RU2676756C1 - Gas discharge switchboard - Google Patents
Gas discharge switchboard Download PDFInfo
- Publication number
- RU2676756C1 RU2676756C1 RU2018104383A RU2018104383A RU2676756C1 RU 2676756 C1 RU2676756 C1 RU 2676756C1 RU 2018104383 A RU2018104383 A RU 2018104383A RU 2018104383 A RU2018104383 A RU 2018104383A RU 2676756 C1 RU2676756 C1 RU 2676756C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- discharge
- diameter
- cathode
- anode
- hole
- Prior art date
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 claims description 133
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 21
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
Техническое решение относится к электронной технике, а именно, к электрическим коммутирующим газоразрядным электронным приборам и может быть использовано при создании импульсных устройств, в частности, генераторов импульсов с субнаносекундными фронтами нарастания, источников питания импульсных устройств, для накачки газоразрядных импульсных лазеров и других приборов.The technical solution relates to electronic equipment, namely, to electric switching gas-discharge electronic devices and can be used to create pulse devices, in particular, pulse generators with subnanosecond rise fronts, power supplies for pulse devices, for pumping gas-discharge pulse lasers and other devices.
Известен газоразрядный коммутатор - тиратрон с холодным катодом (патент РФ №2089003 на изобретение), содержащий корпус, выполненный с возможностью заполнения его газом и герметизации, в котором расположены с возможностью формирования разрядной области высоковольтные электроды - анод с полой камерой либо без нее и первый катод с полой камерой, ограниченной металлическими стенками с отверстиями, расположенные в одной части объема корпуса, а также содержащий установленный в стенке корпуса узел управления моментом включения разряда со вспомогательным анодом и вторым катодом, которые расположены относительно указанных анода и первого катода в противоположной части объема корпуса, сообщающейся с высоковольтным промежутком через отверстия в электродах, при этом первый катод выполнен смежно со вторым катодом, выполненным в виде одной или нескольких замкнутых полостей с одним или несколькими отверстиями, а вспомогательный анод расположен внутри второго катода.Known gas-discharge switch - a cold cathode thyratron (RF patent No. 2089003 for an invention), comprising a housing configured to fill with gas and sealing, in which high-voltage electrodes are located with the possibility of forming a discharge region — an anode with or without a hollow chamber and the first cathode with a hollow chamber bounded by metal walls with holes located in one part of the body volume, and also containing a control unit for controlling the moment the discharge is switched on The cathode and the second cathode, which are located relative to the specified anode and the first cathode in the opposite part of the body volume, communicating with the high-voltage gap through the holes in the electrodes, the first cathode is adjacent to the second cathode, made in the form of one or more closed cavities with one or several holes, and the auxiliary anode is located inside the second cathode.
Газоразрядный коммутатор также содержит резервуар с запасом рабочего газа. В качестве рабочего газа использован водород или дейтерий. В коммутаторе вспомогательный анод выполнен в виде одного или нескольких колец, расположенных симметрично относительно оси коммутатора, с отверстиями, соединяющими полость второго катода с полостью первого катода, а один или несколько выводов вспомогательного анода выполнены в экране, реализованном с возможностью подачи электрического потенциал второго катода. Второй катод выполнен в виде кольцеобразной замкнутой полости с осью, совпадающей с коммутатора, с отверстиями в стенке, обращенной к первому катоду, и во внутренней цилиндрической стенке, обращенной к вспомогательному аноду, размещенному коаксиально внутри второго катода и выполненному в виде цилиндра с отверстиями, расположенными симметрично относительно отверстий во втором катоде. Отверстия в стенках вспомогательного анода и второго катода, обращенных к первому катоду, выполнены в виде кольцевой щели.The gas discharge switch also contains a reservoir with a working gas reserve. The working gas used is hydrogen or deuterium. In the switch, the auxiliary anode is made in the form of one or several rings located symmetrically relative to the axis of the switch, with holes connecting the cavity of the second cathode with the cavity of the first cathode, and one or more terminals of the auxiliary anode are made in the screen, which is capable of supplying the electric potential of the second cathode. The second cathode is made in the form of an annular closed cavity with an axis coinciding with the commutator, with holes in the wall facing the first cathode, and in the inner cylindrical wall facing the auxiliary anode placed coaxially inside the second cathode and made in the form of a cylinder with holes located symmetrically with respect to the holes in the second cathode. The holes in the walls of the auxiliary anode and the second cathode facing the first cathode are made in the form of an annular gap.
Между торцевыми стенками первого и второго катодов установлена перегородка с отверстиями. Полость второго катода разделена на секторы радиальными проводящими перемычками, размещенными между отверстиями в стенках второго катода. Часть поверхности второго катода выполнена из эмиссионно-активного материала или внутри его полости установлена таблетка из указанного материала. Узел управления выполнен в составе одного или нескольких блокирующих электродов, размещенных в полости первого катода. Блокирующий электрод выполнен с возможностью электрического контакта со вспомогательным анодом или выполнен, с возможностью образования с ним единого элемента. Резервуар с запасом рабочего газа соединен с корпусом через полый изолятор, длина которого выбрана из условия достижения электрической прочности по внешней его поверхности, а полость внутри изолятора разделена электродами с отверстиями на ряд высоковольтных промежутков, обеспечивающих электрическую прочность резервуара с запасом рабочего газа. Отверстия в конструктивных элементах устройства выполнены диаметром менее 3 мм и расположены не соосно относительно друг друга. Объем между одним из электродов коммутатора и резервуаром с запасом рабочего газа заполнен пористой массой из диэлектрика с коэффициентом вторичной эмиссии от 0,9 до 1,2 или диэлектрическими частицами с указанным значением поверхностного коэффициента вторичной эмиссии, например, кварцевым песком, покрытым окисью хрома.Between the end walls of the first and second cathodes, a partition with holes is installed. The cavity of the second cathode is divided into sectors by radial conductive bridges located between the holes in the walls of the second cathode. Part of the surface of the second cathode is made of emission-active material or a tablet of the specified material is installed inside its cavity. The control unit is made up of one or more blocking electrodes located in the cavity of the first cathode. The blocking electrode is made with the possibility of electrical contact with the auxiliary anode or is made with the possibility of the formation of a single element with it. A reservoir with a supply of working gas is connected to the housing through a hollow insulator, the length of which is selected from the condition of achieving electric strength on its outer surface, and the cavity inside the insulator is divided by electrodes with holes into a series of high-voltage gaps, providing electric strength of the reservoir with a supply of working gas. The holes in the structural elements of the device are made with a diameter of less than 3 mm and are not aligned with each other. The volume between one of the electrodes of the switch and the reservoir with a working gas supply is filled with a porous mass of a dielectric with a secondary emission coefficient from 0.9 to 1.2 or dielectric particles with a specified value of the surface secondary emission coefficient, for example, silica sand coated with chromium oxide.
Приведенный газоразрядный коммутатор не решает техническую проблему создания электрических газоразрядных электронных средств субнаносекундной коммутации с высокой частотой срабатывания.The gas discharge switch does not solve the technical problem of creating electric gas discharge electronic means of subnanosecond switching with a high response frequency.
Известное техническое решение не рассчитано на работу в субнаносекундном режиме коммутации с высокими степенью сжатия первичного импульса и частотой следования импульсов - до десятков кГц при увеличении степени сжатия импульса и сохранении субнаносекундной длительности переднего фронта коммутируемого импульса.The known technical solution is not designed to operate in a subnanosecond switching mode with a high compression ratio of the primary pulse and a pulse repetition rate of up to tens of kHz with an increase in the compression ratio of the pulse and maintaining the subnanosecond duration of the leading edge of the switched pulse.
Переход коммутатора из непроводящего в проводящее состояние (процесс коммутации) достаточно долог. Время перехода из непроводящего в проводящее состояние (время коммутации) в таком тиратроне, вследствие его конструктивных особенностей и использования в качестве рабочего газа водорода или дейтерия, составляет от 3 до 10 нс, что обуславливает низкую скорость коммутации и невозможность коммутации импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания.The switch transition from a non-conducting to a conducting state (switching process) is quite long. The transition time from a non-conducting to a conducting state (switching time) in such a thyratron, due to its design features and the use of hydrogen or deuterium as a working gas, is from 3 to 10 ns, which leads to a low switching speed and impossibility of switching pulses with a subnanosecond rise front.
В качестве ближайшего аналога выбран газоразрядный коммутатор (патент РФ №2497224 на изобретение), содержащий корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, а также с возможностью формирования в нем разрядной области между высоковольтными электродами - коаксиальными катодом и анодом, которые выполнены, соответственно, в виде обечайки, охватывающей разрядную область, и в виде сетки, установленных с зазором относительно друг друга и представляющих собой разрядную структуру, обеспечивающую разрядный промежуток. Катод и анод снабжены электрическими выводами на их концах. Корпус реализован в составе образующих в совокупности замкнутый объем катода в виде обечайки, изоляторов, установленных между электрическими выводами катода и анода, торцевых изоляторов, образующих торцы. Катод и анод установлены друг относительно друга эквидистантно. Диаметр катода не менее чем в 10 раз больше зазора, анод в виде сетки выполнен с геометрической прозрачностью 85%. В качестве рабочего газа использован гелий и/или неон с добавками водорода в количествах, приводящих к преимущественной ионизации водорода.As the closest analogue, a gas-discharge switch (RF patent No. 2497224 for an invention) is selected, comprising a housing configured to fill it with a working gas and sealing, as well as with the possibility of forming a discharge region in it between high-voltage electrodes - a coaxial cathode and anode, which are made, respectively, in the form of a shell covering the discharge region, and in the form of a grid installed with a gap relative to each other and representing a discharge structure providing a discharge gap approx. The cathode and anode are equipped with electrical leads at their ends. The housing is implemented as part of a collectively enclosed cathode volume in the form of a shell, insulators installed between the electrical terminals of the cathode and anode, end insulators forming the ends. The cathode and anode are mounted equidistantly relative to each other. The cathode diameter is not less than 10 times the gap, the anode in the form of a grid is made with a geometric transparency of 85%. Helium and / or neon with the addition of hydrogen in amounts leading to the predominant ionization of hydrogen was used as the working gas.
Приведенный в качестве ближайшего аналога газоразрядный коммутатор также не решает вышеуказанную техническую проблему.The gas discharge switch shown as the closest analogue also does not solve the above technical problem.
Хотя известный коммутатор рассчитан на работу в субнаносекундном режиме коммутации, он не обеспечивает требуемой высокой степени сжатия первичного импульса и частоты следования импульсов до десятков кГц при увеличении степени сжатия импульса и сохранении субнаносекундной длительности переднего фронта коммутируемого импульса.Although the known switch is designed to operate in a subnanosecond switching mode, it does not provide the required high compression ratio of the primary pulse and pulse repetition rate up to tens of kHz while increasing the compression ratio of the pulse and maintaining the subnanosecond duration of the leading edge of the switched pulse.
Под степенью сжатия (компрессии) импульсов питания S, которая для известного коммутатора недостаточна - S<100, понимается отношение длительности входного импульса τf ко времени коммутации τs, S=τf/τs. Она снижается с ростом частоты следования f импульсов из-за низкого τf и относительно высокого τs. Разряд в данном газоразрядном коммутаторе развивается довольно быстро. Это препятствует увеличению степени сжатия первичного импульса и повышению частоты следования свыше f>10 кГц.By the degree of compression (compression) of the supply pulses S, which is insufficient for the known switch — S <100, is understood as the ratio of the input pulse duration τ f to the switching time τ s , S = τ f / τ s . It decreases with increasing pulse repetition rate f due to low τ f and relatively high τ s . The discharge in this discharge switch is developing quite quickly. This prevents an increase in the compression ratio of the primary pulse and an increase in the repetition rate above f> 10 kHz.
Разработка предлагаемого газоразрядного коммутатора направлена на решение технической проблемы создания газоразрядных электронных средств субнаносекундной коммутации с высокой частотой срабатывания за счет следующего технического результата.The development of the proposed gas-discharge switch is aimed at solving the technical problem of creating gas-discharge electronic means of subnanosecond switching with a high response frequency due to the following technical result.
Техническим результатом является:The technical result is:
- увеличение степени сжатия первичного импульса;- an increase in the compression ratio of the primary pulse;
- повышение частоты следования импульсов до десятков кГц при увеличении степени сжатия импульса и сохранении субнаносекундной длительности переднего фронта коммутируемого импульса.- increasing the pulse repetition rate to tens of kHz while increasing the compression ratio of the pulse and maintaining the subnanosecond duration of the leading edge of the switched pulse.
Технический результат достигается в газоразрядном коммутаторе, содержащем корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, а также с возможностью формирования в нем разрядной области между высоковольтными электродами - коаксиальными катодом и анодом, которые выполнены, соответственно, в виде обечайки, охватывающей разрядную область, и в виде сетки, установленных с зазором относительно друг друга и представляющих собой разрядную структуру, обеспечивающую разрядный промежуток, при этом в газоразрядном коммутаторе в корпусе расположена для формирования дополнительного разрядного промежутка вторая разрядная структура, выполненная в составе катода указанной первой разрядной структуры и снабженной дополнительным анодом диэлектрической капиллярной структуры в виде диэлектрического тела со сквозным отверстием дискретно-переменного диаметра, являющимся разрядным каналом, с периодическим чередованием участков отверстия диаметром d1 и участков отверстия диаметром d2, где d2<d1, с образованием за счет наличия участков с диаметром d2 капиллярного канала с осью, совпадающей с осью первой разрядной структуры, при этом нижнее значение d1 и верхнее значение d2 заданы отсутствием протекания электрического тока по поверхности разрядного канала, а нижнее значение d2 задано реализацией теплоотвода, дополнительный анод установлен в одном из торцов корпуса в выполненном в этих целях отверстии на оси катода в виде обечайки и анода в виде сетки с примыканием к выходу сквозного отверстия дискретно-переменного диаметра, диэлектрическая капиллярная структура выполнена содержащей не менее двух участков с диаметром отверстия d2 и двух участков с диаметром отверстия d1, длиной вдоль ее оси, равной не более расстояния от торца по указанной оси до входа в разрядную область, охватываемую обечайкой, в виде которой выполнен катод.The technical result is achieved in a gas-discharge switch containing a housing configured to fill it with working gas and sealing, as well as with the possibility of forming a discharge region in it between high-voltage electrodes - a coaxial cathode and anode, which are, respectively, in the form of a shell covering the discharge region , and in the form of a grid installed with a gap relative to each other and representing a discharge structure that provides a discharge gap, while in a gas discharge chamber a second discharge structure made up of a cathode of said first discharge structure and provided with an additional anode of a dielectric capillary structure in the form of a dielectric body with a through hole of a discrete-variable diameter, which is a discharge channel, with periodic alternation of sections of the hole with a diameter d 1 and portions of the hole with a diameter of d 2 , where d 2 <d 1 , with the formation due to the presence of sections with a diameter of d 2 capillaries a clear channel with an axis coinciding with the axis of the first discharge structure, while the lower value of d 1 and the upper value of d 2 are set by the absence of electric current flowing along the surface of the discharge channel, and the lower value of d 2 is set by the implementation of heat removal, an additional anode is installed in one of the ends of the housing in the hole made for this purpose on the cathode axis in the form of a shell and an anode in the form of a grid adjacent to the exit of the through hole of a discretely variable diameter, the dielectric capillary structure is made containing not e two portions with hole diameter d 2 and two portions with a bore diameter d 1 and a length along its axis of at most the distance from an end face on said axis before entering the discharge area covered by the shell, in which a cathode is formed.
В коммутаторе корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, а также с возможностью формирования в нем разрядной области между высоковольтными электродами - коаксиальными катодом и анодом с электрическими выводами на их концах, первый из которых выполнен в виде обечайки, охватывающей разрядную область, реализован в составе образующих в совокупности замкнутый объем катода в виде обечайки, изоляторов, установленных между электрическими выводами катода и анода, торцевых изоляторов, образующих торцы.In the switch case, made with the possibility of filling it with working gas and sealing, as well as with the possibility of forming a discharge region in it between high-voltage electrodes - a coaxial cathode and anode with electrical terminals at their ends, the first of which is made in the form of a shell covering the discharge region, it is implemented as part of a closed cathode volume forming in the form of a shell, insulators installed between the electrical leads of the cathode and anode, end insulators forming the ends.
В коммутаторе корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, выполнен с заполнением его гелием в количестве, обеспечивающем значительное по сравнению со временем коммутации время задержки развития разряда, соответствующем давлению гелия от 4 до 10 Торр, включая указанные значения, или выполнен с заполнением его неоном в количестве, обеспечивающем значительное по сравнению со временем коммутации время задержки развития разряда, соответствующем давлению неона от 1 до 4 Торр, включая указанные значения, или выполнен с заполнением его аргоном в количестве, обеспечивающем значительное по сравнению со временем коммутации время задержки развития разряда, соответствующем давлению аргона от 0,5 до 1 Торр, включая указанные значения.In the switch case, made with the possibility of filling it with working gas and sealing, it is filled with helium in an amount that provides a significant delay compared to the switching time of the discharge development, corresponding to a helium pressure of 4 to 10 Torr, including the indicated values, or made with filling it with neon in an amount that provides a significant delay compared to the switching time for a discharge development delay corresponding to a neon pressure of 1 to 4 Torr, including the indicated values, or Execute filling it with argon in an amount providing a substantial time compared with the switching time of the discharge delay, corresponding to the pressure of argon from 0.5 to 1 Torr, inclusive of the recited values.
В коммутаторе диэлектрическая капиллярная структура в виде диэлектрического тела со сквозным отверстием дискретно-переменного диаметра с периодическим чередованием участков отверстия диаметром d1 и участков отверстия диаметром d2, где d2<d1, в которой образован за счет наличия участков с диаметром d2 капиллярный канал с осью, совпадающей с осью первой разрядной структуры, и содержащая не менее двух участков с диаметром отверстия d2 и двух участков с диаметром отверстия d1, собрана пакетом диэлектрических пластин фиксированной толщины, в каждой из которых сформировано отверстие, центр каждого отверстия расположен на оси, являющейся осью первой разрядной структуры, причем одна часть пластин выполнена с отверстиями большего диаметра d1 фиксированной величины, а вторая часть - с отверстиями меньшего диаметра d2 фиксированной величины, пластины собраны в пакет таким образом, что за счет совокупности отверстий меньшего диаметра d2 сформирован капиллярный канал, пластины с отверстиями большего диаметра расположены с регулярным перемежением с пластинами, в которых сформировано отверстие меньшего диаметра, при этом пакет собран в составе не менее четырех пластин - двух пластин с отверстиями большего диаметра d1 и двух пластин с отверстиями меньшего диаметра d2.In the switch, a dielectric capillary structure in the form of a dielectric body with a through hole of discretely variable diameter with a periodic alternation of portions of the hole with a diameter of d 1 and portions of the hole with a diameter of d 2 , where d 2 <d 1 , in which is formed due to the presence of sections with a diameter of d 2 capillary a channel with an axis coinciding with the axis of the first bit structure, and containing at least two sections with a hole diameter d 2 and two sections with a hole diameter d 1 , is assembled by a package of dielectric plates of a fixed thickness, in each of which a hole is formed, the center of each hole is located on an axis that is the axis of the first bit structure, with one part of the plates made with holes of a larger diameter d 1 of a fixed size, and the second part with holes of a smaller diameter d 2 of a fixed size, the plates are assembled in the package in such a way that due to the combination of holes of smaller diameter d 2 a capillary channel is formed, plates with holes of larger diameter are arranged with regular alternation with plates in which the an a hole of a smaller diameter, while the package is assembled of at least four plates — two plates with holes of a larger diameter d 1 and two plates with holes of a smaller diameter d 2 .
В коммутаторе сетчатый анод, дополнительный анод снабжены электрическими выводами на их концах.In the switch a mesh anode, an additional anode are equipped with electrical leads at their ends.
Суть технического решения поясняется нижеследующим описанием и прилагаемыми фигурами.The essence of the technical solution is illustrated by the following description and the attached figures.
На Фиг. 1 схематически представлена конструкция газоразрядного коммутатора высоковольтных импульсов, где 1 - катод; 2 - сетчатый анод; 3 - изолятор; 4 - диэлектрическая капиллярная структура; 5 - дополнительный анод.In FIG. 1 schematically shows the design of a gas discharge switch for high voltage pulses, where 1 is the cathode; 2 - mesh anode; 3 - insulator; 4 - dielectric capillary structure; 5 - additional anode.
На Фиг. 2 представлена схема соединения газоразрядного коммутатора с импульсным источником питания, выполненным в составе источника постоянного напряжения, коммутирующее средство высоковольтных импульсов, накопительной емкости, двух индуктивностей, двух диодов, а также с нагрузкой, рабочей емкостью, включающей пару неравных по номиналу последовательно соединенных емкостей, в котором рабочая емкость последовательно соединена с нагрузкой и газоразрядным коммутатором, который выводами сетчатого анода подключен к соединенным выводам емкости меньшего номинала и емкости большего номинала рабочей емкости, а выводами катода подключен ко второму концу емкости большей по номиналу, при этом емкость меньшего номинала подключена вторым концом к нагрузке, зашунтированной диодом, где 1 - катод; 2 -сетчатый анод; 3 - изолятор; 4 - капиллярная структура; 5 - анод; 6 - источник постоянного напряжения; 7 - коммутирующее средство первичных высоковольтных импульсов; C1 - накопительная емкость; L1 и L2 - первая и вторая индуктивности; VD1 -первый диод; VD2 - второй диод; VD3 - шунтирующий диод; RL - нагрузка; С0 - рабочая емкость; C01 - емкость в составе рабочей емкости меньшего номинала; С02 - емкость в составе рабочей емкости большего номинала; Rш - шунт; R11 и R12 - первые омические делители; R21 и R22 - вторые омические делители.In FIG. Figure 2 shows the connection diagram of a gas-discharge switch with a switching power supply made as a part of a constant voltage source, a switching means of high-voltage pulses, a storage capacitor, two inductors, two diodes, as well as a load, a working capacitance, including a pair of capacitors connected in series with different nominal values, in wherein the working capacity is connected in series with the load and the discharge switch, which is connected to the connected terminals of the capacity by the conclusions of the mesh anode enshego nominal capacity and larger nominal operating capacity, and cathode terminals connected to the second end of the container more at par with the nominal capacity of the smaller second end connected to the load shunt diode, where 1 - cathode; 2-mesh anode; 3 - insulator; 4 - capillary structure; 5 - anode; 6 - a constant voltage source; 7 - switching means of primary high-voltage pulses; C 1 - storage capacity; L 1 and L 2 - the first and second inductances; VD 1 is the first diode; VD 2 - the second diode; VD 3 - shunt diode; R L is the load; With 0 - working capacity; C 01 - capacity in the composition of the working capacity of a lower nominal value; C 02 - capacity in the composition of the working capacity of a larger nominal; R W - shunt; R 11 and R 12 are the first ohmic dividers; R 21 and R 22 are the second ohmic dividers.
На Фиг. 3 показаны экспериментальные осциллограммы напряжения на катоде (рабочей емкости С0) и нагрузке RL=50 Ом и осциллограммы тока через газоразрядный коммутатор, измеренные, соответственно, с помощью первых омических делителей R11 и R12, вторых омических делителей R21 и R22 и шунта Rш - а) осциллограммы импульсов, начиная от момента подъема напряжения на рабочей емкости до ее полной разрядки, б) и в) осциллограммы импульсов в более узком временном интервале, а именно, в момент коммутации, где: 8 - осциллограмма напряжения на катоде газоразрядного коммутатора; 9 - осциллограмма напряжения на нагрузке; 10 - осциллограмма тока через газоразрядный коммутатор.In FIG. Figure 3 shows the experimental waveforms of the voltage at the cathode (working capacitance C 0 ) and load R L = 50 Ohms and current waveforms through a gas discharge switch, measured, respectively, using the first ohmic dividers R 11 and R 12 , the second ohmic dividers R 21 and R 22 and shunt R w - a) waveforms of pulses, starting from the moment the voltage on the working capacitance rises to its full discharge, b) and c) waveforms of pulses in a narrower time interval, namely, at the time of switching, where: 8 - voltage waveform at gas discharge cathode a tripod; 9 - voltage waveform at the load; 10 is a waveform of current through a gas discharge switch.
На Фиг. 4 показаны экспериментальные данные, демонстрирующие зависимость времени коммутации τs от частоты следования импульсов f при напряжении U=20 кВ на рабочей емкости и нагрузке RL=50 Ом при разных давлениях рабочего газа - гелия, где 11 - зависимость времени коммутации τs от частоты следования импульсов f, соответствующая давлению гелия 4 Торр; 12 - зависимость времени коммутации τs от частоты следования импульсов f, соответствующая давлению гелия 7 Торр; 13 -зависимость времени коммутации τs от частоты следования импульсов f, соответствующая давлению гелия 10 Торр.In FIG. Figure 4 shows the experimental data demonstrating the dependence of the switching time τ s on the pulse repetition rate f at a voltage U = 20 kV at the working capacitance and load R L = 50 Ohm at different pressures of the working gas - helium, where 11 is the dependence of the switching time τ s on the frequency pulse repetition f, corresponding to a helium pressure of 4 Torr; 12 - dependence of the switching time τ s on the pulse repetition rate f, corresponding to a helium pressure of 7 Torr; 13 - dependence of the switching time τ s on the pulse repetition rate f, corresponding to a helium pressure of 10 Torr.
На Фиг. 5 показаны экспериментальные данные зависимости времени задержки развития разряда τd от частоты следования импульсов f при нагрузке RL=50 Ом и давлениях рабочего газа - гелия, в отношении которых измерены зависимости времени коммутации τs, где 14 - зависимость времени задержки τd, соответствующая давлению гелия 4 Торр; 15 - зависимость времени задержки τd, соответствующая давлению гелия 7 Торр; 16 - зависимость времени задержки τd, соответствующая давлению гелия 10 Торр.In FIG. 5 shows the experimental data of the dependence of the delay time of the development of the discharge τ d on the pulse repetition rate f at a load R L = 50 Ohm and the working gas – helium pressures, for which the dependences of the switching time τ s are measured, where 14 is the dependence of the delay time τ d corresponding to
На Фиг. 6 приведены расчетные данные степени сжатия импульсов S, полученные на основании результатов измерений зависимостей времени коммутации τs от частоты следования импульсов f при напряжении U-20 кВ на рабочей емкости и зависимостей времени задержки τd от частоты следования импульсов f при разных (4, 7 и 10 Торр) давлениях рабочего газа - гелия, при нагрузке RL=50 Ом, где 17 - зависимость степени сжатия импульсов S от частоты следования импульсов f при давлении гелия 4 Торр; 18 -зависимость степени сжатия импульсов S от частоты следования импульсов f при давлении гелия 7 Торр; 19 - зависимость степени сжатия импульсов S от частоты следования импульсов f при давлении гелия 10 Торр.In FIG. Figure 6 shows the calculated data of the compression ratio of pulses S obtained on the basis of the measurement results of the dependences of the switching time τ s on the pulse repetition rate f at a voltage of U-20 kV at the working capacitance and the dependences of the delay time τ d on the pulse repetition rate f for different and 10 Torr) pressures of the working gas - helium, at a load R L = 50 Ohm, where 17 is the dependence of the compression ratio of pulses S on the pulse repetition rate f at a helium pressure of 4 Torr; 18 - dependence of the compression ratio of pulses S on the pulse repetition rate f at a helium pressure of 7 Torr; 19 - dependence of the compression ratio of pulses S on the pulse repetition rate f at a helium pressure of 10 Torr.
Предлагаемый газоразрядный коммутатор (Фиг. 1) содержит кроме расположенных в корпусе с возможностью формирования разрядной области катода 1 и сетчатого анода 2 диэлектрическую капиллярную структуру 4, расположенную в корпусе, а также дополнительный анод 5, установленный в торце корпуса. Наличие элементов -диэлектрической капиллярной структуры 4 и дополнительного анода 5 - является отличием предлагаемого газоразрядного коммутатора, за счет чего достигается указанный технический результат.The proposed gas discharge switch (Fig. 1) contains, in addition to those located in the casing, with the possibility of forming a discharge region of the
Катод 1 в виде обечайки, охватывающей разрядную область, и сетчатый анод 2, установленные друг относительно друга с зазором, в совокупности представляют собой разрядную структуру, характерную для технического решения, приведенного в качестве ближайшего аналога, в котором происходит быстрое развитие разряда. В результате быстрого развития разряда рабочее напряжение на катоде газоразрядного коммутатора не успевает достигнуть более высоких значений, поскольку начинается развитие разряда. Быстрое развитие разряда, не предоставляет возможности для повышения частоты следования импульсов и увеличения степени сжатия первичного импульса.The
Увеличению времени развития разряда, повышению величины рабочего напряжения на катоде газоразрядного коммутатора, обеспечению увеличения частоты следования импульсов и степени сжатия первичного импульса, способствует расположение в корпусе второй разрядной структуры для формирования дополнительного (второго) разрядного промежутка, для чего газоразрядный коммутатор укомплектовывается диэлектрической капиллярной структурой 4 и дополнительным анодом 5. Наличие второй разрядной структуры, выполненной в составе катода 1 указанной первой разрядной структуры и снабженной дополнительным анодом 5 диэлектрической капиллярной структуры 4 (см. Фиг. 1 и 2), приводит к задержке развития разряда, то есть устраняет причину, препятствующую достижению указанного технического результата и способствует решению, таким образом, технической проблемы.The increase in the discharge development time, the increase in the operating voltage at the cathode of the gas discharge switch, the increase in the pulse repetition rate and the compression ratio of the primary pulse are facilitated by the arrangement of a second discharge structure in the housing to form an additional (second) discharge gap, for which the gas discharge switch is equipped with a dielectric
В предлагаемом газоразрядном коммутаторе благодаря наличию диэлектрической капиллярной структуры организовано протекание тока, отличающееся от ближайшего аналога. Катод 1 и сетчатый анод 2 представляют собой первую разрядную структуру, обеспечивающую первый разрядный промежуток, выполняющую роль плазменного катода. Электронный ток последовательно протекает от плазменного катода, через второй разрядный промежуток, образуемый плазменным катодом, через капиллярный канал диэлектрической структуры 4 и замыкается на дополнительный анод 5. Тем самым недостаток ближайшего аналога - быстрое развития разряда - в предлагаемом способе становится достоинством - это быстрое формирование плазменного катода. Задержка развития разряда и, как следствие, увеличением времени нарастания тока за счет протекания тока через капиллярный канал диэлектрической структуры 4 позволяет достичь более высокого напряжения и соответственно более высоких токов через газоразрядный коммутатор, увеличить степень сжатия первичных импульсов и повысить их частоту следования.Due to the presence of a dielectric capillary structure, the current flow in the proposed gas discharge switch is different from the closest analogue. The
Диэлектрическая капиллярная структура 4 изготовлена в виде диэлектрического тела со сквозным отверстием дискретно-переменного диаметра, выполняющим функцию разрядного канала. Разрядный канал обеспечивает протекание по нему электрического тока с задержкой разряда. В целях обеспечить указанное протекание тока разрядный канал сформирован (см. Фиг. 1 и 2) с периодическим чередованием участков отверстия диаметром d1 и участков отверстия диаметром d2, где d2<d1, с образованием за счет наличия участков с диаметром d2 капиллярного канала, являющегося каналом, в котором протекает ток, характеризующимся осью, совпадающей с осью первой разрядной структуры. При этом в отношении сквозного отверстия дискретно-переменного диаметра его нижнее значение d1 и верхнее значение d2 заданы условием отсутствия поверхностного пробоя - протекания электрического тока по поверхности разрядного канала. В этом случае протекание тока в капиллярном канале имеет объемный характер. В противном случае возникает ситуация, аналогичная ситуации в ближайшем аналоге с характерным быстрым развитием разряда. Нижнее значение d1 и верхнее значение d2 взаимосвязаны данным условием. Нижнее значение d2 задано условием реализации необходимого теплоотвода, в виду больших плотностей тока и возможного разогрева.The dielectric
Дополнительный анод 5 установлен в одном из торцов корпуса (см. Фиг. 1 и 2). В торце корпуса сформировано в этих целях отверстие, расположенное на оси катода 1 в виде обечайки и сетчатого анода 2. Дополнительный анод 5 при формировании второй разрядной структуры, с целью обеспечить протекание тока через коммутатор в капиллярном канале, между катодом 1 и дополнительным анодом 5, установлен с примыканием к выходу сквозного отверстия дискретно-переменного диаметра.An
В целях обеспечения протекания тока в капиллярном канале диэлектрическая капиллярная структура 4 выполнена содержащей не менее двух участков с диаметром отверстия d2 и двух участков с диаметром отверстия d1. Длина диэлектрической капиллярной структуры 4 вдоль ее оси равна не более расстояния от торца по указанной оси до входа в разрядную область, охватываемую обечайкой, в виде которой выполнен катод 1. Указанная длина обеспечивает устранение ситуации, в которой ток протекает не в капиллярном канале, а по поверхности дополнительной разрядной структуры -диэлектрической капиллярной структуры 4, сводя на нет преимущества предлагаемого решения.In order to ensure the flow of current in the capillary channel, the
Таким образом, в общем случае выполнения предлагаемый газоразрядный коммутатор содержит (Фиг. 1 и 2): корпус, высоковольтные электроды - коаксиальные катод 1 и анод (сетчатый анод 2), диэлектрическую капиллярную структуру 4, дополнительный анод 5. Корпус выполнен с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации и с возможностью формирования в нем разрядной области между указанными высоковольтными электродами. Высоковольтные электроды выполнены: катод 1 - в виде обечайки, охватывающей разрядную область, а анод - в виде сетки. Катод 1 и сетчатый анод 2 установлены друг относительно друга с зазором и представляют собой первую разрядную структуру, обеспечивающую первый разрядный промежуток, выполняющий роль плазменного катода. Катод 1 и сетчатый анод 2 снабжены электрическими выводами на их концах. Цилиндрический катод 1, в частности, с внутренним диаметром около 50 мм сформирован из реакционно спеченного карбида кремния SiC. Эквидистантно катоду 1 расположен сетчатый анод 2, в частности, диаметром около 44 мм. Длина сетки, образующая область разряда, равна примерно 70 мм. Сетка сформирована прямоугольными ячейками размером около 10×1 мм2, изготовлена из молибденовой проволоки диаметром 0,05 мм, и для получения сетчатого анода 2 натянута на каркас из нержавеющей стали. Геометрическая прозрачность сетки μ=90%. Геометрическая прозрачность сетки может составлять от 85 до 95%. Внутренний диаметр катода 1 не менее чем в 10 раз превышает величину зазора между катодом 1 и сетчатым анодом 2. Сетчатый анод 2 отделен от катода 1 диэлектрическим изолятором 3, установленным по бокам первого разрядного промежутка. В корпусе расположена для формирования дополнительного (второго) разрядного промежутка вторая разрядная структура. Указанная вторая структура выполнена в составе катода 1, являющегося элементом первой разрядной структуры, и снабженной дополнительным анодом 5 диэлектрической капиллярной структуры 4. Последняя сформирована в виде диэлектрического тела со сквозным отверстием дискретно-переменного диаметра, являющимся разрядным каналом.Thus, in the general case, the proposed gas-discharge switch contains (Fig. 1 and 2): a housing, high-voltage electrodes — a
В нем реализовано периодическое чередование участков отверстия диаметром d1 и участков отверстия диаметром d2, где d2<d1, с образованием за счет наличия участков с диаметром d2 капиллярного канала. В частности, диаметр d2 капиллярного канала составляет от 0,5 до 1 мм, включая указанные значения, а длина капиллярного канала - от 10 до 35 мм, включая указанные значения. Участки диаметром d1 по всей длине капиллярного канала образуют концентрические трубчатообразные «карманы». Ось капиллярного канала совпадает с осью первой разрядной структуры. Нижнее значение d1 и верхнее значение d2 заданы отсутствием протекания электрического тока по поверхности разрядного канала. Нижнее значение d2 задано реализацией теплоотвода. Дополнительный анод 5 установлен в одном из торцов корпуса. В указанном торце корпуса в этих целях выполнено отверстие на оси катода 1 и сетчатого анода 2. Дополнительный катод 5 установлен с примыканием к выходу сквозного отверстия дискретно-переменного диаметра. Диэлектрическая капиллярная структура 4 выполнена содержащей не менее двух участков с диаметром отверстия d2 и двух участков с диаметром отверстия d1. Длина диэлектрической капиллярной структуры 4 вдоль ее оси составляет не более расстояния от торца, в котором установлен дополнительный анод 5, до входа в разрядную область, охватываемую обечайкой, в виде которой выполнен катод 1.It implements the periodic alternation of portions of the hole with a diameter of d 1 and portions of the hole with a diameter of d 2 , where d 2 <d 1 , with the formation due to the presence of sections with a diameter d 2 of the capillary channel. In particular, the diameter d 2 of the capillary channel is from 0.5 to 1 mm, including the indicated values, and the length of the capillary channel is from 10 to 35 mm, including the indicated values. Sections of diameter d 1 along the entire length of the capillary channel form concentric tubular "pockets". The axis of the capillary channel coincides with the axis of the first discharge structure. The lower value of d 1 and the upper value of d 2 are given by the absence of electric current flowing along the surface of the discharge channel. The lower value of d 2 is set by the implementation of the heat sink. An
Корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, а также с возможностью формирования в нем разрядной области между высоковольтными электродами - коаксиальными катодом 1 и анодом (сетчатый анод 2) с электрическими выводами на их концах, первый из которых выполнен в виде обечайки, охватывающей разрядную область, реализован в составе образующих в совокупности замкнутый объем катода 1 в виде обечайки, диэлектрических изоляторов 3, установленных между электрическими выводами катода 1 и анода (сетчатого анода 2), торцевых изоляторов, образующих торцы (см. Фиг. 1 и 2).A housing made with the possibility of filling it with working gas and sealing, as well as with the possibility of forming a discharge region in it between high-voltage electrodes -
В качестве рабочего газа для заполнения корпуса используют гелий, или неон, или аргон. Корпус заполняют рабочим газом в количестве, обеспечивающем значительное по сравнению со временем коммутации время задержки развития разряда, что дополнительно способствует достижению указанного технического результата. При этом используют количество рабочего газа, обеспечивающее соответствующее давление гелия от 4 до 10 Торр, включая указанные значения, или неона от 1 до 4 Торр, включая указанные значения, или аргона от 0,5 до 1 Торр, включая указанные значения.Helium, or neon, or argon are used as the working gas to fill the housing. The housing is filled with working gas in an amount that provides a significant delay in the development of the discharge compared to the switching time, which further contributes to the achievement of the indicated technical result. In this case, an amount of working gas is used that provides the corresponding helium pressure from 4 to 10 Torr, including the indicated values, or neon from 1 to 4 Torr, including the indicated values, or argon from 0.5 to 1 Torr, including the indicated values.
Диэлектрическая капиллярная структура 4 в виде диэлектрического тела со сквозным отверстием дискретно-переменного диаметра с периодическим чередованием участков отверстия диаметром d1 и участков отверстия диаметром d2, где d2<d1, собрана пакетом диэлектрических пластин фиксированной толщины - из пластин керамики Al2O3 круглой формы толщиной около 1 мм. В каждой пластине сформировано отверстие, центр каждого отверстия расположен на оси, являющейся осью первой разрядной структуры. Одна часть пластин выполнена с отверстиями большего диаметра d1 фиксированной величины, например, 4,5 мм. Вторая часть пластин выполнена с отверстиями меньшего диаметра d2 фиксированной величины, например, 1 мм. Соотношение d1/d2, в частности, может составлять от 4, 5 до 9, включая указанные значения, или более, определяя глубину концентрических трубчатообразных «карманов», при которой выполняется условие протекания электрического тока в капиллярном канале, а не по поверхности разрядного канала. Пластины собраны в пакет таким образом, что за счет совокупности отверстий меньшего диаметра d2 сформирован капиллярный канал. Пластины с отверстиями большего диаметра d1 расположены с регулярным перемежением с пластинами, в которых сформировано отверстие меньшего диаметра d2. После пластины с диаметром отверстия 1 мм устанавливается пластина с диаметром 4,5 мм, затем снова сначала пластина с диаметром отверстия 1 мм, после которой - пластина с диаметром отверстия 4,5 мм и т.д. При этом пакет собран в составе не менее четырех пластин - двух пластин с отверстиями большего диаметра d1 и двух пластин с отверстиями меньшего диаметра d2. Внешний диаметр всех пластин одинаков и составляет, в частности, около 30 мм, что дает возможность разместить диэлектрическую капиллярную структуру 4 в корпусе, располагая ее на оси первой разрядной структуры. С конца диэлектрической капиллярной структуры 4, обращенного к торцу корпуса, установлен дополнительный анод 5. Дополнительный анод 5 выполнен в виде молибденового стержня диаметром около 4 мм. Его диаметр примерно соответствует по величине d1.The
Катод 1, сетчатый анод 2, дополнительный анод 5 снабжены электрическими выводами на их концах (см. Фиг. 2). К выводу сетчатого анода 2 подсоединен общий вывод из точки соединения емкостей C01 и С02. К выводу катода 1 подсоединен второй вывод емкости С02, а второй вывод емкости C01 подсоединен к нагрузке RL. К выводу дополнительного анода подсоединен токовый шунт Rш.The
Для работы газоразрядный коммутатор подключают к импульсному источнику питания согласно схеме, представленной на Фиг. 2.For operation, the gas discharge switch is connected to a switching power supply according to the circuit shown in FIG. 2.
Один из электрических выводов катода 1 соединяют с одним из концов рабочей емкости С0, а именно, с одним из концов емкости С02, входящей в состав рабочей емкости С0, ко второму концу рабочей емкости С0, а именно, к одному из концов емкости С01 входящей в состав рабочей емкости С0, подключают одним концом нагрузку RL, второй конец которой заземляют. К нагрузке RL параллельно подключают диод VD3, чем шунтируют нагрузку RL во время протекания тока зарядки рабочей емкости С0. Вторые концы емкостей C01 и С02, входящих в состав рабочей емкости С0, соединяют друг с другом. К соединенным концам емкостей C01 и С02 подключают сетчатый анод 2. Дополнительный анод 5 заземляют через токовый шунт Rш.One of the electrical terminals of the
В составе импульсного источника питания согласно схеме (Фиг. 2) выполнены накопительная емкость С1, индуктивности L1 и L2, диоды VD1 и VD2, источник постоянного напряжения 6, коммутирующее средство первичных высоковольтных импульсов 7 - тиратрон, или лампа, или транзистор, являющееся средством первичной коммутации. Накопительная емкость С1 одним концом через индуктивность L1 соединена с источником постоянного напряжения 6, вторым концом емкость C1 соединена с анодом диода VD1, параллельно которому подключено сопротивление R и катод которого заземлен, также вторым концом емкость С1 подсоединена через индуктивность L2 к катоду диода VD2, анод которого соединен с катодом 1. Коммутирующее средство первичных высоковольтных импульсов 7 подключено в точке соединения индуктивности L1 с источником постоянного напряжения 6.As part of a switching power supply according to the scheme (Fig. 2), a storage capacitance C 1 , inductors L 1 and L 2 , diodes VD 1 and VD 2 , a
Накопительная емкость С1 от источника питания 6 заряжается через индуктивность L1 до напряжения U. В момент времени, когда коммутирующее средство первичных высоковольтных импульсов 7 срабатывает, происходит формирование импульса напряжения отрицательной полярности. Данный импульс напряжения через индуктивность L2 посредством диодов VD1 и VD2 заряжает пиковую (обострительную) рабочую емкость С0, причем С0≤С1 Рабочая емкость С0 заряжается до напряжения близкого к U.The storage capacitance C 1 from the
Работа и достижение технического результата в газоразрядном коммутаторе происходят следующим образом.Work and achieving a technical result in a gas discharge switch occur as follows.
При подаче высокого напряжения (до 25 кВ), оно делится между емкостями C01 и С02. Через некоторое время происходит пробой первого разрядного промежутка катод 1 - сетчатый анод 2 по механизму, который характерен для ближайшего аналога. Этот момент характеризуется изломом на переднем фронте осциллограммы напряжения на рабочей емкости (см. Фиг. 3, позиция 8), так как емкость С02 быстро разряжается через газоразрядный промежуток между катодом 1 и сетчатым анодом 2. В результате образующуюся плазма шунтирует емкость С02, и все напряжение оказывается приложенным к капиллярному каналу. Чем выше частота следования импульсов и рабочее напряжение, тем раньше наступает пробой между катодом 1 и сетчатым анодом 2, и тем меньше излом на осциллограмме напряжения на рабочей емкости (см. Фиг. 3, позиция 8). При частоте f>20 кГц и U=20 кВ он практически незаметен.When applying high voltage (up to 25 kV), it is divided between the capacitances C 01 and C 02 . After some time, a breakdown of the first discharge gap occurs, the cathode 1 -
При достижении определенного напряжения происходит пробой капиллярного канала, и устройство срабатывает как газоразрядный коммутатор. Время пробоя капиллярного канала (время коммутации) по уровню 0,1-0,9 при условии увеличения концентрации электронов в 9 раз; определяется по формуле:When a certain voltage is reached, a breakdown of the capillary channel occurs, and the device operates as a gas discharge switch. The breakdown time of the capillary channel (switching time) at the level of 0.1-0.9, provided that the electron concentration increases by 9 times; determined by the formula:
, ,
где: α - коэффициент Таунсенда размножения электронов; ve - скорость дрейфа электронов; р - давление рабочего газа.where: α is the Townsend coefficient of electron reproduction; v e is the electron drift velocity; p is the pressure of the working gas.
В частности, при величине α/р≈0,172 (см×Торр)-1 и ve≈8,4×l09 см/сек, что реализуется при U=20 кВ, давлении гелия 4 Торр и длине капиллярного канала 3,5 см, время коммутации составляет τs=600 пс и согласуется с зависимостями на Фиг. 4.In particular, at a value of α / p ≈ 0.172 (cm × Torr) -1 and v e ≈ 8.4 × l0 9 cm / s, which is realized at U = 20 kV, a helium pressure of 4 Torr and a capillary channel length of 3.5 cm, the switching time is τ s = 600 ps and is consistent with the dependences in FIG. four.
После прохождения тока при разряде обострительной рабочей емкости С0 плазма в капиллярном канале в ближнем послеимпульсном периоде быстро рекомбинирует в процессе амбиполярной диффузии и в дальнейшем - в процессе свободной диффузии (Райзер Ю.П., Физика газового разряда, М.: Наука, 1987 г., 592 с). К приходу следующего импульса капиллярный канал полностью восстанавливает свои изолирующие свойства. Так как диаметр капиллярного канала мал, d2 не более 0,1 см, то рекомбинация осуществляется быстро вследствие зависимости τs~d2 2. Таким образом, восстановление изолирующих свойств происходит в течение нескольких микросекунд. В проведенных экспериментах с использованием частот следования первичных импульсов до f=44 кГц задержка развития разряда слабо изменяется.After the passage of current during the discharge of the sharpening working capacity С 0, the plasma in the capillary channel in the near post-pulse period quickly recombines in the process of ambipolar diffusion and later in the process of free diffusion (Raizer Yu.P., Gas Discharge Physics, Moscow: Nauka, 1987) ., 592 s). By the arrival of the next pulse, the capillary channel completely restores its insulating properties. Since the diameter of the capillary channel is small, d 2 not more than 0.1 cm, recombination is carried out quickly due to the dependence τ s ~ d 2 2 . Thus, the restoration of insulating properties occurs within a few microseconds. In the experiments performed using repetition rates of primary pulses up to f = 44 kHz, the delay in the development of the discharge changes only slightly.
При малой концентрации остаточных электронов, близкой к фоновой, время жизни электронов определяется их свободной диффузией на стенку и составляет порядка 10-8 с. Поэтому при подаче напряжения на капиллярный канал их накопление происходит очень медленно. После достижения в ходе накопления концентрации электронов порядка 10-10 см-3, при которой радиус экранирования Дебая становится близким к радиусу капиллярного канала, свободная диффузия затруднена, и диффузия протекает как амбиполярная. Она на 2-3 порядка медленнее, чем свободная диффузия. В связи с этим накопление заряда, то есть, увеличение концентрации плазмы, резко ускоряется, и капиллярный канал становится проводящим. Ток нарастает.At a low concentration of residual electrons close to the background, the electron lifetime is determined by their free diffusion to the wall and is about 10 -8 s. Therefore, when voltage is applied to the capillary channel, their accumulation occurs very slowly. After the electron concentration reaches about 10 -10 cm -3 during accumulation, at which the Debye screening radius becomes close to the radius of the capillary channel, free diffusion is difficult, and diffusion proceeds as ambipolar. It is 2-3 orders of magnitude slower than free diffusion. In this regard, the accumulation of charge, that is, an increase in the plasma concentration, is sharply accelerated, and the capillary channel becomes conductive. The current rises.
Дальнейшее нарастание тока ограничивается только индуктивностью всей разрядной цепи. Время задержки легко регулируется путем изменения концентрации рабочего газа в корпусе и рабочим напряжением и может выбираться около 1 мкс. Этого времени достаточно для того, чтобы зарядить емкость С0 с помощью простых средств, например, с помощью транзисторных генераторов, поскольку предъявляются невысокие требования к фронту зарядного импульса и зарядному току.A further increase in current is limited only by the inductance of the entire discharge circuit. The delay time is easily adjustable by changing the concentration of the working gas in the housing and the operating voltage and can be selected about 1 μs. This time is enough to charge the capacitance C 0 using simple means, for example, using transistor generators, since low requirements are imposed on the front of the charging pulse and the charging current.
Таким образом, в процессе работы сначала осуществляют зажигание разряда между катодом 1 и сетчатым анодом 2. Затем в зависимости от величины действующего напряжения, давления рабочего газа и частоты следования импульсов примерно через 1 мкс происходит зажигание разряда между дополнительным анодом 5 и катодом 1. Газоразрядный коммутатор переходит в проводящее состояние. В результате рабочая емкость С0 начинает разряжаться через нагрузку RL.Thus, in the process of operation, the discharge is first ignited between the
Индуктивность контура, состоящего из С0, RL и самого газоразрядного коммутатора, минимизируется с целью достижения наименьшего времени коммутации. Изменяя индуктивность L2, регулируют время зарядки обострительной рабочей емкости С0. Частота запускающих импульсов газоразрядного коммутатора равна частоте запускающих импульсов коммутирующего средства первичных высоковольтных импульсов 7 (тиратрон, лампа, транзистор или другое), являющегося устройством первичной коммутации. Время задержки развития разряда, определяемое внутренними процессами в газоразрядном коммутаторе, увеличивается, что приводит к возможности увеличения частоты запускающих импульсов (частоты функционирования устройства).The inductance of the circuit, consisting of C 0 , R L and the gas discharge switch itself, is minimized in order to achieve the shortest switching time. By changing the inductance L 2 , regulate the charging time of the sharpening working capacity With 0 . The frequency of the trigger pulses of the discharge switch is equal to the frequency of the trigger pulses of the switching means of the primary high-voltage pulses 7 (thyratron, lamp, transistor or other), which is the primary switching device. The delay in the development of the discharge, determined by the internal processes in the gas discharge switch, increases, which leads to the possibility of increasing the frequency of the triggering pulses (frequency of the device).
Для подтверждения технического результата в части повышения степени сжатия импульсов воспользуемся экспериментальными данными. Получены экспериментальные данные времени коммутации и времени задержки от частоты следования импульсов, представленные, соответственно, на Фиг. 4 и 5 для случая использования в качестве рабочего газа гелия при давлениях 4, 7 и 10 Торр, при напряжении U=20 кВ на рабочей емкости и используемой нагрузке RL=50 Ом. На основании полученных экспериментальных данных произведен расчет (см. Фиг. 6) данных степени сжатия S импульсов в зависимости от частоты следования импульсов f. Показано, что степень сжатия S лежит в диапазоне от 750 до 1200, что существенно выше по сравнению с известным коммутатором, выбранным в качестве ближайшего аналога, для которого S<100.To confirm the technical result in terms of increasing the compression ratio of the pulses, we use the experimental data. Experimental data of the switching time and the delay time from the pulse repetition rate are obtained, presented, respectively, in FIG. 4 and 5 for the case of using helium as a working gas at pressures of 4, 7 and 10 Torr, at a voltage of U = 20 kV at the working capacity and used load R L = 50 Ohms. Based on the obtained experimental data, a calculation was made (see Fig. 6) of the compression ratio S of the pulses, depending on the pulse repetition rate f. It is shown that the compression ratio S lies in the range from 750 to 1200, which is significantly higher compared to the known switch selected as the closest analogue for which S <100.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018104383A RU2676756C1 (en) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Gas discharge switchboard |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018104383A RU2676756C1 (en) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Gas discharge switchboard |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2676756C1 true RU2676756C1 (en) | 2019-01-11 |
Family
ID=65024988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018104383A RU2676756C1 (en) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Gas discharge switchboard |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2676756C1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US757957A (en) * | 1903-09-22 | 1904-04-19 | Lars Pederson | Cabinet. |
RU2089003C1 (en) * | 1995-10-11 | 1997-08-27 | Бочков Виктор Дмитриевич | Gasous-discharge device with cold cathode |
WO2010043294A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt am Main | Induction switch |
RU2497224C2 (en) * | 2011-12-09 | 2013-10-27 | Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) | Gas-discharge switchboard |
RU2528015C1 (en) * | 2013-03-11 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Plasma switch |
-
2018
- 2018-02-05 RU RU2018104383A patent/RU2676756C1/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US757957A (en) * | 1903-09-22 | 1904-04-19 | Lars Pederson | Cabinet. |
RU2089003C1 (en) * | 1995-10-11 | 1997-08-27 | Бочков Виктор Дмитриевич | Gasous-discharge device with cold cathode |
WO2010043294A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt am Main | Induction switch |
RU2497224C2 (en) * | 2011-12-09 | 2013-10-27 | Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) | Gas-discharge switchboard |
RU2528015C1 (en) * | 2013-03-11 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Plasma switch |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bloess et al. | The triggered pseudo-spark chamber as a fast switch and as a high-intensity beam source | |
US5502354A (en) | Direct current energized pulse generator utilizing autogenous cyclical pulsed abnormal glow discharges | |
Bochkov et al. | Sealed-off pseudospark switches for pulsed power applications (current status and prospects) | |
CN1311716C (en) | Method and device for producing extreme ultraviolet radiation and soft X-radiation | |
US5502356A (en) | Stabilized radial pseudospark switch | |
Akishev et al. | Comparison of the AC barrier corona with DC positive and negative coronas and barrier discharge | |
WO2006130036A1 (en) | Controllable gas-discharge device | |
RU161492U1 (en) | CONTROLLED VACUUM DISCHARGE | |
RU2676756C1 (en) | Gas discharge switchboard | |
US5055748A (en) | Trigger for pseudospark thyratron switch | |
RU2528015C1 (en) | Plasma switch | |
US4322661A (en) | Cross-field plasma mode electric conduction control device | |
RU2497224C2 (en) | Gas-discharge switchboard | |
US3612937A (en) | Low-pressure controlled discharge device with trigger electrode within hollow cathode | |
Warren et al. | Vacuum switch trigger delay characteristics | |
RU2089003C1 (en) | Gasous-discharge device with cold cathode | |
RU2734730C1 (en) | Gas-discharge switch | |
RU108224U1 (en) | SPARK DISCHARGE | |
US20070297479A1 (en) | Triggered spark gap | |
US3739227A (en) | Gas discharge switching device | |
Pham et al. | Empirical model of the impulse voltage-time characteristic of gas discharge tube | |
RU2300157C1 (en) | Controlled gas-discharge device | |
Christiansen | The properties of the pseudospark discharge | |
US2700121A (en) | Electric system | |
US3480822A (en) | Method of rectifying heavy high-voltage currents and a device for realization thereof |