RU94000685A - MELTING DEVICE FOR CULTIVATION OF CRYSTALS FROM MELTING - Google Patents

MELTING DEVICE FOR CULTIVATION OF CRYSTALS FROM MELTING

Info

Publication number
RU94000685A
RU94000685A RU94000685/26A RU94000685A RU94000685A RU 94000685 A RU94000685 A RU 94000685A RU 94000685/26 A RU94000685/26 A RU 94000685/26A RU 94000685 A RU94000685 A RU 94000685A RU 94000685 A RU94000685 A RU 94000685A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
melting
stand
crucible
crystals
melting device
Prior art date
Application number
RU94000685/26A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2114938C1 (en
Inventor
Х.И. Макеев
Г.И. Бабаянц
Original Assignee
Отделение Научно-исследовательского института Научно-производственного объединения "Луч" керамических и полупроводниковых материалов
Filing date
Publication date
Application filed by Отделение Научно-исследовательского института Научно-производственного объединения "Луч" керамических и полупроводниковых материалов filed Critical Отделение Научно-исследовательского института Научно-производственного объединения "Луч" керамических и полупроводниковых материалов
Priority to RU94000685A priority Critical patent/RU2114938C1/en
Priority claimed from RU94000685A external-priority patent/RU2114938C1/en
Publication of RU94000685A publication Critical patent/RU94000685A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2114938C1 publication Critical patent/RU2114938C1/en

Links

Claims (1)

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния. Плавильное устройство состоит из кварцевого тигля, установленного внутри графитовой подставки, и слоя порошка карбида кремния, помещаемого в зазор между тиглем и подставкой, при этом слой порошка карбида кремния локально меняется по толщине в соответствии с высотой стенки тигля, а графитовая подставка выполнена цельной. Данное устройство позволяет обеспечить равномерный нагрев расплавляемого материала, исключить деформацию кварцевого тигля и графитовой подставки. 1 з. п. ф-лы.The invention relates to the metallurgy of semiconductor materials and can be used in the design of the melting device for growing crystals from the melt, mainly silicon. The melting device consists of a quartz crucible installed inside a graphite stand and a layer of silicon carbide powder placed in the gap between the crucible and the stand, while the layer of silicon carbide powder varies locally in thickness according to the height of the crucible wall, and the graphite stand is solid. This device allows to provide uniform heating of the melted material, to exclude the deformation of the quartz crucible and the graphite stand. 1 h. apt.
RU94000685A 1994-01-05 1994-01-05 Melter for crystal growing from melt RU2114938C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94000685A RU2114938C1 (en) 1994-01-05 1994-01-05 Melter for crystal growing from melt

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94000685A RU2114938C1 (en) 1994-01-05 1994-01-05 Melter for crystal growing from melt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94000685A true RU94000685A (en) 1995-12-10
RU2114938C1 RU2114938C1 (en) 1998-07-10

Family

ID=20151303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94000685A RU2114938C1 (en) 1994-01-05 1994-01-05 Melter for crystal growing from melt

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2114938C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4528163A (en) Crucible for semiconductor manufacturing purposes and a process for manufacturing the crucible
US4747906A (en) Process and apparatus for purifying silicon
JP3309141B2 (en) Method and apparatus for casting crystalline silicon ingot by electron beam melting
EP0787836A3 (en) Method for preparing silicon melt from polycrystalline silicon charge
EP1380674A3 (en) Apparatus and process for producing single crystal
RU94000685A (en) MELTING DEVICE FOR CULTIVATION OF CRYSTALS FROM MELTING
FR2555565B1 (en) PROCESS FOR PRODUCING SILICON FROM QUARTZ IN THE FORM OF RAW MATERIAL IN A LOW ELECTRIC FURNACE
KR900014644A (en) Silicon single crystal manufacturing apparatus
MY104640A (en) Apparatus for manufacturing silicon single crystals.
KR900017934A (en) Monocrystalline Silicon Manufacturing Equipment
JP2002534603A5 (en)
EP0781868A3 (en) A single crystal growing apparatus
AU2005245291B2 (en) Cooled lump from molten silicon and process for producing the same
SE8502375L (en) METHOD AND DEVICE FOR WRAPPONING OF MONOCRISTALLIC SILICON STARS
MY102843A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor single crystals
US20050126473A1 (en) Device for pulling monocrystals
JPS5547300A (en) Crystal pulling device
JPS60137893A (en) Graphite crucible for pulling semiconductor single crystal
JPS5738397A (en) Apparatus and method for growing crystal
JPS6165422A (en) Method of producing silicon crystal for solar battery
JPH03290393A (en) Crucible for producing si single crystal
JPS55104998A (en) Production of silicon carbide crystal layer
RU2114938C1 (en) Melter for crystal growing from melt
JPS63307188A (en) Device for pulling up single crystal
RU95117198A (en) METHOD FOR PRODUCING REFRACTORY MATERIAL BASED ON SILICON AND SILICON CARBIDE