SE430842B - Forsterkaranordning med instellbar forsterkning - Google Patents

Forsterkaranordning med instellbar forsterkning

Info

Publication number
SE430842B
SE430842B SE7902365A SE7902365A SE430842B SE 430842 B SE430842 B SE 430842B SE 7902365 A SE7902365 A SE 7902365A SE 7902365 A SE7902365 A SE 7902365A SE 430842 B SE430842 B SE 430842B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
transistor
amplifier device
input
output
inverting
Prior art date
Application number
SE7902365A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7902365L (sv
Inventor
De Plassche R J Van
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of SE7902365L publication Critical patent/SE7902365L/sv
Publication of SE430842B publication Critical patent/SE430842B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

\3 ® C) FO OJ ' CA (fl I är anslutna till kollektorn i den transistor i vars kollektorkrets desamma ingår.
Basen hos en av de två transistorerna i den ena strömfördelningskretsen är då anslu- ten till basen i en av transistorerna som ingår i den andra strömfördelningskretsen och de två andra transistorernas baser är också sammankopplade. Genom påföring av en spänning mellan de två paren av sammankopplade baselektroder kan strömfördelningsfak- torerna för de två strömfördelningskretsarna regleras. En ütsignål med en likströms- komponent som är oberoende av strömfördelningen erhålles genom anslutning av kollek- torn hos den första transistorn i den första strömfördelningskretsen till kollektorn hos den andra transistorn i den andra strömfördelningskretsen. Om förstärkningsfak- torn för i ngângsdi fferential paret är A och strömfördelningsfaktorn är K (05 K S 1) _ så blir förstärkningen AK. Om en andra utgång bildas genom anslutning av kollektorn hos den andra transistorn i den första strömfördelningskretsen till kollektorn hos den första transistorn i den andra strömfördelningskretsen så blir förstärkningen för nämnda utgång (1-K)A. En sådan förstärkaranordning kan betraktas son två förstärkare med förstärkningsfaktorerna AK och (l-K)A och gemensam ingång (ingångar).
I en sådan förstärkare är förstärkningsfaktorn också bestämd av storheten A, som beror av de använda komponenterna, vilket innebär att desamma bl.a. är temperaturbe- roende, medan skillnader hos komponenterna och olinjaritet hos ingångsdifferentialpa- ret bl.a. ger upphov till drift och signaldistorsion.
Det är förut känt att nämnda beroende kan elimineras i stor utsträckning genom motkoppling. Motkopplingsfaktorn blir då bestämmande för förstärkningsfaktorn. Emel-_ lertid skulle motkoppling mellan utgång och ingång i en förstärkaranordning av nämnt slag också eliminera inverkan av strömfördelningskretsen, d.v.s. faktorn K, varigenom förstärkaranordningen ej längre skulle vara reglerbar.
Från DE patentskriften 2262589 är det känt att utnyttja signalen som förstärkts med faktorn AK son utsignal och signalen som förstärkts med faktorn A (1-K) som mot- kopplingssignal. Om därvid motkopplingen är maximal och insignalen är lika med Vi, så gäller följande för utsignalen Vu; AK v v. “ 1+A(1-|<) l Om K är väsentfligen lika med 1 så gäller följande approximation: Vu = AK Vi 3 É-”fllßïïióß-l I detta fall har motkopplingen väsentligen ingen inverkan.
Om K är väsentligen lika med 0 och faktorn A är mycket stor så gäller följande approximation I detta fall är motkopplingen optimal.
Nackdelen med en sådan motkoppling är att motkopplingsgraden blir beroende av faktorn K. I många tillämpningsfall är detta emellertid att föredra istället för ingen motkoppling alls.
Från US patentskriften 3875522 är en förstärkaranordning med reglerbar för- stärkning och K-oberoende motkoppling känd. Denna förstärkaranordning innefattar ett första och ett andra par av emitterkopplade transistorer, varvid kollektorerna hos de första transistorerna i båda paren tillsammans bildar utgången, medan baselektroderna hos de första transistorerna bildar två oberoende ingångar. Motkopplingen åstadkommes genom att utgången är ansluten till baselektroder hos andra transistorer i båda pa- ren. Förstärkningsfaktorn kan då regleras genom relativ styrning av viloströmmarna som tillföres de sammankopplade emittrarna i båda paren. I denna förstärkare är mot- kopplingen optimal. Eftersom den inbördes ledningsförmågan är reglerad kommer emel- lertid olinjariteten hos transistorerna i båda paren att ge upphov till distorsion även i detta fall och i synnerhet vid gränserna för utstyrningsområdet där alltid det ena av de två paren erhåller en jämförelsevis liten viloström. Ändamålet med uppfinningen är att åstadkomma en förstärkaranordning av inled- ningsvis nämnt slag, d.v.s. utan inbördes reglering av ledningsförmågan, med K-obero- ende motkoppling. För att uppnå detta är förstärkaranordningen enligt uppfinningen kännetecknad av att nämnda signalströmorgan innefattaren en första spänning-ström- omvandlare med en första ingång som är inverterande med avseende på förstärkaranord- ningens utgång, och en andra ingång som bildar den första signalspänningsingången hos förstärkaranordningen, samt en andra spänning-strömomvandlare med åtminstone en förs- ta ingång som är inverterande med avseende på förstärkaranordningens utgång, varvid nämnda första ingångar hos den första och den andra spänning-strömomvandlaren är an- slutna till förstärkaranordningens utgång. On signalen på den första spänning-ström- omvandlarens signalingång är lika med Vil och om den andra spänning-strömomvandla- ren har en signalingång som tillföres en signal V12, så blir utsignalen VS enligt VS = AKVi1 + A(1-K)V12 so"-1 4 7 \!' 0. ï\J Om denna signal i sin helhet tillföres de tvâ spänning-strömomvandlarna som motkopp- lad signal, så gäller följande för A >> 1, då Vil och Viz substitueras med (Vil-VS) och (V12-VS)_i ovannämnda uttryck *VS = KVi1 + (1¥K)Ví2 I detta sammanhang skall observeras att signalingången hosfden andra spänning-ström- omvandlaren ej nödvändigtvis behävs. I så fall gäller Vs = “V11 'Det framhålles att förstärkaranördningen enligt uppfinningen ej är begränsad till anordningar innefattande bipolära transistorer. Vid användning av exempelvis fälteffekttransistorer skall sålunda bas-,emitter- och kollektorelektrod istället läsas som styre, emitter- och kóllektorelektrod. g ' Uppfinningen kommer att beskrivas närmare i det följande under hänvisning till ritningen som visar ett föredraget utföringsexempel på förstärkaranordningen enligt uppfinningen. v Den på ritningen visade förštärkàranordningen innefattar en första spän- ning-strömomvandlare med en transistor T1 vars bas är ansluten till utgången 16 hos en förstärkare V1 vars icke-inverterande ingång bildar signalingången 2 och vars iinverterande ingång 5 är ansluten till transistorns T1 emitter. Transistorns T1 I emitter är ansluten till en viloströmkälla innefattande en transistor T7 och ett motstånd R5 samt till en motkopplingsingång 1 via ett motstånd R1.
En andra spänning-strömomvandlare innefattar en transistor lá vars bas är ansluten till utgången 17 hos en förstärkare V2 vars icke-inverterande ingång bil- dar signalingången 3 och vars inverterande ingång 6 är ansluten till transistorns T2 emitter. Transistorns Tè emitter är ansluten till en viloströmkälla innefat- tande en transistor T9 och ett motstånd R7 samt till en motkopplingsingâng 1 via ett motstånd Ra.
Transistorns T1 kollektorelektrod är ansluten till de sammankopplade emit- terelektroderna hos transistorerna lä och T4, vilka bildar en strömfördelnings- krets. Transistorernas T3 och T4 baselektroder är anslutna till styrsignalin- gångarna 9 respektive 10. På motsvarande sätt är transistorns T2 kollektor ansluten till de sammankopplade emitterelektroderna hos transistorerna lg och T6, vilka bildar en andra strämfördelningskrets. Baselektroderna hos transistorerna T5 och T6 är anslutna till styrsignalingängarna 10 respektive 9. Transistorernas T4 och T6 kollektorelektroder är anslutna till en matningsklämma +VB och kollektorelek- troderna hos transistorerna T3 och T5 är anslutna till ingången 11 hos en ström- *za P0 (fâ Ca (_71 spegelkrets innefattande transistorerna T11, T12 och T13 samt motstånden R3 och R4. Utgången 12 hos strömspegelkretsen är ansluten till en viloströmkälla inne- fattande en transistor T¿ och ett motstånd R6 samt till den icke-inverterande ingången hos en differentialförstärkare V3 vars utgång 15 är ansluten till motkopp- lingsingången 1. Differentialförstärkaren V3 är kopplad som en spänningsföljare genom att den inverterande ingången 14 är ansluten till utgången 15.
Strömförsörjningstransistorerna T7, lá och T9 har givits en bestämd lik- strömsnivå genom att en seriekoppling bestående av motståndet R9, den diodkopplade transistorn TIO och motståndet R8 är inkopplad mellan strömförsörjningsklämmorna +VB och -VB. Spänningen över dioden TIO och motståndet R8 tillföres baselek- troderna hos transistorerna T7, lá, lb och T10.
En insignalspänning Vil på utgången 2 uppträder på transistorns T1 emitter 7 eftersom förstärkaren V1 är motkopplad via bas-emitterövergången i transistorn T1. På motsvarande sätt uppträder en signalinspänning Viz på ingången 3 också på transistorns T2 emitter 8. Sålunda uppträder en signalspänning Vil-Vu över mot- ståndet R1 och en signalspänning Via-Vu över motståndet R2. Om motstånden R1 och R2 har resistansvärdet Ro så blir kollektorsignalströmmen för transis- torn TI lika med (Vil-Vu)/RO och kollektorsignalströmmen för transistorn T2 blir lika med (víz-Vu)/RO. _ Uppkopplingen av transistorn TI, differentialförstärkaren V1 och motståndet R1, liksom av transistorn T2, differentialförstärkaren V2 och motståndet R2, kan beskrivas som en spänning~strömomvandlare. Spänningen Vil-VS omvandlas till en ström (Vil-VS)/Ro över motståndet R1. Denna omvandling kan också åstadkom- mas genom omvandlare av annat slag.
Kollektorströmmarna för transistorerna T3 och T4 liksom för transistorerna T6 och T5 förhåller sig såsom K till (1-K), där K är bestämt av spänningen mellan ingångarna 9 och 10. Insignalströmmen på ingången 11 hos strömspegelkretsen och, i fallet att strömspegelkretsen har förstärkningsfaktorn 1, även på strömspegelkretsens utgång 12 blir då Iika med ' (vi_l “ vu) RO (vi2 ' vu) K + ( 1 ~ K) Ro Om signalimpedansen som bildas av kollektorimpedansen i transistorn T8 paraïïeïit med ingångsimpedansen hos förstärkaren V , har mätvärdet Rt, så blir spänningen Vu på utgången 2 lika med -Vu =rK Rt n(Vi1 - Vu)/Ro + (1 - K) Rt”n(Vi2 - Vu)R° där n representerar štrömspegeïförstärkningen och basströmförïusterna i transístorerna TI,-Té, Tá-och:T5. r0m'faktorn“Rt.~n/R°=är väsentligt-större än 1, så gä1Tèr föïjande för Vu Om koïïektorströmmarna för transistorerna T7, lä och T9 är lika så blir viïoströmmen på utgången-I2 hos strömspegeïkrètsen lika méd kóïïèktorströmmen 1 tran~ sístorn T8 när basströmförlusternafförsummas.

Claims (12)

79023365-1 7 Patentkrav
1. l. Förstärkaranordning med lnställbar förstärkning och innefattande en första och en andra transistor (T3,Tu) med sammankopplade emittrar, en tred- je och en fjärde transistor (T5,T6) med sammankopplade emittrar, en utgång som är ansluten till kollektorerna i nämnda första och andra transistorer (T ,T5), organ för tlllföring av en styrspänning mellan baselektroderna (9,l0) hos den första och den andra transistorn (T3,Tk), varvid den tredje transis- tornd(T5) haselektrod är ansluten till den andra transistorns (Th) baselek- tord (9) och baselektroden i den fjärde transistorn(T6) är ansluten till den första transistorns (T3) baselektrod (10), viloströmorgan för tillföring av viloströmmar till de sammankopplade emittrarna i nämnda första och andra transistor (T ,T¿) och till de sammankopplade emittrarna hos nämnda tredje och fjärde transistor (T5,T6) samt signalströmorgan för tillföring av signals ström till åtminstone de sammankopplade emlttrarna hos den första och den andra transistorn (T3,Th), k ä n n e t e c k n a d av att nämnda signalströmorgan innefattar en första spänning-strömomvandlare (V1,T1) med en första ingång (S) som är inverterande med avseende på förstärkaranordningens utgång (15), och en andra ingång (2), som bildar en första slgnalspänningsingång hos förstär- karanordningen, samt en andra spänning-strömomvandlare (V2,T2) med åtminstone en första ingång (6), som är inverterande med avseende på förstärkaranordnlngens utgång (1), varvid de första ingångarna (5,6) hos nämnda första och andra spän- ning-strömomvandlare (T1,V1,T2,V2) är anslutna till förstärkaranordningens ut- sång (12).
2. Förstärkaranordning enligt patentkravet l, k ä n n e t e c k n a d av att den första spänning-strömomvandlaren innefattar en femte transistor (TI) vars bas- och emitterelektroder bildar ingångar, och att den andra spänning- strömomvandlaren innefattar en sjätte transistor (T2) vars bas- och emitter- elektroder bildar ingångar, varvid den femte translstorns (T1) kollektorelek- trod är ansluten till de sammankopplade emitterelektroderna hos den första och den andra transistorn (T3,Th), medan den sjätte translstorns (T2) kollek- torelektrod är ansluten till de sammankopplade emitterelektroderna hos nämnda tredje och fjärde transistor (T5,T6).
3. Förstärkaranordning enligt patentkravet 2, k ä n n e t e c k n a d av att den femte translstorns baselektrod är ansluten till förstärkaranordnlngens signalingång, att den femte translstorns (TI) emitterelektrod (7) är ansluten ”79023 6 54 8 till den sjätte transistorns (T2) emitterelektrod (8) och bildar en gemen- šam motkopplingsingång (l), varvid motkopplingsingången är ansluten till för- stärkaranordningens utgång (l2) på sådant sätt attmowoppling erhålles.
4. Förstärkaranordning enligt patentkravet 3, klä n n e t e c k n a d av att ett första motstånd (RI) är inkopplat mellan den femte transistorns (T1) emitter och den gemensamma motkopplingsïngången (l) samt ett andra motstånd (R,) är inkopplat mellan den sjätte transistorns emitter (8) och den gemensamma mot: kopplingsíngången (1), varvid nämnda motstånd (R1,R2) uppvisar väsentligen över- ensstämmande resistansvärden. f
5. ' Förstärkaranordning enligt patentkravet Ä, k ä n n e t e c k n a d av att den första spänning-strömomvandlaren dessutom innefattar en differential- förstärkare (V1) med en inverterande (5) och en icke-inverterande (6) ingång samt en utgång (16), varvid utgången är ansluten till den femte transistorns (TI) bas och den inverterande ingången ÉS) till den femte transistorns (TI) emitter (7), medan den icke-inverterande ingången (2) är ansluten till förstärkaranordningens signalingång.
6. Förstärkaranordning enligt patentkravet 3 eller Ä, k ä n n e t e c k n a d a» av att den sJatte transistorns (T2) baselektrod är ansluten till en andra sig- naiingång hos förstärkaranordningen.
7. Förstärkaranordning enligt patentkravet 6, k ä n n e t e c k n a d av att den andra spänning-strömomvandlaren dessutom innefattar en differentialförstär- kare (V2) med en inverterande (6) och en icke-inverterande (3) ingång samt en utgång (17), varvid utgången är ansluten till den sjätte transistorns (T2) bas och den inverterande ingången (6) är ansluten till den sjätte transistorns (T2) emitter (8), medan den icke-inverterande ingången (3) är ansluten till för- stärkaranordningens signalingång.
8. ! Förstärkaranordning enligt patentkravet Ä, 5, 6 eller 7, k ä n n e t e c k-i a n a-du av att emittrarna (7,8) i nämnda femte och sjätte transistorer (T1,T2) var och en är anslutna till en viloströmkälla (T7,T9).
9. Förstärkaranordning enligt något av patentkraven 2-8, k ä n n e t e c k n a d av att förstärkaranordningens utgångsströmkrets innefattar organ (T8,V3) med hög impedans över vilken förstärkaranordningens utgångsström omvandlas till en spänning. 7902365-1 9
10. 40. Förstärkaranordning enligt patentkravet 9, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda organ med hög impedans består av en strömkälla (T8).
11. Förstärkaranordning enligt patentkravet 9, k ä n n e t e c k n a d av att anordningen innefattar en differentialförstärkare (V ) med en inver- terande (ih) och en icke-ínverterande (13) ingång och en utgång (15), var- vid utgången är ansluten till den gemensamma motkopplingsingången (I) och till den inverterande ingången (14), medan den icke-inverterande ingången är ansluten till förstårkaranordningens utgång (12).
12. Förstärkaranordning enligt något av patentkraven 2-ll, k ä n n e t e c k- n a d av att förstärkaranordningen innefattar en strömspegelkrets (T11,T12,T13) vars ingång (ll) är ansluten till kollektorn i såväl den första (T som den tredje (T5) transistornw och att strömspegelkretsens utgång (12) är anordnad att bilda utgång hos en summationskrets.
SE7902365A 1978-03-20 1979-03-16 Forsterkaranordning med instellbar forsterkning SE430842B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7802973A NL7802973A (nl) 1978-03-20 1978-03-20 Versterkerschakeling met regelbare versterkings- factor.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7902365L SE7902365L (sv) 1979-09-21
SE430842B true SE430842B (sv) 1983-12-12

Family

ID=19830527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7902365A SE430842B (sv) 1978-03-20 1979-03-16 Forsterkaranordning med instellbar forsterkning

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4290025A (sv)
JP (1) JPS54130856A (sv)
AT (1) AT376077B (sv)
AU (1) AU526139B2 (sv)
BE (1) BE874957A (sv)
CA (1) CA1139850A (sv)
CH (1) CH646555A5 (sv)
DE (1) DE2910093A1 (sv)
ES (1) ES478764A1 (sv)
FR (1) FR2420876A1 (sv)
GB (1) GB2016838B (sv)
HK (1) HK19383A (sv)
IT (1) IT1111944B (sv)
NL (1) NL7802973A (sv)
SE (1) SE430842B (sv)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331929A (en) 1979-04-04 1982-05-25 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Gain-controlled amplifier
JPS5718109A (en) * 1980-07-08 1982-01-29 Toshiba Corp Sound volume controlling circuit
JPS57125509A (en) * 1981-01-28 1982-08-04 Toshiba Corp Signal level control circuit
JPS5857807A (ja) * 1981-10-02 1983-04-06 Sony Corp 電圧制御可変利得回路
DE3204217A1 (de) * 1982-02-08 1983-08-18 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltung zur elektronischen verstaerkungsstellung
US4695806A (en) * 1986-04-15 1987-09-22 Tektronix, Inc. Precision remotely-switched attenuator
JPH0720040B2 (ja) * 1986-11-21 1995-03-06 ソニー株式会社 電圧−電流変換回路
US4937516A (en) * 1987-11-13 1990-06-26 U.S. Philips Corporation Balanced voltage-current converter and double-balanced mixer circuit comprising such a converter
JPH06350357A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Philips Electron Nv 集積化増幅器
DE102007025604A1 (de) 2007-05-31 2008-12-04 Evonik Rohmax Additives Gmbh Verbesserte Polymerdispersionen
DE102010041242A1 (de) 2010-09-23 2012-03-29 Evonik Rohmax Additives Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polymerdispersionen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3684974A (en) * 1968-01-29 1972-08-15 Motorola Inc Automatic gain control rf-if amplifier
GB1320910A (en) * 1969-09-16 1973-06-20 Plessey Co Ltd Amplifiers
NL166162C (nl) * 1971-05-14 1981-06-15 Philips Nv Versterkerschakeling met regelbare versterking.
US3750042A (en) * 1972-08-21 1973-07-31 Gen Electric Amplifier of controllable gain
US3891937A (en) * 1972-12-21 1975-06-24 Philips Corp Circuit arrangement for electronic gain/control, in particular electronic volume control circuit
US3875522A (en) * 1973-04-13 1975-04-01 Signetics Corp Integrated direct-coupled electronic attenuator
JPS5528564B2 (sv) * 1974-06-22 1980-07-29
DE2526310A1 (de) * 1975-06-12 1976-12-23 Philips Patentverwaltung Schaltung zur elektronischen verstaerkungseinstellung

Also Published As

Publication number Publication date
IT1111944B (it) 1986-01-13
US4290025A (en) 1981-09-15
BE874957A (fr) 1979-09-19
HK19383A (en) 1983-06-17
CA1139850A (en) 1983-01-18
ES478764A1 (es) 1979-11-01
GB2016838B (en) 1982-04-21
GB2016838A (en) 1979-09-26
AT376077B (de) 1984-10-10
JPS54130856A (en) 1979-10-11
AU526139B2 (en) 1982-12-16
CH646555A5 (de) 1984-11-30
FR2420876A1 (fr) 1979-10-19
FR2420876B1 (sv) 1984-07-13
SE7902365L (sv) 1979-09-21
IT7921087A0 (it) 1979-03-16
NL7802973A (nl) 1979-09-24
ATA208979A (de) 1984-02-15
DE2910093A1 (de) 1979-10-04
AU4519979A (en) 1979-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3936725A (en) Current mirrors
JPH053166B2 (sv)
US3921091A (en) Amplifier circuit
GB2058504A (en) Amlifiers with non-linear component current amplifiers
SE430842B (sv) Forsterkaranordning med instellbar forsterkning
US3866063A (en) Improved rectifying circuit
SE416694B (sv) Forsterkningsregleringskoppling
US4068184A (en) Current mirror amplifier
SE450445B (sv) Integrerad forsterkarkoppling
US4307305A (en) Precision rectifier circuits
US4956615A (en) Input circuit for high-frequency amplifiers
US5172017A (en) Integrated circuit arrangement including a differential amplifier which generates a constant output voltage over a large temperature range
US3521179A (en) Amplifier with source voltage control
EP0090543A1 (en) Differential amplifier with improved linear amplification
GB2066600A (en) Variable-gain differential amplifier with gain-control-signal-independant dc output level
US4370608A (en) Integrable conversion circuit for converting input voltage to output current or voltage
US5534813A (en) Anti-logarithmic converter with temperature compensation
US3955147A (en) Amplifier circuit
USRE30173E (en) Current mirror amplifier
GB2080066A (en) Variable-gain amplifier arrangement with improved linearity
JP3153569B2 (ja) 電圧電流変換回路
EP3713082B1 (en) Amplification circuit
US4038566A (en) Multiplier circuit
JPS6040207B2 (ja) 温度補償された直流増幅器
JPH0478044B2 (sv)

Legal Events

Date Code Title Description
NAV Patent application has lapsed

Ref document number: 7802973-3

Effective date: 19790502