RU2645151C1 - Способ изготовления микроэлектронного узла - Google Patents
Способ изготовления микроэлектронного узла Download PDFInfo
- Publication number
- RU2645151C1 RU2645151C1 RU2016142852A RU2016142852A RU2645151C1 RU 2645151 C1 RU2645151 C1 RU 2645151C1 RU 2016142852 A RU2016142852 A RU 2016142852A RU 2016142852 A RU2016142852 A RU 2016142852A RU 2645151 C1 RU2645151 C1 RU 2645151C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- crystals
- technological
- assembly
- contact pads
- Prior art date
Links
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла. Достигается тем, что в окна подложки собираемого узла прецизионно устанавливают предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы. Предварительно подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея. Далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области технологии изготовления электронной аппаратуры с применением, в основном, бескорпусных электронных компонентов и может быть использовано для монтажа микроэлектронных компонентов в многокристальные модули, микросборки и модули с встроенными в плату компонентами.
Известен способ изготовления электронного узла (патент №2581155), в котором в качестве основания используют пластину монокристаллического кремния. Формируют в ней сквозные окна с линейными размерами, соответствующими линейным размерам устанавливаемых в них бескорпусных кристаллов. Закрепляют с одной стороны основания липкую ленту, клеящейся стороной к поверхности основания. Устанавливают в сквозные окна кристаллы лицевой стороной к клеящейся стороне липкой ленты. Герметизируют полиимидным лаком. Наносят полиимидный фотолак на поверхность, на которой расположены контактные площадки кристаллов. Затем формируют отверстия в слое полиимидного лака так, чтобы вскрыть контактные площадки кристалла. Для формирования топологии и коммутации слоев используют вакуумно-плазменное осаждение металлов через тонкую съемную маску со сформированной на ней топологией или используют процессы фотолитографии после вакуумно-плазменного осаждения металлов.
Недостатком известного технического решения является появление послеустановочного смещения кристаллов в окнах подложки по вертикали из-за упругости липкой ленты, невозможность уменьшения массогабаритных характеристик, обусловленная тем, что при уменьшении расстояния между окнами с кристаллами становится невозможным снять липкую ленту с пластины и встроенных кристаллов, без их повреждения и смещения, а также сложность технологического процесса, обусловленная привлечения сложного прецизионного технологического оборудования.
Известен способ монтажа микроэлектронных компонентов (патент РФ №2571880), согласно которому в металлической подложке, имеющей форму круглой пластины, в которой по заданным координатам сформированы отверстия под бескорпусные кристаллы, на одну из поверхностей металлической круглой пластины натягивают липкую ленту, липкой стороной внутрь пластины, бескорпусные кристаллы устанавливают по заданным координатам контактными площадками на поверхность липкой ленты, затем герметизируют, отделяют липкую ленту, наносят полиимидный фотолак на поверхность, на которой расположены контактные площадки кристаллов, вскрывают в фотолаке окна ровно над контактными площадками и выводами бескорпусного кристалла, проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов через тонкую съемную маску или фотолитографией после вакуумно-плазменного осаждения металлов из трех слоев послойно, затем наносят второй слой диэлектрика, формируют в нем окна, наносят последний слой металлизации, формируют коммутацию с контактными площадками, затем устанавливают чип-компоненты.
Недостатком известного технического решения является сложность процесса установки кристаллов по заданным координатам, требующее привлечение сложного прецизионного технологического оборудования, возникновение деформаций поверхности кристаллов и герметизирующего покрытия, смещения кристаллов в окнах подложки при снятии липкой ленты.
Технической задачей изобретения является упрощение технологического процесса изготовления микроэлектронного узла, а также увеличение плотности упаковки компонентов, обеспечивающее улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла.
Техническим результатом является улучшение массогабаритных характеристик микроэлектронного узла, за счет увеличения плотности упаковки микроэлектронных компонентов.
Технический результат достигается тем, что в окна подложки собираемого микроэлектронного узла прецизионно устанавливают предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы, герметизируют их и формируют многоуровневые коммутационные слои, соединяющие контактные площадки кристаллов и внешних выводов узла.
Отличительными признаками заявляемого способа является то, что подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку из твердого материала с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их с выполненными на планарной технологической подложке реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея, удаляют остатки клея с подложки собираемого узла и кристаллов, далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого микроэлектронного узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию контактных площадок кристаллов и внешних выводов с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки.
Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена последовательность технологических операций способа монтажа микроэлектронных компонентов, (фиг. 1 (а, б, в, г, д, е, ж, з, и, к, л, м).
где:
1 - технологическая подложка;
2 - реперные знаки на технологической подложке
3 - слой термопластичного клея;
4 - бескорпусные кристаллы;
5 - подложка микроэлектронного узла;
6 - компаунд;
7 - подложка микроэлектронного узла со встроенными кристаллами;
8 - первый слой диэлектрика;
9 - первый слой коммутации;
10 - второй слой диэлектрика;
11 - второй слой коммутации;
12 - защитный слой;
13 – чип-компоненты.
Способ реализуется следующим образом
На планарной технологической подложке 1, выполненной из твердого материала, формируют реперные знаки 2, зеркально отображающие точное расположение кристаллов и окон подложки в микроэлектронном узле (фиг. 1а).
На поверхность технологической подложки 1, на которой расположены реперные знаки 2, наносят тонкий липкий слой термопластичного клея 3 (фиг. 1б).
Устанавливают бескорпусные кристаллы 4 контактными площадками вниз на технологическую подложку 1, совмещая реперные знаки 2 на технологической подложке 1 с реперными знаками на кристаллах (фиг. 1в). После выполнения совмещения кристаллы прижимают к клеящей поверхности с усилием, необходимым для получения надежного клеящего соединения.
Устанавливают подложку сборочного узла 5 на технологическую подложку 1, совмещая реперные знаки 2 на планарной технологической подложке и на подложке микроэлектронного узла 7 (фиг. 1г). После выполнения совмещения технологическую подложку 1 прижимают к клеящей поверхности с усилием, необходимым для получения надежного клеящего соединения.
Герметизируют компаундом 6 (фиг. 1д).
Затем снимают технологическую пластину 1, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея, удаляют остатки клея с подложки и кристаллов микроэлектронного узла 7 (фиг. 1е).
На лицевой поверхности собранного микроэлектронного узла 7 формируют первый слой диэлектрика 8 с окнами над выходными контактными площадками кристаллов (фиг. 1ж).
На поверхности первого слоя диэлектрика 8 формируют первый слой коммутации 9 методом вакуумного напыления тонкопленочной проводящей структуры через тонкую съемную маску или используют процессы фотолитографии после вакуумно-плазменного осаждения металлов (фиг. 1з).
Затем формируют второй слой диэлектрика 10 с окнами над переходными контактными площадками первого слоя коммутации (фиг. 1и).
Формируют второй слой коммутации 11 (фиг. 1к).
Формируют защитный слой 12 с окнами над контактными площадками коммутационного слоя, предназначенными для установки чип-компонентов (фиг. 1л), после чего устанавливают чип-компоненты 13 (фиг. 1м).
Пример
На стеклянной прозрачной плоскопараллельной металлизированной пластине размером 102×102 мм методом фотолитографии формируют реперные знаки для обеспечения прецизионного совмещения бескорпусных кристаллов и подложки сборочного узла.
Затем на лицевую сторону технологической подложки 1 наносят дозированное количество спиртового раствора канифоли и центрифугированием распределяют по всей поверхности технологической подложки 1. Толщину клеящего покрытия задают концентрацией раствора и скоростью вращения центрифуги.
Устанавливают бескорпусные кристаллы 4 контактными площадками вниз на технологическую подложку 1, совмещая реперные знаки 2 на технологической подложке 1 с реперными знаками на кристаллах, контролируя процесс совмещения визуально с обратной стороны технологической подложки 1.
После выполнения совмещения кристаллы прижимают к клеящей поверхности с усилием, необходимым для получения надежного клеящего соединения.
Устанавливают подложку микроэлектронного узла на технологическую подложку 1, совмещая окна в подложке микроэлектронного узла 7 с кристаллами на технологической подложке 1 и реперными знаками 2.
Проводят фиксацию кристаллов в теле подложки микроэлектронного узла зазорозаполняющим клеем ВК-67М.
После отверждения клея нагревают технологическую подложку 1 с установленным на ней микроэлектронным узлом 7 со стороны технологической подложки 1. После начала плавления термопластичного клея, удерживающего микроэлектронный узел 7 на технологической подложке 1, сдвигают микроэлектронный узел 7 на неподвижной технологической подложке 1 в сторону и снимают с нее.
После чего удаляют с поверхности микроэлектронного узла 7 остатки термопластичного клея и наносят слой фотопроявляемого диэлектрика - паяльной маски XV501T-4 методом сеткографии.
Методами фотолитографии формируют отверстия в слое паяльной маски - вскрывают окна над выводными контактными площадками бескорпусных кристаллов.
На поверхности первого слоя диэлектрика 8 формируют первый слой коммутации 9 методом вакуумного напыления тонкопленочной проводящей структуры через тонкую съемную маску.
Формируют второй слой диэлектрика 10 из паяльной маски с окнами над переходными контактными площадками первого слоя коммутации.
Формируют второй слой коммутации 11.
Формируют защитный слой 12 с окнами над контактными площадками коммутационного слоя, предназначенными для установки чип-компонентов.
Затем методами поверхностного монтажа устанавливают чип-компоненты 13 с шариковыми выводами.
Применение технологической подложки 1 из твердого материала с нанесенным на ее поверхность тонким клеящим слоем позволяет получать незначительный разброс по высоте между кристаллами, установленными в подложку микроэлектронного узла 7. Так, например, при толщине клеевого слоя 2-3 мкм, разброс по высоте между кристаллами составит не более 2 мкм. Это значительно упрощает выполнение последующих технологических операций.
Наличие на технологической подложке 1 реперных знаков позволяет устанавливать кристаллы с точностью ±3 мкм, что дает возможность использовать кристаллы с размерами контактных площадок до 50 мкм и соответственно увеличить плотность проводников коммутации на поверхности собираемого микроэлектронного узла 7.
При применении технологической подложки 1 из прозрачного материала значительно упрощается технологическое оборудование для установки совмещения контактных площадок кристаллов с реперными знаками на технологической подложке 1, так как процесс можно контролировать визуально.
Применяя для заготовок подложек микроэлектронного узла стандартный размер 60×48, возможно использование высокопроизводительного оборудования серийного производства тонкопленочных плат для гибридных микросборок и, соответственно, снизить себестоимость производства радиоэлектронных узлов.
Предлагаемый способ позволяет:
- упростить технологический процесс встраивания кристаллов в тело подложки сборочного узла;
- улучшить массогабаритные характеристики микроэлектронных узлов, за счет увеличения плотности проводников коммутационных слоев и, соответственно, уменьшения количества слоев коммутации.
Claims (1)
- Способ изготовления микроэлектронного узла, включающий прецизионную установку в окна подложки собираемого узла предварительно протестированных и запрограммированных бескорпусных кристаллов, их герметизацию и формирование многоуровневых коммутационных слоев, соединяющих контактные площадки кристаллов и внешних выводов узла, отличающийся тем, что подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку из твердого материала с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их с выполненными на технологической подложке реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея, удаляют остатки клея с подложки собираемого узла и кристаллов, далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию контактных площадок кристаллов и внешних выводов с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016142852A RU2645151C1 (ru) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Способ изготовления микроэлектронного узла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016142852A RU2645151C1 (ru) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Способ изготовления микроэлектронного узла |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2645151C1 true RU2645151C1 (ru) | 2018-02-16 |
Family
ID=61226763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016142852A RU2645151C1 (ru) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | Способ изготовления микроэлектронного узла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2645151C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2703831C1 (ru) * | 2019-03-01 | 2019-10-22 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Способ электрического и механического соединения плат и интерпозеров в 3D электронных сборках |
RU2752013C1 (ru) * | 2020-10-26 | 2021-07-21 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Способ изготовления микросборки бескорпусных электронных компонентов на гибких органических подложках |
RU2773807C1 (ru) * | 2021-06-03 | 2022-06-09 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления микромодуля |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2222074C1 (ru) * | 2002-12-17 | 2004-01-20 | Сасов Юрий Дмитриевич | Способ изготовления гибридного электронного модуля |
US6991966B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-01-31 | Imbera Electronics Oy | Method for embedding a component in a base and forming a contact |
RU2527661C1 (ru) * | 2013-02-11 | 2014-09-10 | Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Способ группового монтажа кристаллов при сборке высокоплотных электронных модулей |
US8852391B2 (en) * | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
RU2571880C1 (ru) * | 2015-01-30 | 2015-12-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ монтажа микроэлектронных компонентов |
RU2575641C2 (ru) * | 2014-07-10 | 2016-02-20 | Акционерное общество "Федеральный научно-исследовательский центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (АО "ФНПЦ "ННИИРТ") | Способ изготовления радиоэлектронных узлов |
-
2016
- 2016-10-31 RU RU2016142852A patent/RU2645151C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6991966B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-01-31 | Imbera Electronics Oy | Method for embedding a component in a base and forming a contact |
RU2222074C1 (ru) * | 2002-12-17 | 2004-01-20 | Сасов Юрий Дмитриевич | Способ изготовления гибридного электронного модуля |
US8852391B2 (en) * | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
RU2527661C1 (ru) * | 2013-02-11 | 2014-09-10 | Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Способ группового монтажа кристаллов при сборке высокоплотных электронных модулей |
RU2575641C2 (ru) * | 2014-07-10 | 2016-02-20 | Акционерное общество "Федеральный научно-исследовательский центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (АО "ФНПЦ "ННИИРТ") | Способ изготовления радиоэлектронных узлов |
RU2571880C1 (ru) * | 2015-01-30 | 2015-12-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ монтажа микроэлектронных компонентов |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2703831C1 (ru) * | 2019-03-01 | 2019-10-22 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Способ электрического и механического соединения плат и интерпозеров в 3D электронных сборках |
RU2752013C1 (ru) * | 2020-10-26 | 2021-07-21 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Способ изготовления микросборки бескорпусных электронных компонентов на гибких органических подложках |
RU2773807C1 (ru) * | 2021-06-03 | 2022-06-09 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления микромодуля |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080182363A1 (en) | Method for forming a microelectronic assembly including encapsulating a die using a sacrificial layer | |
EP0613333A1 (en) | Mounting/connecting method of an electronic component with patterning electrodes | |
CN104465418B (zh) | 一种扇出晶圆级封装方法 | |
TWI796522B (zh) | 半導體器件封裝方法及半導體器件 | |
US11728201B2 (en) | Methods for releasing ultra-small or ultra-thin discrete components from a substrate | |
RU2645151C1 (ru) | Способ изготовления микроэлектронного узла | |
US8327532B2 (en) | Method for releasing a microelectronic assembly from a carrier substrate | |
US3965277A (en) | Photoformed plated interconnection of embedded integrated circuit chips | |
CN104108679A (zh) | 制造贯穿玻璃的通孔的方法 | |
US3570115A (en) | Method for mounting electronic chips | |
CA2818040C (en) | Integrated circuit package and method of making same | |
Priyabadini et al. | High-yield fabrication process for 3D-stacked ultrathin chip packages using photo-definable polyimide and symmetry in packages | |
RU2651543C1 (ru) | Способ изготовления микроэлектронного узла | |
JP2005019754A (ja) | 複合部品及びその製造方法 | |
RU2571880C1 (ru) | Способ монтажа микроэлектронных компонентов | |
CN105174209A (zh) | 晶圆级光刻机键合方法 | |
TW200803661A (en) | Circuit substrate and method of manufacture | |
CN114566436A (zh) | 一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法 | |
CN104124191B (zh) | 半导体封装件的制法 | |
RU2581155C1 (ru) | Способ изготовления электронного узла | |
RU2012132226A (ru) | Способ изготовления полупроводниковых приборов | |
RU2804595C1 (ru) | Способ изготовления микроэлектронного узла | |
TWI695416B (zh) | 用於轉移微型元件的方法 | |
CN205582933U (zh) | 双面扇出型晶圆级封装结构 | |
JP2015173169A (ja) | 封止ウェーハの生産方法 |