12 Siimpel Corporation Camera snubber assembly
US8137626B2 (en) * 2006-05-19 2012-03-20 California Institute Of Technology Fluorescence detector, filter device and related methods
WO2008036614A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 California Institute Of Technology Apparatus for detecting target molecules and related methods
US8768157B2 (en) 2011-09-28 2014-07-01 DigitalOptics Corporation MEMS Multiple degree of freedom actuator
US8619378B2 (en) 2010-11-15 2013-12-31 DigitalOptics Corporation MEMS Rotational comb drive Z-stage
US20090159200A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
KR20100026454A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 삼성전기주식회사 세라믹 그린시트의 제조방법 및 이를 이용한 다층 세라믹 회로기판의 제조 방법
JP2010266667A (ja) * 2009-05-14 2010-11-25 Fujifilm Corp ウェハレベルレンズアレイ及びその製造方法
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
US8941192B2 (en) 2010-11-15 2015-01-27 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS actuator device deployment
US9352962B2 (en) 2010-11-15 2016-05-31 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS isolation structures
US8947797B2 (en) 2010-11-15 2015-02-03 DigitalOptics Corporation MEMS Miniature MEMS actuator assemblies
US9061883B2 (en) 2010-11-15 2015-06-23 DigitalOptics Corporation MEMS Actuator motion control features
US8430580B2 (en) 2010-11-15 2013-04-30 DigitalOptics Corporation MEMS Rotationally deployed actuators
US8608393B2 (en) 2010-11-15 2013-12-17 DigitalOptics Corporation MEMS Capillary actuator deployment
US9052567B2 (en) 2010-11-15 2015-06-09 DigitalOptics Corporation MEMS Actuator inside of motion control
US8605375B2 (en) 2010-11-15 2013-12-10 DigitalOptics Corporation MEMS Mounting flexure contacts
US8547627B2 (en) 2010-11-15 2013-10-01 DigitalOptics Corporation MEMS Electrical routing
US8604663B2 (en) 2010-11-15 2013-12-10 DigitalOptics Corporation MEMS Motion controlled actuator
US8803256B2 (en) 2010-11-15 2014-08-12 DigitalOptics Corporation MEMS Linearly deployed actuators
US8337103B2 (en) 2010-11-15 2012-12-25 DigitalOptics Corporation MEMS Long hinge actuator snubbing
US8637961B2 (en) 2010-11-15 2014-01-28 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS actuator device
US8521017B2 (en) 2010-11-15 2013-08-27 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS actuator alignment
US8884381B2 (en) 2010-11-15 2014-11-11 DigitalOptics Corporation MEMS Guard trench
US9515579B2 (en) 2010-11-15 2016-12-06 Digitaloptics Corporation MEMS electrical contact systems and methods
US8358925B2 (en) 2010-11-15 2013-01-22 DigitalOptics Corporation MEMS Lens barrel with MEMS actuators
US9019390B2 (en) 2011-09-28 2015-04-28 DigitalOptics Corporation MEMS Optical image stabilization using tangentially actuated MEMS devices
US20130235334A1 (en) * 2011-08-31 2013-09-12 Michael F. Widman Ophthalmic lens forming optic
US8616791B2 (en) 2011-09-28 2013-12-31 DigitalOptics Corporation MEMS Rotationally deployed actuator devices
US8869625B2 (en) 2011-09-28 2014-10-28 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS actuator/sensor
US9281763B2 (en) 2011-09-28 2016-03-08 DigitalOptics Corporation MEMS Row and column actuator control
US8571405B2 (en) 2011-09-28 2013-10-29 DigitalOptics Corporation MEMS Surface mount actuator
US9350271B2 (en) 2011-09-28 2016-05-24 DigitalOptics Corporation MEMS Cascaded electrostatic actuator
US8853975B2 (en) 2011-09-28 2014-10-07 DigitalOptics Corporation MEMS Electrostatic actuator control
US8855476B2 (en) 2011-09-28 2014-10-07 DigitalOptics Corporation MEMS MEMS-based optical image stabilization
JP5814958B2 (ja) * 2013-02-21 2015-11-17 株式会社東芝 テンプレート作製方法、テンプレート検査方法、及びテンプレート材料
TW201501175A (zh) * 2013-06-19 2015-01-01 Nanocrystal Asia Inc 半導體製造工具的強化方法
CN114633414A (zh) * 2022-03-04 2022-06-17 微智医疗器械有限公司 用于制备硅胶制品的方法及模具

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263350A (en) * 1979-12-31 1981-04-21 Ppg Industries, Inc. Silane release surfaces on glass
JPS59182218A (ja) * 1983-03-30 1984-10-17 Hoxan Corp 多結晶シリコンウエハの製造方法
JPS59182217A (ja) * 1983-03-30 1984-10-17 Hoxan Corp 多結晶シリコンウエハの製造方法
JPS6123313A (ja) * 1984-07-11 1986-01-31 Hoxan Corp 多結晶シリコンウエハの製造皿用離型剤層形成方法
NL8600809A (nl) * 1986-03-28 1987-10-16 Philips Nv Methode om een matrijs te voorzien van een loslaag.
US4775544A (en) * 1986-12-22 1988-10-04 Carrier Vibrating Equipment, Inc. Method for plasticizing nuts and the like
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
US4946369A (en) * 1989-06-19 1990-08-07 Dow Corning Corporation Silicone mold and elastomer tool life
US5064583A (en) * 1989-08-01 1991-11-12 Zycon Corporation Method for applying mold release coating to separator plates for molding printed circuit boards
JPH03234605A (ja) * 1990-02-13 1991-10-18 Toshiba Corp レジン成形装置
US5243756A (en) * 1991-06-28 1993-09-14 Digital Equipment Corporation Integrated circuit protection by liquid encapsulation
US5217568A (en) * 1992-02-03 1993-06-08 Motorola, Inc. Silicon etching process using polymeric mask, for example, to form V-groove for an optical fiber coupling
US5439569A (en) * 1993-02-12 1995-08-08 Sematech, Inc. Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath
US5343544A (en) * 1993-07-02 1994-08-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Integrated optical fiber coupler and method of making same
US5620634A (en) * 1995-08-17 1997-04-15 Lucent Technologies Inc. Method of making fiber waveguide connectors

Also Published As

Publication number Publication date
SE9604675D0 (sv) 1996-12-19
DE69719805D1 (de) 2003-04-17
WO1998026913A1 (en) 1998-06-25
HK1024662A1 (en) 2000-10-20
CN1073005C (zh) 2001-10-17
US6068801A (en) 2000-05-30
JP3992747B2 (ja) 2007-10-17
DE69719805T2 (de) 2003-11-06
CN1241155A (zh) 2000-01-12
EP0954420B1 (en) 2003-03-12
EP0954420A1 (en) 1999-11-10
JP2001506196A (ja) 2001-05-15
SE9604675L (sv) 1998-06-20
CA2275650A1 (en) 1998-06-25
KR20000069541A (ko) 2000-11-25
TW508699B (en) 2002-11-01
AU5505398A (en) 1998-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE508968C2 (sv) Förfarande för att göra elastiska kulor
US5658698A (en) Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
Del Campo et al. Patterned surfaces with pillars with controlled 3D tip geometry mimicking bioattachment devices
US6805809B2 (en) Decal transfer microfabrication
JP2008517329A (ja) デカル転写リソグラフィ
US20030062123A1 (en) Method of self-latching for adhesion during self-assembly of electronic or optical components
CN108452855B (zh) 微流控芯片的加工方法
KR101817703B1 (ko) 미세 섬모 구조물과 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이송 장치
JP5033615B2 (ja) インプリント用基板
JP2004523124A (ja) ガラス系材料からなるフラット基板を構造化する方法
JP2011529798A (ja) マイクロ構造体を封入する方法及びデバイス
US7588710B2 (en) Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof
JPH10286955A (ja) インクジェットプリンタヘッドおよびその製造方法
US7309754B2 (en) Stable encapsulant fluid capable of undergoing reversible Diels-Alder polymerization
US20110305995A1 (en) Resin film forming method
JP3911154B2 (ja) 接着体及びその製造方法
JPH0884484A (ja) マイクロ構造体の形成法
JP3181174B2 (ja) マイクロ構造体の形成方法
US10804103B2 (en) Microassembly of heterogeneous materials
US7077970B2 (en) Sliders bonded by a debondable nonstoichiometric encapsulant
CN107078075A (zh) 用于对产品衬底进行涂层的方法和装置
US7125467B2 (en) Slider processing system utilizing polyvinyl alcohol release layer
Cuesta Development of an encapsulation solution for suspended microchannel resonators
JPH11207846A (ja) 微小構造体の製造方法
JP2023538717A (ja) マイクロ構造および/またはナノ構造を作製する方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed