SE433788B - Anordning innefattande ett skikt av direktgaphalvledarmaterial av p-typ i intim kontakt med ett elektriskt hoggradigt ledande, genomsynligt material - Google Patents
Anordning innefattande ett skikt av direktgaphalvledarmaterial av p-typ i intim kontakt med ett elektriskt hoggradigt ledande, genomsynligt materialInfo
- Publication number
- SE433788B SE433788B SE7801408A SE7801408A SE433788B SE 433788 B SE433788 B SE 433788B SE 7801408 A SE7801408 A SE 7801408A SE 7801408 A SE7801408 A SE 7801408A SE 433788 B SE433788 B SE 433788B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- layer
- inp
- highly conductive
- indium
- polycrystalline
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 17
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims description 5
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 6
- 108010067445 RA V Proteins 0.000 claims 1
- TUBWTFZPLDUNIL-HJJYVODLSA-N tpc-a Chemical compound O.O.O.O.O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O TUBWTFZPLDUNIL-HJJYVODLSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001537210 Perna Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQMUOFGWJSNFPX-UHFFFAOYSA-N [O].[Sn].[Sn] Chemical compound [O].[Sn].[Sn] CQMUOFGWJSNFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000003679 cervix uteri Anatomy 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/118—Oxide films
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
7801408-1 10 15 20 25 30 35 40 2 kommersiell skala. Indium-tennoxid har exempelvis avsatts pĂ„ en mĂ„ngfald olika sĂ€tt (för Ă„skĂ„dlighets skull se Fraser, D B, Proceedings of IEEE, 61, 1013-1018, (1973) förstoftning; Groth, R och Kaver, E, Phillips Technical Review, 26, 105 (1965) pyrolys; och Kawe, J och medarbetare, Thin Solid Films, 29, 155-163 (1975) kemisk Ă„ngavsĂ€ttnĂng).
Trots fördelarna med anvĂ€ndningen av ett höggradigt ledande fönsterskĂkt finnes ofta motverkande olĂ€genheter. GrĂ€nsskiktet mellan ett höggradigt ledande skikt och ett mindre ledande halv- ledarskikt bildar exempelvis vanligen ett spĂ€rrskikt av Schottky- typ. SĂ„dana spĂ€rranordningar har ofta lĂ€gre verkningsgrader Ă€n de som erhĂ„lles med typiska heteroövergĂ ngshalvledaranordningar.
SvÄrigheten att framstÀlla en polykristallin anordning i form av tunn film, dvs en anordning med ett polykristallint, aktivt halv- ledaromrùde, med ett höggradigt ledande fönsteromrÄde Àr Àven ett betydande problem. Fönstret mÀste vara tillrÀckligt tunt för att överföra en betydande andel, t ex Ätminstone 50 % av infallande solenergi. För höggradigt ledande material, sÄsom metaller, styr denna fordran ofta en fönsterskiktstjocklek av mindre Àn 15 nm.
NÀr sÄdana tunna skikt Àr avsatta pÄ den relativt oregelbundna ytan pÄ det tunna, polykristallina, aktiva halvledarskiktet, kan emellertid en kontinuerlig belÀggning vanligen icke erhÄllas.
Dessa belÀggningsdiskontinuiteter gör framstÀllningen av anvÀnd- bara polykristallina anordningar i form av tunn film med höggra- digt ledande fönsteromrÄden opraktisk.
En anordning med ett höggradigt ledande fönsteromrĂ„de och ett aktivt enkristallomrĂ„de med en godtagbar effektöverförings- verkningsgrad Ă€r dĂ€rför en önskvĂ€rd enhet. En sĂ„dan anordning Ă€r speciellt fördelaktig, om den polykristallina utföringsformen, dvs anordningen med ett höggradigt ledande fönsteromrĂ„de och ett polykristallĂnt, aktivt halvledaromrĂ„de, Ă€r verksam.
En anordning enligt uppfinningen, som framstĂ€llts av ett enkristallomrĂąde i indiumfosfid av p-typ i kontakt med ett trans- parent, höggradigt ledande omrĂ„de av en metalloxid, som bildats av indiumoxid eller en indium-tennoxidkomposition, ger en effekt- övcrförĂngsverknĂngsgrad av upp till cirka 12,5 %. Motsvarande anordning med ett polykristallint tunnfilmsskĂkt av InP Ă€r Ă€ven anvĂ€ndbart och har en solöverföringsverkningsgrad av cirka 2 % med en antireflektionsbelĂ€ggning. Föreliggande anordningar har framstĂ€llts genom konventionell teknik, sĂ„som katodförstoftnings- 10 15 20 25 30 35 40 3 avsĂ€ttning, som har anvĂ€nts för kommersiell framstĂ€llning av elektroniska anordningar. Föreliggande anordningar har inne- boende betydande fördelar förbundna med sitt slag utan de van- liga olĂ€genheterna.
Olika kristallina former av indiumfosfid Ă€r anvĂ€ndbara för föreliggande anordningar. Dessa former innefattar exempelvis en enkristall av InP, en polykristallin indiumfosfidbricka, med polykristallint tunnfilmsskikt av indiumfosfid avsatt pĂ„ en bĂ€ra- re och ett epitaxialt skikt av enkristall-InP pĂ„ en bĂ€rare. Det Ă€r möjligt att framstĂ€lla var och en av de sĂ„som exempel angivna formerna genom kĂ€nd teknik. Dessa kristallina former framstĂ€lles exempelvis genom inkapslad vĂ€tskedragningsteknik enligt Czochralski, en gradientfrysningsmetod, ett kemiskt Ă„ngavsĂ€tt- ningsförfarande (CVD) med transport av H2/HCl resp ett epitaxialt VĂ€tSk6fasförfarande (LPE). BĂ€rarkoncentrationen i lnP-materialet MajoritetsbĂ€rarkoncentrationerna i ett inter- och 1019cm_3 Ă€r pĂ„ ett typiskt sĂ€tt godtagbara. Ă€r icke kritisk. vall mellan 1016 Tjockleken hos InP-skiktet varierar med den speciella utförings- Uverdrivet tjocka skikt Ă„stadkommer olĂ€mpligt material- InP bör emellertid vara tillrĂ€ckligt tjockt för att för- formen. slöseri. hindra upptrĂ€dande av högskiktsresistanser och överdrivna trans- missionsförluster. Inom dessa grĂ€nser sĂ€ttes ibland begrĂ€nsning- ar av sjĂ€lva tillverkningsförfarandet, t ex Ă€r det olĂ€mpligt att skĂ€ra tunnare enkristallbrĂckor Ă€n 0,2 mm. Enkristallbrickor i tjockleksintervallet cirka 0,3-0,5 mm, polykrĂstallina brickor i intervallet cirka 0,3-0,5 mm, polykristallina tunnfilmer i inter- vallet cirka 5-50 pm och epitaxiala enkristallskikt i intervallet cirka 2-Z0 pm Ă€r pĂ„ ett typiskt sĂ€tt lĂ€mpliga, men, sĂ„som angi- vits, kan andra vĂ€rden vara önskvĂ€rda ander andra omstĂ€ndigheter.
I de flesta fall Ästadkommes en elektrisk kontakt med en av indiumfosfidomrÄdets huvudytor, innan metalloxidfönstret avsÀttes Detta Àr ett försiktighetsmÄtt, eftersom mÄnga av de vanliga kontaktmatcrialen, t ex en_Au/Zn- pÄ den motsatta sidan av InP. legering, mÄste sintras vid relativt hög temperatur (cirka 400°C), vilket inför möjligheten till nedbrytning av metalloxiden. Den yta pÄ InP-skiktet, pÀ vilken fönsteromrÄdet skall avsÀttas, ren- göres Àven i allmÀnhet före avsÀttningen av fönstret för förhind- rande av olÀmplig förorening i grÀnsytan. Konventionella rengö- ringsmetoder anvÀndes, sÄsom behandling med lÀmpliga lösningsmedel.
Metalloxidskiktet avsĂ€ttes pĂ„ InP-omrĂ„det genom sĂ„dan tek- 7801408-1 7801408-1 10 '15 20 25 30 40 *procent tennoxid), Ă€r icke vĂ€sentligen-fördelaktiga. 4 nik, sĂ„som jonstrĂąleförstoftningsavsĂ€ttnĂng eller RF-förstoft- ning. Vid temperaturer av mer Ă€n eller cirka SOOOC i vakuum, nedbrytes ytan av InP. JonstrĂ„leförstoftningsavsĂ€ttningsteknik Ă€r lĂ€mplig, emedan det under avsĂ€ttningen Ă€r möjligt att hĂ„lla InP vid temperaturer som Ă€r vĂ€sentligt under denna nedbrytnings- grĂ€ns. NĂ€r InP hĂąlles vid rumstemperatur under jonstrĂ„leavsĂ€tt- ningen, bildas ett amorft (icke skönjbara röntgendĂffraktions- toppar) metalloxĂdskikt. Vid förhöjda temperaturer, t ex cirka ZSOOC, bildas en polykristallin film. vilken övergĂ„ngen frĂ„n amorf till polykristallin intrĂ€der, kan Den kristal- Den exakta temperatur, vid lĂ€tt bestĂ€mmas för de speciella arbetsbetingelserna. lina naturen pĂ„verkar anordningens elektriska egenskaper. Anord- ningar framstĂ€llda genom Ar+-jonstrĂ„leförstoftningsavsĂ€ttning och vilka har polykristallina metalloxidskikt visar sig exempelvis i allmĂ€nhet ha bĂ€ttre skiktresistans och högre fyllningsfaktorer Ă€n motsvarande amorfa skikt.
SÄsom metalloxid anvÀndbara material Àr indiumoxid eller en indium-tennoxidkomposition. Dessa indium-tennoxidkompositionen Àr kemiska kombinationer av oxiderna av indium och tenn. SÄdana kom- positioner definieras av procenthalten indiumoxid och tennoxid, som svarar för den kvantitativa uppbyggnaden av kompositionen.
AnvÀndningen av sÄdana kvantitativa uttryck antyder emellertid icke, att indiumoxid och tennoxid förefinnes sÄsom skilda enheter i kompositionen.
Anordningens verkningsgrad beror pĂ„ den speciella samman- sĂ€ttningen av metalloxidfönsterskikten. Uverföringsverknings- graderna hos anordningar, framstĂ€llda med ett indium-tennoxid- skikt med mindre indiumoxidhalt Ă€n 20.molprocent (mer Ă€n 80 mol- Anordning- arna framstĂ€lles företrĂ€desvis med indium-tennoxidskikt med en indiumoxidhalt av minst S0 molprocent. Det Ă€r lĂ€mpligast att föreliggande anordningar har ett indium-tennoxidskikt med en indiumoxidhalt av minst 80 molprocent. En indiumoxidbelĂ€ggning pĂ„ ett enkristallomrĂ de av InP, som avsatts genom jonstrĂ„leför- stoftnĂng och som provades under simulerade betingelser genom be- strĂ„lning med en volfram-halogenlampa genom ett Schott-filter KG1 (betecknat betingelser AM2), visade exempelvis en effektöverfö- ringsverkningsgrad av cirka 7,6 %. I en lĂ€mplig utföringsform, nĂ€r ett mĂ„l av 90 % indiumoxid och 10 % tennoxĂd anvĂ€ndes för Ar+-jonstrĂąleförstoftningsavsĂ€ttnĂng pĂ„ ytan (100) av en enkris- 10 15 20 25 30 35 40 7801408-1 5 tall av indiumfosfid, som hölls vid rumstemperatur, uppmĂ€ttes en överföringsverkningsgrad av 12,5 % under simulerade betingelser AM2. spĂ€nning anbringades.
AnordnĂngen emitterade Ă€ven i synligt omrĂ„de, nĂ€r en för- (Indium- och tennoxĂdhalten i det pĂ„ sĂ„ sĂ€tt framstĂ€llda amorfa indĂum-tennskiktet bestĂ€mdes genom rönt- genstrĂąlefluorescens och var inom försöksfel desamma som för- stoftningsmĂąlet).
För uppnĂąende av rimliga verkningsgrader, nĂ€r anordningen arbetar sĂ„som solcell, Ă€r det önskvĂ€rt att det slutliga metall- oxidskĂktet har en skiktresistans under cirka 100L2/kvadrat och BĂ„de skikt- resistans och transmittans varierar med skikttjockleken. Metall- oxidskikt mellan cirka 100 nm och 5 pm i tjocklek tillfredsstĂ€l- ler i allmĂ€nhet angivna fordringar pĂ„ skikten med resistivitet i Transmittans och konduktivitetsegenska~ en optisk transmittans för solljuset av minst 60 %. omrĂądet av 10-3 ohm-cm. perna hos indĂum-tennoxidfilmer har publicerats (se Fraser, D B, Journal Electrochemical Society, 112, 1368 (1972)). den kan anvĂ€ndas sĂ„som hjĂ€lp vid bestĂ€mmandet av ungefĂ€rlig skikt- tjocklek. Om anordningen skall anvĂ€ndas sĂ„som ljusavgivare genom anbrĂngande av en spĂ€nning, Ă€r fordringarna mindre strĂ€nga och be- ror pĂ„ den slutliga anvĂ€ndningen. Elektrisk kontak* med metall- oxidskĂktet Ă„stadkommes genom konventionella metoder, sĂ„som genom SĂ„dana vĂ€r- termisk avdunstning av metallremsor, sĂ„som aluminium, pĂ„ en sida av den exponerade ytan. Den speciella kontaktmetoden Ă€r icke alls kritisk. med föreliggande anordningar.
Denna icke-krĂticitet Ă€r i verkligheten en av fördelarna Uppfinningen ĂąskĂ„dliggöres nĂ€rmare i följande exempel, som visar betingelserna som anvĂ€ndes för framstĂ€llning av typiska ut- föringsformer enligt uppfinningen.
En zinkdopad kristall av InP med en bĂ€rarkoncentra- EĆĄempel 1. ' -3 tion av cirka 1017cm framstĂ€lldes genom dragteknik enligt Czochralski. Kristallen orienterades dĂ€refter parallellt med planet (100) genom röntgen enligt Laue. fördes med en strĂ€ngsĂ„g parallellt med detta plan. tjockleken cirka 0,6 mm erhölls genom skĂ€rning parallellt med refe- BrĂckorna polerades med ett 0,3 pm En referensskĂ€rning ut- Brickor med rensytan med en diamantsĂ„g. sllpmcdol och Syton-polerades dĂ€refter ("Syton" Ă€r en alkalĂsk, kolloidal suspension av SiO2, som Ă€r anvĂ€ndbar sĂ„som polermedel).
Bricktjockleken efter denna behandling var pĂ„ ett typiskt sĂ€tt 0,5 mm. BrĂckorna rengjordes dĂ€refter i ett ultraljudbad av metanol, 7801408-1 s varefter tvĂ€ttades i följd med kloroform, aceton och metanol.
InP-brickan placerades dĂ€refter med en av huvudytorna (100) exponerad i avsĂ€ttningslĂ€ge i en jonförstoftningsanordning för- sedd med en modifierad duoplasmatron sĂ„som jonstrĂ„lkĂ€lla (se 5 E G Spencer och P H Schmidt, J; Vac. Sci. Technol. Ă„, S52 (1971); P H Schmidt, ibĂd. 10, 611 (1973) för en beskrivning av anordning- en). InP var utanför plasmaomgivningen och utanför jonstrĂ„leled~ ningen. HĂąllaren för InP-brickan var en molybdenremsa med medel för uppvĂ€rmning av provet. Ett mĂ„l bestĂ„ende av Z % Zn i Au in- 10 sattes i mĂ„llĂ€get. Apparaten evakuerades till cirka 133x10_6 Pa.
TrÄden à jonkÀllan bringades till en temperatur mellan 1500 och 2000°C och en potential av cirka 1500 V anbringades mellan acce- lerationsplattorna. Argon inpystes i jonkÀllan för höjning av trycket till 6,65-10,64 x 10-3 Pa, mÀtt vid kammarhalsen. InP- 15 brickan bringades att rotera runt en axel vinkelrÀtt mot planet (100) (axeln vinkelrÀtt mot den exponerade ytan) med cirka 15 r/min för tillhjÀlpligt sÀkerstÀllande av likformig avsÀttning.
AvsÀttningen av kontakten Au/Zn tillÀts fortsÀtta, tills ett cirka Z pm skikt hade avsatts pÄ indiumfosfidbrickan. Detta tog 20 cirka Z h. Apparaten avluftades och InP avlÀgsnades. Brickan glödgades dÀrefter pÄ en kolremseuppvÀrmare i syntesgas (85 % NZ och 15 % Hz) under 5 min; Den erhÄllna kontakten hade en re- sistans av cirka 0,01 ohm pÄ en yta av 1 cmz.
Indiumfosfidbrickan Ă„terinsattes i apparaten med den mot 25 den kontaktade sidan motsatta ytan exponerad. Au/Zn-mĂ„let ersat- tes med ett mĂ„l (4-S cm i diameter) bestĂ„ende av 90 molprocent ln2O3 och 10 moĂ€procent Sn02. Apparaten evakuerades Ă„ter till cirka 133 x 10 Pa och jonkĂ€llan bringades under samma betingel- ser som nĂ€r Au/Zn avsattes. Syre inpystes i mĂ„lkammaren, sĂ„ att 30 ett tryck av cirka 133 x 10- Pa uppmĂ€ttes nĂ€ra pumphalsen för kammaren. InP bringades att rotera med en hastighet av 15 r/min under en axel vinkelrĂ€tt mot planet (100)Âż Icke nĂ„got vĂ€rme till- fördes till InP (det bör observeras, att om syretrycket var betyd- ligt högre, det erhĂ„llna indĂum-tennoxidskiktet var mycket mindre 35 ledande, och om det var vĂ€sentligt lĂ€gre, var skiktet opakt. Ett kontrollprov Ă€r nödvĂ€ndigt för bestĂ€mning av lĂ€mpligt tryck för en speciell apparat. Det var Ă€ven möjligt att utföra avsĂ€ttning- en utan nĂ€rvarande syre, men detta nödvĂ€ndiggör ersĂ€ttning av mĂ„let efter varje försök). IndĂum-tennoxĂdskiktet vĂ€xte med en 40 hastighet av cirka 0,7 Pm/h. Denna hastighet var instĂ€llbar. Om 10 15 20 25 30 40 7801408-1 7 en potential anbringas pĂ„ mĂ„let, ökades hastigheten. TillvĂ€xten fortsatte, tills skĂktet vara cirka 1-3 pm tjockt.
Kammaren avluftades och provet avlĂ€gsnades. remsa med bredden cirka 1 mm avdunstades termĂskt genom standard- teknik pĂ„ indium-tennoxiden parallellt med en kant av den expone- En aluminium- rade metalloxidytan. Verkningsgraden hos anordningen, som hade ett amorft metalloxidskikt, mĂ€ttes med tvĂ„ metoder, som beskrivas i en PM frĂ„n National Aeronautics and Space Administration (NASA) med nummer TMX-71771 och med titeln "Interim Solar Cell Testing Procedures for Terrestrial Applications". Den första uppsĂ€ttning- en mĂ€tningar utfördes vintertid i delstaten New Jersey i solljus enligt pyranometermetoden. En pyranometer enligt Eppley med nr 15228F3, som har en kalibreringskĂžnstant av 9,39 x 10- V/Wm-2 anvĂ€ndes för mĂ€tning av infallande ljuseffekt. Den framstĂ€llda anordningen anbringades parallellt med pyranometern och ljussigna- len frĂ„n anordningen jĂ€mfördes direkt med pyranometeravlĂ€sningar- Alla elektriska mĂ€tningar utfördes Kortslutningsströmmen mĂ€t- na. SolstĂąndet mĂ€ttes Ă€ven. med en elektrometer (Keithley 610 CR). tes genom spĂ€nningsfallet över ett precisionsmotstĂ„nd om 1012; för jĂ€mförelse utfördes mĂ€tningar med 111-och 100AĂŻ.motstĂ„nd.
Endast mĂ€tningar ledande till mindre Ă€n 20 pV i spĂ€nningsfall an- vĂ€ndes.' Med hĂ€nsyn till Ă„rstiden (vinter) var temperaturen vid mĂ€tningen pĂ„ ett typiskt sĂ€tt 1000 under föreskrivet vĂ€rde. MĂ€t- ningarna utfördes pĂ„ ett andra sĂ€tt med ett simulerat ljus under anvĂ€ndning av en volfram/halogenlampa med ett filter Schott KG1 sĂ„som ljuskĂ€lla. Den framstĂ€llda anordningen och en kalĂbrerad standardreferenscell anbringades pĂ„ en slid, sĂ„ att antingen prov- nĂngsanordningen eller referenscellen kunde bringas i ljusstrĂ„len utan förĂ€ndring av avstĂ„ndet till lampan. FörsöksbetĂngelserna instĂ€lldes sĂ„, att 74 mw/cmz inföll i anordningen. VOC och ISC mĂ€ttes sĂ„som vid pyranometermetoden. Vid bĂ„da metoderna registre- rades Ă€ven I-V-kurvorna pĂ„ en kurvskrivare TektronĂx 575 och fyllningsfaktorn frĂ„n I-V-kurvorna. Resultaten frĂ„n bĂ„da metoder- na överensstĂ€mde inom 5 % felgrĂ€nser. VerknĂngsgrader upp till 12,5 % erhölls för de framstĂ€llda anordningarna.
Exempel 2. Samma förfarande följdes som det i exempel 1 beskriv- na, förutom att In? uppvÀrmdes till ZSOOC, medan metalloxidskiktet avsattes. hölls. tes genom de i exempel 1 beskrivna metoderna.
En anordning med polvkristallint metalloxidskĂkt er- Anordningar med verkningsgrader upp till cirka 9 % uppmĂ€t- â7801408-1 10 15 20 25 30 35 '40 8 Exempel 3. En polykristallin bricka av InP dopad med ZnP2 till en majoritetsbĂ€rarkoncentration av 3 x 1018cm_3 framstĂ€lldes genom gradientfrysningsmetoden (se K J Bachmann och E Buehler, J. Electron Mater. Ă, 279 (1974)).
Samma framstĂ€llningsförfarande för Betingelserna var de som an- gĂves i denna hĂ€nvisning. fullbordande av anordningen anvĂ€ndes som de som beskrivits i exempel 1. Verkningsgraden, som uppmĂ€tts genom den teknik med simulerat ljus, som beskrives i exempel 1, var 2,3 %.
Exempel 4. Ett tunt skikt, tjocklek 20 pm, av polykristallin InP avsattes pĂ„ ett format, höggradigt renat, tĂ€tt grafitsubstrat (typ 5890PT, försĂ„lt av Carbone - Lorraine Ind. Corp. Boonton, New Jersey, USA) genom en teknik, som beskrivits av Bachmann och medarbetare i J. Electrochem. Soc., lgĂą, 1509 (1976)). Detta avsĂ€ttningsförfarande med kemisk Ă„nga innebĂ€r att palladiumdiffun- derat vĂ€te bringas att flyta genom en bubblingsanordning, som innehĂ„ller fosfortriklorid och som hĂ„lles vid en temperatur mel- lan 0 och 5°C. raturen instĂ€lles för Ă€stadkommande av en molfraktion PC13 i H2 av 1-5 %. Med PCl3 mĂ€ttad H2 brĂngas dĂ€refter att strömma över H2-strömmen bring- Strömningshastigheten för H2 och bubblingstempe- elementĂ€rt In, som uppvĂ€rmts till cirka 72S°C. as slutligen att passera över grafitsubstratet för avsĂ€ttning. En mindre del Zn-dopningsmedel sĂ€ttes till huvudgasströmmen uppströms substratet genom uppvĂ€rmning av Zn i en separat H2-ström till cirka 455°C. Grafitsubstratet uppvĂ€rmdes till cirka 630°C. förfarande som i exempel 1 anvĂ€ndes för framstĂ€llning av en anord- Elektrisk kontakt med InP Ă„stadkoms genom an- Samma ning pĂ„ denna InP. bringande av silverpasta pĂ„ kolsubstratet. Verkningsgraden hos anordningen, mĂ€tt sĂ„som i exempel 1 genom tekniken med simulernt ljus, var 1,1 %.
Exempel 5. förutom att en enkristall av InP, orienterad lÀngs planet (111) Samma förfarande som beskrivits i exempel 1 följdes, anvÀndes. Verkningsgraden var 5 %. MÀtningstekniken var densamma som pyranometermetoden enligt exempel 1, förutom att en termosta- pel enligt Eppley anvÀndes.
Exempel 6. En enkristall av InP med en acceptorkoncentration av 1,5 x 10l7cm_3 framstÀlldes, orienterades parallellt med planet (100) och kontaktades pÄ i exempel 1 beskrivet sÀtt. Kristallen anbringades dÀrefter i provhÄllaren till en Rf-förstoftningsanord- ning (Rf-förstoftning Àr en vÀlkÀnd teknik, som exempelvis beskri- ves av J L Vossen i Journal Vacuum Science and Technology, § (5), 10 15 20 25 30 7801408-1 9 S12 (1971)). 15 cm anbringades i mÄlhùllaren. mosfÀr av 1,33 Pa med 4,57 volymprocent CO, 0,23 volymprocent C02 och 95,2 volymprocent Ar infördes. En spÀnning om 700 V lades pÄ InP uppvÀrmdes till 250°C. Cirka 850 W avgavs för avsÀtt- Metalloxiden avsattes med en hastighet av cirka 6,6 nm/ Efter avsÀttning utfördes kontakt med metalloxiden sÄsom beskrivits i En elektrod av 91 % In203 och 9 % SnO2 med diametern Kammaren evakuerades och en at- mÄlet. ningen. min, tills en film med tjockleken cirka 1,94 pm erhÄllits. exempel 1. Verkningsgraden, mÀtt med tekniken med simulerat ljus, som beskrivits i exempel 1, var 11 %.
Exempel 7. En anordning framstÀlldes sÄsom beskrivits à exempel 6, förutom att kristallen av InP icke uppvÀrmdes under avsÀtta 5- en. FilmavsÀttningshastigheten var cirka 6,9 nm/min. AvsÀttning- en fortsattes, tills metalloxidskiktet var 0,93 pm tjockt. ningen hade en verkningsgrad mÀtt med den i exempel 1 beskrivna tekniken med simulerat ljus, av cirka 12,2 %.
Ett antireflektionsbelĂ€ggningsskikt av MgF2 belades pĂ„ Anord- Exempel 8. den exponerade ytan hos indium-tennoxidskiktet i den i exempel 7 Detta skikt avsattes genom avdunstning En volframdegel fylldes MgF2 och anordningen upphĂ€ngdes över degeln med indium-tennoxidskiktet vet- tunde nedĂ„t mot MgF2. re, som evakuerades till 133 pPa. framstĂ€llda anordningen. pĂ„ den ouppvĂ€rmda anordnĂngen.
Degeln och anordningen infördes i en kamma- MgF2 uppvÀrmdes dÀrefter, tills avdunstningen av MgF2 pÄbörjades. Avdunstningen fortsattes, tills ett skikt om cirka 100 nm bildats pÄ indium-tennoxiden. Verk-' ningsgraden mÀtt genom den i exempel 1 beskrivna tekniken var 13 %.
Exempel 9. Ett antireflektionsbelÀggningsskikt av MgF2 belades pÄ den exponerade ytan av indium-tennoxidskiktet i den enligt exempel 4 framstÀllda anordningen. Detta skikt avsattes genom avdunstning (sÄsom i exempel 8) pÄ den ouppvÀrmda anordningen.
Verkningsgraden, mĂ€tt genom den i exempel 1 beskrivna tekniken med sĂmulerat ljus, var cirka 2 %.
Claims (6)
1. Anordning innefattande ett skikt av dircktgaphalvledar- material av p-typ i intim kontakt med ett elektriskt, höggradigt ledande, genomsynlĂgt material, k Ă€ n n e t e c k n a d dĂ€rav, att direktgaphalvledarmaterialct Ă€r lnP av p-typ och att det höggradĂgt ledande genomsynliga materialet utgöres av indiumoxid eller indium-tennoxĂd, varvid en likrĂktande övergĂ„ng bildas. Z.
2. Anordning enligt krav 1, k Ă€ n n e t e c k n a d' dĂ€rav, att det höggradĂgt ledande genomsynliga materialet Ă€r avsatt pĂ„ InP-materialet genom jonstrĂ„lcförstoftningsavsĂ€ttning eller Rf- förstoftning.
3. Anordning enligt krav 1 eller 2, k Ă€ n n e t e c k n a d dĂ€rav, att det höggradĂgt ledande genomsynliga materialet Ă€r amorft. 7
4. Anordning enligt krav 1 eller 2, k À n n e t etc k n a d dÀrav, att det höggradigt ledande genomsynliga materialet Àr poly- kristallint. I
5. Anordning enligt krav 1, 2, 3 eller 4, k Ă€ n n e t e c k - n a d dĂ€rav, att InP av p-typ Ă€r en enkristall av InP och att det höggradigt ledande genomsynlĂga materialet Ă€r i intim kontakt med denna kristalls plan (100). .
6. Anordning enligt krav 1, 2, 3 eller 4, k À n n e t e c k - n a d dÀrav, att InP av p-typ Àr polykristallin.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/769,107 US4121238A (en) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | Metal oxide/indium phosphide devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7801408L SE7801408L (sv) | 1978-08-17 |
SE433788B true SE433788B (sv) | 1984-06-12 |
Family
ID=25084478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7801408A SE433788B (sv) | 1977-02-16 | 1978-02-07 | Anordning innefattande ett skikt av direktgaphalvledarmaterial av p-typ i intim kontakt med ett elektriskt hoggradigt ledande, genomsynligt material |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4121238A (sv) |
JP (1) | JPS53102688A (sv) |
BE (1) | BE863929A (sv) |
CA (1) | CA1090456A (sv) |
DE (1) | DE2805582A1 (sv) |
ES (1) | ES467047A1 (sv) |
FR (1) | FR2381393A1 (sv) |
GB (1) | GB1547140A (sv) |
IL (1) | IL54018A (sv) |
IT (1) | IT7867314A0 (sv) |
NL (1) | NL7801559A (sv) |
SE (1) | SE433788B (sv) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2376513A1 (fr) * | 1976-12-31 | 1978-07-28 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semiconducteur muni d'un film protecteur |
US4166880A (en) * | 1978-01-18 | 1979-09-04 | Solamat Incorporated | Solar energy device |
JPS55108781A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Light receiving element |
US4291323A (en) * | 1980-05-01 | 1981-09-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Indium phosphide arsenide based devices |
JPS6022381A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ć€Șéœé»æ± |
US4843450A (en) * | 1986-06-16 | 1989-06-27 | International Business Machines Corporation | Compound semiconductor interface control |
US5021365A (en) * | 1986-06-16 | 1991-06-04 | International Business Machines Corporation | Compound semiconductor interface control using cationic ingredient oxide to prevent fermi level pinning |
IL84118A (en) * | 1987-10-07 | 1991-03-10 | Semiconductor Devices Tadiran | Process for ii-vi compound epitaxy |
US5105291A (en) * | 1989-11-20 | 1992-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display cell with electrodes of substantially amorphous metal oxide having low resistivity |
JP2912506B2 (ja) * | 1992-10-21 | 1999-06-28 | ă·ăŁăŒăæ ȘćŒäŒç€Ÿ | éæć°é»èăźćœąææčæł |
US6344608B2 (en) * | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
SE0400582D0 (sv) * | 2004-03-05 | 2004-03-05 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Method for in-line process control of the CIGS process |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3539883A (en) * | 1967-03-15 | 1970-11-10 | Ion Physics Corp | Antireflection coatings for semiconductor devices |
US3560812A (en) * | 1968-07-05 | 1971-02-02 | Gen Electric | High selectively electromagnetic radiation detecting devices |
US3614549A (en) * | 1968-10-15 | 1971-10-19 | Ibm | A semiconductor recombination radiation device |
US4024558A (en) * | 1974-03-27 | 1977-05-17 | Innotech Corporation | Photovoltaic heterojunction device employing a glassy amorphous material as an active layer |
IL46896A (en) * | 1974-03-27 | 1977-07-31 | Innotech Corp | Semiconductive device |
US4016586A (en) * | 1974-03-27 | 1977-04-05 | Innotech Corporation | Photovoltaic heterojunction device employing a wide bandgap material as an active layer |
US3978510A (en) * | 1974-07-29 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterojunction photovoltaic devices employing i-iii-vi compounds |
-
1977
- 1977-02-16 US US05/769,107 patent/US4121238A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-29 CA CA294,119A patent/CA1090456A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-02-07 SE SE7801408A patent/SE433788B/sv unknown
- 1978-02-10 NL NL7801559A patent/NL7801559A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-02-10 IL IL54018A patent/IL54018A/xx unknown
- 1978-02-10 DE DE19782805582 patent/DE2805582A1/de not_active Ceased
- 1978-02-14 BE BE185140A patent/BE863929A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-02-15 FR FR7804287A patent/FR2381393A1/fr active Granted
- 1978-02-15 IT IT7867314A patent/IT7867314A0/it unknown
- 1978-02-16 GB GB6147/78A patent/GB1547140A/en not_active Expired
- 1978-02-16 JP JP1600978A patent/JPS53102688A/ja active Pending
- 1978-02-16 ES ES467047A patent/ES467047A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4121238A (en) | 1978-10-17 |
FR2381393A1 (fr) | 1978-09-15 |
IL54018A0 (en) | 1978-04-30 |
CA1090456A (en) | 1980-11-25 |
IT7867314A0 (it) | 1978-02-15 |
FR2381393B1 (sv) | 1982-04-16 |
BE863929A (fr) | 1978-05-29 |
SE7801408L (sv) | 1978-08-17 |
DE2805582A1 (de) | 1978-08-17 |
IL54018A (en) | 1980-06-30 |
JPS53102688A (en) | 1978-09-07 |
NL7801559A (nl) | 1978-08-18 |
GB1547140A (en) | 1979-06-06 |
ES467047A1 (es) | 1978-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chu | Thin film cadmium telluride solar cells by two chemical vapor deposition techniques | |
US5633033A (en) | Method for manufacturing chalcopyrite film | |
EP0853345B1 (en) | METHOD FOR FORMING CdTe FILM | |
SE433788B (sv) | Anordning innefattande ett skikt av direktgaphalvledarmaterial av p-typ i intim kontakt med ett elektriskt hoggradigt ledande, genomsynligt material | |
US6596135B1 (en) | Sputtering target, transparent conductive film, and method for producing the same | |
EP2371989B1 (en) | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device | |
JPH07263732A (ja) | ć€ç”æ¶ă·ăȘăłăłăăă€ăč | |
JP2005505938A (ja) | ïŒŁïœïŒŽïœ ïŒïŒŁïœïŒłèèć€Șéœé»æ± ă性èŠæšĄă«ççŁăăæčæł | |
KR100821696B1 (ko) | ëšìŒêČ°ì ïŒŁïœăïœ, ïœăïŒłïœ ïŒ ë¶ë§ì ì ìĄ° ë°©ëČ ë°ìŽ ë¶ë§ì íšì í ëšìŒì ì ë§í íì ì ì§ | |
Khan et al. | Optical properties at the metalâinsulator transition in thermochromic VO2â xFx thin films | |
Cossement et al. | Fabrication of ZnO polycrystalline layers by chemical spray | |
Rockett et al. | Growth of CuInSe2 by two magnetron sputtering techniques | |
US4086555A (en) | Photoconductive sensor | |
Patel et al. | Conducting transparent indium-tin oxide films by post-deposition annealing in different humidity environments | |
Qiu et al. | Air heat treatment of In-doped ZnO thin films | |
Yuanri et al. | Deposition of transparent conducting indium tin oxide thin films by reactive ion plating | |
CN101188149B (zh) | äžç§GeæșæçAZOéæćŻŒç”èćć ¶ć¶ć€æčæł | |
Ratcheva et al. | Properties of In2O3: Te films prepared by the spraying method | |
Dhere et al. | Morphology and semiconducting properties of vacuum-evaporated thick cadmium sulphide films prepared by the hot wall technique | |
Fronz et al. | Electrical and structural properties of Cr-SiO thin films | |
FR2465319A1 (fr) | Cellule photovoltaique | |
Kitagawa et al. | Preparation of doped hydrogenated amorphous silicon films by microwave electronâcyclotronâresonance plasma discharge deposition | |
Patel et al. | Optimization of growth conditions for ZnTe films | |
Jundt et al. | Transparent Buffer Layer for Back Surface Passivation in CdTe Photovoltaics | |
US4234353A (en) | Process for preparing photovoltaic cells having increased adhesion of the semi-conducting layer and produced thereby to the conducting layer |