RU96119431A - Плазменный ускоритель - Google Patents

Плазменный ускоритель

Info

Publication number
RU96119431A
RU96119431A RU96119431/25A RU96119431A RU96119431A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A RU 96119431/25 A RU96119431/25 A RU 96119431/25A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma accelerator
accelerator according
channel
poles
magnetic
Prior art date
Application number
RU96119431/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2119275C1 (ru
Inventor
Ю.М. Яшнов
Original Assignee
Баранов В.И.
Васин А.И.
Петросов В.А.
Ю.М. Яшнов
Filing date
Publication date
Application filed by Баранов В.И., Васин А.И., Петросов В.А., Ю.М. Яшнов filed Critical Баранов В.И.
Priority to RU96119431A priority Critical patent/RU2119275C1/ru
Priority claimed from RU96119431A external-priority patent/RU2119275C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2119275C1 publication Critical patent/RU2119275C1/ru
Publication of RU96119431A publication Critical patent/RU96119431A/ru

Links

Claims (17)

1. Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, содержащий азимутально замкнутый канал для ионизации и ускорения рабочего тела, образованный в направлении оси ускорителя двумя соосными с ним стенками и открытый с одного конца, азимутально замкнутые анод и коллектор для подачи рабочего тела в канал, расположенные в нем у конца, противоположного открытому, по крайней мере один катод, размещенный вне канала у его открытого конца, магнитную систему, расположенную вне канала, содержащую азимутально замкнутые полюса, размещенные у стенок по разные стороны канала, источники магнитодвижущей силы, отличающийся тем, что магнитная система выполнена в виде не менее четырех полюсов, причем у каждой стенки размещено нечетное число полюсов с чередующейся в направлении оси ускорителя полярностью.
2. Плазменный ускоритель по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере один из полюсов образован магнитопроводом.
3. Плазменный ускоритель по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере один из полюсов образован магнитным экраном.
4. Плазменный ускоритель по п.2, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен из магнитомягкого материала.
5. Плазменный ускоритель по п.3, отличающийся тем, что магнитные экраны выполнены из магнитомягкого материала.
6. Плазменный ускоритель по пп.2 и 4, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен неоднородным по толщине.
7. Плазменный ускоритель по пп.3 и 5, отличающийся тем, что магнитные экраны выполнены неоднородными по толщине.
8. Плазменный ускоритель по пп.1 - 7, отличающийся тем, что по крайней мере один источник магнитодвижущей силы выполнен в виде постоянного магнита.
9. Плазменный ускоритель по пп.1 - 7, отличающийся тем, что по крайней мере один источник магнитодвижущей силы выполнен в виде катушки, соосной с осью ускорителя.
10. Плазменный ускоритель по пп.1 - 9, отличающийся тем, что размещенные у разных стенок средние полюса расположены у открытого конца канала.
11. Плазменный ускоритель по пп.1 - 10, отличающийся тем, что размещенные у разных стенок средние полюса смещены вдоль оси ускорителя друг относительно друга на расстояние, меньшее полуширины канала.
12. Плазменный ускоритель по пп.1 - 11, отличающийся тем, что расстояние вдоль оси ускорителя между близ лежащими у одной стенки полюсами не более полуширины канала.
13. Плазменный ускоритель по пп.1 - 12, отличающийся тем, что по крайней мере на часть поверхности наиболее удаленных от анода двух полюсов у разных стенок канала нанесено покрытие с низким коэффициентом ионного распыления.
14. Плазменный ускоритель по п.2, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен по крайней мере с одной щелью, ориентированной по направлению магнитного потока в нем.
15. Плазменный ускоритель по п.3, отличающийся тем, что по крайней мере один магнитный экран выполнен по крайней мере с одной щелью, ориентированной по направлению магнитного потока в нем.
16. Плазменный ускоритель по пп.1 - 15, отличающийся тем, что стенки канала выполнены из диэлектрика.
17. Плазменный ускоритель по пп.1 - 15, отличающийся тем, что стенки канала выполнены из токопроводящего материала.
RU96119431A 1996-09-27 1996-09-27 Плазменный ускоритель RU2119275C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96119431A RU2119275C1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Плазменный ускоритель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96119431A RU2119275C1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Плазменный ускоритель

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2119275C1 RU2119275C1 (ru) 1998-09-20
RU96119431A true RU96119431A (ru) 1998-12-10

Family

ID=20186024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96119431A RU2119275C1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Плазменный ускоритель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2119275C1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2474984C1 (ru) * 2011-10-24 2013-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов
RU2517184C2 (ru) * 2012-05-18 2014-05-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук Способ управляемого коллективного ускорения электрон - ионных сгустков

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU96105557A (ru) Плазменный ускоритель
KR100228534B1 (ko) 음극스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생장치
EP0054621B1 (en) High temperature ion beam source
US6224725B1 (en) Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode
CA2081005C (en) Plasma accelerator with closed electron drift
US4163151A (en) Separated ion source
US4404077A (en) Integrated sputtering apparatus and method
JPS5926665B2 (ja) カソ−ドスパッタリング装置における標的物質を粉塵化するカソ−ド装置
US4258266A (en) Ion implantation system
US6294862B1 (en) Multi-cusp ion source
US20060197037A1 (en) Beam neutralization in low-energy high-current ribbon-beam implanters
JP2005527941A (ja) ある体積内にプラズマを閉じ込める装置
EP0447764A3 (en) Cathodic sputtering substrate coating device
US20100072061A1 (en) Sputtering apparatus for forming thin film
US4652795A (en) External plasma gun
GB2051877A (en) Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method
CN111155067A (zh) 一种磁控溅射设备
US4542321A (en) Inverted magnetron ion source
SU1758086A1 (ru) Устройство дл ионно-лучевой обработки деталей
GB2387266A (en) Ion source with additional positive electrode
RU96119431A (ru) Плазменный ускоритель
RU2030134C1 (ru) Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов
JPH0621041A (ja) プレーナマグネトロンスパッタ装置
US3914637A (en) Method and apparatus for focusing an electron beam
EP0197668B1 (en) External plasma gun