RU2672036C1 - Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации - Google Patents
Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2672036C1 RU2672036C1 RU2017126345A RU2017126345A RU2672036C1 RU 2672036 C1 RU2672036 C1 RU 2672036C1 RU 2017126345 A RU2017126345 A RU 2017126345A RU 2017126345 A RU2017126345 A RU 2017126345A RU 2672036 C1 RU2672036 C1 RU 2672036C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- coating
- thickness
- radiation
- electrolyte
- wavelength range
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000007745 plasma electrolytic oxidation reaction Methods 0.000 title abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0658—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of emissivity or reradiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электрохимической обработки материалов и касается способа определения толщины покрытия. Способ включает в себя измерение через 5-300 с после начала обработки интенсивности излучения детали в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения материала детали, расположенную в области длин волн 200-900 нм. Кроме того, измеряют интенсивность излучения микроразрядов в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения одного из компонентов электролита, расположенную в области длин волн 200-900 нм. Толщину покрытия определяют по формуле: h=k1⋅(lnI1-lnI2)+k2, где k1 и k2 - эмпирические коэффициенты, зависящие от природы обрабатываемого материала и состава электролита, определяемые по тарировочным кривым, а I1 и I2 - интенсивности спектральных линий одного из компонентов электролита и материала детали соответственно. Технический результат заключается в повышении точности определения толщины покрытия и обеспечении возможности своевременного прекращения процесса плазменно-электролитического оксидирования. 2 н.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.
Description
Изобретение относится к области электрохимической обработки, в частности к плазменно-электролитическому оксидированию, и может быть использовано для измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования вентильных металлов, например алюминия, титана, магния, циркония и сплавов на их основе.
Известен способ определения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования, заключающийся в том, что выполняют измерение амплитуды анодного импульсного поляризационного напряжения Uп, при этом определяют длительность τ спада напряжения до порогового значения U1=(0,2…0,8)⋅Uп, а толщину покрытия рассчитывают по формуле:
h=k1+k2⋅τ,
где k1 и k2 - эмпирические коэффициенты, зависящие от природы обрабатываемого материала и состава электролита, определяемые по тарировочным кривым;
τ - длительность спада поляризационного напряжения Uп до порогового значения U1 (патент РФ №2540239, G01B 7/06, публ. 10.02.2015).
Недостатком данного способа является его применимость только к импульсным режимам плазменно-электролитического оксидирования, для которых есть возможность определять длительности спада поляризационного напряжения. Для режимов постоянного или переменного синусоидального тока данный метод непригоден.
Известен способ определения момента окончания процесса плазменно-электролитического оксидирования на основе определения толщины покрытия по величине сдвига фаз, заключающийся в том, что измеряют переменную составляющую тока и анализируют ее изменение во времени, измеряют и анализируют переменную составляющую напряжения, которая периодически или постоянно изменяется с частотой 200-20000 Гц. При этом переменные составляющие тока и напряжения поступают на полосовые фильтры с граничными частотами 200-18000 и 500-20000 Гц, после которых измеряют сдвиг фаз между отфильтрованными сигналами тока и напряжения. Момент окончания процесса определяется по достижении значения сдвига фаз 20-80 градусов (патент РФ №2366765, C25D 11/00, публ. 10.09.2009).
Недостатком данного способа является сложность его практической реализации, которая заключается в необходимости использования дополнительных модуляторов частоты, фильтрации сигналов тока и напряжения, а также использования фазометров для измерения угла сдвига фаз между сигналами тока и напряжения.
Известен способ определения толщины покрытия при плазменно-электролитическом оксидировании, включающий измерение лучистой энергии в процессе получения покрытия, по которому излучение детали в диапазоне спектра 380-740 нм фокусируют на светочувствительную матрицу, периодически регистрируют через интервалы времени Δtn с выдержкой 1/2-1/2000 с и определяют отношение суммарной площади участков Аn, засвеченных изображениями микроразрядов более чем на пороговое значение 30-99%, к общей площади изображения детали А0, интегрируют отношение по времени, а толщину покрытия h определяют по формуле:
где k - эмпирический коэффициент пропорциональности, зависящий от природы обрабатываемого материала и состава электролита,
n - номер интервала времени,
N - число интервалов в отрезке времени Т
(патент РФ №2435134, G01B 11/06, публ. 27.11.2011).
Недостатком указанного способа является значительная трудоемкость при анализе изображений и подсчете количества разрядов и необходимость цифровых вычислительных блоков в системе измерения.
Наиболее близким по технической сущности является способ определения толщины покрытия путем измерения лучистой энергии в процессе получения покрытия, в соответствии с которым определяют толщину покрытия путем измерения изменения интенсивности инфракрасного излучения детали при постоянной температуре насыщения (патент РФ №989938, G01B 11/06, публ. 10.05.2006).
Недостатком прототипа является невысокая точность определения толщины покрытия по излучению в инфракрасном диапазоне, так как при плазменно-электролитическом оксидировании процесс проводится при комнатной температуре электролита, и в данных условиях инфракрасное излучение детали имеет малую интенсивность, сравнимую с фоновой.
Известно устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок, содержащее источник монохроматического излучения, держатель образца, вращающееся плоское зеркало, ось вращения которого расположена на его отражающей поверхности, и последовательно соединенные приемник излучения и регистрирующий прибор, отличающееся тем, что введены первая линза, установленная так, что точка, оптически сопряженная с точкой образца, в которой производятся измерения, находится на оси вращения плоского зеркала в месте падения на него излучения источника, и вторая линза, установленная с возможностью оптического сопряжения точки образца, в которой производятся измерения, и приемной площадки приемника при различных угловых положениях плоского зеркала (патент РФ №2102702, G01B 11/06, публ. 20.01.1998).
Недостатком данного устройства является его применимость только к прозрачным покрытиям и пленкам, так как оно основано на явлении отражения и преломления лазерного луча в измеряемом покрытии. Данная особенность является неприменимой по отношению к плазменно-электролитическому оксидированию, где выращиваемые пленки являются непрозрачными.
Наиболее близким по принципу действия прототипом к разрабатываемому устройству является пирометр спектрального отношения, содержащий оптически связанные объектив, апертурную и полевые диафрагмы, светоделительное устройство и приемники излучения, соединенные с измерителем отношения сигналов, входы которого подключены к выходам приемников излучения, а выход соединен с входом индикатора результата измерения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения температуры, апертурная диафрагма выполнена в виде круглого диска, содержащего ряд равноудаленных на максимально возможное расстояние от центра отверстий, причем суммарная площадь SΣ1 отверстий диафрагмы предыдущего поддиапазона выбирается из условия:
SΣ1=Smax Tk(Δя<Δдоп),
а суммарная площадь SΣ2 отверстий диафрагмы последующего поддиапазона - из соотношения:
где SΣ2 - максимальная суммарная площадь отверстий диафрагмы, при которой обеспечивается необходимая линейность сигналов, соответствующих конечному значению температуры первого поддиапазона измерения (т.е. при котором погрешность от двукратного изменения уровня яркости Δя не превышает допустимого значения Δдоп);
λ - эффективная длина волны более длинноволнового рабочего интервала спектрометра;
Тн1 - начальное значение температуры предыдущего поддиапазона измерения;
Тн2 - начальное значение температуры последующего поддиапазона измерения;
С2 - пирометрическая константа
(патент SU №18000295, G01J/60, публ. 05.11.1990).
Недостатком прототипа устройства является то, что для регистрации излучения выбранных спектральных диапазонов используется различие в кривых спектральной чувствительности двух фотоприемников. Это не обеспечивает достаточной селективности при измерении интенсивностей двух отдельных спектральных линий, соответствующих материалу подложки и компонентам электролита. Также выходной сигнал устройства, пропорциональный спектральному отношению интенсивностей, на последнем этапе тарируется к величине температуры поверхности детали, а не к толщине покрытия на ней.
Задачей, решаемой заявляемым изобретением, является снижение энергопотребления при плазменно-электролитическом оксидировании вследствие исключения передержки за счет своевременного отключения технологического источника тока при достижении заданной толщины покрытия.
Техническим результатом является повышение точности определения толщины оксидного покрытия для своевременного прекращения процесса плазменно-электролитического оксидирования.
Поставленная задача решается, а технический результат достигается тем, что в способе определения толщины покрытия, включающем измерение лучистой энергии в процессе получения покрытия, согласно изобретению, через 5-300 с после начала обработки измеряют интенсивность излучения детали в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения материала детали, расположенную в области длин волн 200-900 нм, также измеряют интенсивность излучения микроразрядов в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения одного из компонентов электролита, расположенную в области длин волн 200-900 нм, а толщину покрытия определяют по формуле:
h=k1⋅(lnI1-lnI2)+k2,
где k1 и k2 - эмпирические коэффициенты, зависящие от природы обрабатываемого материала и состава электролита, определяемые по тарировочным кривым;
I1 и I2 - интенсивности спектральных линий одного из компонентов электролита и материала детали соответственно.
Поставленная задача решается, а технический результат достигается также тем, что в устройстве для определения толщины покрытия, содержащем два светофильтра, причем первый светофильтр имеет полосу пропускания, совпадающую с длиной волны характеристической спектральной линии излучения одного из компонентов электролита, а второй светофильтр имеет полосу пропускания, совпадающую с длиной волны характеристической спектральной линии излучения материала детали, излучение с обрабатываемой детали, оптически связанной с первым светофильтром и первым приемником, а также со вторым светофильтром и вторым приемником соответственно, передается на первый логарифматор, связанный с первым приемником и второй логарифматор, связанный со вторым приемником, которые связаны с соединенными последовательно вычитателем, усилителем, сдвиговым устройством и индикатором.
Сущность изобретения поясняется чертежами. На Фиг. 1 изображена схема устройства, реализующего предложенный способ измерения толщины. На Фиг. 2 показан оптический спектр при плазменно-электролитическом оксидировании алюминия на постоянном токе, при котором наблюдаются линии Al 309 нм, Al 396 нм, αН 486 нм, Na 588 нм, βН 656 нм и K 766 нм.
Линии алюминия соответствуют материалу подложки, остальные линии соответствуют компонентам электролита. На Фиг. 3 приведен спектр излучения при плазменно-электролитическом оксидировании алюминия на импульсном токе, при котором наблюдаются те же спектральные линии, но имеющие иную интенсивность. На Фиг. 4 приведен пример изменения линий Na 588 нм (линия а) и Al 396 нм (линия б) для обработки на постоянном токе, где графики демонстрируют отсутствие излучения разрядов в начале и затем сильно нелинейное изменение в ходе процесса. На Фиг. 5 и 6 представлены графики отношения интенсивностей указанных линий в логарифмическом масштабе для обработки на постоянном и импульсном токе соответственно. Следует отметить, что логарифм отношения интенсивностей двух линий тождественен разности логарифмов, что более эффективно для построения структурных схем устройств измерения. Для указанной зависимости наблюдается практически линейное изменение, что хорошо коррелирует с динамикой роста оксидной пленки, графики которого представлены на Фиг. 7 и 8 для режимов постоянного и импульсного тока соответственно. Тарировочные кривые, получаемые по установленной зависимости, приведены на Фиг. 9 и 10 для режимов постоянного и импульсного тока соответственно.
Физически сущность способа объясняется тем, что в начале процесса, когда микроразряды многочисленные, но небольшие по размеру, в спектре преобладают линии материала подложки. Далее, с ростом оксидной пленки, число микроразрядов значительно снижается, но увеличивается их средний размер и мощность. Энергии этих микроразрядов становится достаточно для ионизации компонентов электролита, что проявляется в росте интенсивности соответствующих линий. При этом интенсивность ионизации подложки снижается в связи с ростом толщины покрытия.
Предлагаемое устройство содержит обрабатываемую деталь 1, оптически связанную с первым светофильтром 2 и первым приемником 3, а также со вторым светофильтром 4 и вторым приемником 5 соответственно, первый логарифматор 6, связанный с первым приемником 3 и второй логарифматор 7, связанный со вторым приемником 5, которые связаны с соединенными последовательно вычитателем 8, усилителем 9, сдвиговым устройством 10 и индикатором 11.
Устройство работает следующим образом. Оптическое излучение от микроразрядов на поверхности детали 1 в процессе плазменно-электролитического оксидирования попадает на первый приемник 3 и второй приемник 5 через соответствующие первый светофильтр 2 и второй светофильтр 4, полосы пропускания которых совпадают с длинами волн выбранных характеристических спектральных линий. Далее, сигналы от приемников проходят через первый логарифматор 6 и второй логарифматор 7, элемент вычитания 8, усилитель 9 и сдвиговое устройство 10 и затем результат отображается на индикаторе 11.
Таким образом, предлагаемый способ имеет ясный физический смысл и простую реализацию, а также обладает высокой помехозащищенностью, так как используемые спектральные линии имеют ярко выраженные пики и значительно разнесены по длинам волн.
Примеры конкретной реализации способа
Пример 1.
Образцы из алюминия обрабатывали методом плазменно-электролитического оксидирования в растворе, содержащем 1,25 г/л KOH, 2 г/л Na4P2O7⋅10Н2О и 2 г/л Na2SiO3 при температуре 20°C в течение 35 минут в режиме постоянного тока с фиксированной плотностью тока 9 А/дм2 и напряжением от 0 до 600 В. Через 120 с после начала обработки измеряли интенсивность излучения детали I2 в диапазоне длин волн шириной 40 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения материала детали Al 396 нм, расположенную в области длин волн 380-420 нм, также измеряли интенсивность излучения микроразрядов I1 в диапазоне длин волн шириной 40 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения Na 586 нм компонентов электролита, расположенную в области длин волн 560-600 нм с помощью оптического спектрометра AvaSpec-ULS2048-USB2-UA-50. Толщину покрытия определяли по формуле:
h=k1⋅(lnI1-lnI2)+k2,
где эмпирические коэффициенты
k1=3,51±0,59 мкм;
k2=7,83±0,59 мкм,
соответствующие обрабатываемому материалу и указанному составу электролита, были рассчитаны по тарировочной кривой (Фиг. 9).
После обработки толщину покрытия на образцах также измеряли вихретоковым толщиномером. Результаты приведены в таблице 1 (см. в конце описания после чертежей). Как видно из таблицы 1, заявляемый способ позволяет определять толщину покрытия с разбросом, сравнимым с неравномерностью толщины покрытия по поверхности детали.
Пример 2.
Образцы из алюминия обрабатывали методом плазменно-электролитического оксидирования в растворе, содержащем 1,25 г/л KOH, 2 г/л Na4P2O7⋅10Н2О и 2 г/л Na2SiO3 при температуре 20°C в течение 35 минут в униполярном импульсном режиме при постоянной плотности тока 9 А/дм2 и напряжении от 0 до 600 В. Через 120 с после начала обработки измеряли интенсивность излучения детали I2 в диапазоне длин волн шириной 40 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения материала детали Al 396 нм, расположенную в области длин волн 380-420 нм с помощью фотодиода BPW20RF и расположенного перед ним фиолетового светофильтра. Также измеряли интенсивность излучения микроразрядов I1 в диапазоне длин волн шириной 40 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения Na 586 нм компонентов электролита, расположенную в области длин волн 560-600 нм с помощью второго фотодиода той же модели с желтым светофильтром. Логарифмирование выходных сигналов осуществлялось за счет вольт-амперной характеристики фотодиодов с логарифмической зависимостью от освещенности. Вычитание и усиление производилось каскадом на прецизионном операционном усилителе 140УД17, сдвиг на постоянную величину - каскадом на втором операционном усилителе 140УД17, включенном по схеме сумматора с потенциометром на неинвертирующем входе. Результат измерения индицировали с помощью вольтметра В7-38. Устройство калибровали по тарировочной кривой (Фиг. 10).
После обработки толщину покрытия на образцах также измеряли вихретоковым толщиномером. Результаты приведены в таблице 2 (см. в конце описания после чертежей). Как видно из таблицы 2, заявляемое устройство позволяет определять толщину покрытия с разбросом, сравнимым с неравномерностью толщины покрытия по поверхности детали.
Итак, заявляемое изобретение позволяет измерять толщину покрытия в ходе плазменно-электролитического оксидирования вентильных металлов без вмешательства в ход технологического процесса за счет использования оптического излучения микроразрядов, формирующих оксидный слой.
Claims (5)
1. Способ определения толщины покрытия, включающий измерение лучистой энергии в процессе получения покрытия, отличающийся тем, что через 5-300 с после начала обработки измеряют интенсивность излучения детали в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения материала детали, расположенную в области длин волн 200-900 нм, также измеряют интенсивность излучения микроразрядов в диапазоне длин волн шириной 3-50 нм, включающем характеристическую спектральную линию излучения одного из компонентов электролита, расположенную в области длин волн 200-900 нм, а толщину покрытия определяют по формуле:
h=k1⋅(lnI1-lnI2)+k2,
где k1 и k2 - эмпирические коэффициенты, зависящие от природы обрабатываемого материала и состава электролита, определяемые по тарировочным кривым;
I1 и I2 - интенсивности спектральных линий одного из компонентов электролита и материала детали соответственно.
2. Устройство для определения толщины покрытия содержащее два приемника излучения, отличающееся тем, что содержит два светофильтра, причем первый светофильтр имеет полосу пропускания, совпадающую с длиной волны характеристической спектральной линии излучения одного из компонентов электролита, а второй светофильтр имеет полосу пропускания, совпадающую с длиной волны характеристической спектральной линии излучения материала детали, обрабатываемую деталь, оптически связанную с первым светофильтром и первым приемником, а также со вторым светофильтром и вторым приемником соответственно, первый логарифматор, связанный с первым приемником и второй логарифматор, связанный со вторым приемником, которые связаны с соединенными последовательно вычитателем, усилителем, сдвиговым устройством и индикатором.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017126345A RU2672036C1 (ru) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017126345A RU2672036C1 (ru) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2672036C1 true RU2672036C1 (ru) | 2018-11-08 |
Family
ID=64103389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017126345A RU2672036C1 (ru) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2672036C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2698495C2 (ru) * | 2017-12-20 | 2019-08-28 | Публичное акционерное общество "Северский трубный завод" (ПАО "СТЗ") | Способ калибровки лазерного толщиномера |
RU2817066C1 (ru) * | 2023-12-07 | 2024-04-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ПГУ") | Способ оценки толщины и пористости МДО-покрытия в электролитической ванне на основе измерения импеданса |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674533B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-01-06 | Joseph K. Price | Anodizing system with a coating thickness monitor and an anodized product |
US6885466B1 (en) * | 1999-07-16 | 2005-04-26 | Denso Corporation | Method for measuring thickness of oxide film |
SU989938A1 (ru) * | 1981-01-08 | 2006-05-10 | Н.Д. Морозов | Способ определения толщины покрытия |
RU2435134C1 (ru) * | 2010-07-15 | 2011-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия при плазменно-электролитическом оксидировании |
-
2017
- 2017-07-21 RU RU2017126345A patent/RU2672036C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU989938A1 (ru) * | 1981-01-08 | 2006-05-10 | Н.Д. Морозов | Способ определения толщины покрытия |
US6885466B1 (en) * | 1999-07-16 | 2005-04-26 | Denso Corporation | Method for measuring thickness of oxide film |
US6674533B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-01-06 | Joseph K. Price | Anodizing system with a coating thickness monitor and an anodized product |
RU2435134C1 (ru) * | 2010-07-15 | 2011-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия при плазменно-электролитическом оксидировании |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2698495C2 (ru) * | 2017-12-20 | 2019-08-28 | Публичное акционерное общество "Северский трубный завод" (ПАО "СТЗ") | Способ калибровки лазерного толщиномера |
RU2817066C1 (ru) * | 2023-12-07 | 2024-04-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ПГУ") | Способ оценки толщины и пористости МДО-покрытия в электролитической ванне на основе измерения импеданса |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4169676A (en) | Method for determining the contents of metabolic products in the blood | |
US4391522A (en) | Test apparatus for determining resistance to light and weather influences | |
FR2516655A1 (fr) | Appareil pour la determination optique non dispersive de la concentration d'un gaz et procede s'y rapportant | |
US3744916A (en) | Optical film thickness monitor | |
KR20150146415A (ko) | 동적 광산란 측정 장치 및 동적 광산란 측정 방법 | |
Twyman et al. | Conditions for securing accuracy in spectrophotometry | |
SE442919B (sv) | Anvendning av ett polarimetriskt forfarande for kvantitativ bestemning av blodglykos | |
RU2672036C1 (ru) | Способ измерения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования и устройство для его реализации | |
CN106895911A (zh) | 一种高速激光功率测量仪 | |
CN111829971A (zh) | 一种减小宽光谱透过率测量误差的方法 | |
JP5548989B2 (ja) | 積分型光検出器を使用したフーリエ係数測定法 | |
CN114609073B (zh) | 一种高强度光谱的测量方法、***和光谱测量装置 | |
JPS6189543A (ja) | デユアルビームスペクトル透過率の測定方法及び装置 | |
CN107314887B (zh) | 估算光电倍增管在低光强条件下的绝对光响应率的方法 | |
RU132548U1 (ru) | Фотометр пламенный | |
US3441349A (en) | Optical apparatus for measuring the light transmission of a sample body | |
CA2861226A1 (en) | Device and method for optical inspection of a sample | |
CN107091730B (zh) | 一种估算光电倍增管的绝对光响应率的装置 | |
KR20110035811A (ko) | 적분형 광검출기를 사용한 푸리에 계수 측정법 | |
JPS62278436A (ja) | 蛍光測定法及び装置 | |
CN116106247B (zh) | 一种紫外可见分光光度计的校准方法 | |
JP2006292705A (ja) | 青果物の非破壊品質測定法 | |
KR101437410B1 (ko) | 태양광흡수분광장치 및 태양광흡수분광장치의 스펙트럼 처리 방법 | |
TWI716247B (zh) | 吸收光譜偏移偵測方法 | |
KR100205532B1 (ko) | 분체의 수분 측정장치 |