RU96119431A - Плазменный ускоритель - Google Patents
Плазменный ускорительInfo
- Publication number
- RU96119431A RU96119431A RU96119431/25A RU96119431A RU96119431A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A RU 96119431/25 A RU96119431/25 A RU 96119431/25A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A RU 96119431 A RU96119431 A RU 96119431A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma accelerator
- accelerator according
- channel
- poles
- magnetic
- Prior art date
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 title claims 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (17)
1. Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, содержащий азимутально замкнутый канал для ионизации и ускорения рабочего тела, образованный в направлении оси ускорителя двумя соосными с ним стенками и открытый с одного конца, азимутально замкнутые анод и коллектор для подачи рабочего тела в канал, расположенные в нем у конца, противоположного открытому, по крайней мере один катод, размещенный вне канала у его открытого конца, магнитную систему, расположенную вне канала, содержащую азимутально замкнутые полюса, размещенные у стенок по разные стороны канала, источники магнитодвижущей силы, отличающийся тем, что магнитная система выполнена в виде не менее четырех полюсов, причем у каждой стенки размещено нечетное число полюсов с чередующейся в направлении оси ускорителя полярностью.
2. Плазменный ускоритель по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере один из полюсов образован магнитопроводом.
3. Плазменный ускоритель по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере один из полюсов образован магнитным экраном.
4. Плазменный ускоритель по п.2, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен из магнитомягкого материала.
5. Плазменный ускоритель по п.3, отличающийся тем, что магнитные экраны выполнены из магнитомягкого материала.
6. Плазменный ускоритель по пп.2 и 4, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен неоднородным по толщине.
7. Плазменный ускоритель по пп.3 и 5, отличающийся тем, что магнитные экраны выполнены неоднородными по толщине.
8. Плазменный ускоритель по пп.1 - 7, отличающийся тем, что по крайней мере один источник магнитодвижущей силы выполнен в виде постоянного магнита.
9. Плазменный ускоритель по пп.1 - 7, отличающийся тем, что по крайней мере один источник магнитодвижущей силы выполнен в виде катушки, соосной с осью ускорителя.
10. Плазменный ускоритель по пп.1 - 9, отличающийся тем, что размещенные у разных стенок средние полюса расположены у открытого конца канала.
11. Плазменный ускоритель по пп.1 - 10, отличающийся тем, что размещенные у разных стенок средние полюса смещены вдоль оси ускорителя друг относительно друга на расстояние, меньшее полуширины канала.
12. Плазменный ускоритель по пп.1 - 11, отличающийся тем, что расстояние вдоль оси ускорителя между близ лежащими у одной стенки полюсами не более полуширины канала.
13. Плазменный ускоритель по пп.1 - 12, отличающийся тем, что по крайней мере на часть поверхности наиболее удаленных от анода двух полюсов у разных стенок канала нанесено покрытие с низким коэффициентом ионного распыления.
14. Плазменный ускоритель по п.2, отличающийся тем, что магнитопровод выполнен по крайней мере с одной щелью, ориентированной по направлению магнитного потока в нем.
15. Плазменный ускоритель по п.3, отличающийся тем, что по крайней мере один магнитный экран выполнен по крайней мере с одной щелью, ориентированной по направлению магнитного потока в нем.
16. Плазменный ускоритель по пп.1 - 15, отличающийся тем, что стенки канала выполнены из диэлектрика.
17. Плазменный ускоритель по пп.1 - 15, отличающийся тем, что стенки канала выполнены из токопроводящего материала.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96119431A RU2119275C1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Плазменный ускоритель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96119431A RU2119275C1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Плазменный ускоритель |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2119275C1 RU2119275C1 (ru) | 1998-09-20 |
RU96119431A true RU96119431A (ru) | 1998-12-10 |
Family
ID=20186024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96119431A RU2119275C1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Плазменный ускоритель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2119275C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2474984C1 (ru) * | 2011-10-24 | 2013-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов |
RU2517184C2 (ru) * | 2012-05-18 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук | Способ управляемого коллективного ускорения электрон - ионных сгустков |
-
1996
- 1996-09-27 RU RU96119431A patent/RU2119275C1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU96105557A (ru) | Плазменный ускоритель | |
KR100228534B1 (ko) | 음극스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생장치 | |
EP0054621B1 (en) | High temperature ion beam source | |
US6224725B1 (en) | Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode | |
CA2081005C (en) | Plasma accelerator with closed electron drift | |
US4163151A (en) | Separated ion source | |
US4404077A (en) | Integrated sputtering apparatus and method | |
JPS5926665B2 (ja) | カソ−ドスパッタリング装置における標的物質を粉塵化するカソ−ド装置 | |
US4258266A (en) | Ion implantation system | |
US6294862B1 (en) | Multi-cusp ion source | |
US20060197037A1 (en) | Beam neutralization in low-energy high-current ribbon-beam implanters | |
JP2005527941A (ja) | ある体積内にプラズマを閉じ込める装置 | |
EP0447764A3 (en) | Cathodic sputtering substrate coating device | |
US20100072061A1 (en) | Sputtering apparatus for forming thin film | |
US4652795A (en) | External plasma gun | |
GB2051877A (en) | Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method | |
CN111155067A (zh) | 一种磁控溅射设备 | |
US4542321A (en) | Inverted magnetron ion source | |
SU1758086A1 (ru) | Устройство дл ионно-лучевой обработки деталей | |
GB2387266A (en) | Ion source with additional positive electrode | |
RU96119431A (ru) | Плазменный ускоритель | |
RU2030134C1 (ru) | Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов | |
JPH0621041A (ja) | プレーナマグネトロンスパッタ装置 | |
US3914637A (en) | Method and apparatus for focusing an electron beam | |
EP0197668B1 (en) | External plasma gun |