RU2812017C1 - Способ выщелачивания кобальта из алмазных твердосплавных пластин - Google Patents
Способ выщелачивания кобальта из алмазных твердосплавных пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2812017C1 RU2812017C1 RU2022133424A RU2022133424A RU2812017C1 RU 2812017 C1 RU2812017 C1 RU 2812017C1 RU 2022133424 A RU2022133424 A RU 2022133424A RU 2022133424 A RU2022133424 A RU 2022133424A RU 2812017 C1 RU2812017 C1 RU 2812017C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- leaching
- bath
- plates
- solution
- atp
- Prior art date
Links
- 238000002386 leaching Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 title claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title abstract description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 7
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 7
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 4
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 abstract 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к области технологии изготовления режущего инструмента, а именно к способам изготовления резцов со вставкой из поликристаллического алмазного композита (PDC-резцов). Способ включает нанесение защитного покрытия на неподлежащие травлению части пластины, помещение пластин в ванну для выщелачивания, выщелачивание при температуре 75±10°С, извлечение пластин из ванны выщелачивания и удаление защитного покрытия. Пластины после извлечения из ванны для выщелачивания погружают последовательно в дополнительные ванны для выщелачивания. При этом в первую ванну подают раствор, содержащий хлорид трехвалентного железа, соляную или серную кислоту и до 5 мас.% хлорида двухвалентного кобальта, а в последнюю ванну подают свежеприготовленный раствор, содержащий от 30 до 40 мас.% хлорида трехвалентного железа, а также от 0,5 до 1 об.% концентрированной соляной или серной кислоты. Раствор, содержащий до 5 мас.% хлорида двухвалентного кобальта для первой ванны, получают из свежеприготовленного раствора, прошедшего процесс выщелачивания в последней ванне. Обеспечивается увеличение глубины выщелачивания без увеличения расхода выщелачивающего раствора. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 1 пр.
Description
Изобретение относится к области технологии изготовления режущего инструмента, а именно относится к способам изготовления резцов со вставкой из поликристаллического алмазного композита (PDC-резцов), а более конкретно относится к способам изготовления алмазно-твердосплавных пластин PDC-резцов.
Основным инструментом для эффективного бурения недр земли при добыче углеводородов является долото для вращательного бурения, которое классифицируется как долото с фиксированными резцами, в качестве основы которых в настоящее время применяют алмазно-твердосплавные пластины (АТП). АТП представляют собой поликристаллический алмазный слой, припеченный к массивной подложке из металлокерамического твердого сплава, как показано на фиг. 1. Технология припекания алмазного слоя к твердосплавной подложке неизбежно приводит к заполнению зазоров между кристаллами алмаза с металлическим кобальтом, при этом присутствие кобальта в этом месте серьезно снижает эксплуатационные свойства резца из-за того, что разогревающийся в процессе бурения резец разрушается из-за химического взаимодействия алмаза и кобальта при такой температуре и, приводящего в конечном итоге к разрушению алмазного слоя. В результате важным этапом технологии изготовления АТП является выщелачивание кобальта из алмазного слоя. Процесс выщелачивания заключается в удалении металла (кобальт) из ростовой эвтектики (кобальт-карбид вольфрама-углерод), находящегося между алмазными кристаллитами в алмазном слое АТП. Это приводит к образованию микропор, полостей, каналов внутри чисто алмазного слоя и к существенному повышению эксплуатационных свойств резца.
В частности, из существующего уровня техники известен способ (патент RU 2635692 от 22.05.2012 МПК Е21В 10/567) для по существу полного удаления кобальта из межкристаллических промежутков между скрепленными друг с другом кристаллами алмазного слоя. В этом способе используют царскую водку (смесь концентрированной азотной кислоты (HNO3) и концентрированной соляной кислоты (HCl)), а также кипящей соляной кислоты (HCl) и кипящей плавиковой кислоты (HF). Авторы данного способа предлагают выщелачивание соляной кислотой (HCl) при температуре 110°С или более в течение от 2 до 60 часов, в зависимости от размера массива алмазного слоя. В силу невысокой глубины проникновения авторы рекомендуют выщелачивание применять выборочно к конкретным областям алмазной пластинки, и не применять к другим областям, а именно подвергать выщелачиванию области вблизи передней режущей грани массива резца.
Недостатками известного способа является невысокая глубина выщелачивания (как правило, до 100 мкм) и повышенная опасность процесса, включающего применение кипящей концентрированной кислоты при температурах свыше 110°С.
Также из уровня техники известен способ (US 10,807,913 В1 от 20.102020 МПК С04В 35/52, С04В 35/622), включающий выщелачивание погружением в кислоту или кислотный раствор, такой как царская водка, азотная кислота, фтористоводородная кислота, или другой подходящий процесс для удаления по меньшей мере части металла. Для обеспечения выщелачивания именно лицевой части АТП с алмазным слоем авторы предлагают выполнять алмазный слой из двух компонентов: более пористого и менее пористого, благодаря чему выщелачивание первого слоя проходит быстрее и обеспечивает легкий доступ выщелачивающего агента к внутреннему, менее пористому слою - в результате глубина выщелачивания достигает существенно выше 200 мкм. Также авторы предлагают выполнять поверхность АТП вогнутой. Авторы указывают, что такая спеченная АТП может быть погружена в кислотный раствор примерно на 2-7 дней (например, около 3, 5 или 7 дней) или на несколько недель (например, около 4 недель) в зависимости от используемого процесса.
Недостатком известного способа является повышенная сложность и трудоемкость изготовления АТП с двухкомпонентным алмазным слоем и вогнутой поверхностью.
Наиболее близким к данному изобретению является известный из уровня техники способ выщелачивания кобальта из АТП (US 8435324 от 07.05.2013 МПК: С22В 3/06), включающий применение хлорида трехвалентного железа FeCl3 в растворе соляной или азотной кислоты, а также их смесей. Для защиты твердосплавной подложки АТП от вытравливания пластину покрывают слоем политетрафторэтилена, устойчивого к действию реагентов. Процесс проводят не менее суток, но обычно в течение недели и вплоть до нескольких месяцев при температуре не ниже 10°С, но не выше 95°С. с достижением запатентованной для исследованных образцов глубины травления вплоть до 300 мкм (при использовании при травлении только свежего раствора), а с применением бывшего в употреблении раствора до 70 мкм. Выщелачивающий раствор включает смесь водного раствора хлорного железа (от 0,5 до 33,3% масс.), а также раствор может включать до 50% об. соляной или азотной кислоты. Процесс выщелачивания сопровождают механической или ультразвуковой активацией. Авторы постулируют проведение пяти шагов процесса: (1) наносят защитное покрытия (маски) при нагреве сформированного заранее покрытия из политетрафторэтилена включая возможные добавки-наполнители при температуре до 325°С; (2) помещают АТП в ванну для травления; (3) травление (выщелачивание); (4) удаляют АТП из ванны травления; и (5) удаляют защитное покрытие.
Недостатками известного способа являются отсутствие возможности более глубокого травления алмазного слоя, а также большой расход выщелачивающего раствора.
Задачей изобретения является устранение указанных недостатков цитированных выше аналогов. Поставленная задача решается следующим образом.
В ходе проведения экспериментальных исследований и при изучении научно-технической и патентно-технической литературы авторы пришли к выводу, что основным препятствием к достижению более глубокого травления (выщелачивания кобальта на большую глубину) является диффузионное торможение в глубине образованных выщелачиванием микроскопических пор, из-за которого образованные при травлении соли кобальта перестают выходить из пор в выщелачивающий раствор и препятствуют таким образом проникновению компонентов свежего раствора вглубь алмазного слоя. При этом предлагаемые в аналогах меры механической и ультразвуковой активации сами по себе не в состоянии существенно ускорить диффузию в глубине пор, а только вблизи устья пор, что не приводит к достижению технического результата. Авторами установлено, что для достижения технического результата необходимо применение нескольких ванн травления, первая из которых содержит до 5% масс.CoCl2, а последняя ванна содержит свежеприготовленный раствор (30÷40% масс. FeCl3 и 0,5÷1% масс концентрированной соляной или серной кислот). АТП погружают последовательно, причем при движении между ваннами АТП подвергают очищающей промывке для освобождения пор от продуктов травления. Технический результат достигают проводя выщелачивание при температуре 75 С±10°С без увеличения количества выщелачивающего раствора, что происходит благодаря тому, что на начальных шагах травления применяют раствор, содержащий до 5% масс хлорида кобальта, полученный на последней стадии травления. Технологический процесс согласно данному способу происходит как показано на схеме фиг. 2.
После извлечения из каждой ванны выщелоченные пластины промывают в емкости с водой и далее в ультразвуковой ванне с дистиллированной водой, в которой растворен комплексообразователь, например, ЭДТА - этилендиаминтетрауксусная кислота и производят не менее, чем двухкратную отмывку от находящихся в порах АТП солей для удаления остатков растворенных железа и кобальта. После каждой отмывки проводят в течение часа термовакуумирование АТП при температурах порядка 100-200°С для более эффективного проникновения следующей порции жидкости в поры.
Таким образом, новый технический результат достигают в виде получения увеличенной глубины выщелачивания АТП без увеличения расхода выщелачивающего раствора.
Отклонение от указанных интервалов приводит к нежелательному замедлению процесса выщелачивания либо к непроизводительному расходу выщелачивающего раствора. Температура выщелачивания для достижения технического результата должна поддерживаться на уровне 75°С±10°С Отклонение от данной температуры в нижнюю сторону приводит к нежелательному замедлению выщелачивания, а отклонение в верхнюю сторону - приводит к потере технологичности процесса из-за быстрого испарения кислоты и повышенной коррозионной активности.
Выщелачивание кобальта из АТП на примере реализации
Пример 1.
1 стадия: Наносят защитное покрытия на АТП
Каждую пластину АТП, предварительно обрабатывают до необходимых размеров, обезжиривают тщательной протиркой (вручную) внешней поверхности ацетоном.
Далее сборку из пластин опускают (по фаске АТП) в защитный лак ЛФ-32ЛН, извлекают и оставляют в висячем положении на магнитном держателе в течение 1 часа на воздухе до затвердевания поверхностного слоя. Продолжительность сушки каждого из 3-5 слоев при температуре 20-25°С составляет 45-60 мин., при температуре 50-100°С - составляет 30-45 мин. Продолжительность сушки всего покрытия при температуре 100 С составляет 6 часов.
2 стадия. Формирование кассеты с АТП и размещение в рабочей емкости В первую ванну травления помещают кассетный держатель с подготовленными АТП и заливают предварительно приготовленным выщелачивающим раствором.
3 стадия. Приготовление выщелачивающего раствора.
Раствор приготавливают из кристаллогидрата FeCl3⋅6H2O растворением последнего в дистиллированной воде до достижения концентрации 40% масс. и для приготовления 1000 мл свежего 40%-ного раствора необходимо 400 г. безводного хлорида железа или 650,5 г кристаллогидрата FeCl3⋅6H2O. Рабочий раствор готовят добавлением 650,5 г FeCl3⋅6H2O к 450 мл. воды (на каждый литр выщелачивающего раствора) и тщательным перемешиванием до полного растворения. Добавляют 5 мл концентрированной HCl. Полученный раствор используют для выщелачивания из расчета не менее 500 мл на 10 пластин.
4 стадия. Выщелачивание АТП.
Процесс проводят при температуре 75°С в течение 12 суток последовательно перемещая кассетный держатель с АТП согласно фиг. 1 и соблюдая время выщелачивания для каждой ванны - 3 суток. При этом в ванну 1 поступает раствор из ванны 2, содержащий до 5% масс. CoCl2, а в ванну 4 - свежеприготовленный раствор, не содержащий CoCl2. После извлечения из каждой ванны выщелоченные пластины промывают в емкости с водой и далее в ультразвуковой ванне с дистиллированной водой, в которой растворен комплексообразователь (например, ЭДТА - этилендиаминтетрауксусная кислота) и производят не менее, чем двухкратную отмывку от находящихся в порах АТП солей и удаляют остатки растворенных железа и кобальта. После каждой отмывки проводят течение часа термовакуумирование АТП при температурах порядка 100-200°С для более эффективного проникновения следующей порции жидкости в поры.
В результате проведения выщелачивания получают АТП с глубиной выщелачивания 500 мкм.
Примеры 1-7 реализации изобретения сведены в таблицу ниже.
Claims (4)
1. Способ выщелачивания кобальта из алмазно-твердосплавных пластин, включающий нанесение защитного покрытия на неподлежащие травлению части пластины, помещение пластин в ванну для выщелачивания, выщелачивание при температуре 75±10°С, извлечение пластин из ванны выщелачивания и удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что пластины после извлечения из ванны для выщелачивания погружают последовательно в дополнительные ванны для выщелачивания, при этом в первую ванну подают раствор, содержащий хлорид трехвалентного железа, соляную или серную кислоту и до 5 мас.% хлорида двухвалентного кобальта, а в последнюю ванну подают свежеприготовленный раствор, содержащий от 30 до 40 мас.% хлорида трехвалентного железа, а также от 0,5 до 1 об.% концентрированной соляной или серной кислоты.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что раствор, содержащий до 5 мас.% хлорида двухвалентного кобальта для первой ванны, получают из свежеприготовленного раствора, прошедшего процесс выщелачивания в последней ванне.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что после извлечения из выщелачивающей ванны пластины подвергают промывке в дистиллированной воде, в которой растворен комплексообразователь.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что после каждой отмывки проводят в течение часа термовакуумирование при температуре 100-200°С до осушения жидкости из пор.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2812017C1 true RU2812017C1 (ru) | 2024-01-22 |
Family
ID=
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2619526A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-06 | Anthony Griffo | Manufacture of thermally stable cutting elements |
RU2355865C2 (ru) * | 2003-12-11 | 2009-05-20 | Элемент Сикс (Пти) Лтд. | Поликристаллический алмазный абразивный элемент |
US8404019B2 (en) * | 2010-12-21 | 2013-03-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Chemical agents for recovery of leached materials |
RU2635692C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2017-11-15 | Бейкер Хьюз Инкорпорейтед | Режущий элемент для бурового инструмента |
RU2717852C1 (ru) * | 2019-04-09 | 2020-03-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Химбурсервис" | Буровое долото pdc для бурения зоны поглощения промывочной жидкости |
US11014157B2 (en) * | 2014-12-17 | 2021-05-25 | Schlumberger Technology Corporation | Solid PCD with transition layers to accelerate full leaching of catalyst |
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2355865C2 (ru) * | 2003-12-11 | 2009-05-20 | Элемент Сикс (Пти) Лтд. | Поликристаллический алмазный абразивный элемент |
CA2619526A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-06 | Anthony Griffo | Manufacture of thermally stable cutting elements |
US8404019B2 (en) * | 2010-12-21 | 2013-03-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Chemical agents for recovery of leached materials |
US8435324B2 (en) * | 2010-12-21 | 2013-05-07 | Halliburton Energy Sevices, Inc. | Chemical agents for leaching polycrystalline diamond elements |
RU2635692C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2017-11-15 | Бейкер Хьюз Инкорпорейтед | Режущий элемент для бурового инструмента |
US11014157B2 (en) * | 2014-12-17 | 2021-05-25 | Schlumberger Technology Corporation | Solid PCD with transition layers to accelerate full leaching of catalyst |
RU2717852C1 (ru) * | 2019-04-09 | 2020-03-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Химбурсервис" | Буровое долото pdc для бурения зоны поглощения промывочной жидкости |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5796936B2 (ja) | 多孔質ガラスの製造方法 | |
JP6814181B2 (ja) | リン酸リチウム化合物を含有する残留物を表面から除去する方法 | |
RU2602651C2 (ru) | Электрохимическое удаление катализатора из сверхтвердых материалов с помощью ультразвука | |
BR102015031030A2 (pt) | artigo | |
US8961630B2 (en) | Methods of forming cutting elements by removing metal from interstitial spaces in polycrystalline diamond | |
JPS58185488A (ja) | 酸化及び侵蝕に抵抗性のある固体炭素物品及びその製造方法 | |
US5460694A (en) | Process for the treatment of aluminum based substrates for the purpose of anodic oxidation, bath used in said process and concentrate to prepare the bath | |
RU2812017C1 (ru) | Способ выщелачивания кобальта из алмазных твердосплавных пластин | |
Tang et al. | Corrosion behavior of a cerium-based conversion coating on alumina borate whisker-reinforced AA6061 composite pre-treated by hydrogen fluoride | |
JP2008202112A (ja) | 微細構造体および製造方法 | |
Ganorkar et al. | A novel method for conservation of copper-based artifacts | |
Thompson et al. | The Morphology of Sealed Anodic Films Formed on Aluminium in Phosphoric Acid | |
CA2852972C (en) | Polycrystalline diamond compact with increased impact resistance | |
TW200939327A (en) | Chemical treatment to reduce machining-induced sub-surface damage in semiconductor processing components comprising silicon carbide | |
US3998653A (en) | Method for cleaning semiconductor devices | |
US4119437A (en) | Method for removing Y2 O3 or Sm2 O3 cores from castings | |
US3093503A (en) | Coated materials having an undercut substrate surface and method of preparing same | |
US2313753A (en) | Method of treating magnesium and its alloys | |
EP3312152B1 (en) | Removing coatings from ceramic or ceramic matrix composite substrates | |
Wang et al. | Corrosion behavior of the nickel/nickel interface during the copper‐sacrificial layer release process in micro‐electroforming | |
KR101101458B1 (ko) | 계면활성제를 통해 양극산화된 니오븀 옥사이드 나노구조 제조방법 | |
Straten et al. | The Reaction of Zinc with Copper Sulfate in Aqueous Solution | |
US11377745B2 (en) | Stripping of coatings Al-containing coatings | |
KR102568034B1 (ko) | 감탕을 이용한 은기물 제조방법 | |
Menzies et al. | The Electrodeposition of Copper from Non-Aqueous Solutions: II The Acetic Acid-Pyridine System |