SE461491B - Monolitisk optokopplare - Google Patents

Monolitisk optokopplare

Info

Publication number
SE461491B
SE461491B SE8704822A SE8704822A SE461491B SE 461491 B SE461491 B SE 461491B SE 8704822 A SE8704822 A SE 8704822A SE 8704822 A SE8704822 A SE 8704822A SE 461491 B SE461491 B SE 461491B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
substrate
components
layer
layers
component
Prior art date
Application number
SE8704822A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8704822D0 (sv
SE8704822L (sv
Inventor
S Goeransson
T Hidman
Original Assignee
Asea Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Ab filed Critical Asea Ab
Priority to SE8704822A priority Critical patent/SE461491B/sv
Publication of SE8704822D0 publication Critical patent/SE8704822D0/sv
Priority to EP88119766A priority patent/EP0318883B1/en
Priority to AT88119766T priority patent/ATE74230T1/de
Priority to DE8888119766T priority patent/DE3869566D1/de
Priority to JP63305103A priority patent/JPH01196183A/ja
Priority to US07/278,895 priority patent/US4933561A/en
Publication of SE8704822L publication Critical patent/SE8704822L/sv
Publication of SE461491B publication Critical patent/SE461491B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
    • H04B10/802—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections for isolation, e.g. using optocouplers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

461 491 Ofta krävs det att en optokopplare har små dimensioner, och den kan då lämpligen vara utförd i integrerad-kretsteknik som en s k monolitisk opto- kopplare. De båda elektrooptiska komponenterna är då anordnade på ett gemensamt substrat. På substratet utbildas vid tillverkningen med hjälp av t ex vätskefasepitaxi eller kemisk deposition ur gasfas (CVD) successivt de skikt som tillsammans bildar de båda komponenterna.
Substratet kan utgöras av en god isolator, t ex safir, eller - vilket har visat sig ha flera fördelar - av e't s k semiisolerande material, och då företrädesvis av samma typ, t ex galliumarsenid, som det material de båda komponenterna utgörs av. Ett semiisolerande material kan ha en resistivitet inom området 106-1012 ohmcm.
Optokopplare av detta slag är tidigare kända genom t ex USA-patentskriften 4 212 020 och PCT-ansökningen med publiceringsnummer WO 85/04491.
Vid monolitiska optokopplare kan på känt sätt den optiska strålningen överföras på olika sätt från den sändande till den mottagande komponenten.
Speglande eller totalreflekterande organ kan anordnas så att största möj- liga del av sändarens strålning när mottagaren. Alternativt kan ett trans- parent och som vågledare tjänande skikt anordnas mellan de båda komponen- terna. Enligt ett ytterligare alternativ kan substratet utformas som och användas som vågledare för den optiska strålningen.
Det har visat sig att vid monolitiska optokopplare störningar kan fort- planta sig mellan de båda till optokopplaren anslutna elektriska kret- sarna.
REnoGönELsE FÖR UPPFINNINGEN Uppfinningen avser att åstadkomma en monolitisk optokopplare av inled- ningsvis angivet slag, vid vilken en kraftig reduktion erhålles av de ovan nämnda störningarna.
Vad som kännetecknar en optokopplare enligt uppfinningen framgår av bifo- gade patentkrav.
Vid en optokopplare enligt uppfinningen kan en effektiv skärmning mot störningar erhållas utan att några extra processteg krävs vid tillverk- 3 461 491 ningen, eller med ett minimum av sådana processteg. En effektiv skärmning kan erhållas både av kapacitivt och resistivt överförda störningar.
FIGURBESKRIVNING Uppfinningen skall i det följande närmare beskrivas i anslutning till bifogade figurer 1-6. Fig 1 visar principen för en i och för sig känd optokopplare. Fig la visar själva optokopplaren och fig lb dess inkopp- ling mellan två elektriska kretsar. Fig 2-6 visar utföringsformer av opto- kopplare enligt uppfinningen. Fig 2 visar hur skärmen enligt uppfinningen kan utgöras av ett på substratets yta anordnat metallskikt. Fig 3 visar hur med hjälp av ett dike i substratet såväl resistiv som kapacitiv skärm- ning kan erhållas. Fig 4 och fig 5 visar utföringsformer där en skärm är uppbyggd av samma typ av halvledande skikt som de båda optiska komponen- terna. Fig 6 visar hur enligt en ytterligare variant av uppfinningen en skärmning erhålles med hjälp av backförspända pn-övergångar mellan opto- komponenterna och substratet.
BESKRIVNING Av UTFöRINGsExEMPEL Fig la visar en optokopplare av tidigare känt slag. Komponenten har ett substrat 1 som bär upp de båda optokomponenterna A och B. Substratet kan lämpligen utgöras av en tunn skiva av ett halvisolerande (semiisolerande) material, exempelvis galliumarsenid. Ett substrat av detta material kan ha en ledningsförmåga inom intervallet 106-1012 ohmcm, exempelvis 1010 ohmcm.
På substratet är de två från varandra skilda optokomponenterna A och B utbildade. Detta kan göras på i och för sig känt sätt genom t ex epitak- tisk odling från vätskefas eller kemisk deposition ur gasfas (CVD) av materialet i de tre skikt som bildar varje optokomponent. Materialet ut- görs exempelvis av aluminiumdopad galliumarsenid. Komponenten A består av två p-ledande skikt A1 och A2 samt ett n-ledande skikt A3. För att ge god kontakt är de båda sistnämnda skikten försedda med metalliseringar A4 och A5, till vilka anslutningsledningar A6 och A7 är fastsatta. Komponenten A kan drivas antingen som en strålningsemitterande lysdiod eller som en strålningsdetekterande fotodiod. I förstnämnda fallet drives en ström i ledriktningen genom den diod som bildas av skikten A2 och A3, varvid optisk strålning emitteras från området vid pn-övergången mellan dessa båda skikt. I det sistnämnda fallet förspänns den nyssnämnda dioden i 461 491 W " spärriktningen och den i spärriktningen flytande ström som genereras av infallande optisk strålning detekteras med hjälp av lämpliga icke visade kretsar.
Komponenten B kan vara identisk med komponenten A. Var och en av de båda komponenterna kan alltså arbeta valfritt som strålningssändare eller som strålningsdetektor. Beroende på avsedd tillämpning kan därvid signalöver- föringen vara enkelriktad, varvid alltid ett och samma element tjänstgör som strålningssändare och det andra elementet alltid som strålningsdetek- tor, eller också dubbelriktad, i vilket fall varje komponent växelvis tjänstgör som sändare och detektor för optisk strålning.
Strålningen kan överföras från den sändande komponenten till den mot- tagande komponenten på flera sätt. Den kan exempelvis ske på det i fig la visade sättet. där substratet 1 används som vågledare för överföring av strålning mellan komponenterna. Alternativt kan någon form av speglande organ anordnas ovanför komponenterna och utformas på sådant sätt att så stor del som möjligt av den från det sändande elementet utsända strål- ningen reflekteras mot den mottagande komponenten. Ett sådant speglande organ kan exempelvis utgöras av en på substratet anbringad och de båda komponenterna inneslutande approximativt halvsfärisk kropp, vars sfäriska yta reflekterar strålarna antingen på grund av totalreflektion eller genom att ytan försetts med en speglande beläggning.
Självfallet kan andra material användas såväl för substratet som för de båda optokomponenterna. Substratet kan exempelvis alternativt utgöras av en isolator, t ex safir.
Fig lb visar schematiskt hur optokopplaren enligt fig la används för sammankoppling av två elektriska kretsar 2 och 3. Optokopplaren betecknas i fig lb med OC. Liksom i fig 1a antas att A är den sändande och B den mottagande komponenten. Kretsen 2 driver då en ström i ledriktningen genom komponenten A, varvid strömmen och därvid den av A utsända strålningen är modulerad med den information som önskas överförd till kretsen 3. Denna strålning detekteras av den i backriktningen förspända komponenten B och med hjälp av i och för sig kända i kretsen 3 ingående detekteringskretsar.
Som tidigare nämnts kan elektriska störningar överföras mellan kretsarna 2 och 3 via optokopplaren. Detta kan ske såväl på kapacitiv väg som på 461 491 resistiv väg. En viss läckkapacitans finns nämligen mellan optokopplarens båda komponenter A och B, dels genom luften mellan de båda komponenterna och dels genom substratet 1. I det fall substratet är halvisolerande kan störningar överföras på resistiv väg mellan komponenterna genom en genom substratet flytande ström. Då detekteringskretsarna i anordningar av detta slag ofta måste vara mycket känsliga kan dessa störningar orsaka allvar- liga problem. Eftersom de båda komponenterna A och B är integrerade i en och samma enhet, och eftersom en sådan enhet av aktuellt slag kan ha mycket små dimensioner är det svårt eller omöjligt att på konventionellt sätt genom skärmning eliminera de olägenheter som störningarna orsakar.
Fig 2 visar ett exempel på en optokopplare enligt uppfinningen. Den skil- jer sig från den i fig 1 visade optokopplaren genom att ett metallskikt 4 är anbringat på substratets 1 yta och via en ledare 5 förbundet med en jordanslutning 6. Metallskiktet 4 är utfört med samma teknik som den som används för framställning av de båda optokomponenterna, dvs metallskiktet kan utbildas vid samma framställningssteg som det vid vilket metallskikten A4. A5, B4 och B5 framställes. Att framställa en optokopplare enligt upp- finningen innebär således ingen nämnvärd komplikation relativt framstäl- landet av en tidigare känd optokopplare.
Metallskiktet 4 har två funktioner. Dels fångar det effektivt upp even- tuella mellan de båda komponenterna A och B genom substratet flytande störströmmar. Dels tjänstgör skiktet 4 som en skärm som kraftigt reducerar de på kapacitiv väg genom luften och genom substratet mellan de båda kom- ponenterna överförda störsignalerna.
Det är fördelaktigt och lämpligt att, som visats i fig 2, jorda metall- skiktet 4, även om jordningen i vissa fall kan utelämnas.
Beroende på tillämpningen kan en eller flera skärmar placeras mellan optokomponenterna. Placeringen av en skärm kan vara symmetrisk eller osymmetrisk beroende på störningsbiloen.
Fig 3 visar en alternativ utföringsform av en optokopplare enligt uppfin- ningen. Den skiljer sig från den i fig 2 visade optokopplaren genom att i substratet 1 ett tvärs över substratet mellan de båda optokomponenterna löpande dike 7 är upptaget, t ex genom etsning. Dikets väggar är försedda med ett som skärm verkande metallskikt 8, vilket på samma sätt som skiktet 461 491 6 4 i fig 2 är anslutet till en jordpunkt 6 med hjälp av en jordledare 5.
Eftersom etsning och metallisering är förfarandesteg som normalt ingår i framställningen av optokopplarens båda komponenter medför inte heller denna utföringsform någon nämnvärd komplikation vid eller fördyring av optokopplarens framställning. Om diket 7 görs djupt i förhållande till substratets 1 tjocklek medför diket en effektiv spärr mot resistiv över- föring av störningar genom substratet, och detta även i det fall då metallskiktet 8 icke är jordat. I det fall substratet används som våg- ledare mellan de båda komponenterna utgör emellertid ett djupt dike ett hinder för transmissionen av strålningen. Denna olägenhet kan dock reduce- ras eller elimineras genom att t ex metallskiktet 8 utföres så tunt att det blir strålningsgenomsläppligt eller genom att skiktet 8 utformas som ett nät, galler eller liknande. Som komplement till eller alternativ till metallskiktet 8 kan diket 7 helt eller delvis utfyllas med ett optiskt transparent material, exempelvis ett högdopat och därmed elektriskt väl- ledande material av samma slag eller typ som substratmaterialet.
Fig 4 visar en ytterligare variant av en optokopplare enligt uppfinningen.
Det skärmande organet utgörs i detta fall av den halvledarkropp som bildas av de tre skikten 11, 12 och 13 och som är anbringad på substratet 1 mel- lan de båda optokomponenterna A och B. Skiktet 11 kan vid framställningen lämpligen utbildas samtidigt med skikten Al och B1, skiktet 12 samtidigt med skikten A2 och B2 och skiktet 13 samtidigt med skikten A3 och B3. Det kan därvid eventuellt vara fördelaktigt att vid var och en av de tillverk- ningssteg som ger dessa tre skikt deponera skikten över hela substratets yta. När de tre skikten deponerats kan exempelvis genom etsning de över- flödiga delarna av skikten, dvs delarna mellan skärmorganet och de båda optokomponenterna, avlägsnas. Även i detta fall kan skärmen vara såväl jordad som ojordad, varvid givetvis normalt den bästa skärmningseffekten erhålles i det fall skärmen är jordad. Om skärmen ej jordas kan metall- skiktet 15 utelämnas.
Vid den i fig 4 visade utföringsformen är jordningen gjord genom att skik- tet 13 är anslutet till jord. Alternativt kan givetvis som komplettering eller som alternativ skiktet 12 eller skiktet 11 jordas. Fig 5 visar ett tredje alternativ, där metallskiktet 15 är deponerat så att det täcker hela den skärmande halvledarkroppen 11-12-13 och eventuellt även angräns- ande del av substratets 1 yta. 1 461 491 Fig 6 visar en ytterligare alternativ utföringsform av en optokopplare enligt uppfinningen. Komponenten A är här för enkelhets skull visad som den av skikten A2 och A3 bildade lys- eller fotodioden. Självfallet kan komponenten på känt sätt innehålla ytterligare skikt, exempelvis ett ytterligare p-skikt av det slag som visas i figurerna 1-5. Mellan kompo- nenten och substratet 1 är ett n-ledande skikt A8 och ett p-ledande skikt A9 anordnade. Detta är gjort på sådant sätt att det mellan komponentens aktiva del - pn-övergången mellan skikten A2 och A3 - och substratet bildas två med varandra seriekopplade och motvända pn-övergångar. Skikten A8 och A9 kan lämpligen utgöras av material av samma slag eller typ som materialet i optokomponenterna och framställas med hjälp av samma slag av framställningssteg som de som används för optokomponenterna.
Som tidigare nämnts kan en elektrisk störning överföras mellan de båda komponenterna på resistiv väg genom en genom substratet mellan de båda komponenterna flytande ström. Vid optokoplaren enligt fig 6 blir i denna strömbana och mellan de båda komponenterna de pn-övergångar anordnade som bildas av skikten A2-A8-A9. Oberoende av polariteten hos en uppträdande störspänning kommer alltid den ena av dessa pn-övergångar att vara för- spänd i backriktningen och därmed effektivt spärra för ett resistivt överförande av störningen.
Lämpligen jordas skärmorganen enligt fig 6 genom att skiktet A9 med hjälp av ett metallskikt A10 och en jordledare 5 förbindes med en jordpunkt 6.
Härigenom erhålles även en reduktion av kapacitivt överförda störningar.
Den sistnämnda fördelaktiga effekten kan ökas genom att skiktet A9 för- länges i riktning mot komponenten B, och då lämpligen även metallkontakten A10.
Vid den i fig 6 visade utföringsformen kommer det oberoende av polaritet hos uppträdande störspänningar och andra spänningar alltid att befinna sig en backspänd pn-övergång mellan komponenten A och substratet. Den visade komponenten kan användas såväl för enkelriktad som för dubbelriktad över- föring och för godtyckliga potentialer och nivåer hos matnings- och signalspänningar. Eventuellt kan extra skikt anordnas under komponenten B på samma sätt som under komponenten A så att även komponenten B under drift separeras från substratet med hjälp av en backförspänd pn-övergång.
Jordning av ett av skikten kan då göras på samma sätt som vid komponenten A, varvid givetvis jordningen vid var och en av komponenterna görs till jordplanet på respektive sida.

Claims (8)

461 491 s PATENTKRAV
1. Monolitisk optokopplare med ett isolerande substrat (1) och med två från varandra skilda på substratet i integrerat utförande utbildade opto- komponenter (A, B), av vilka åtminstone en är anordnad för utsändande av optisk strålning mot den andra komponenten och åtminstone en av komponen- terna är anordnad för mottagande av från den andra komponenten utsänd strålning, k ä n n e t e c k n a d därav, att för avledning av elektriska störningar ett i integrerat utförande utbildat elektriskt ledande skikt (4, 8) är anordnat på substratets yta mellan de båda komponenterna och försett med anslutningsorgan (5, 15) för jordning av skiktet.
2. Monolitisk optokopplare enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att skiktet (8) är utbildat på minst en vägg hos ett i substratet anordnat dike (7) .
3. Monolitisk optokopplare enligt patentkrav 2 vid vilken substratet (1) är anordnat att leda optisk strålning mellan komponenterna, k ä n n e - t e c k n a d därav, att skiktet (8) är utformat så att det är åtminstone delvis genomsläppligt för den optiska strålningen.
4. Honolitisk optokopplare enligt något av patentkraven 1-3, k ä n n e- t e c k n a d därav, att skiktet är ett metallskikt.
5. Monolitisk optokopplare enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att skiktet (11, 12, 13) utgörs av sama material som materialet i de båda optokomponenterna och är utbildat i samma teknik som dessa.
6. Monolitisk optokopplare enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d därav, att den innefattar två mellan den aktiva pn-övergången hos en komponent (t ex A) och substratet (1) belägna skikt (A8, A9) av halvledande material, vilka är av motsatta ledningstyper och så anordnade att en vid drift av optokopplaren backförspänd pn-övergång utbildas mellan skikten. 'z 4 143 461 e11
7. Monolitisk optokopplare enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d därav, att mellan komponentens aktiva övergång och substratet tre skikt (A2, A8, A9) av växelvis motsatta ledningstyper är anordnade.
8. Monolitisk optokopplare enligt patentkrav 7, k ä n n e t e c k n a d därav, att det av de tre skikten (A9) sam är anordnat närmast substratet är försett med anslutningsørgan (A10, 5) för jordning av skiktet.
SE8704822A 1987-12-02 1987-12-02 Monolitisk optokopplare SE461491B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8704822A SE461491B (sv) 1987-12-02 1987-12-02 Monolitisk optokopplare
EP88119766A EP0318883B1 (en) 1987-12-02 1988-11-26 Monolithic optocoupler
AT88119766T ATE74230T1 (de) 1987-12-02 1988-11-26 Monolithischer optokoppler.
DE8888119766T DE3869566D1 (de) 1987-12-02 1988-11-26 Monolithischer optokoppler.
JP63305103A JPH01196183A (ja) 1987-12-02 1988-12-01 モノリシック光結合器
US07/278,895 US4933561A (en) 1987-12-02 1988-12-02 Monolithic optocoupler with electrically conducting layer for diverting interference

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8704822A SE461491B (sv) 1987-12-02 1987-12-02 Monolitisk optokopplare

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE8704822D0 SE8704822D0 (sv) 1987-12-02
SE8704822L SE8704822L (sv) 1989-06-03
SE461491B true SE461491B (sv) 1990-02-19

Family

ID=20370479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8704822A SE461491B (sv) 1987-12-02 1987-12-02 Monolitisk optokopplare

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4933561A (sv)
EP (1) EP0318883B1 (sv)
JP (1) JPH01196183A (sv)
AT (1) ATE74230T1 (sv)
DE (1) DE3869566D1 (sv)
SE (1) SE461491B (sv)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5357122A (en) * 1991-09-05 1994-10-18 Sony Corporation Three-dimensional optical-electronic integrated circuit device with raised sections
SE469204B (sv) * 1991-10-01 1993-05-24 Asea Brown Boveri Monolitisk optokopplare
US5237434A (en) * 1991-11-05 1993-08-17 Mcnc Microelectronic module having optical and electrical interconnects
JP2513976B2 (ja) * 1991-12-13 1996-07-10 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 複数の球状部品の被覆方法
US5285078A (en) * 1992-01-24 1994-02-08 Nippon Steel Corporation Light emitting element with employment of porous silicon and optical device utilizing light emitting element
US5321294A (en) * 1992-08-31 1994-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Shift register having optically bistable elements coupled by an optical waveguide layer
JPH0715030A (ja) * 1993-06-07 1995-01-17 Motorola Inc 線形集積光結合素子およびその製造方法
US5438210A (en) * 1993-10-22 1995-08-01 Worley; Eugene R. Optical isolation connections using integrated circuit techniques
ES2102937B1 (es) * 1994-03-07 1998-04-01 Telefonica Nacional Espana Co Circuito transmisor-receptor.
JP3505488B2 (ja) * 1999-10-12 2004-03-08 古河電気工業株式会社 光モジュール
DE60206132T2 (de) * 2002-01-31 2006-06-22 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren und Einrichtung zur hervorragenden galvanischen Isolierung zwischen zwei Niederspannungsschaltungen in einer intergrierten Opto-Isolator-Einrichtung
JP4553026B2 (ja) * 2008-03-27 2010-09-29 富士ゼロックス株式会社 光伝送装置
WO2017197576A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 The University Of Hong Kong Light-emitting diodes (leds) with monolithically-integrated photodetectors for in situ real-time intensity monitoring

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436548A (en) * 1964-06-29 1969-04-01 Texas Instruments Inc Combination p-n junction light emitter and photocell having electrostatic shielding
DE1614865A1 (de) * 1967-09-27 1970-12-23 Telefunken Patent Optoelektronische Halbleiteranordnung
US3748480A (en) * 1970-11-02 1973-07-24 Motorola Inc Monolithic coupling device including light emitter and light sensor
US3818451A (en) * 1972-03-15 1974-06-18 Motorola Inc Light-emitting and light-receiving logic array
US3881113A (en) * 1973-12-26 1975-04-29 Ibm Integrated optically coupled light emitter and sensor
JPS5250184A (en) * 1975-10-20 1977-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photo coupler
US4021834A (en) * 1975-12-31 1977-05-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Radiation-resistant integrated optical signal communicating device
US4112308A (en) * 1976-03-29 1978-09-05 Burr-Brown Research Corporation Optical coupling system
US4104533A (en) * 1977-02-28 1978-08-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband optical isolator
US4212020A (en) * 1978-07-21 1980-07-08 California Institute Of Technology Solid state electro-optical devices on a semi-insulating substrate
US4274104A (en) * 1979-05-21 1981-06-16 International Business Machines Corporation Electrooptical integrated circuit communication
JPS56131973A (en) * 1980-03-19 1981-10-15 Matsushita Electronics Corp Luminiscent device
JPS5967671A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Nec Corp 発光受光素子
JPS59180514A (ja) * 1983-03-31 1984-10-13 Toshiba Corp 光受信モジユ−ル
FR2562328B1 (fr) * 1984-03-30 1987-11-27 Menigaux Louis Procede de fabrication d'un dispositif optique integre monolithique comprenant un laser a semi-conducteur et dispositif obtenu par ce procede
JPS61159776A (ja) * 1985-01-04 1986-07-19 Oki Electric Ind Co Ltd 光制御非直線素子
JPS6223181A (ja) * 1985-07-23 1987-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光集積化素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP0318883A1 (en) 1989-06-07
SE8704822D0 (sv) 1987-12-02
ATE74230T1 (de) 1992-04-15
EP0318883B1 (en) 1992-03-25
JPH01196183A (ja) 1989-08-07
US4933561A (en) 1990-06-12
DE3869566D1 (de) 1992-04-30
SE8704822L (sv) 1989-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6259085B1 (en) Fully depleted back illuminated CCD
US4766471A (en) Thin film electro-optical devices
SE461491B (sv) Monolitisk optokopplare
US4908718A (en) Image reading apparatus having a light shielding layer arranged on the sides of the substrate and protective layers of a photo sensor
EP0056084A1 (en) Electrostatically deformographic switches
US7692258B2 (en) Photosensitive device
CA1086411A (en) Phototransistor
KR860009498A (ko) 반도체 장치
US3473032A (en) Photoelectric surface induced p-n junction device
US5451769A (en) Circular electrode geometry metal-semiconductor-metal photodetectors
US4216486A (en) Light emitting and light detecting semiconductor device for interfacing with an optical fiber
US5777352A (en) Photodetector structure
KR910007407B1 (ko) Ccd 시프트레지스터를 사용한 병렬-직렬 변환기
JPS6386973A (ja) 露光ブロツキング素子をもつ感光ピクセル
US4189753A (en) Document scanning head
EP0094972B1 (en) Photocoupler
US4494132A (en) Semiconductor opto-electronic switch
US4903103A (en) Semiconductor photodiode device
SE443245B (sv) Vetskekristall-ljusventil
JP2712836B2 (ja) 光子誘導可変容量効果素子
US20030042405A1 (en) Photo detector methods to reduce the disabling effects of displacement current in opto-couplers
USRE31255E (en) Light emitting and light detecting semiconductor device for interfacing with an optical fiber
US4085348A (en) Electroacoustic device for reading an optical image in two dimensions
JP2859649B2 (ja) 発光・受光モジュール
USRE27775E (en) Photoelectric induced i -n junction devices

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 8704822-9

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8704822-9

Format of ref document f/p: F