RU2682076C1 - Sensor of weak magnetic fields - Google Patents
Sensor of weak magnetic fields Download PDFInfo
- Publication number
- RU2682076C1 RU2682076C1 RU2018116292A RU2018116292A RU2682076C1 RU 2682076 C1 RU2682076 C1 RU 2682076C1 RU 2018116292 A RU2018116292 A RU 2018116292A RU 2018116292 A RU2018116292 A RU 2018116292A RU 2682076 C1 RU2682076 C1 RU 2682076C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- axis
- magnetic
- film
- sensor
- Prior art date
Links
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно -предназначено для измерения слабых магнитных полей и может использоваться в первую очередь в магнитометрии.The invention relates to measuring equipment, and more specifically, is intended for measuring weak magnetic fields and can be used primarily in magnetometry.
Известен датчик слабых высокочастотных магнитных полей [Патент РФ №2536083, МПК G01R 33/05, G01R 33/24, опубл. 20.12.2014], содержащий диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых резонаторов, а на нижней стороне осаждена магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, выполняющим роль экрана. Проводники резонаторов расположены под оптимальным углом друг к другу, обеспечивающим максимальный коэффициент преобразования датчика. Мощность СВЧ-генератора подается на оба резонатора одновременно, а выходной сигнал датчика формируется двумя сигналами, снимаемыми одновременно с этих двух резонаторов, при этом сигналы резонаторов суммируются, а шумы генератора компенсируются. Такая конструкция датчика имеет малые габариты, низкий уровень собственных шумов и широкую полосу частот.A known sensor of weak high-frequency magnetic fields [RF Patent No. 2536083, IPC G01R 33/05, G01R 33/24, publ. December 20, 2014], containing a dielectric substrate, on the upper side of which are strip conductors of two microstrip resonators, and a magnetic film coated with a metal layer acting as a screen is deposited on the lower side. The conductors of the resonators are located at an optimal angle to each other, providing the maximum conversion coefficient of the sensor. The power of the microwave generator is supplied to both resonators at the same time, and the sensor output signal is generated by two signals taken simultaneously from these two resonators, while the resonator signals are added up and the generator noise is compensated. Such a sensor design has small dimensions, a low level of intrinsic noise and a wide frequency band.
Недостатком такой конструкции является дрейф нулевого значения, т.е. самопроизвольное отклонение постоянной составляющей напряжения на выходе магнитометра, что не позволяет производить измерения на частотах ниже 10-2 Гц.The disadvantage of this design is the drift of zero value, i.e. spontaneous deviation of the DC component of the voltage at the output of the magnetometer, which does not allow measurements at frequencies below 10 -2 Hz.
Наиболее близким аналогом по совокупности существенных признаков является малогабаритный высокочастотный магнитометр [Патент РФ №163174, G01R 33/05, опубл. 10.07.2016, (прототип)], содержащий многослойную печатную плату, на которой размещена диэлектрическая подложка с нанесенными на поверхности подложки полосковыми линиями двух микрополосковых резонаторов. На нижней стороне подложки, обращенной к земляному полигону печатной платы, осаждена тонкая магнитная пленка. Накачка резонаторов осуществляется экранированным СВЧ-генератором. Выходной сигнал магнитометра формируется двумя амплитудными детекторами и дифференциальным усилителем с компенсационной схемой измерения. Постоянное поле смещения в магнитной пленке создается системой из постоянных магнитов. Особенностью конструкции магнитометра является использование компенсационной катушки низкочастотных магнитных полей, выполненной в виде печатной индуктивности на нескольких слоях многослойной печатной платы. Такая особенность позволяет компенсировать низкочастотную составляющую магнитного поля и не экранировать высокочастотную составляющую магнитного поля.The closest analogue in terms of essential features is a small-sized high-frequency magnetometer [RF Patent No. 163174, G01R 33/05, publ. 07/10/2016, (prototype)], containing a multilayer printed circuit board on which a dielectric substrate is placed with strip lines of two microstrip resonators deposited on the surface of the substrate. A thin magnetic film is deposited on the underside of the substrate facing the earthed polygon of the printed circuit board. The resonators are pumped by a shielded microwave generator. The output signal of the magnetometer is generated by two amplitude detectors and a differential amplifier with a compensation measurement circuit. A constant bias field in a magnetic film is created by a system of permanent magnets. A design feature of the magnetometer is the use of a compensation coil of low-frequency magnetic fields, made in the form of a printed inductance on several layers of a multilayer printed circuit board. This feature allows you to compensate for the low-frequency component of the magnetic field and not to shield the high-frequency component of the magnetic field.
Недостатком конструкции прототипа является дрейф нулевого значения на выходе магнитометра, что не позволяет измерять значения величины постоянной составляющей магнитного поля.The disadvantage of the design of the prototype is the drift of zero at the output of the magnetometer, which does not allow to measure the value of the constant component of the magnetic field.
Техническим результатом заявленного технического решения является снижение величины дрейфа нулевого значения выходного сигнала магнитометра.The technical result of the claimed technical solution is to reduce the magnitude of the drift of the zero value of the output signal of the magnetometer.
Заявляемый технический результат достигается тем, что в датчике слабых магнитных полей, содержащем диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесен проводник микрополоскового резонатора, а на нижней стороне осаждена тонкая магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, магнитную систему, создающую постоянное поле смещения, СВЧ-генератор накачки микрополоскового резонатора, амплитудный детектор, операционный усилитель, компенсационную систему, новым является то, что высокочастотное магнитное поле и постоянное поле смещения направлены строго вдоль оси трудного намагничивания пленки, компенсационное поле и измеряемое поле направлены перпендикулярно оси трудного намагничивания пленки и дополнительно используется схема синхронного детектирования сигнала, содержащая синхронный детектор, генератор модулирующего поля и модуляционную катушку, поле которой направлено перпендикулярно оси трудного намагничивания пленки.The claimed technical result is achieved by the fact that in the sensor of weak magnetic fields containing a dielectric substrate, on the upper side of which a microstrip resonator conductor is deposited, and on the lower side a thin magnetic film coated with a metal layer is deposited, a magnetic system that creates a constant bias field, a microwave generator microstrip resonator pumping, amplitude detector, operational amplifier, compensation system, new is that the high-frequency magnetic field and constant field bias Nia directed strictly along the axis of difficult magnetization film, a compensation field and the measured field directed perpendicular to the axis of difficult magnetization film, and further uses a synchronous signal detection circuit comprising a synchronous detector, the generator and the modulating field modulation coil, which field is directed perpendicularly to the axis of difficult magnetization film.
Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство отличается наличием схемы синхронного детектирования сигнала, включающей синхронный детектор, генератор модулирующего поля и модуляционную катушку и конфигурацией магнитных полей: постоянное поле смещения и СВЧ-поле накачки направлены строго вдоль оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки (ТМП); измеряемое поле, поле компенсационной системы и модуляционное поле направлены строго перпендикулярно оси трудного намагничивания.Comparative analysis with the prototype shows that the claimed device is distinguished by the presence of a synchronous signal detection circuit, including a synchronous detector, a modulating field generator and a modulation coil, and a magnetic field configuration: the constant bias field and the microwave pump field are directed strictly along the axis of the difficult magnetization of a thin magnetic film (TMP ); the measured field, the field of the compensation system, and the modulation field are directed strictly perpendicular to the axis of the difficult magnetization.
Таким образом, перечисленные выше отличительные от прототипа признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».Thus, the above characteristics that are distinctive from the prototype allow us to conclude that the claimed technical solution meets the criterion of "novelty."
Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».Signs that distinguish the claimed technical solution from the prototype are not identified in other technical solutions and, therefore, provide the claimed solution with the criterion of "inventive step".
Данное изобретение поясняется чертежом, где изображена функциональная схема датчика слабых магнитных полей.The invention is illustrated in the drawing, which shows a functional diagram of a sensor of weak magnetic fields.
Датчик слабых магнитных полей содержит: малошумящий СВЧ-генератор (1), выход которого через емкость связи ССВ (2) подключен к резонатору (3), образованному емкостью СР (4) и индуктивностью полоска LP (5). Тонкая магнитная пленка (ТМП) (6) размещается непосредственно под полоском LP (5). Вход амплитудного детектора (7) соединен с резонатором (3), а выход - с операционным усилителем (8). Выход операционного усилителя (8) подключен к компенсационной системе (9), образованной катушкой обратной связи LOC (10) и последовательно включенным сопротивлением обратной связи ROC (11), а также ко входу синхронного детектора (12). Магнитная система (13), состоящая из постоянных магнитов, размещается таким образом, чтобы сформировать постоянное поле смещения НСМ строго вдоль оси трудного намагничивания (ОТН) пленки [Саланский, Н. Физические свойства и применение магнитных пленок / Н. М. Саланский, М. Ш. Ерухимов. - Новосибирск: Наука, - 1975. - 202 с.]. Выход модуляционного генератора (14) ВЧ подключен к модуляционной системе (15), состоящей из модуляционной катушки LМОД (16) и последовательно включенного сопротивления RМОД (17), а также ко входу синхронного детектора (12). ТМП (6) размещена в резонаторе (3) таким образом, что ОТН направлена строго вдоль направления магнитного поля НВЧ, формируемого полоском LP (5). Катушка обратной связи LOC (10) и модуляционная катушка LМОД (16) размещены таким образом, что формируемые ими поля НКОМП и НМОД направлены строго перпендикулярно ОТН. Постоянная времени цепи обратной связи выбирается таким образом, чтобы эффективно компенсировать низкочастотное измеряемое поле НИЗМ и не компенсировать высокочастотное модуляционное поле НМОД. Направление максимальной чувствительности датчика к измеряемому полю НИЗМ ортогонально ОТН пленки. Выходной сигнал синхронного детектора (12) является выходным сигналом датчика слабых магнитных полей.The weak magnetic field sensor contains: a low-noise microwave generator (1), the output of which through the coupling capacitance C CB (2) is connected to the resonator (3) formed by the capacitance C P (4) and the strip inductance L P (5). A thin magnetic film (TMP) (6) is placed directly under the strip L P (5). The input of the amplitude detector (7) is connected to the resonator (3), and the output is connected to the operational amplifier (8). The output of the operational amplifier (8) is connected to a compensation system (9) formed by a feedback coil L OC (10) and a series-connected feedback resistance R OC (11), as well as to the input of a synchronous detector (12). The magnetic system (13), consisting of permanent magnets, is positioned in such a way as to form a constant bias field H SM strictly along the axis of the difficult magnetization (OTN) of the film [Salansky, N. Physical properties and application of magnetic films / N.M. Salansky, M Sh. Erukhimov. - Novosibirsk: Science, - 1975. - 202 p.]. The output of the RF modulation generator (14) is connected to a modulation system (15) consisting of a modulation coil L MOD (16) and a series-connected resistance R MOD (17), as well as to the input of a synchronous detector (12). TMP (6) is placed in the resonator (3) in such a way that the OTN is directed strictly along the direction of the magnetic field H HF formed by the strip L P (5). The feedback coil L OC (10) and the modulation coil L MOD (16) are placed in such a way that the fields H COMP and H MOD formed by them are directed strictly perpendicular to the OTN. The feedback circuit time constant is chosen in such a way as to effectively compensate for the low-frequency measured field H ISM and not to compensate for the high-frequency modulation field H MOD . The direction of the maximum sensitivity of the sensor to the measured field N ISM is orthogonal to the OTN of the film. The output signal of the synchronous detector (12) is the output signal of the sensor of weak magnetic fields.
Устройство работает следующим образом. Сигнал малошумящего СВЧ-генератора (1) через разделительную емкость ССВ (2) поступает на резонатор (3), образованный емкостью СР (4) и индуктивностью полоска LP (5), формирующего высокочастотное поле НВЧ в пленке (6). Частота генератора (1) равна резонансной частоте резонатора (3) и для пермаллоевых пленок нестрикционного состава выбирается в диапазоне 600-800 МГц. Амплитудный детектор (7) измеряет величину амплитудного напряжения на резонаторе. Выходной сигнал амплитудного детектора (7) поступает на операционный усилитель (8), выходной сигнал которого подается на компенсационную систему (9), образованную катушкой обратной связи LOC (10) и сопротивлением обратной связи ROC (11), а также на вход синхронного детектора (12). Поле НКОМП, создаваемое катушкой обратной связи LOC (10), совпадает по величине с измеряемым полем НИЗМ и противоположно ему по направлению, в результате чего в области пленки происходит компенсация измеряемого поля НИЗМ. Магнитная система (13) формирует постоянное поле смещения НСМ, направленное строго вдоль ОТН. Сигнал модуляционного генератора (14) высокой частоты поступает на модуляционную систему (15), состоящую из модуляционной катушки LМОД (16) и сопротивления RМОД (17). Модуляционная катушка LМOД (16) формирует модулирующее магнитное поле НМОД, направленное перпендикулярно ОТН. Амплитуда модулирующего поля НМОД выше максимальной напряженности измеряемого поля НИЗМ, частота модулирующего поля выше максимальной частоты НИЗМ. На вход синхронного детектора (12) поступают сигналы с выхода операционного усилителя (8) и модуляционного генератора (14) высокой частоты. С выхода синхронного детектора (12) сигнал передается потребителю. Так как поле смещения НСМ направлено строго вдоль ОТН, устройство работает в режиме удвоения частоты и на выходе синхронного детектора при отсутствии поля НИЗМ сигнал отсутствует (в спектре сигнала нет составляющей с частотой НМОД). При появлении поля НИЗМ происходит смещение рабочей точки датчика и изменение составляющих спектра выходного сигнала - появляется составляющая с частотой НМОД, которая детектируется синхронным детектором. В результате чего на выходе устройства появляется сигнал, пропорциональный величине измеряемого поля НИЗМ.The device operates as follows. The signal of the low-noise microwave generator (1) through the separation capacitance C CB (2) is supplied to the resonator (3) formed by the capacitance C P (4) and the inductance of the strip L P (5), which forms the high-frequency field H RF in the film (6). The frequency of the generator (1) is equal to the resonant frequency of the resonator (3), and for permalloy films of nonstrictive composition it is chosen in the range of 600-800 MHz. Amplitude detector (7) measures the magnitude of the amplitude voltage across the resonator. The output signal of the amplitude detector (7) is supplied to an operational amplifier (8), the output signal of which is supplied to a compensation system (9) formed by a feedback coil L OC (10) and a feedback resistance R OC (11), as well as to the synchronous input detector (12). The H COMP field created by the feedback coil L OC (10) coincides in magnitude with the measured field H ISM and is opposite to it in direction, as a result of which the measured field H ISM is compensated in the film region. The magnetic system (13) forms a constant bias field H SM directed strictly along the OTN. The signal of the high frequency modulation generator (14) is fed to a modulation system (15), consisting of a modulation coil L MOD (16) and resistance R MOD (17). The modulation coil L MOD (16) generates a modulating magnetic field H MOD , directed perpendicular to the OTN. The amplitude of the modulating field N MOD is higher than the maximum intensity of the measured field N ISM , the frequency of the modulating field is higher than the maximum frequency N ISM . Signals from the output of the operational amplifier (8) and the high frequency modulation generator (14) are fed to the input of the synchronous detector (12). From the output of the synchronous detector (12), the signal is transmitted to the consumer. Since the bias field Н СМ is directed strictly along the OTN, the device operates in the frequency doubling mode and there is no signal at the output of the synchronous detector in the absence of the Н НММ field (there is no component in the signal spectrum with the frequency Н MOD ). When the H ISM field appears, the working point of the sensor is shifted and the spectrum components of the output signal change — a component with the H MOD frequency appears, which is detected by a synchronous detector. As a result, a signal appears in the output of the device, which is proportional to the value of the measured field H ISM .
Основным достоинством введения схем модуляции и синхронного детектирования является ослабление эффекта дрейфа нулевого значения (дрейф нуля) на выходе датчика, который выражается в самопроизвольном отклонении выходного напряжения при отсутствии измеряемого сигнала. Экспериментальные исследования заявляемого датчика слабых магнитных полей показали, что по сравнению с устройством аналогичного назначения (прототип) заявляемое устройство обеспечивает меньший дрейф нулевого значения на выходе датчика. Датчик слабых магнитных полей может быть использован в случаях, когда необходимо проводить измерения величины магнитного поля в области частот от постоянной составляющей и до единиц мегагерц.The main advantage of introducing modulation schemes and synchronous detection is the weakening of the effect of zero-value drift (zero drift) at the sensor output, which is expressed in spontaneous deviation of the output voltage in the absence of a measured signal. Experimental studies of the inventive sensor of weak magnetic fields showed that, in comparison with a device of a similar purpose (prototype), the inventive device provides a smaller drift of zero value at the output of the sensor. A sensor of weak magnetic fields can be used in cases where it is necessary to measure the magnitude of the magnetic field in the frequency range from a constant component to units of megahertz.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018116292A RU2682076C1 (en) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | Sensor of weak magnetic fields |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018116292A RU2682076C1 (en) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | Sensor of weak magnetic fields |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2682076C1 true RU2682076C1 (en) | 2019-03-14 |
Family
ID=65806130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018116292A RU2682076C1 (en) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | Sensor of weak magnetic fields |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2682076C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2706436C1 (en) * | 2019-04-11 | 2019-11-19 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Sensitive element of thin-film magnetometer |
| RU2712926C1 (en) * | 2019-04-22 | 2020-02-03 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Thin-film magnetic field of weak magnetic fields |
| RU2714314C1 (en) * | 2019-04-18 | 2020-02-14 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Method of measuring magnetic characteristics of ferromagnetic films and device for its implementation |
| RU2758817C1 (en) * | 2021-04-27 | 2021-11-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2221314C1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-01-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Weak magnetic field sensor |
| US6759845B2 (en) * | 2002-03-09 | 2004-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Weak-magnetic field sensor using printed circuit board manufacturing technique and method of manufacturing the same |
| RU43654U1 (en) * | 2004-10-19 | 2005-01-27 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД имени Г.И. ПЕТРОВСКОГО | MAGNETIC FIELD SENSOR |
| RU163174U1 (en) * | 2015-10-19 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | SMALL HIGH FREQUENCY MAGNETOMETER |
-
2018
- 2018-04-28 RU RU2018116292A patent/RU2682076C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6759845B2 (en) * | 2002-03-09 | 2004-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Weak-magnetic field sensor using printed circuit board manufacturing technique and method of manufacturing the same |
| RU2221314C1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-01-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Weak magnetic field sensor |
| RU43654U1 (en) * | 2004-10-19 | 2005-01-27 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД имени Г.И. ПЕТРОВСКОГО | MAGNETIC FIELD SENSOR |
| RU163174U1 (en) * | 2015-10-19 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | SMALL HIGH FREQUENCY MAGNETOMETER |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2706436C1 (en) * | 2019-04-11 | 2019-11-19 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Sensitive element of thin-film magnetometer |
| RU2714314C1 (en) * | 2019-04-18 | 2020-02-14 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Method of measuring magnetic characteristics of ferromagnetic films and device for its implementation |
| RU2712926C1 (en) * | 2019-04-22 | 2020-02-03 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Thin-film magnetic field of weak magnetic fields |
| RU2758817C1 (en) * | 2021-04-27 | 2021-11-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2682076C1 (en) | Sensor of weak magnetic fields | |
| US8054061B2 (en) | Electric potential sensor | |
| US20170074908A1 (en) | Apparatus and method for a current sensor | |
| US11921251B2 (en) | Position sensing apparatus and method | |
| RU163174U1 (en) | SMALL HIGH FREQUENCY MAGNETOMETER | |
| US10041895B2 (en) | Sensing system using a marginal oscillator | |
| US20210055135A1 (en) | Inductive Position Sensing Apparatus and Method for the Same | |
| JP2019053025A (en) | High-frequency magnetic field generator | |
| RU2536083C1 (en) | Sensor of weak high-frequency magnetic fields | |
| Babitskii et al. | A magnetometer of weak quasi-stationary and high-frequency fields on resonator microstrip transducers with thin magnetic fields | |
| Babitskii et al. | Low noise wideband thin-film magnetometer | |
| RU2712926C1 (en) | Thin-film magnetic field of weak magnetic fields | |
| US5451874A (en) | Method and system for providing heterodyne pumping of magnetic resonance | |
| Zhuang et al. | Investigation of the near-carrier noise for strain-driven ME laminates by using cross-correlation techniques | |
| RU2706436C1 (en) | Sensitive element of thin-film magnetometer | |
| RU2687557C1 (en) | Thin-film gradiometer | |
| RU2816554C1 (en) | Broadband sensor of weak magnetic fields | |
| RU2743321C1 (en) | Magnetometer on thin magnetic film | |
| RU2761319C1 (en) | Broadband highly sensitive variable magnetic field sensor | |
| KR102656037B1 (en) | Magnetic-field detecting apparatus | |
| RU2712922C1 (en) | Thin-film magnetic antenna | |
| Bang et al. | Design of a low-cost broadband magnetic near-field probe with ferrite sheet | |
| RU2758817C1 (en) | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films | |
| RU2758540C1 (en) | Frequency multiplier on a thin magnetic film | |
| Aschenbrenner et al. | Contactless high frequency inductive position sensor with DSP read out electronics utilizing band-pass sampling |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20201016 |