RU2671383C1 - Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas - Google Patents
Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas Download PDFInfo
- Publication number
- RU2671383C1 RU2671383C1 RU2017144961A RU2017144961A RU2671383C1 RU 2671383 C1 RU2671383 C1 RU 2671383C1 RU 2017144961 A RU2017144961 A RU 2017144961A RU 2017144961 A RU2017144961 A RU 2017144961A RU 2671383 C1 RU2671383 C1 RU 2671383C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- ball
- aluminum
- contact pads
- ball leads
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 title claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- -1 gold-aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления интегральных схем (ИС), гибридных интегральных схем (ГИС), микросборок и модулей. Одной из основных операций в производстве ИС является присоединение кристаллов с шариковыми выводами к основаниям корпусов или подложек методом «flip-chip». Основу метода перевернутого кристалла составляют шариковые выводы, располагаемые на металлизированных контактных площадках кристаллов.The invention relates to the field of electronics and is intended for the manufacture of integrated circuits (ICs), hybrid integrated circuits (GIS), microassemblies and modules. One of the main operations in the production of ICs is the attachment of crystals with ball leads to the bases of the housings or substrates by the flip-chip method. The inverted crystal method is based on ball leads located on metallized contact pads of crystals.
Кристаллы монтируют на основание корпусов или подложек планарной стороной. При этом рисунок их контактных площадок является зеркальным отображением расположения выводов.The crystals are mounted on the base of the housings or substrates with the planar side. At the same time, the drawing of their contact pads is a mirror image of the location of the terminals.
Надежность интегральных схем, в том числе, изготовленных с использованием технологии «flip - chip», зависит как от материала контактной площадки ИС, так и от материала шарикового вывода. Использование припойных шариковых выводов не только обеспечивает электрическую связь между кристаллами ИС и подложкой (платой), но и играет важную роль в механической, прочностной, температурной, теплоотводной составляющих изделий, собранных по «flip-chip» технологии. Кроме того, возможно использование в технологиях 3D-IC, SiP (system-in-package), микро-электромеханические системы (МЭМС), WLCSP (wafer level chip scale package - корпусирование в размер кристалла на уровне пластины). С одной стороны, реализация соединений на припойном шариковом выводе, по сравнению с проволочным соединением, снижает задержки распространения электрических сигналов, обеспечивает большую пропускную способность, снижает сопротивление и индуктивность электрических соединений, что приводит к снижению задержки распространения электрических сигналов, обеспечивает большую пропускную способность и снижает ограничения по шинам питания и заземления.The reliability of integrated circuits, including those made using the flip-chip technology, depends both on the material of the IC contact pad and on the material of the ball output. The use of soldered ball leads not only provides an electrical connection between the IC crystals and the substrate (circuit board), but also plays an important role in the mechanical, strength, temperature, heat removal components of components assembled using the flip-chip technology. In addition, it is possible to use in technologies 3D-IC, SiP (system-in-package), micro-electromechanical systems (MEMS), WLCSP (wafer level chip scale package - encasing to the size of a crystal at the wafer level). On the one hand, the implementation of connections on a solder ball lead, in comparison with a wire connection, reduces the propagation delay of electrical signals, provides greater bandwidth, reduces the resistance and inductance of electrical connections, which reduces the propagation delay of electrical signals, provides a large bandwidth and reduces power and ground bus restrictions.
С другой стороны, применение припойных шариковых выводов способствует миниатюризации изделия, например, в сфере мобильной связи.On the other hand, the use of soldered ball leads contributes to the miniaturization of the product, for example, in the field of mobile communications.
Монтаж на припойные шариковые выводы вытесняет проволочные соединения, что значительно уменьшает размер корпусов микросхем и габаритные показатели конечных изделий.Installation on soldered ball leads displaces wire connections, which significantly reduces the size of the housing of microcircuits and the overall performance of the final products.
Важную роль при монтаже припойных шариковых выводов играет многослойная металлизация - UBM (Under Bump Metallization), в качестве которой рекомендуется использовать - stud bump (первая точка термозвуковой сварки на кристалле в соединении методом «шарик-клин»).An important role in the installation of soldered ball leads is played by multilayer metallization - UBM (Under Bump Metallization), which is recommended as stud bump (the first point of thermosonic welding on a crystal in a ball-wedge connection).
Разработка способов и технологий производства ИС - это актуальная задача, на решение которой направлены усилия всех специалистов, работающих в области полупроводниковой микроэлектроники.The development of methods and technologies for the production of ICs is an urgent task, the solution of which is aimed at the efforts of all specialists working in the field of semiconductor microelectronics.
Существуют различные способы формирования шариковых выводов на контактных площадках кристалла для сборки ИС с использованием технологии «flip-chip».There are various ways of forming ball leads on the contact pads of a chip for assembling ICs using flip-chip technology.
Известен способ формирования золотых столбиков на алюминиевых контактных площадках кристалла [1]. Данная технология используется при автоматизированном монтаже кристаллов на ленточном носителе. При этом столбики из золота получают электролитическим осаждением на алюминиевых контактных площадках кристалла после вскрытия пассивирующего слоя.A known method of forming gold bars on aluminum contact pads of the crystal [1]. This technology is used in the automated installation of crystals on a tape medium. In this case, columns of gold are obtained by electrolytic deposition on aluminum contact pads of a crystal after opening a passivating layer.
После ионной очистки наносят контактный барьерный слой толщиной 100 нм, служащий проводящим слоем при электролитическом осаждении золота. Основным недостатком, влияющим на выход годных приборов, является селективное травление слоев, нанесенных вакуумным или ионно-лучевым распылением. Кроме того, при химическом травлении этих слоев травитель может проникать в пассивирующее покрытие и растворять алюминиевое межсоединение. Более того, формирование золотых столбиков на алюминиевых контактных площадках приводит к образованию интерметаллических соединений Аuх-Аlу на границе, что снижает надежность контактов.After ion cleaning, a contact barrier layer 100 nm thick is applied, which serves as a conductive layer during electrolytic deposition of gold. The main disadvantage that affects the yield of suitable devices is the selective etching of the layers deposited by vacuum or ion-beam spraying. In addition, during chemical etching of these layers, the etchant can penetrate the passivating coating and dissolve the aluminum interconnect. Moreover, the formation of gold bars on aluminum contact pads leads to the formation of Au x -Al intermetallic compounds at the boundary, which reduces the reliability of the contacts.
Известен [2] процесс формирования золотых столбиков на алюминиевой контактной площадке. Столбики из золота высотой 25 мкм получали электролитическим осаждением. Основным недостатком данной технологии является образование интерметаллических соединений Аuх-Аlу в контакте этих металлов («пурпурная чума»), что существенно снижает надежность данных контактов. Кроме того, электролитическое осаждение достаточно трудоемкой процесс, что повышает себестоимость выпускаемых изделий. Более того, после электролитического осаждения необходимо проводить отмывку и сушку кристаллов в составе пластины.Known [2] is the process of forming gold bars on an aluminum contact pad. Columns of gold 25 microns high were obtained by electrolytic deposition. The main drawback of this technology is the formation of intermetallic compounds Au x -Al y in contact of these metals ( "purple plague"), which significantly reduces the reliability of contacts. In addition, electrolytic deposition is a rather time-consuming process, which increases the cost of manufactured products. Moreover, after electrolytic deposition, it is necessary to wash and dry the crystals in the composition of the plate.
Наиболее близким по технической сущности заявляемого изобретения является способ [3] формирования контактных выступов термокомпрессионным присоединением шарика из золотой проволоки к алюминиевым контактным площадкам на кристалле. По данной технологии на верхней части шарика остается заостренный выступ - след обрыва проволоки. С целью получения контактных выступов, имеющих однородность их размеров и формы, вначале выступ расплющивают с помощью формирующей иглы, которая имеет плоскую или выгнутую рабочую поверхность, а затем шарик термически обрабатывают лазерным лучом. Основным недостатком данного способа является образование интерметаллических соединений Аuх-Аlу на границе золотого шарика с алюминиевой контактной площадкой, что существенно снижает надежность данных соединений.Closest to the technical nature of the claimed invention is a method [3] of the formation of contact ledges by thermocompression joining a ball of gold wire to aluminum contact pads on a chip. According to this technology, a pointed protrusion remains on the top of the ball - a trace of wire breakage. In order to obtain contact protrusions having uniformity in size and shape, the protrusion is first flattened using a forming needle that has a flat or curved working surface, and then the ball is thermally treated with a laser beam. The main disadvantage of this method is the formation of intermetallic compounds Au x -Al at the border of a gold ball with an aluminum contact pad, which significantly reduces the reliability of these compounds.
Следует отметить, что при термокомпрессионном методе присоединения золотой проволоки к алюминиевой металлизации в зоне контакта золото-алюминий образуются интерметаллиды Аuх-Аlу, что существенно снижает надежность соединений.It should be noted that when thermocompression gold wire joining method for aluminum metallization in the contact zone of gold-aluminum intermetallic compounds formed of Au x -Al y, which significantly reduces the reliability of connections.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение - это возможность реализовать технологию «flip-chip» пайкой кристаллов с алюминиевой металлизацией без предварительной подготовки контактных площадок и нанесения UВМ, быстрое прототипирование, данные факторы снижают себестоимость выпускаемых изделий.The problem to which the claimed invention is directed is the ability to implement the flip-chip technology by soldering crystals with aluminum metallization without preliminary preparation of contact pads and applying UVM, rapid prototyping, these factors reduce the cost of manufactured products.
Эта задача достигается тем, что на алюминиевых контактных площадках кристалла формируют шариковые вывода из платиновой проволоки термозвуковым методом сварки, а после планаризации шариковых выводов на них наносят шарик припоя для последующей пайки кристалла на корпус/подложку по технологии «flip-chip».This task is achieved by the fact that on the aluminum contact pads of the crystal, ball leads from platinum wire are formed by thermosonic welding, and after planarization of the ball leads, a solder ball is applied to them for subsequent soldering of the crystal on the body / substrate using the flip-chip technology.
Сравнение заявляемого способа формирования шариковых выводов на алюминиевой металлизации контактных площадок кристалла с другими способами [1-3] из известного уровня техники также не позволило выявить в них признаки, заявляемые в отличительной части формулы.Comparison of the proposed method for the formation of ball findings on aluminum metallization of the contact pads of the crystal with other methods [1-3] from the prior art also did not allow to reveal the signs claimed in the characterizing part of the formula.
Сущность изобретения поясняется чертежами, на которых схематично изображены:The invention is illustrated by drawings, which schematically depict:
на фиг. 1 - схема сформированного стад-бампа на алюминиевой контактной площадке кристалла термозвуковым методом сварки;in FIG. 1 is a diagram of a formed stud bump on an aluminum contact pad of a crystal by a thermosonic welding method;
на фиг. 2 - стад-бамп после планаризации инструментом;in FIG. 2 - stud bump after instrument planarization;
на фиг. 3 - схема припойного шарикового вывода с платиновым ядром.in FIG. 3 is a diagram of a solder ball lead with a platinum core.
Изолирующий защитный слой по периметру контактной площадки кристалла на фиг. 1-3 не показан.The insulating protective layer around the perimeter of the contact pad of the crystal in FIG. 1-3 is not shown.
На сборку поступают полупроводниковые кристаллы 1 с алюминиевыми контактными площадками 2 (фиг. 1). Платиновые стад-бампы 3 формируют на алюминиевых контактных площадках 2 кремниевого кристалла 1 методом термозвуковой сварки «шариком», применяющегося при формировании проволочного соединения встык. При этом на верхней части стад-бампа остается заостренный выступ 4 (участок обрыва проволоки).The assembly receives
Термозвуковая сварка в отличии от термокомпрессионной реализуется при меньшем давлении и температуре, что положительно сказывается на межслойном диэлектрике (отсутствуют трещины), на которую напыляется алюминиевая металлизация. Кроме того, сварное соединение встык «шариком» имеет меньшие размеры в сравнении с соединением, получаемым термокомпрессией внахлест. Таким образом, термозвуковая сварка «шариком» способствует уменьшению размеров самой контактной площадки и, в целом, уменьшению размеров кристалла. Данный фактор снижает себестоимость выпускаемых полупроводниковых изделий.Thermosonic welding, in contrast to thermocompression welding, is realized at lower pressure and temperature, which positively affects the interlayer dielectric (no cracks), on which aluminum metallization is sprayed. In addition, the butt weld “ball" is smaller in comparison with the connection obtained by thermal compression lap. Thus, thermosonic “ball” welding helps to reduce the size of the contact area itself and, in general, to reduce the size of the crystal. This factor reduces the cost of semiconductor products.
Затем стад-бампы подвергают «чеканке» (фиг. 2) - планаризации с использованием специально разработанного инструмента при этом стад-бампы приобретают поверхность 5 параллельную кристаллу 1 с металлизацией 2.Then the stud bumps are subjected to “embossing” (Fig. 2) - planarization using a specially designed tool, while the stud bumps acquire a
После планаризации стад-бампов на них наносят калиброванные припойные шариковые выводы 6 из припоев заданного состава и температурой плавления методом лазерного оплавления (фиг. 3). Происходит смачивание припоем всей поверхности планаризованных стад-бампов 5, в результате этого формируется припойный шариковый вывод с платиновым ядром на алюминиевой контактной площадке.After planarization of the stud bumps, calibrated solder ball leads 6 from the solders of a given composition and the melting temperature by laser fusion are applied to them (Fig. 3). Solder wetting occurs on the entire surface of the planarized
В предлагаемом способе используют платиновые (стад-бампы) с последующим нанесением припойных шариковых выводов для технологии «flip-chip». Такой подход удобен для быстрого прототипирования и не требует применения шаблонов. Формирование стад-бампов по данному способу возможно на контактных площадках кристаллов в составе пластины, что снижает себестоимость выпускаемых полупроводниковых изделий.In the proposed method, platinum (stud bumps) is used, followed by the application of solder ball leads for the flip-chip technology. This approach is convenient for rapid prototyping and does not require the use of templates. The formation of stud bumps by this method is possible on the contact pads of crystals in the wafer, which reduces the cost of manufactured semiconductor products.
Кроме того, использование платины объясняется ее физическими характеристиками по сравнению с золотом, а именно: диффузионные барьерные свойства, смачиваемость припоями, стойкость к коррозии, низкое электрическое сопротивление. Скорость растворения платины в расплавленном олове значительно ниже чем у никеля - традиционного барьерного материала для металлизации контактных площадок ИС.In addition, the use of platinum is explained by its physical characteristics compared to gold, namely: diffusion barrier properties, wettability with solders, corrosion resistance, low electrical resistance. The rate of dissolution of platinum in molten tin is much lower than that of nickel, a traditional barrier material for metallization of IC contact pads.
Обычно, контактные площадки под пайку имеют многослойную структуру, которая включает в себя слой защиты от окисления, диффузионный барьерный слой и слой для смачивания припоем. Примером такой многослойной структуры является трехслойная металлизация Au/Ni/Cu, где слой Аu вводится для защиты от окисления, слой Ni -диффузионный барьерный слой, а Сu - слой для токопроводящих дорожек.Typically, the solder pads have a multilayer structure that includes an oxidation protection layer, a diffusion barrier layer, and a solder wetting layer. An example of such a multilayer structure is a three-layer metallization of Au / Ni / Cu, where the Au layer is introduced to protect against oxidation, the Ni layer is a diffusion barrier layer, and Cu is a layer for conductive paths.
Известно, что основной недостаток использования многослойных металлических структур на контактных площадках кристалла приводит не только к увеличению стоимости производства конечных изделий с такими площадками, но и увеличивает сложность их проектирования и изготовления. Повышение сложности, в свою очередь, приводит к проблемам, связанным со снижением надежности изделий микроэлектроники.It is known that the main disadvantage of using multilayer metal structures on the contact pads of the crystal leads not only to an increase in the cost of production of final products with such pads, but also increases the complexity of their design and manufacture. An increase in complexity, in turn, leads to problems associated with a decrease in the reliability of microelectronic products.
Таким образом, появляется мотивация к упрощению многослойной металлической структуры. Платина, как химический элемент не подвержена окислению и имеет медленную скорость реакции с припоями на основе Рb-Sn, Sn-Cu, и Sn-Ag-Cu так и припоев на основе чистого олова. Ввиду этих свойств платиновая металлизация может выполнять как функции слоя, защищающего от окисления, так и функции диффузионного - барьерного слоя. Применение платины в качестве UВМ контактных площадок под шариковые припойные выводы для монтажа кристаллов методом «flip-chip» в этом случае технически и экономически оправдано.Thus, there is a motivation to simplify the multilayer metal structure. Platinum as a chemical element is not susceptible to oxidation and has a slow reaction rate with solders based on Pb-Sn, Sn-Cu, and Sn-Ag-Cu and solders based on pure tin. In view of these properties, platinum metallization can perform both the functions of a layer that protects against oxidation and the functions of a diffusion barrier layer. The use of platinum as UVM contact pads for ball solder terminals for mounting crystals using the flip-chip method is technically and economically justified in this case.
На основании вышеизложенного сделано заключение, что предлагаемый способ формирования шариковых выводов на алюминиевой металлизации контактных площадок кристалла обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:Based on the foregoing, it was concluded that the proposed method for forming ball terminals on aluminum metallization of the contact pads of the crystal provides the following advantages compared to existing methods:
1. Снижается себестоимость производства;1. The cost of production is reduced;
2. Повышается надежность;2. Increases reliability;
3. Возможность быстрого прототипирования без применения шаблонов.3. The ability to quickly prototype without using templates.
Источники информацииInformation sources
1. Технология СБИС. Т. 2. / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986.1. VLSI technology. T. 2. / Ed. S. Zee. M .: Mir, 1986.
2. Емельянов В.А. Корпусирование интегральных схем. Минск: Полифакт, 1998. - с.194-195.2. Emelyanov V.A. Integrated circuit packaging. Minsk: Polyfact, 1998 .-- p.194-195.
3. Формирование контактных выступов. Заявка 212919 Япония. МКИ5 H01L 21/321 / Мацумура Ясцо; Кансай Ниппон дэнки к.к -№63-164563; Заявл. 30.06.1988; Опубл. 17.01.1990 // Кокай Токкё Кохо. Сер. 7(2). -1990. -16.-С.113-116.3. The formation of contact ledges. Application 212919 Japan. MKI 5 H01L 21/321 / Matsumura Yasco; Kansai Nippon Denki K.K.-№63-164563; Claim 06/30/1988; Publ. 01/17/1990 // Kokai Tokkyo Koho. Ser. 7 (2). -1990. -16.-C.113-116.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017144961A RU2671383C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017144961A RU2671383C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2671383C1 true RU2671383C1 (en) | 2018-10-30 |
Family
ID=64103218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017144961A RU2671383C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2671383C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2717264C1 (en) * | 2019-02-12 | 2020-03-19 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" | Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices |
| RU2734854C1 (en) * | 2020-01-29 | 2020-10-23 | Акционерное общество «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО «Российские космические системы») | Method for multi-crystal modules thermo-sound micro-welding |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007112393A2 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device with solderable loop contacts |
| KR20080062565A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | Flip chip package |
| US20150194409A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-07-09 | Wire Technology Co., Ltd. | Stud bump and package structure thereof and method of manufacturing the same |
-
2017
- 2017-12-20 RU RU2017144961A patent/RU2671383C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007112393A2 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device with solderable loop contacts |
| KR20080062565A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | Flip chip package |
| US20150194409A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-07-09 | Wire Technology Co., Ltd. | Stud bump and package structure thereof and method of manufacturing the same |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Guy V. Clatterbaugh, Charles V. Banda, and S. John Lehtonen, Reliable Miniature Electronic and Optical Interconnects for Low-Volume Applications, Johns Hopkins APL Technical Digest, Volume 28, Number 1, 2008. * |
| Guy V. Clatterbaugh, Charles V. Banda, and S. John Lehtonen, Reliable Miniature Electronic and Optical Interconnects for Low-Volume Applications, Johns Hopkins APL Technical Digest, Volume 28, Number 1, 2008. Mark Fretz, Flip Chip Bonding Technologies for Hybrid Integration, Universite de Neuchatel, 24 septembre 2009. * |
| Mark Fretz, Flip Chip Bonding Technologies for Hybrid Integration, Universite de Neuchatel, 24 septembre 2009. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2717264C1 (en) * | 2019-02-12 | 2020-03-19 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" | Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices |
| RU2734854C1 (en) * | 2020-01-29 | 2020-10-23 | Акционерное общество «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО «Российские космические системы») | Method for multi-crystal modules thermo-sound micro-welding |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100488126B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP5624649B2 (en) | Fusible input / output interconnect system and method for flip chip packaging with stud bumps attached to a substrate | |
| US20090289360A1 (en) | Workpiece contact pads with elevated ring for restricting horizontal movement of terminals of ic during pressing | |
| US6153940A (en) | Core metal soldering knob flip-chip technology | |
| KR100719905B1 (en) | Sn-bi alloy solder and semiconductor using the same | |
| JP6408986B2 (en) | BVA interposer | |
| KR100531393B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| US8759972B2 (en) | Semiconductor device and method of forming composite bump-on-lead interconnection | |
| US7880285B2 (en) | Semiconductor device comprising a semiconductor chip stack and method for producing the same | |
| JP2002203925A (en) | External connection terminal and semiconductor device | |
| KR20070001003A (en) | Semiconductor device | |
| JP2001060645A (en) | Interposer for mounting semiconductor die on board | |
| US6534874B1 (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| US9508702B2 (en) | 3D device packaging using through-substrate posts | |
| CN104851816A (en) | Method for packaging multiple chips in high density | |
| RU2671383C1 (en) | Method for forming ball leads based on aluminum metalization of crystal contact areas | |
| US6781065B1 (en) | Solder-coated articles useful for substrate attachment | |
| JP2009514228A (en) | Method for forming solder contacts on a mounting substrate | |
| US20080083993A1 (en) | Gold-Tin Solder Joints Having Reduced Embrittlement | |
| US9601374B2 (en) | Semiconductor die assembly | |
| US20130140067A1 (en) | Wafer or circuit board and joining structure of wafer or circuit board | |
| TWI502706B (en) | Robust joint structure for flip-chip bonding | |
| US8430969B2 (en) | Method for exposing and cleaning insulating coats from metal contact surfaces | |
| US6415973B1 (en) | Method of application of copper solution in flip-chip, COB, and micrometal bonding | |
| TW201407734A (en) | Semiconductor flip-chip bonding structure and process |