RU2710515C2 - Дисплейное устройство и электронное устройство - Google Patents

Дисплейное устройство и электронное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2710515C2
RU2710515C2 RU2018136573A RU2018136573A RU2710515C2 RU 2710515 C2 RU2710515 C2 RU 2710515C2 RU 2018136573 A RU2018136573 A RU 2018136573A RU 2018136573 A RU2018136573 A RU 2018136573A RU 2710515 C2 RU2710515 C2 RU 2710515C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photoelectric sensor
display device
film transistor
matrix substrate
touch sensing
Prior art date
Application number
RU2018136573A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2018136573A3 (ru
RU2018136573A (ru
Inventor
Чжуншэн ЦЗЯН
Аньюй ЛЮ
Original Assignee
Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд. filed Critical Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.
Publication of RU2018136573A publication Critical patent/RU2018136573A/ru
Publication of RU2018136573A3 publication Critical patent/RU2018136573A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2710515C2 publication Critical patent/RU2710515C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00—Pattern recognition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133626—Illuminating devices providing two modes of illumination, e.g. day-night
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3406—Control of illumination source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
    • H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к дисплейному устройству. Дисплейное устройство содержит дисплейную панель, подложку матрицы. Подложка матрицы содержит основу; тонкопленочный транзистор, расположенный на поверхности основы в первой области; фотоэлектрический датчик, расположенный на поверхности основы во второй области, предназначенный для идентификации по отпечатку пальца; и пассивирующий слой, расположенный на поверхности как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы, модуль фоновой подсветки, расположенный на поверхности подложки матрицы с противоположной стороны от цветной пленочной подложки, модуль восприятия прикосновения, расположенный на поверхности цветной пленочной подложки, с противоположной стороны от подложки матрицы или расположенный между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой, управляющую микросхему, электрически соединенную с тонкопленочным транзистором, фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения, причем модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает в управляющую микросхему сигнал управления с целью управления фотоэлектрическим датчиком и тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику для обеспечения начала работы; и модуль определения состояния, выполненный с возможностью определения рабочего состояния дисплейного устройства и передачи определенного таким образом рабочего состояния в модуль восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, определяет, находится ли дисплейное устройство в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, и, если дисплейное устройство находится в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, модуль восприятия прикосновения передает в управляющую микросхему сигнал управления. Технический результат – упрощение конструкции. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Description

Настоящая заявка выделена из заявки №2017132862 на выдачу патента РФ на изобретение, поданной 19.12.2016, с испрашиванием приоритета по дате подачи первой заявки CN 201610827550.X, поданной в патентное ведомство КНР 14.09.2016.
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение, в общем, относится к области визуального отображения, и, более конкретно, к дисплейному устройству и электронному устройству.
Уровень техники
В интеллектуальных терминалах применяют разнообразные операции шифрования/расшифровки, и все большее внимание привлекает использование для этой цели отпечатков пальцев, которые есть у каждого человека, но у разных людей разные. Соответственно, модули идентификации по отпечатку пальца все чаще встраивают в интеллектуальные терминалы.
В настоящее время модуль идентификации по отпечатку пальца в интеллектуальном терминале (к примеру, в телефоне) размещают, как правило, двумя способами: сзади интеллектуального терминала или спереди интеллектуального терминала. Модуль идентификации по отпечатку пальца, располагаемый сзади, обычно размещают в верхней и средней области корпуса терминала, а модуль идентификации по отпечатку пальца, располагаемый спереди, объединяют с клавишей перехода на начальный экран (клавишей «HOME»).
Однако какой бы из перечисленных способов не использовался, приходится изготавливать отдельный модуль идентификации по отпечатку пальца, а затем размещать этот модуль в интеллектуальном терминале, что представляет собой сложную производственную операцию.
Раскрытие изобретения
Для устранения указанного недостатка известного уровня техники настоящее изобретение предлагает подложку матрицы, дисплейную панель, дисплейное устройство, способ изготовления подложки матрицы и электронное устройство.
В соответствии с первым аспектом настоящего изобретения предлагается подложка матрицы. Эта подложка матрицы содержит основу; тонкопленочный транзистор, расположенный на поверхности основы в первой области; фотоэлектрический датчик, расположенный на поверхности основы во второй области, предназначенный для идентификации по отпечатку пальца; и пассивирующий слой, расположенный на поверхности как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы.
В качестве одной из возможностей подложка матрицы дополнительно содержит плоский слой, расположенный на поверхности пассивирующего слоя с противоположной стороны от тонкопленочного транзистора.
В качестве одной из возможностей фотоэлектрический датчик содержит по меньшей мере один элемент из числа фотодиода, фототриода и фототранзистора.
В соответствии со вторым аспектом настоящего изобретения предлагается дисплейная панель. Эта дисплейная панель содержит указанную подложку матрицы.
В качестве одной из возможностей дисплейная панель дополнительно содержит цветную пленочную подложку, расположенную с противоположной стороны от подложки матрицы, причем в цветной пленочной подложке размещена по меньшей мере одна черная матрица, помещенная напротив фотоэлектрического датчика; и жидкокристаллический слой, расположенный между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой.
В соответствии с третьим аспектом настоящего изобретения предлагается дисплейное устройство. Это дисплейное устройство содержит вышеописанную дисплейную панель и дополнительно содержит модуль фоновой подсветки, расположенный на поверхности подложки матрицы с противоположной стороны от цветной пленочной подложки; и модуль восприятия прикосновения, расположенный на поверхности цветной пленочной подложки с противоположной стороны от подложки матрицы или расположенный между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит управляющую микросхему, электрически соединенную с тонкопленочным транзистором, фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает в управляющую микросхему сигнал управления с целью управления фотоэлектрическим датчиком и тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику, для обеспечения начала работы.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит линию данных и электрод пиксела. Тонкопленочный транзистор электрически соединен с линией данных и электродом пиксела, и линия данных передает сигнал данных через тонкопленочный транзистор на электрод пиксела. Управляющая микросхема при приеме сигнала управления модифицирует сигнал данных, переданный через линию данных, соответствующую фотоэлектрическому датчику, так что свет, излученный из модуля фоновой подсветки, после прохождения через дисплейную панель становится монохроматическим или белым.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит модуль определения состояния, выполненный с возможностью определения рабочего состояния дисплейного устройства и передачи определенного таким образом рабочего состояния в модуль восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, определяет, находится ли дисплейное устройство в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, и, если дисплейное устройство находится в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, то модуль восприятия прикосновения передает в управляющую микросхему сигнал управления.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит первую микросхему, электрически соединенную с фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения; и вторую микросхему, электрически соединенную с тонкопленочным транзистором и модулем восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает сигналы управления, соответственно, в первую микросхему и во вторую микросхему, так что первая микросхема управляет фотоэлектрическим датчиком для обеспечения начала работы, а вторая микросхема управляет тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику, для обеспечения начала работы.
В соответствии с четвертым аспектом настоящего изобретения предлагается способ изготовления подложки матрицы. Этот способ включает: формирование тонкопленочного транзистора на поверхности основы в первой области посредством операции формирования рельефа; формирование фотоэлектрического датчика на поверхности основы во второй области для идентификации по отпечатку пальца посредством операции формирования рельефа; и формирование пассивирующего слоя на поверхности как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы.
В качестве одной из возможностей указанный способ изготовления дополнительно включает формирование плоского слоя на поверхности пассивирующего слоя с противоположной стороны от тонкопленочного транзистора.
В соответствии с пятым аспектом настоящего изобретения предлагается электронное устройство. Это устройство содержит процессор; и память, хранящую команды, исполняемые процессором. Указанное электронное устройство дополнительно содержит дисплейное устройство, содержащее подложку матрицы. Эта подложка матрицы содержит основу; тонкопленочный транзистор, расположенный на поверхности основы в первой области; фотоэлектрический датчик, расположенный на поверхности основы во второй области, предназначенный для идентификации по отпечатку пальца; и пассивирующий слой, расположенный на поверхности как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы.
Технические решения, предлагаемые вариантами осуществления настоящего изобретения, могут дать следующий технический результат.
Как можно понять из вышеописанных вариантов осуществления изобретения, настоящее изобретение дает возможность встраивания фотоэлектрического датчика в подложку матрицы путем размещения этого фотоэлектрического датчика на основе подложки матрицы. В дисплейном устройстве, изготовленном с использованием указанной подложки матрицы, для идентификации по отпечатку пальца можно помещать палец в положение, соответствующее второй области подложки матрицы. Это устраняет необходимость установки в дисплейном устройстве дополнительного датчика идентификации по отпечатку пальца, чем упрощается операция изготовления, улучшается стабильность и единство всей конструкции.
Следует понимать, что как вышеприведенное общее описание, так и нижеследующее подробное описание предлагаются лишь в качестве примера, служат лишь для пояснения и не ограничивают настоящее изобретение.
Краткое описание чертежей
Сопровождающие чертежи, включенные в настоящий документ и составляющие его часть, иллюстрируют варианты осуществления, соответствующие настоящему изобретению, и вместе с настоящим описанием служат для пояснения принципов настоящего изобретения.
Фиг. 1 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 2 представляет собой схему, иллюстрирующую принцип идентификации по отпечатку пальца в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 3 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру еще одной подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 4 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру дисплейной панели в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 5 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру еще одной дисплейной панели в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 6 представляет собой обобщенную схему, иллюстрирующую способ изготовления подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 7 представляет собой обобщенную схему, иллюстрирующую еще один способ изготовления подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Фиг. 8 представляет собой функциональную схему, иллюстрирующую дисплейное устройство в соответствии с примерным вариантом осуществления.
Осуществление изобретения
Далее подробно рассматриваются некоторые примерные варианты осуществления, иллюстрируемые сопровождающими чертежами. Нижеследующее описание ссылается на сопровождающие чертежи, в которых на разных чертежах одинаковые номера ссылочных обозначений представляют одинаковые или подобные элементы, если не указано иное. Реализации, приведенные в нижеследующем описании вариантов осуществления, не представляют все варианты осуществления, соответствующие настоящему изобретению. Напротив, они представляют собой лишь примеры устройств и способов, соответствующих аспектам, относящимся к настоящему изобретению, изложенному в прилагаемой формуле изобретения.
Фиг. 1 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 1, подложка матрицы содержит основу 1, тонкопленочный транзистор 2 и фотоэлектрический датчик 3.
В варианте осуществления материалом основы может быть стекло. Однако если подложку матрицы делают пригодной для гибкого дисплейного устройства, то материалом основы может быть гибкий пластик.
Тонкопленочный транзистор 2 расположен в первой области на поверхности основы 1.
В варианте осуществления, показанном на фиг. 1, тонкопленочный транзистор 2 может содержать такие компоненты, как, например, затвор 21, активный слой 22, исток 23, сток 24 и т.д. Между затвором 21 и активным слоем 22 может находиться подзатворный изолирующий слой 5.
Во второй области на поверхности основы 1 расположен фотоэлектрический датчик 3, предназначенный для идентификации по отпечатку пальца.
В варианте осуществления фотоэлектрический датчик могут формировать на основе посредством той же операции, которая использовалась для формирования тонкопленочного транзистора, к примеру, посредством операции формирования рельефа.
В варианте осуществления структура фотоэлектрического датчика не ограничена структурой, показанной на фиг. 1, а положение фотоэлектрического датчика не ограничено положением, показанным на фиг. 1 и также не ограничено непосредственным формированием этого датчика на основе, как это показано на фиг. 1. Например, фотоэлектрический датчик могут формировать на тонкопленочном транзисторе. Иными словами, фотоэлектрический датчик могут формировать одновременно с формированием истока и стока или после этого. В этом случае между первой областью и второй областью может быть область перекрытия.
Фиг. 2 представляет собой схему, иллюстрирующую принцип идентификации по отпечатку пальца в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 2, фотоэлектрический датчик может быть компонентом типа фотодиода, фототриода, фототранзистора и т.д. Когда пользователь прижимает палец к поверхности экрана, свет, излученный из источника света, может после прохождения через призмы и т.п.падать на папиллярный узор пальца. Поскольку высоты впадин и возвышений на папиллярном узоре пальца различны, возвышения имеют плотный контакт с экраном, а между впадинами и экраном имеются воздушные промежутки. Поэтому свет, после падения отраженный от впадин и возвышений, будет отличаться. Соответственно, свет, падающий на фотоэлектрический датчик после прохождения через объектив, тоже будет разным. Фотоэлектрический датчик может формировать сигнал отклика, соответствующий различию между указанными видами света, и на основании этого сигнала определять распределение впадин и возвышений папиллярного узора пальца, тем самым определяя отпечаток пальца пользователя.
На поверхности как тонкопленочного транзистора 2, так и фотоэлектрического датчика 3 с противоположной стороны от основы 1 расположен пассивирующий слой 4.
В варианте осуществления пассивирующий слой может быть изготовлен из изолирующего материала, например, оксида кремния, нитрида кремния и т.д.
В этих вариантах осуществления путем размещения фотоэлектрического датчика на основе подложки матрицы можно сделать фотоэлектрический датчик частью подложки матрицы. В дисплейном устройстве, изготовленном с использованием такой подложки матрицы, для идентификации по отпечатку пальца можно помещать палец в положение, соответствующее второй области подложки матрицы. Это устраняет необходимость установки в дисплейном устройстве дополнительного датчика идентификации по отпечатку пальца, чем упрощается операция изготовления, улучшается стабильность и единство всей конструкции.
Фиг. 3 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру еще одной подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 3, в данной структуре, построенной на основе варианта осуществления, показанного на фиг. 1, подложка матрицы дополнительно содержит плоский слой 6, сформированный на поверхности пассивирующего слоя 4 с противоположной стороны от тонкопленочного транзистора 2.
Пассивирующий слой 4, показанный на фиг. 1, представляет собой идеальный слой, в котором верхняя поверхность пассивирующего слоя 4 является относительно плоской. В реальности, как показано на фиг. 3, верхняя поверхность пассивирующего слоя 4 не плоская, поскольку расположенные под пассивирующим слоем 4 тонкопленочный транзистор и фотоэлектрический датчик выступают над основой. Путем формирования на пассивирующем слое 4a плоского слоя 6 верхняя поверхность всей структуры может быть сделана относительно плоской, что упрощает формирование на ней других структур.
В качестве одной из возможностей фотоэлектрический датчик содержит по меньшей мере один элемент из следующих: фотодиод, фототриод, фототранзистор.
В соответствии с практическими потребностями пользователь может выбирать фотодиод и/или фототриод в качестве фотоэлектрического датчика для регистрации отпечатка пальца.
Настоящее изобретение, кроме того, предлагает дисплейную панель, содержащую вышеописанную подложку матрицы.
Фиг. 4 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру дисплейной панели в соответствии с примерным вариантом осуществления. На фиг. 4 структуры тонкопленочного транзистора 2 и фотоэлектрического датчика 3 показаны упрощенно. Дисплейная панель содержит вышеописанную подложку матрицы и дополнительно содержит цветную пленочную подложку и жидкокристаллический слой 8.
Цветная пленочная подложка расположена со стороны, противоположной подложке матрицы. В этой цветной пленочной подложке размещена черная матрица 7, помещенная напротив фотоэлектрического датчика 3.
Жидкокристаллический слой 8 расположен между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой.
В варианте осуществления цветная пленочная подложка содержит не только черную матрицу, но и по меньшей мере одну область цветовой фильтрации, расположенную между элементами черной матрицы. Каждая область цветовой фильтрации заполнена светофильтрующим материалом для соответствующего цвета. Например, может быть предусмотрена красная область цветовой фильтрации, зеленая область цветовой фильтрации и синяя область цветовой фильтрации. Кроме того, может быть предусмотрена белая область цветовой фильтрации.
Фиг. 5 представляет собой схему, иллюстрирующую структуру еще одной дисплейной панели в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 5, дисплейная панель может содержать множество линий данных и множество затворных линий. Затворные линии и линии данных пересекаются и определяют множество субпикселов. На фиг. 5 символами R, G, B обозначены, соответственно, красные, зеленые, синие субпикселы. В структуре, показанной на фиг. 5, черную матрицу (не показанную на фиг. 5), можно разместить в положениях, в которых находятся линии данных, затворные линии и/или тонкопленочный транзистор. Соответственно, фотоэлектрический датчик (не показанный на фиг. 5) также можно разместить в этих положениях, чтобы черная матрица делала его незаметным.
В варианте осуществления, чтобы снизить влияние сигнала сканирования на затворе тонкопленочного транзистора на жидкий кристалл, черную матрицу можно расположить соответственно тонкопленочному транзистору. В этом случае фотоэлектрический датчик можно размещать над тонкопленочным транзистором, т.е. так, чтобы положения тонкопленочного транзистора, фотоэлектрического датчика и черной матрицы соответствовали друг другу. В варианте осуществления фотоэлектрический датчик, хотя он может быть изготовлен с использованием прозрачного материала, все равно будет снижать светопропускание в соответствующих ему областях и влиять на апертурное отношение дисплейной панели. При соответствующем размещении фотоэлектрического датчика и черной матрицы области, соответствующие черной матрице, из-за ее наличия становятся непрозрачными. Таким образом, светопропускание не снизится, даже если в этих областях разместить фотоэлектрические датчики. Соответственно, апертурное отношение дисплейной панели может быть увеличено по сравнению с размещением фотоэлектрических датчиков в других местах.
Настоящее изобретение, кроме того, предлагает дисплейное устройство, содержащее вышеописанную дисплейную панель и дополнительно содержащее модуль фоновой подсветки и модуль восприятия прикосновения.
Модуль фоновой подсветки расположен на поверхности подложки матрицы с противоположной стороны от цветной пленочной подложки.
В варианте осуществления модуль фоновой подсветки может содержать светопроводящую пластину и световую полосу, расположенную на поверхности светопроводящей пластины. Свет, излученный из световой полосы, падает на светопроводящую пластину, посредством преломления и отражения в светопроводящей пластине превращается в свет, испускаемый из источника света, распределенного по площади, и затем падающий на дисплейную панель.
Модуль восприятия прикосновения располагается на поверхности цветной пленочной подложки, противоположной подложке матрицы, или между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой.
В варианте осуществления модуль восприятия прикосновения может быть конденсатором с самоиндукцией или конденсатором с взаимной индукцией. Когда модуль восприятия прикосновения расположен на поверхности цветной пленочной подложки, обращенной наружу от подложки матрицы, его структурой может быть структура OGS (One Glass Structure, структура с одним стеклом), например, модуль восприятия прикосновения располагается на защитном стекле с внешней стороны цветной пленочной подложки). Если же модуль восприятия прикосновения располагается между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой, то его структурой может быть структура On Cell («на ячейке»; например, модуль восприятия прикосновения располагается между поляризатором на поверхности цветной пленочной подложки и основой) или структура In Cell («в ячейке»; к примеру, модуль восприятия прикосновения располагается на подложке матрицы). Пользователь может выбирать конкретную структуру модуля восприятия прикосновения в соответствии с практическими потребностями.
В качестве одной из возможностей вышеописанное дисплейное устройство дополнительно содержит управляющую микросхему.
Управляющая микросхема электрически соединена с тонкопленочным транзистором, фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает в управляющую микросхему сигнал управления с целью управления фотоэлектрическим датчиком и тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику, для обеспечения начала работы.
В варианте осуществления управляющая микросхема может содержать первую интегральную схему, вторую интегральную схему и генератор сигнала, электрически соединенный с этими двумя интегральными схемами, соответственно.
Генератор сигнала электрически соединен с модулем восприятия прикосновения и при приеме сигнала управления из модуля восприятия прикосновения формирует и передает сигнал запуска в первую интегральную схему и во вторую интегральную схему. Первая интегральная схема может быть электрически соединена с тонкопленочным транзистором через затворную линию и при приеме сигнала запуска может передавать на затвор тонкопленочного транзистора сигнал сканирования, обеспечивая тем самым начало работы тонкопленочного транзистора. Вторая интегральная схема при приеме сигнала запуска может через проводник, соединенный с указанным фотоэлектрическим датчиком, управлять фотоэлектрическим датчиком для обеспечения начала работы. Указанным образом при прикосновении пользователя к месту, соответствующему фотоэлектрическому датчику, запускается идентификация отпечатка пальца пользователя.
В варианте осуществления тонкопленочный транзистор и фотоэлектрический датчик могут быть соединены с одной управляющей микросхемой. Эта управляющая микросхема может передавать сигнал сканирования в тонкопленочный транзистор и определять индивидуальную информацию отпечатка пальца на основании электрического сигнала из фотоэлектрического датчика. Таким образом, первый проводник, соединенный с тонкопленочным транзистором, и второй проводник, соединенный с фотоэлектрическим датчиком, могут идти из одной микросхемы. Это упрощает параллельное размещение первого проводника и второго проводника и исключает пересечение первого проводника и второго проводника, тем самым снижая сложность разводки проводников.
Указанной управляющей микросхемой может быть микросхема COG (Chip On Glass, микросхема на стекле). Иными словами, управляющая микросхема формируется непосредственно на основе подложки матрицы, что снижает объем дисплейного устойства, в который помещается подложка матрицы.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит линию данных и электрод пиксела. Тонкопленочный транзистор электрически соединен с линией данных и электродом пиксела, и линия данных передает сигнал данных через тонкопленочный транзистор на электрод пиксела. Управляющая микросхема при приеме сигнала управления модифицирует сигнал данных, переданный через линию данных, соответствующую фотоэлектрическому датчику, так что свет, излученный из модуля фоновой подсветки, после прохождения через дисплейную панель становится монохроматическим или белым.
В варианте осуществления линия данных может быть электрически соединена с истоком тонкопленочного транзистора, а электрод пиксела может быть электрически соединен со стоком тонкопленочного транзистора через сквозное отверстие в пассивирующем слое. Таким образом, когда тонкопленочный транзистор задействован (конкретно, включен), сигнал данных с линии данных может передаваться на электрод пиксела через исток, активный слой и сток тонкопленочного транзистора.
В варианте осуществления свет, регистрируемый фотоэлектрическим датчиком, падает из светопроводящей пластины на дисплейную панель, затем через дисплейную панель на палец, и отражается от пальца на фотоэлектрический датчик. Если свет от дисплейной панели, падающий на палец, не белый, а представляет собой иную смесь света разных цветов, то из-за спектрального воздействия материала дисплейной панели на эту смесь света разных цветов на разные области фотоэлектрического датчика может попадать отраженный свет разных цветов. Поскольку токи, индуцируемые в фотоэлектрическом датчике светом разных цветов, различаются, фотоэлектрический датчик создает нестабильный ток, что влияет на результат идентификации.
Если свет от дисплейной панели, падающий на палец, представляет собой белый свет, то свет, в итоге попадающий на фотоэлектрический датчик, все так же смешан в белый свет даже после спектрального воздействия материала в дисплейной панели. Если свет от дисплейной панели, падающий на палец, представляет собой монохроматический свет, то при его прохождении указанное спектральное воздействие не оказывает влияния, и свет, в итоге попадающий на фотоэлектрический датчик, остается монохроматическим светом.
Таким образом, путем модификации сигнала данных при приеме сигнала управления управляющая микросхема может изменять напряжение на электроде пиксела с целью изменения преломления жидкого кристалла в месте расположения фотоэлектрического датчика, в результате чего в этом месте включаются и красные, и зеленые, и синие субпикселы. Соответственно, весь белый свет, падающий из модуля фоновой подсветки на дисплейную панель, имеет возможность выйти наружу, оставаясь белым светом и после прохождения дисплейной панели. Далее, свет, отраженный от пальца пользователя, и свет, падающий на фотоэлектрический датчик, все так же представляют собой белый свет. Как вариант, можно включать только субпиксел одного цвета (к примеру, красный субпиксел), чтобы белый свет имел возможность проходить только через площадь красного субпиксела и отфильтровываться красным светофильтрующим материалом, оставляющим возможность выйти наружу только для красного света. В этом случае свет, излучаемый из дисплейной панели, представляет собой монохроматический красный свет. Кроме того, и свет, отраженный от пальца пользователя, и свет, падающий на фотоэлектрический датчик, тоже представляют собой красный свет.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит модуль определения состояния, выполненный с возможностью определения рабочего состояния дисплейного устройства и передачи определенного таким образом рабочего состояния в модуль восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, определяет, находится ли дисплейное устройство в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, и, если дисплейное устройство находится в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, то модуль восприятия прикосновения передает в управляющую микросхему сигнал управления.
Так как фотоэлектрический датчик размещен на подложке матрицы (то есть в области отображения дисплейной панели), прикосновение пользователя к зоне, соответствующей фотоэлектрическому датчику, может иметь место даже при выполнении действия, не требующего идентификации по отпечатку пальца. Если при этом будет включаться фотоэлектрический датчик, то будет бесполезно тратиться энергия.
В варианте осуществления путем дополнительного определения рабочего состояния дисплейного устройства при касании пользователя в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, может определяться, находится ли дисплейное устройство в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца. Состоянием готовности к идентификации по отпечатку пальца может быть состояние с заблокированным экраном, состояние подтверждения платежа с использованием отпечатка пальца и т.д. При пребывании дисплейного устройства в таком состоянии может быть определено, что выполненная пользователем операция касания места, соответствующего фотоэлектрическому датчику, требует идентификации по отпечатку пальца, и только в этом случае может включаться фотоэлектрический датчик. Это дает возможность рационально предотвратить бесполезную трату энергии и избежать потерь, вызванных частым включением и выключением фотоэлектрического датчика.
В качестве одной из возможностей дисплейное устройство дополнительно содержит первую микросхему, электрически соединенную с фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения; и вторую микросхему, электрически соединенную с тонкопленочным транзистором и модулем восприятия прикосновения. Модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает сигналы управления, соответственно, в первую микросхему и во вторую микросхему, в результате чего первая микросхема управляет фотоэлектрическим датчиком для обеспечения начала работы, а вторая микросхема управляет тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику, для обеспечения начала работы.
В данном варианте осуществления одна микросхема передает сигнал сканирования в тонкопленочный транзистор, а другая микросхема обрабатывает электрический сигнал из фотоэлектрического датчика. Указанная структура, по сравнению с вариантом осуществления, в котором одна управляющая микросхема не только передает сигнал сканирования в тонкопленочный транзистор, но и обрабатывает электрический сигнал из фотоэлектрического датчика, проще и легче в изготовлении, поскольку первая микросхема и вторая микросхема выполняют только соответствующую часть функций.
Подключать ли тонкопленочный транзистор и фотоэлектрический датчик к отдельным микросхемам или к одной общей микросхеме, определяется в зависимости от конкретной задачи.
Соответственно вариантам реализации вышеописанных подложек матрицы, настоящее изобретение, кроме того, предлагает варианты способа изготовления подложек матрицы.
Фиг. 6 представляет собой обобщенную схему, иллюстрирующую способ изготовления подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 6, этот способ изготовления содержит следующие шаги.
На шаге S61 на поверхности основы в первой области посредством операции формирования рельефа формируется тонкопленочный транзистор.
На шаге S62 на поверхности основы во второй области посредством операции формирования рельефа формируется фотоэлектрический датчик для идентификации по отпечатку пальца.
На шаге S63 поверх как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы формируется пассивирующий слой.
В варианте осуществления, если на основе также формируется фотоэлектрический датчик, то шаг S61 и шаг S62 могут выполняться одновременно. Иными словами, фотоэлектрический датчик формируется одновременно с тонкопленочным транзистором. Если фотоэлектрический датчик формируется над тонкопленочным транзистором, то шаг S61 может быть выполнен перед шагом S62. Кроме того, над тонкопленочным транзистором может дополнительно располагаться изолирующий слой, предназначенный для изоляции истока и стока тонкопленочного транзистора от фотоэлектрического датчика.
Фиг. 7 представляет собой обобщенную блок-схему, иллюстрирующую еще один способ изготовления подложки матрицы в соответствии с примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг. 7, этот способ изготовления основан на варианте осуществления, показанном на фиг. 6, и дополнительно содержит шаг S64.
На шаге S64 на поверхности пассивирующего слоя с противоположной стороны от тонкопленочного транзистора формируется плоский слой.
Что касается способа изготовления в вышеприведенных вариантах осуществления, конкретные приемы для реализации отдельных шагов были подробно описаны в вариантах осуществления соответствующей подложки матрицы и здесь подробно рассматриваться не будут.
Фиг. 8 представляет собой функциональную схему, иллюстрирующую дисплейное устройство 800 в соответствии с примерным вариантом осуществления. Устройством 800 может быть, например, мобильный телефон, компьютер, цифровой радиотерминал, устройство обмена сообщениями, игровая консоль, планшет, медицинское устройство, оборудование для упражнений, карманный персональный компьютер и т.п.
Как показано на фиг. 8, устройство 800 может содержать один или более следующих компонентов: обрабатывающий компонент 802, память 804, питающий компонент 806, мультимедийный компонент 808, аудиокомпонент 810, интерфейс 812 ввода/вывода, сенсорный компонент 814 и связной компонент 818. Устройство 800 может дополнительно содержать подложку матрицы. Эта подложка матрицы содержит: основу; тонкопленочный транзистор, размещенный на одной поверхности основы; фотоэлектрический датчик, размещенный на поверхности указанного тонкопленочного транзистора со стороны, противоположной основе, используемый для идентификации по отпечатку пальца; и пассивирующий слой, размещенный в области тонкопленочного транзистора, не занятой фотоэлектрическим датчиком, и на поверхности фотоэлектрического датчика со стороны, противоположной тонкопленочному транзистору.
Обрабатывающий компонент 802, в основном, управляет работой устройства 600 в целом, например, операциями, связанными с отображением, телефонными вызовами, передачей данных, работой камеры и записью. Обрабатывающий компонент 802 может содержать один или более процессоров 820, выполненных с возможностью исполнения команд. Кроме того, обрабатывающий компонент 802 может содержать один или более модулей, выполненных с возможностью обеспечения взаимодействия между обрабатывающим компонентом 802 и другими компонентами. Например, обрабатывающий компонент 802 может содержать мультимедийный модуль, выполненный с возможностью обеспечения взаимодействия между мультимедийным компонентом 808 и обрабатывающим компонентом 802.
Память 804 выполнена с возможностью хранения данных различных типов с целью обеспечения выполнения операций на устройстве 800. В число примеров таких данных входят команды каких-либо прикладных программ или способов, выполняемых на устройстве 800, контактные данные, данные телефонной книги, сообщения, изображения, видеоданные и т.д. Память 804 может быть реализована с использованием любого типа долговременного или недолговременного запоминающего устройства или их сочетания, например, статического запоминающего устройства с произвольным доступом (Static Random-Access Memory, SRAM), электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM), стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (Erasable Programmable Read-Only Memory, EPROM), программируемого постоянного запоминающего устройства (Programmable Read-Only Memory, PROM), постоянного запоминающего устройства (Read-Only Memory, ROM), магнитной памяти, флэш-памяти, магнитного диска или оптического диска.
Питающий компонент 806 обеспечивает питанием различные компоненты устройства 800. Питающий компонент 806 может содержать систему управления питанием, один или несколько источников питания и другие компоненты, имеющие отношение к генерированию питания, управлению питанием и распределению питания в устройстве 800.
Мультимедийный компонент 808 содержит экран, реализующий интерфейс вывода между устройством 800 и пользователем. В некоторых вариантах осуществления изобретения этот экран может содержать жидкокристаллический дисплей (ЖКД) и сенсорную панель (СП). Если экран содержит сенсорную панель, то данный экран может быть реализован как сенсорный экран, выполненный с возможностью приема сигналов от пользователя. Сенсорная панель содержит один или несколько сенсорных датчиков, выполненных с возможностью восприятия прикосновений, проводок и фигур движения на сенсорной панели. Сенсорные датчики могут воспринимать не только границу области прикосновения или проводки, но также и период времени и давление, имеющие отношение к данному прикосновению или движению. В некоторых вариантах осуществления изобретения мультимедийный компонент 808 содержит переднюю камеру и/или заднюю камеру. Когда устройство 800 находится в рабочем режиме, например, в режиме фотосъемки или в режиме видеосъемки, передняя камера и/или задняя камера могут получать извне мультимедийные данные. И передняя камера, и задняя камера может быть системой с ненастраиваемым объективом или может иметь техническую возможность фокусировки и оптической трансфокации.
Аудиокомпонент 810 выполнен с возможностью вывода и/или приема аудиосигналов. Например, аудиокомпонент 810 содержит микрофон (MIC), выполненный с возможностью приема внешнего аудиосигнала, когда устройство 800 находится в рабочем режиме, например, в режиме вызова, в режиме записи и в режиме распознавания голоса. Принятый аудиосигнал может быть затем сохранен в памяти 804 или передан посредством связного компонента 818. В некоторых вариантах осуществления изобретения аудиокомпонент 810 дополнительно содержит акустический излучатель, выполненный с возможностью вывода аудиосигналов.
Интерфейс 812 ввода/вывода обеспечивает взаимосвязь между обрабатывающим компонентом 802 и периферийными интерфейсными модулями, например, клавиатурой, чувствительным к нажатию колесиком, кнопками и т.п. В число указанных кнопок могут входить кнопка возврата в исходное состояние, кнопка регулировки громкости, кнопка запуска и кнопка блокировки, но приведенный перечень не накладывает никаких ограничений.
Сенсорный компонент 814 содержит один или более датчиков для предоставления информации о состояниях различных аспектов устройства 800. Например, сенсорный компонент 814 может определять открытое/закрытое состояние устройства 800, относительное расположение компонентов, например, дисплея и клавиатуры, устройства 800, изменение положения устройства 800 или компонента устройства 800, наличие или отсутствие контакта между пользователем и устройством 800, ориентацию или ускорение/замедление устройства 800, изменение температуры устройства 800. Сенсорный компонент 814 может содержать датчик приближения, выполненный с возможностью обнаружения присутствия близко расположенных объектов при отсутствии какого-либо физического контакта. Сенсорный компонент 814 также может содержать датчик света, например, датчик изображения типа КМОП (комплементарные структуры металл-оксид-полупроводник) или ПЗС (прибор с зарядовой связью) для использования в прикладных программах получения изображений. В некоторых вариантах осуществления изобретения сенсорный компонент 814 также может содержать акселерометрический датчик, гироскопический датчик, магнитный датчик, датчик давления или температурный датчик.
Связной компонент 818 выполнен с возможностью осуществления проводной или беспроводной связи между устройством 800 и другими устройствами. Устройство 800 выполнено с возможностью осуществления доступа к беспроводной сети с использованием некоторого стандарта связи, например, WiFi, 2G, 3G или их сочетания. В одном предлагаемом в качестве примера варианте осуществления связной компонент 818 принимает широковещательный сигнал или информацию, связанную с широковещательной передачей, из внешней системы управления, использующей широковещательную передачу, через широковещательный канал. В одном предлагаемом в качестве примера варианте осуществления связной компонент 818 дополнительно содержит модуль беспроводной связи ближнего радиуса действия (Near Field Communication, NFC) для осуществления связи на небольших расстояниях. Этот модуль ближней связи может быть реализован, например, на основе технологии радиочастотной идентификации (Radio-frequency Identification, RFID), инфракрасной передачи данных (Infrared Data Association, IrDA), сверхширокополосной технологии (Ultra Wide Band, UWB), технологии Bluetooth (BT) и других технологий.
В примерных вариантах осуществления устройство 800 может быть осуществлено с использованием одной или более специализированных интегральных схем, цифровых сигнальных процессоров, цифровых устройств обработки сигнала, программируемых логических устройств, программируемых матриц логических элементов, контроллеров, микроконтроллеров, микропроцессоров или других электронных компонентов.
В примерных вариантах осуществления также предусмотрен долговременный машиночитаемый носитель информации, содержащий команды, например, занесенные в память 804, которые могут быть исполнены процессором 820 устройства 800. Этим долговременным машиночитаемым носителем информации может быть, например, постоянное запоминающее устройство (ПЗУ), оперативное запоминающее устройство (ОЗУ), диск CD-ROM, магнитная лента, гибкий магнитный диск, оптическое запоминающее устройство и т.п.
Другие варианты осуществления настоящего изобретения должны быть очевидны специалисту в данной области техники из рассмотрения настоящего описания и практического использования раскрытого здесь изобретения. Настоящая заявка подразумевает охват всех разновидностей, использований или адаптаций настоящего изобретения, следующих из его общих принципов, и включает такие отклонения от настоящего изобретения, полагая их относящимися к известной или общепринятой практике в данной области техники. Предполагается, что настоящее раскрытие и примеры должны рассматриваться лишь в качестве иллюстрации, а подлинный объем и сущность настоящего изобретения указываются прилагаемой формулой изобретения.
Должно быть понятно, что настоящее изобретение не ограничено конкретной конструкцией, описанной выше и показанной на сопровождающих чертежах, и что без выхода за пределы объема настоящего изобретения могут быть сделаны различные модификации и изменения. Подразумевается, что объем изобретения ограничен только прилагаемой формулой изобретения.

Claims (17)

1. Дисплейное устройство, содержащее дисплейную панель, которая содержит подложку матрицы, при этом подложка матрицы содержит основу; тонкопленочный транзистор, расположенный на поверхности основы в первой области; фотоэлектрический датчик, расположенный на поверхности основы во второй области, предназначенный для идентификации по отпечатку пальца; и пассивирующий слой, расположенный на поверхности как тонкопленочного транзистора, так и фотоэлектрического датчика с противоположной стороны от основы;
модуль фоновой подсветки, расположенный на поверхности подложки матрицы с противоположной стороны от цветной пленочной подложки;
модуль восприятия прикосновения, расположенный на поверхности цветной пленочной подложки, с противоположной стороны от подложки матрицы или расположенный между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой;
управляющую микросхему, электрически соединенную с тонкопленочным транзистором, фотоэлектрическим датчиком и модулем восприятия прикосновения, причем модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, передает в управляющую микросхему сигнал управления с целью управления фотоэлектрическим датчиком и тонкопленочным транзистором, соответствующим фотоэлектрическому датчику для обеспечения начала работы; и
модуль определения состояния, выполненный с возможностью определения рабочего состояния дисплейного устройства и передачи определенного таким образом рабочего состояния в модуль восприятия прикосновения,
причем модуль восприятия прикосновения при регистрации сигнала прикосновения в месте, соответствующем фотоэлектрическому датчику, определяет, находится ли дисплейное устройство в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, и, если дисплейное устройство находится в состоянии готовности к идентификации по отпечатку пальца, модуль восприятия прикосновения передает в управляющую микросхему сигнал управления.
2. Дисплейное устройство по п. 1, отличающееся тем, что дополнительно содержит линию данных и электрод пиксела, при этом тонкопленочный транзистор электрически соединен с линией данных и электродом пиксела, и линия данных передает сигнал данных через тонкопленочный транзистор на электрод пиксела,
причем управляющая микросхема при приеме сигнала управления модифицирует сигнал данных, переданный через линию данных, соответствующую фотоэлектрическому датчику, так что свет, излученный из модуля фоновой подсветки, после прохождения через дисплейную панель становится монохроматическим или белым.
3. Дисплейное устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложка матрицы дополнительно содержит плоский слой, расположенный на поверхности пассивирующего слоя с противоположной стороны от тонкопленочного транзистора.
4. Дисплейное устройство по п. 1, отличающееся тем, что фотоэлектрический датчик содержит по меньшей мере один элемент из числа фотодиода, фототриода и фототранзистора.
5. Дисплейное устройство по п. 1, отличающееся тем, что дисплейная панель дополнительно содержит
цветную пленочную подложку, расположенную с противоположной стороны от подложки матрицы, причем в цветной пленочной подложке размещена по меньшей мере одна черная матрица, помещенная напротив фотоэлектрического датчика; и
жидкокристаллический слой, расположенный между подложкой матрицы и цветной пленочной подложкой.
6. Электронное устройство, используемое для идентификации по отпечатку пальца, содержащее
процессор; и
память, хранящую команды, исполняемые процессором;
причем электронное устройство дополнительно содержит дисплейное устройство по любому из пп. 1-5.
RU2018136573A 2016-09-14 2016-12-19 Дисплейное устройство и электронное устройство RU2710515C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610827550 2016-09-14
CN201610827550.X 2016-09-14

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017132862A Division RU2676792C1 (ru) 2016-09-14 2016-12-19 Подложка матрицы и способ ее изготовления, дисплейная панель, дисплейное устройство и электронное устройство

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018136573A RU2018136573A (ru) 2019-03-22
RU2018136573A3 RU2018136573A3 (ru) 2019-05-29
RU2710515C2 true RU2710515C2 (ru) 2019-12-26

Family

ID=59334765

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018136573A RU2710515C2 (ru) 2016-09-14 2016-12-19 Дисплейное устройство и электронное устройство
RU2017132862A RU2676792C1 (ru) 2016-09-14 2016-12-19 Подложка матрицы и способ ее изготовления, дисплейная панель, дисплейное устройство и электронное устройство

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017132862A RU2676792C1 (ru) 2016-09-14 2016-12-19 Подложка матрицы и способ ее изготовления, дисплейная панель, дисплейное устройство и электронное устройство

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180076256A1 (ru)
EP (1) EP3352221A3 (ru)
JP (1) JP2018533749A (ru)
KR (1) KR20180125170A (ru)
CN (1) CN106970495A (ru)
RU (2) RU2710515C2 (ru)
WO (1) WO2018049745A1 (ru)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106815573B (zh) * 2017-01-06 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 显示屏及电子装置
CN111373313B (zh) * 2017-09-28 2023-06-16 深圳传音通讯有限公司 显示面板组件、移动终端、图像的生成方法和存储介质
CN107657238B (zh) 2017-09-29 2020-11-20 联想(北京)有限公司 一种指纹采集方法以及电子设备
SE1751355A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-01 Fingerprint Cards Ab Method of controlling an electronic device
KR102593853B1 (ko) * 2017-12-29 2023-10-24 엘지디스플레이 주식회사 지문 인식이 가능한 표시 장치
CN108169943B (zh) 2018-01-30 2020-09-01 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN108335631B (zh) * 2018-03-30 2020-03-13 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
TWI734138B (zh) * 2018-07-10 2021-07-21 昇佳電子股份有限公司 接近感測器及接近感測方法
CN108898955A (zh) * 2018-07-31 2018-11-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109145775B (zh) * 2018-08-02 2021-02-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109062443A (zh) * 2018-08-17 2018-12-21 武汉华星光电技术有限公司 触控感应方法及其设备
CN109215604B (zh) 2018-11-07 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其纹路识别方法、实现该方法的产品、纹路识别器件
JP7240151B2 (ja) * 2018-11-22 2023-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
CN109375412A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
CN109670466A (zh) * 2018-12-25 2019-04-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法和显示装置
CN109801569B (zh) * 2019-03-28 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN109948578B (zh) * 2019-03-28 2021-07-16 联想(北京)有限公司 控制方法、控制装置和电子设备
CN110046610B (zh) * 2019-04-28 2021-05-28 云谷（固安）科技有限公司 一种指纹识别显示装置及其制备方法、显示设备
CN110350012A (zh) * 2019-07-12 2019-10-18 广州新视界光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法
KR20220052855A (ko) * 2019-08-27 2022-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US10884273B1 (en) * 2019-09-05 2021-01-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel comprising a photosensitive component that receives reflected light of a fingerprint and is connected to an underside of a second thin film transistor layer and display device
JPWO2021064509A1 (ru) 2019-10-04 2021-04-08
US12016236B2 (en) 2019-10-04 2024-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module and electronic device
CN115362486A (zh) * 2020-04-16 2022-11-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块、电子设备及车辆
CN111766974A (zh) * 2020-06-12 2020-10-13 惠州市华星光电技术有限公司 触控面板及触控显示装置
CN112114700A (zh) 2020-09-03 2020-12-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 传感器组件及显示装置
CN113314560B (zh) * 2021-05-26 2023-12-01 常州大学 搭载图像传感功能的基于vdmos器件的三极管显示器

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070268206A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Hitachi Diplays, Ltd. Image display device
WO2007146779A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US7365750B2 (en) * 2000-05-09 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. User identity authentication system and user identity authentication method and mobile telephonic device
US7924269B2 (en) * 2005-01-04 2011-04-12 Tpo Displays Corp. Display devices and methods forming the same
US20110096035A1 (en) * 2010-09-09 2011-04-28 Yuhren Shen Liquid crystal display
US7956939B2 (en) * 2007-01-26 2011-06-07 Hitachi Displays, Ltd. Touch-panel-equipped display module
EP2416214A1 (en) * 2009-03-30 2012-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of operation thereof
US8577100B2 (en) * 2005-11-01 2013-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd Remote input method using fingerprint recognition sensor
US8859391B2 (en) * 2011-02-22 2014-10-14 Sony Corporation Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, method for laminating semiconductor wafers, and electronic device
US9110320B2 (en) * 2012-08-14 2015-08-18 Apple Inc. Display with bent inactive edge regions
CN105334657A (zh) * 2015-11-26 2016-02-17 小米科技有限责任公司 液晶显示组件及电子设备
US20160224819A1 (en) * 2013-09-17 2016-08-04 Silicon Display Technology Optical fingerprint sensor
US20160232397A1 (en) * 2013-09-27 2016-08-11 Silicon Display Technology Optical thin film transistor-type fingerprint sensor
WO2016136664A1 (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 シャープ株式会社 タッチセンサ付き液晶表示装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500692B1 (ko) * 2002-03-12 2005-07-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 화상 표시 모드와 지문 인식 모드를 모두 수행하는 액정디스플레이 장치
KR100722570B1 (ko) * 2004-03-26 2007-05-28 가시오게산키 가부시키가이샤 화상판독장치, 화상판독장치를 구비한 화상판독시스템
JP4789515B2 (ja) * 2004-06-10 2011-10-12 三星電子株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP2006267967A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
KR101211345B1 (ko) * 2005-12-14 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5029048B2 (ja) * 2007-02-08 2012-09-19 カシオ計算機株式会社 光電変換装置及びそれを備えた表示パネル
JP4978224B2 (ja) * 2007-02-08 2012-07-18 カシオ計算機株式会社 光電変換装置及びそれを備えた表示パネル
CN101285975B (zh) * 2008-06-06 2010-06-23 友达光电股份有限公司 光感测单元及具此光感测单元的像素结构与液晶显示面板
JP5111327B2 (ja) * 2008-10-16 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示撮像装置および電子機器
BRPI0924156A2 (pt) * 2009-01-20 2019-09-24 Sharp Kk sensor de área e dispositivo de exibição de cristal liquído com sensor de área
KR101678812B1 (ko) * 2010-05-06 2016-11-23 엘지전자 주식회사 휴대 단말기 및 그 동작 제어방법
JP2013044867A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵液晶ディスプレイ
CN102955635B (zh) * 2012-10-15 2015-11-11 北京京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
US20150109214A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Weidong Shi Methods and Apparatuses of touch-fingerprinting Display
TWI531942B (zh) * 2014-08-19 2016-05-01 原相科技股份有限公司 觸控顯示裝置及其運作方法
CN204203576U (zh) * 2014-10-09 2015-03-11 群创光电股份有限公司 显示装置
US9891746B2 (en) * 2014-11-12 2018-02-13 Crucialtec Co., Ltd. Display apparatus capable of image scanning and driving method thereof
KR102242652B1 (ko) * 2014-11-18 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 포토 센싱 화소를 갖는 표시 장치
CN104699320B (zh) * 2015-04-01 2018-08-21 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、彩膜基板以及触摸显示装置
CN104850292B (zh) * 2015-06-01 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏、其驱动方法及显示装置
CN105139793A (zh) * 2015-08-28 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN105095883B (zh) * 2015-08-28 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其指纹识别的控制方法
CN105184247B (zh) * 2015-08-28 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别元件、其识别方法、显示器件及显示装置
CN105184282B (zh) * 2015-10-14 2019-04-23 京东方科技集团股份有限公司 光学指纹检测装置及显示设备
CN105678255B (zh) * 2016-01-04 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种光学式指纹识别显示屏及显示装置
CN105807521A (zh) * 2016-05-24 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN105785617B (zh) * 2016-05-25 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其驱动方法
CN105867696B (zh) * 2016-06-03 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板、柔性显示面板以及显示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365750B2 (en) * 2000-05-09 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. User identity authentication system and user identity authentication method and mobile telephonic device
US7924269B2 (en) * 2005-01-04 2011-04-12 Tpo Displays Corp. Display devices and methods forming the same
US8577100B2 (en) * 2005-11-01 2013-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd Remote input method using fingerprint recognition sensor
US20070268206A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Hitachi Diplays, Ltd. Image display device
WO2007146779A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US7956939B2 (en) * 2007-01-26 2011-06-07 Hitachi Displays, Ltd. Touch-panel-equipped display module
EP2416214A1 (en) * 2009-03-30 2012-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of operation thereof
US20110096035A1 (en) * 2010-09-09 2011-04-28 Yuhren Shen Liquid crystal display
US8859391B2 (en) * 2011-02-22 2014-10-14 Sony Corporation Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, method for laminating semiconductor wafers, and electronic device
US9110320B2 (en) * 2012-08-14 2015-08-18 Apple Inc. Display with bent inactive edge regions
US20160224819A1 (en) * 2013-09-17 2016-08-04 Silicon Display Technology Optical fingerprint sensor
US20160232397A1 (en) * 2013-09-27 2016-08-11 Silicon Display Technology Optical thin film transistor-type fingerprint sensor
WO2016136664A1 (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 シャープ株式会社 タッチセンサ付き液晶表示装置
CN105334657A (zh) * 2015-11-26 2016-02-17 小米科技有限责任公司 液晶显示组件及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018049745A1 (zh) 2018-03-22
EP3352221A2 (en) 2018-07-25
KR20180125170A (ko) 2018-11-22
JP2018533749A (ja) 2018-11-15
RU2018136573A3 (ru) 2019-05-29
RU2018136573A (ru) 2019-03-22
CN106970495A (zh) 2017-07-21
EP3352221A3 (en) 2018-11-28
US20180076256A1 (en) 2018-03-15
RU2676792C1 (ru) 2019-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2710515C2 (ru) Дисплейное устройство и электронное устройство
EP3301555A1 (en) Display apparatus, control method and controller thereof, and electronic device
US10268861B2 (en) Screen module, fingerprint acquisition method, and electronic device
CN107275374B (zh) Oled面板、模组、指纹识别方法、装置及存储介质
CN107886038B (zh) 显示装置和电子设备
CN107886037B (zh) 显示装置和电子设备
CN107885361B (zh) 显示装置和电子设备
US10002283B2 (en) Mobile device and screen module thereof, method and apparatus for acquiring fingerprint and electronic device
EP3410346B1 (en) Oled panel
CN107195661B (zh) Oled面板
EP3130985B1 (en) Method and device for detecting pressure in mobile terminal
WO2018081981A1 (zh) 生物识别装置和电子装置
CN107885002A (zh) 显示面板、显示装置、阵列基板的制作方法和电子设备
CN106372625B (zh) 显示基板及其制作方法和电子设备
RU2686578C1 (ru) Фоточувствительный компонент съемочной камеры, съемочная камера и терминал съемки съемочной камеры
US11804065B2 (en) Display apparatus and signal recognition method thereof, and visible light communication device
CN111829654A (zh) 环境光检测方法及装置、计算机存储介质
WO2017177384A1 (zh) 电子设备与移动终端
CN106356394A (zh) 显示基板及其制作方法和电子设备
CN107886031B (zh) 显示装置和电子设备
CN107884968A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置和电子设备
WO2011108291A1 (ja) 表示装置
CN112905100B (zh) 液晶显示屏及其控制方法、电子设备
CN114815364B (zh) 显示屏及显示屏的制作方法、终端
CN111464670A (zh) 电子设备