SE414687B - Kopplingsanordning for ett medelst en styrstorhet styrbart elektroniskt motstand - Google Patents
Kopplingsanordning for ett medelst en styrstorhet styrbart elektroniskt motstandInfo
- Publication number
- SE414687B SE414687B SE7713576A SE7713576A SE414687B SE 414687 B SE414687 B SE 414687B SE 7713576 A SE7713576 A SE 7713576A SE 7713576 A SE7713576 A SE 7713576A SE 414687 B SE414687 B SE 414687B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- resistor
- voltage
- amplifier
- transistor
- voltage divider
- Prior art date
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0047—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using photo-electric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/007—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
7713576-2 10 15 20 25 30 35 HO 2 bestående av en separat uppvärmd termistor. Denna anordning är emellertid i många fall oanvändbar på grund av den höga termiska tidskonstanten hos termistorn och den därigenom betingade stora insvängningstiden hos regleringskopplingen.
Till grund för uppfinningen ligger uppgiften att åstadkomma en kopplingsanordning för ett elektroniskt motstånd som är styrbart medelst en styrstorhet och vars klirrdämpning och utstyrningsgräns är möjligast stora i förhållande till de motsvarande värdena hos kända halvledaranordningar, och vilket har en ungefär lika låg re- gleringstidskonstant som dessa halvledaranordningar.
Denna uppgift löses enligt uppfinningen. Dettasker sålunda genom en spänníngsdelare bestående av ett första motstånd och ett av styrstorheten omedelbart styrt eller triggat andra motstånd, vil- ken spänningsdelares uttag är förbundet med ingången hos en förstär- kare, varvid utgången hos denna förstärkare över ett tredje motstånd är förbunden med en ände av spänningsdelaren, och de båda ändarna av denna spänningsdelare bildar klämmorna hos det elektroniska motståndet.
I det följande skall uppfinningen närmare beskrivas och för- klaras i anslutning till två utföringsexempel.
Pig. 1 visar principkopplingsschemat för kopplingsanordningen enligt uppfinningen.
Pig. 2 visar exempel med kopplingsanordningen enligt uppfin- ningen såsom del av en strömkrets.
Pig. 3 visar kopplingsanordningen för ett möjligt utförings- exempel enligt uppfinningen, Pig. H visar kopplingsanordningen för ett ytterligare utfö- ringsexempel enligt uppfinningen.
I fig. 1 bildas spänningsdelaren ST av seriekopplíngen av det första motståndet R1 och det andra motståndet R2, vilket är styr- bart medelst styrstorheten S. Förbindelsepunkten mellan motståndet R1 och motståndet R2 är förbunden med ingången hos förstärkaren V. Ut- gången hos förstärkaren V är över motståndet R3 förbunden med den fria änden av motståndet R2. Mellan de båda ändarna av spänningsde- laren ST fås det önskade elektroniska motståndet RS1.
Vid den följande förklaringen av uppfinningen skall för lättare förstående av densamma göras de förenklingarna, att den genom spän- ningsdelaren ST flytande strömmen I2 är liten relativt den genom det elektroniska motståndet RS1 flytande strömmen I1, varigenom denna ström 11 blir ungefär lika med den genom motståndet R3 flytande ström- men I3, och att det inre motståndet hos förstärkaren V är försumbart 10 15 20 25 30 35 #0 7713576-2 litet relativt värdet av motståndet R3. Om till det elektroniska motståndet RS1 anslutes en sinusformig växelspänning U1, så upp- träder pâ förstärkarens V utgång en växelspänning U1' = ü - U1, varvid faktorn ü erhålles ur delningsförhållandet hos spänningsde- laren ST samt ingångsmotståndet och förstärkningen hos förstärkaren V. På klämmorna hos motståndet R3 ligger en växelspänning,,vilken erhålles ur differensen mellan växelspänningarna U1 och U1': U1 - ü - U1 = U1 - (1-U), Den genom motståndet R3 flytande strömmen I3 kan därför bestämmas ur förhållandet mellan denna differensspän- ning och värdet av motståndet R3.
U1 - (1-Ü) R3 Ur denna relation beräknas värdet av det elektroniska motstån- det RS1 till: I3 = av I1 (1) Rs1=g_l~åäí_ü (2) Härav framgår, att det elektroniska motståndet RS1 kan styras genom förändring av faktorn ü. Faktorn ü återigen kan styras genom förändring av styrstorheten S.
En fördelaktig utformning består i att som styrbart andra mot- stånd R2 användes emitter-kollektor-sträckan hos en transistor, var- vid motståndet hos denna sträcka styres medelst basförspänníngen. På denna emitter-kollektor-sträcka ligger blott en del av den på det elektroniska motståndet RS1 liggande spänningen U1. Kopplingsanord- ningen enligt uppfinningen har därför den fördelen, att värdena för utstyrningsgränserna och klirrdämpningen ligger väsentligt högre än vid de inledningsvis nämnda fallen, vid vilka spänningen U1 omedel- bart ligger på emítter-kollektor-sträckan hos en transistor resp. katod-anod-sträckan hos en diod.
Om det elektroniska motståndet RS1, såsom fig. 2 visar, är in- kopplat i en strömkrets, exempelvis i motkopplingskretsen hos en för- stärkare, så uppträder på detsamma vid stora motståndsvärden ett stort spänningsfall. Av den för det elektroniska motståndet RS1 angivna be- teckningen (2) framgår, att vid stora positiva värden av RS1 faktorn ü har ett värde något mindre 1. Detta betyder, att därvid en som andra motstånd R2 använd transistor befinner sig i det lågohmiga tillståndet.
Detta sakförhållande är en ytterligare fördel i jämförelse med de in- ledningsvis omnämnda anordningarna, vid vilka, vid ett högohmigt till- stånd, även den ifrågavarande transistorn resp. dioden befinner sig i det högohmiga och därför särskilt överstyrningskänsliga tillståndet.
I det i fig. 3 visade utföringsexemplet är förstärkaren V upp- 7713576-2 byggd med en integrerad operationsförstärkare, varvid spännings- förstärkningen hos förstärkaren uppvisar värdet v = +1. Som styr- bart andra motstånd R5 tjänar fälteffekt-transistorn T1, vars styr- elektrod över det ohmska motståndet RU är förbunden medden som styr- 5 storhet S tjänande styrspänningskällan Us. Parallellt med emitter- kollektor-sträckan hos transistorn T1 är den ohmska spänningsdelaren ST' kopplad, varvid mellan dess uttag och styrelektroden hos tran- sistorn T1 en kondensator C1 är anordnad. Denna kondensator C1 tjänar tillsammans med spänningsdelaren ST' och motståndet RH till koppling 10 av transistorn T1 och därmed till ökande av klirrdämpningen. Genom förändring av styrspänningen Us styres det elektroniska motståndet RS1. Med motståndet hos spänningsdelaren ST' kan gränsen för regle- ringsområdet hos det elektroniska motståndet RS1 påverkas. Om ingen spänningsdelare ST' erfordras, så kan för påverkande av reglerings- l5 området, i stället för spänningsdelaren ST', även användas ett enda motstånd. Såsom motstånd R3 användes ett ohmskt motstånd. I motsva- righet till relationen (2) är då värdena av det elektroniska mot- ståndet RS1 reella.
Vid en annan utformning av uppfinningen är motståndet R3 20 komplext. Man erhåller då för det elektroniska motståndet RS1 lika- ledes ett komplext motstånd. Såsom av relationen (2) framgår, är det- ta motstånd RS1 blott beroende av värdet av den reella faktorn ü.
Det komplexa motståndet RS1 har därför samma fasvinkel som det komplexa motståndet R3. Om man exempelvis som motstånd R3 använder en induk- 25 tans, så uppträder som elektroniskt motstånd RS1 en motsvarande för- änderbar induktans. Med denna utföríngsform av uppfinningen kan exempelvis resonansfrekvensen hos en LC-svängningskrets styras inom ett brett område.
I fig. U visas ett ytterligare utföringsexempel enligt upp- 30 finningen. Förstärkaren V realiseras här med npn-transistorn T2, vars emitter bildar förstärkarutgången och vars bas bildar förstärkarin- gången. Förbindningspunkten mellan det som ohmskt motstånd utförda motståndet R3 å ena sidan och spänningsdularen ST' och omítter- -kollektor-sträckan hos transistorn T1 å andra sidan är förbunden 35 med den ena polen hos en likspänningskälla UB (spänning OV) och bil- dar återigen den ena klämman hos det elektroniska motståndet RS1.
Motståndet R1 bildas av seriekopplíngen av de båda ohmska motstånden R1.1 och R1.2, varvid det senare är parallellkopplat med kondensatorn G3. Förbíndelnvpunktnn mvllnn lnllvktnrn hon transíntorn T?, kondvn~ "U satorn C3, motståndet R1.2 nvh den ena änden av motståndet RS bildar den andra klämman hos det elektroniska motståndet RS1. Den andra än- 10 20 °s 7713576-2 den av motståndet RS är förbunden med den andra, i detta fall posi- tiva polen hos likspänningskällan UB. Seriekopplingen av emitter- kollektor-sträckan hos transistorn T1 med kondensatorn C2 ligger mellan spänningen OV och förbindelsepunkten mellan spänningsdelaren ST', motståndet R1.10ch-basen hos transistorn T2. Det ohmska motstån- det R3 tjänar vidare tillsammans med motstànden R1.1, R1.2 och RS samt spänníngsdelarena ST' till inställning av arbctspunkten hos transistorn T2. Kondensatorn C3 kortsluter motståndet R1.2 växel~ strömsmässigt. Genom ett motsvarande val av förhållandet mellan mot- stånden R1.1 och R1.2 finns en ytterligare inställningsmöjlighet för faktorn ü resp. för regleringsområdet hos det elektroniska motståndet RS1. I stället för det ohmska motståndet R3 kan även ett komplext motstånd användas. I detta fall måste då på grund av arbetspunkten hos transistorn T2 ett bestämt likströmsmotstånd beaktas.
Eftersom enskilda transistorer i förhållande till operations- förstärkare har en högre gränsfrekvens, är utföringsexemplet enligt fig. H särskilt lämpet för höga frekvenser. _ I det allmänna fallet enligt fig. 1 kan motståndet R1 och det styrbara andra motståndet R2 även vara anordnade ombytta mot varandra.
Såsom styrbart andra motstånd R2 kan exempelvis även en foto- transistor eller en fältplatta användas. Styrstorheten S för styrning av det elektroniska motståndet RS1 är då en ljuskälla resp. ett mag- netfält.
Om ingångsmotståndet hos förstärkaren V dimensioneras med motsvarande lågt värde, kan motståndet R1 utelämnas.
Claims (5)
1. Kopplingsanordning för ett medelst en styrstorhet styrbart elektroniskt motstånd, k ä n n e t e c k n a d av en spännings- dclnrc (ST) bestående av ett första motstånd (RI) uvh ett av styr- storheton (S) omedelbart styrt andra motstånd (Rz), vilken spän- ningsdelares (ST) uttag är förbundet med ingången hos en spännings- förstärkare (V), varvid utgången hos denna förstärkare (V) över ett tredje motstånd (RS) är förbunden med ena änden av spännings- delaren (ST), och de båda ändarna av denna spänningsdelare (ST) bildar klämmorna hos det elektroniska motståndet (RST).
2. Kopplingsanordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k- n a d därav, att det styrbara andra motståndet (R2) bildas av emitterkollektorsträckan hos en transistor (Tl),\@rs_base1ektrod över ett fjärde motstånd (R4) är förbunden med en styrspännings- källa (US).
3. Kopplingsanordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k- n a d därav, att det styrbara andra motståndet (R2) bildas av aütter-kollektorsträckan hos en fälteffekttransistor (T1), vars styrelektrod över ett fjärde motstånd (R4) är förbunden med en styrspänningskälla (US).
4. Kopplingsanordning enligt kravet 2 eller 3, k ä n n e- t e c k n a d därav, att emitter¥kollektorsträckan hos transistorn (T1) är parallellkopplad med en ytterligare spänningsdelare (ST'), mellan vars uttag och bas- resp. styrelektroden en kondensator (Cl) är ansluten.
5. Kopplingsanordning enligt något av kraven 1-3, k ä n n e- t e : k n a d därav, att det tredje motståndet (R3) vid förstär- karens (V) utgång är komplext. ANFÖRDA PUBLIKATIONER; Storbritannien 1 151 285 (Ho3g 3/30)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2655320A DE2655320C3 (de) | 1976-12-07 | 1976-12-07 | Steuerbarer elektronischer Widerstand |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7713576L SE7713576L (sv) | 1978-06-08 |
SE414687B true SE414687B (sv) | 1980-08-11 |
Family
ID=5994856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7713576A SE414687B (sv) | 1976-12-07 | 1977-11-30 | Kopplingsanordning for ett medelst en styrstorhet styrbart elektroniskt motstand |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4137466A (sv) |
JP (1) | JPS5383554A (sv) |
AT (1) | AT358100B (sv) |
BE (1) | BE861574A (sv) |
CA (1) | CA1089038A (sv) |
CH (1) | CH622138A5 (sv) |
DE (1) | DE2655320C3 (sv) |
FR (1) | FR2373916A1 (sv) |
GB (1) | GB1590038A (sv) |
IL (1) | IL53551A (sv) |
SE (1) | SE414687B (sv) |
ZA (1) | ZA777294B (sv) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3334243A1 (de) * | 1983-09-22 | 1985-04-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Kapazitiver, komplexer widerstand |
US4766395A (en) * | 1985-10-15 | 1988-08-23 | Dolby Ray Milton | Circuits to provide desired conductance characteristics using a FET |
US4786879A (en) * | 1986-03-03 | 1988-11-22 | Dolby Ray Milton | Attenuator circuit employing bootstrapping |
US4888810A (en) * | 1987-08-05 | 1989-12-19 | Argosy Electronics | Analog volume control circuit |
US4855685A (en) * | 1987-09-30 | 1989-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Precision switchable gain circuit |
US5479123A (en) * | 1993-06-18 | 1995-12-26 | Digital Equipment Corporation | Externally programmable integrated bus terminator for optimizing system bus performance |
US5583464A (en) * | 1994-05-13 | 1996-12-10 | Thinking Machines Corporation | Resistor circuit for integrated circuit chip using insulated field effect transistors |
DE10226031A1 (de) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | Bosch Gmbh Robert | Schaltregler, insbesondere Abwärtswandler, und Schaltregelverfahren |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3412340A (en) * | 1966-03-03 | 1968-11-19 | Bendix Corp | Variable attenuation circuit |
US3539826A (en) * | 1967-09-01 | 1970-11-10 | Ibm | Active variable impedance device for large signal applications |
GB1228412A (sv) * | 1968-03-05 | 1971-04-15 | ||
US3621284A (en) * | 1970-12-07 | 1971-11-16 | Sylvania Electric Prod | Attenuation circuit |
IT995990B (it) * | 1973-10-19 | 1975-11-20 | Ates Componenti Elettron | Attenuatore attivo a minima distorsione armonica totale per amplificatori in alternata con controllo automatico del livello d uscita |
US4001735A (en) * | 1975-11-20 | 1977-01-04 | Northern Electric Company Limited | Single amplifier immittance network |
-
1976
- 1976-12-07 DE DE2655320A patent/DE2655320C3/de not_active Expired
-
1977
- 1977-11-30 SE SE7713576A patent/SE414687B/sv not_active IP Right Cessation
- 1977-12-03 JP JP14562877A patent/JPS5383554A/ja active Granted
- 1977-12-05 FR FR7736483A patent/FR2373916A1/fr active Granted
- 1977-12-06 AT AT872677A patent/AT358100B/de not_active IP Right Cessation
- 1977-12-06 IL IL53551A patent/IL53551A/xx unknown
- 1977-12-06 CH CH1491677A patent/CH622138A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-12-07 ZA ZA00777294A patent/ZA777294B/xx unknown
- 1977-12-07 GB GB50897/77A patent/GB1590038A/en not_active Expired
- 1977-12-07 CA CA292,572A patent/CA1089038A/en not_active Expired
- 1977-12-07 US US05/858,266 patent/US4137466A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-07 BE BE183224A patent/BE861574A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2655320A1 (de) | 1978-06-08 |
SE7713576L (sv) | 1978-06-08 |
JPH0137885B2 (sv) | 1989-08-10 |
CH622138A5 (sv) | 1981-03-13 |
ATA872677A (de) | 1980-01-15 |
CA1089038A (en) | 1980-11-04 |
DE2655320C3 (de) | 1987-02-12 |
DE2655320B2 (de) | 1979-02-01 |
IL53551A0 (en) | 1978-03-10 |
JPS5383554A (en) | 1978-07-24 |
FR2373916A1 (fr) | 1978-07-07 |
AT358100B (de) | 1980-08-25 |
ZA777294B (en) | 1978-10-25 |
GB1590038A (en) | 1981-05-28 |
IL53551A (en) | 1980-01-31 |
US4137466A (en) | 1979-01-30 |
BE861574A (fr) | 1978-03-31 |
FR2373916B1 (sv) | 1984-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6717449B2 (en) | Variable resistance circuit and application circuits using the variable resistance circuit | |
GB798523A (en) | Improvements relating to transistor amplifier circuits | |
KR840004327A (ko) | 신호 증폭 감쇄용 회로 | |
SE414687B (sv) | Kopplingsanordning for ett medelst en styrstorhet styrbart elektroniskt motstand | |
JPH04501792A (ja) | 温度安定性発振器 | |
EP0052117B1 (en) | Current mode biquadratic active filter | |
JPH0537822A (ja) | ガンマ補正回路 | |
KR960012697A (ko) | 제어가능한 전송 특성을 갖는 회로장치 | |
EP0123909B1 (en) | Variable resistance circuit | |
KR100201037B1 (ko) | 액티브밴드패스필터 | |
JPH0585084B2 (sv) | ||
JP3225527B2 (ja) | 遅延回路 | |
US4039980A (en) | Voltage-controlled filter | |
JPS5894219A (ja) | フイルタ回路 | |
US20050206442A1 (en) | Constant current circuit and active filter circuit using the same | |
SE437452B (sv) | Dubbelriktad forsterkare anordnad att anslutas till en tvatradslinje | |
JPH04213211A (ja) | 電圧に制御される抵抗をもった回路 | |
US3405367A (en) | Quiescent current stabilized transistor amplifier | |
US3456204A (en) | Transistor amplification circuitry | |
JP2796374B2 (ja) | 増幅回路 | |
KR970707632A (ko) | 집적회로의 웨이퍼단계 온도보상(Wafer-Stage Temperature Compensation for IC Components) | |
JPS6165607A (ja) | 水晶発振回路 | |
SU544101A1 (ru) | Усилитель мощности низкой частоты | |
JP2512153B2 (ja) | 同期信号分離装置 | |
SU1606967A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени и тока |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7713576-2 Effective date: 19910704 Format of ref document f/p: F |