RU2628131C1 - Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах - Google Patents

Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах Download PDF

Info

Publication number
RU2628131C1
RU2628131C1 RU2016108565A RU2016108565A RU2628131C1 RU 2628131 C1 RU2628131 C1 RU 2628131C1 RU 2016108565 A RU2016108565 A RU 2016108565A RU 2016108565 A RU2016108565 A RU 2016108565A RU 2628131 C1 RU2628131 C1 RU 2628131C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
input
transistor
effect transistor
current
Prior art date
Application number
RU2016108565A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Олег Владимирович Дворников
Анна Витальевна Бугакова
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority to RU2016108565A priority Critical patent/RU2628131C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2628131C1 publication Critical patent/RU2628131C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45596—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by offset reduction

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Технический результат заключается в уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах содержит первый и второй входные биполярные транзисторы, первый и второй входные полевые транзисторы, первое и второе токовые зеркала, первую и вторую шины источника питания, при этом в схему введены первый и второй дополнительные полевые транзисторы. 3 з.п. ф-лы, 16 ил.

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых и биполярных транзисторах [1-15], в т.ч. выполненные на основе несимметричных дифференциальных каскадов [14-16]. Основное достоинство последних - отсутствие классических источников опорного тока, отрицательно влияющих на важнейшие статические и динамические параметры.
Для работы в условиях низких температур, в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ. Мировой опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [17], обеспечивающего формирование р-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2 [18-21]. Однако в таких ОУ при t=-100 ÷ -120°C необходима специальная схемотехника, учитывающая ограничения биполярно-полевой технологии [17]. Для более низких температур в схемах рекомендуется использовать только полевые транзисторы [22-24].
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является мультидифференциальный операционный усилитель (МОУ), представленный в патенте RU 2523124, фиг. 2. Он содержит (фиг. 1) первый 1 входной биполярный транзистор, база которого является первым 2 входом устройства, коллектор связан с первой 3 шиной источника питания, а эмиттер соединен с истоком первого 4 входного полевого транзистора, затвор первого 4 входного полевого транзистора связан со вторым 5 входом устройства, а сток соединен со входом первого 6 токового зеркала, согласованного со второй 7 шиной источника питания, причем выход первого 6 токового зеркала связан с первым 8 токовым выходом, второй 9 входной биполярный транзистор, база которого является третьим 10 входом устройства, а эмиттер связан с истоком второго 11 входного полевого транзистора, затвор второго 11 входного полевого транзистора соединен с четвертым 12 входом устройства, второе 13 токовое зеркало.
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что он имеет повышенное напряжение смещения нуля (Uсм). Это связано с тем, что в двухканальной структуре ОУ-прототипа фиг. 1 используются для передачи сигнала как первое 6, так и второе 13 токовые зеркала, реализуемые на разнотипных транзисторах (n-р-n, p-n-р), имеющих различные значения коэффициента усиления по току базы (β), а также неодинаковые напряжения Эрли. В конечном итоге, это увеличивает влияние неидентичности данных токовых зеркал (которая всегда присутствует в ОУ-прототипе) на величину Uсм.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм).
Поставленные задачи достигаются тем, что в мультидифференциальном операционном усилителе фиг. 2, содержащем первый 1 входной биполярный транзистор, база которого является первым 2 входом устройства, коллектор связан с первой 3 шиной источника питания, а эмиттер соединен с истоком первого 4 входного полевого транзистора, затвор первого 4 входного полевого транзистора связан со вторым 5 входом устройства, а сток соединен со входом первого 6 токового зеркала, согласованного со второй 7 шиной источника питания, причем выход первого 6 токового зеркала связан с первым 8 токовым выходом, второй 9 входной биполярный транзистор, база которого является третьим 10 входом устройства, а эмиттер связан с истоком второго 11 входного полевого транзистора, затвор второго 11 входного полевого транзистора соединен с четвертым 12 входом устройства, второе 13 токовое зеркало, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 14 и второй 15 дополнительные полевые транзисторы, исток первого 14 дополнительного полевого транзистора соединен с истоком первого 4 входного полевого транзистора, затвор первого 14 дополнительного полевого транзистора подключен к затвору первого 4 входного полевого транзистора, сток первого 14 дополнительного полевого транзистора соединен с выходом второго 13 токового зеркала, согласованного со второй 7 шиной источника питания, и подключен ко второму 16 токовому выходу, исток второго 15 дополнительного полевого транзистора соединен с истоком второго 11 входного полевого транзистора, затвор второго 15 дополнительного полевого транзистора соединен с затвором второго 11 входного полевого транзистора, сток второго 15 дополнительного полевого транзистора подключен ко входу второго 13 токового зеркала, сток второго 11 входного полевого транзистора соединен с первым 8 токовым выходом.
На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 3, а на чертеже фиг. 4 - п. 4 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 5 представлена схема МОУ с архитектурой, соответствующей чертежу фиг. 2, иллюстрирующая возможность построения входного каскада МОУ на JFet и CMOS-транзисторах.
На чертеже фиг. 6 представлена схема заявляемого устройства фиг. 4 с общей отрицательной обратной связью (ООС) в среде PSpice на слаботочных транзисторах (PNPJFjfet АБМК_1.4_Rad) Q3, Q4,Q5, Q6.
На чертеже фиг. 7 приведена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению схемы фиг. 6 со 100% ООС и без ООС.
На чертеже фиг. 8 показана зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля схемы фиг. 6 от потока нейтронов. Данный режим моделирования показывает предельные возможности предлагаемой схемы по величине Uсм (без учета разброса параметров элементов).
На чертеже фиг. 9 показана зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля схемы фиг. 6 от температуры в диапазоне от -140÷ +80°С. Данный режим измерения показывает предельные возможности предлагаемой схемы по величине Uсм (без учета разброса параметров элементов).
На чертеже фиг. 10 представлена схема заявляемого устройства фиг. 5 в среде PSpice на сильноточных транзисторах (PADJ АБМК_1.4_Rad) Q3, Q4, Q5, Q6.
На чертеже фиг. 11 приведена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению схемы фиг. 10 со 100% ООС и без ООС.
На чертеже фиг. 12 представлена схема заявляемого устройства фиг. 5 в среде PSpice на сильноточных транзисторах (PADJ АБМК_1.4_Rad) Q3, Q4, Q5, Q6 с введением резисторов R1 и R2, которые позволяют уменьшить величину статического тока входного каскада до заданного значения.
На чертеже фиг. 13 приведена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению схемы фиг. 12 со 100% ООС и без ООС.
На чертеже фиг. 14 представлена схема заявляемого устройства фиг. 5 в среде PSpice на сильноточных транзисторах (PADJ АБМК_1.4_Rad) Q3, Q4,Q5, Q6 с введением резисторов R3 и R4 в эмиттерные цепи выходных транзисторов Q11 и Q22.
На чертеже фиг. 15 приведена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению схемы фиг. 14 со 100% ООС и без ООС.
На чертеже фиг. 16 показана зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля схемы фиг. 14 от температуры в диапазоне от -60÷ +80°С.
Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах фиг. 2 содержит первый 1 входной биполярный транзистор, база которого является первым 2 входом устройства, коллектор связан с первой 3 шиной источника питания, а эмиттер соединен с истоком первого 4 входного полевого транзистора, затвор первого 4 входного полевого транзистора связан со вторым 5 входом устройства, а сток соединен со входом первого 6 токового зеркала, согласованного со второй 7 шиной источника питания, причем выход первого 6 токового зеркала связан с первым 8 токовым выходом, второй 9 входной биполярный транзистор, база которого является третьим 10 входом устройства, а эмиттер связан с истоком второго 11 входного полевого транзистора, затвор второго 11 входного полевого транзистора соединен с четвертым 12 входом устройства, второе 13 токовое зеркало. В схему введены первый 14 и второй 15 дополнительные полевые транзисторы, исток первого 14 дополнительного полевого транзистора соединен с истоком первого 4 входного полевого транзистора, затвор первого 14 дополнительного полевого транзистора подключен к затвору первого 4 входного полевого транзистора, сток первого 14 дополнительного полевого транзистора соединен с выходом второго 13 токового зеркала, согласованного со второй 7 шиной источника питания, и подключен ко второму 16 токовому выходу, исток второго 15 дополнительного полевого транзистора соединен с истоком второго 11 входного полевого транзистора, затвор второго 15 дополнительного полевого транзистора соединен с затвором второго 11 входного полевого транзистора, сток второго 15 дополнительного полевого транзистора подключен ко входу второго 13 токового зеркала, сток второго 11 входного полевого транзистора соединен с первым 8 токовым выходом.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения в схему введен выходной дифференциальный усилитель 17, первый и второй входы которого подключены к соответствующим первому 8 и второму 16 токовым выходам, а выход 18 является потенциальным выходом устройства.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения первое 6 токовое зеркало содержит выходной транзистор 19, коллектор которого связан с выходом первого 6 токового зеркала, база является входом первого 6 токового зеркала, эмиттер связан со второй 7 шиной источника питания, а между базой и эмиттером выходного транзистора 19 включен вспомогательный прямосмещенный р-n переход 20, причем второе 13 токовое зеркало содержит выходной транзистор 21, коллектор которого связан с выходом второго 13 токового зеркала, база является входом второго 13 токового зеркала, а эмиттер связан со второй 7 шиной источника питания, причем между базой и эмиттером выходного транзистора 21 включен вспомогательный прямосмещенный р-n переход 22, который может быть реализован на биполярном транзисторе.
На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 4 формулы изобретения выходной дифференциальный усилитель 17 содержит первый 23 и второй 24 выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены со второй 7 шиной источника питания, база первого 23 выходного транзистора соединена с первым 8 токовым выходом, база второго 24 выходного транзистора соединена со вторым 16 токовым выходом, коллектор первого 23 выходного транзистора подключен ко входу дополнительного токового зеркала 25, согласованного с первой 3 шиной источника питания через цепь смещения потенциалов 26, коллектор второго 24 выходного транзистора соединен с выходом дополнительного токового зеркала 25 и входом буферного усилителя 27, выход которого соединен с потенциальным выходом устройства 18. На чертеже фиг. 4 в качестве цепи смещения потенциалов 26 могут использоваться резисторы, стабилитроны, группы последовательно включенных р-n переходов и т.п.
На чертеже фиг. 5 представлена функциональная схема МОУ с архитектурой, соответствующей чертежу фиг. 2, иллюстрирующая возможность построения входного каскада МОУ на JFet и CMOS-транзисторах.
Рассмотрим работу МОУ фиг. 4 с конкретным выполнением первого 6 и второго 13 токовых зеркал, а также с реализацией выходного дифференциального усилителя 17 в соответствии с п. 4 формулы изобретения.
В статическом режиме для схемы фиг. 4 можно составить следующие уравнения Кирхгофа:
Figure 00000001
Figure 00000002
где Iвх.6, Iвых.6 - входной и выходной токи первого 6 токового зеркала;
Iвх.13, Iвых.13 - входной и выходной токи второго 13 токового зеркала;
I0 - статический ток истока первого 4 входного полевого, первого 14 дополнительного полевого транзисторов, а также второго 11 входного полевого и второго 15 дополнительного полевого транзисторов;
Iбр - ток базы n-p-n транзисторов схемы (позиции 1, 9, 19, 21, 23, 24) при токе эмиттера Iэ=I0.
Численное значение тока I0 определяется геометрией и техническими параметрами полевых транзисторов (позиции 4, 14 и 11, 15).
С уменьшением температуры в область отрицательных значений или повышением уровня радиации токи базы (Iбр) транзисторов 19, 21, 23, 24 схемы фиг. 4 существенно (в 5-10 раз) возрастают [22-24, 18-21]. Однако в заявляемом устройстве фиг. 4 (при существенном, но идентичном изменении β указанных выше элементов) в первом 8 и втором 16 токовых выходах обеспечивается полная взаимная компенсация радиационных и температурных изменений токов базы биполярных транзисторов (позиции 19, 21, 23 и 24). Данный эффект реализуется за счет введения новых связей, а также конкретного построения основных функциональных узлов ОУ фиг. 4. В результате напряжение смещения нуля схемы фиг. 2 получается небольшим:
Figure 00000003
где Iс11=Ic14=I0 - токи стока полевых транзисторов 11 и 14;
Iвых.6=I0-2Iбр - статический выходной ток первого 6 токового зеркала;
Iвых.13=I0-2Iбр - статический выходной ток второго 13 токового зеркала;
Iб24=Iб23=2Iбр - токи базы первого 23 и второго 24 выходных транзисторов выходного дифференциального усилителя 17;
SДК - крутизна передачи входных напряжений МОУ к высокоимпедансным узлам 16 и 8.
После преобразования формулы (3) можно показать, что
Figure 00000004
Заметим, что в заявляемой схеме первое 6 и второе 13 токовые зеркала, реализованные в соответствии с фиг. 4, обеспечивают выполнение условий полной взаимной компенсации систематической составляющей Uсм.1 (3), (4) в широком диапазоне внешних воздействий. Другие токовые зеркала не дают такого положительного эффекта.
Из приведенного анализа следует, что схема фиг. 4 обладает уникальными свойством - в ней в первом 8 и втором 16 токовых выходах обеспечивается взаимная компенсация основных статических погрешностей преобразования сигналов, обусловленных деградацией (в 5-10 раз) коэффициента усиления по току базы транзисторов (β), входящих в первое 6 и второе 13 токовые зеркала, а также в выходной дифференциальный усилитель 17.
Таким образом, заявляемое устройство характеризуется более высокими значениями параметров, характеризующими его прецизионность, и имеет потенциальные возможности работы при низких температурах с одновременным воздействием радиации.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US №4.596.958, fig. 2.
2. Патент US №4.901.031, fig. 3.
3. Патент US №5.291.149, fig. 4.
4. Патент US №4.357.578, fig. 1.
5. Патент US №3.703.650, fig. 1.
6. Патент US №2.070.768, fig. 1.
7. Патент US №2.571.579, fig. 4.
8. Патент US №3.873.933, fig. 2.
9. Патент US №7.202.738, fig. 10.
10.Патент US №4.198.610, fig. 3.
11. Патент US №6.407.537, fig. 1.
12. Патент US №4.667.165, fig. 3.
13. Патентная заявка US 2010/0117735, fig. 2.
14. Патент РФ 2523124.
15. Патент РФ 2517699.
16. Prokopenko, N.N. The Radiation-Hardened Differential Stages and Op Amps without Classical Reference Current Source / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, I.V. Pakhomov and N.V. Butyrlagin // 2015 Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), September 14th-18th, 2015, Moscow, Russia. DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365681.
17. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
18. Дворников О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 1 / O. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №4. С. 44-49.
19. Дворников О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №5. С. 24-28.
20. Дворников О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 3 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №6. С. 34-39.
21. Dvornikov, О.V. Specialized Integral Microcircuit of the Amplifier of Photosignals / О.V. Dvornikov, V.A. Chekhovskii, V.L. Dyatlov, and N. N. Prokopenko // Russian Microelectronics, 2015, Vol. 44, No. 3, pp. 197-202. (ISSN 1063-7397). DOI: 10.1134/S1063739715020031.
22. Dvornikov, О.V. An Integrated Circuit of a Universal Comparator / О.V. Dvornikov, V.A. Chekhovskii, V.L. Dyatlov, and N.N. Prokopenko // Instruments and Experimental Techniques, 2015, Vol. 58, No. 3, pp. 483-487. DOI: 10.1134/S0020441215030197.
23. Dvornikov, О.V. An integrated circuit for silicon photomultipliers tubes / O.V. Dvornikov, V.A. Tchekhovsi, V.L. Dyatlov, and N.N. Prokopenko // Instruments and Experimental Techniques, vol. 57, no. 1, pp. 40-44, Feb. 2014. WOS: 000331640100007, JCR 2013 Impact Factor - 0.349 DOI: 10.1134/S0020441214010047.
24. Dvornikov, О.V. Influence of Ionizing Radiation on the Parameters of an Operational Amplifier Based on Complementary Bipolar Transistors / О.V. Dvornikov, V.A. Tchekhovski, V.L. Dziatlau, and N. N. Prokopenko // Russian Microelectronics, 2016, Vol. 45, No. 1, pp. 54-62. (ISSN 1063-7397). DOI: 10.1134/S1063739716010030.

Claims (4)

1. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах, содержащий первый (1) входной биполярный транзистор, база которого является первым (2) входом устройства, коллектор связан с первой (3) шиной источника питания, а эмиттер соединен с истоком первого (4) входного полевого транзистора, затвор первого (4) входного полевого транзистора связан со вторым (5) входом устройства, а сток соединен со входом первого (6) токового зеркала, согласованного со второй (7) шиной источника питания, причем выход первого (6) токового зеркала связан с первым (8) токовым выходом, второй (9) входной биполярный транзистор, база которого является третьим (10) входом устройства, а эмиттер связан с истоком второго (11) входного полевого транзистора, затвор второго (11) входного полевого транзистора соединен с четвертым (12) входом устройства, второе (13) токовое зеркало, отличающийся тем, что в схему введены первый (14) и второй (15) дополнительные полевые транзисторы, исток первого (14) дополнительного полевого транзистора соединен с истоком первого (4) входного полевого транзистора, затвор первого (14) дополнительного полевого транзистора подключен к затвору первого (4) входного полевого транзистора, сток первого (14) дополнительного полевого транзистора соединен с выходом второго (13) токового зеркала, согласованного со второй (7) шиной источника питания, и подключен ко второму (16) токовому выходу, исток второго (15) дополнительного полевого транзистора соединен с истоком второго (11) входного полевого транзистора, затвор второго (15) дополнительного полевого транзистора соединен с затвором второго (11) входного полевого транзистора, сток второго (15) дополнительного полевого транзистора подключен ко входу второго (13) токового зеркала, сток второго (11) входного полевого транзистора соединен с первым (8) токовым выходом.
2. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что в схему введен выходной дифференциальный усилитель (17), первый и второй входы которого подключены к соответствующим первому (8) и второму (16) токовым выходам, а выход (18) является потенциальным выходом устройства.
3. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 2, отличающийся тем, что первое (6) токовое зеркало содержит выходной транзистор (19), коллектор которого связан с выходом первого (6) токового зеркала, база является входом первого (6) токового зеркала, эмиттер связан со второй (7) шиной источника питания, а между базой и эмиттером выходного транзистора (19) включен вспомогательный прямосмещенный р-n переход (20), причем второе (13) токовое зеркало содержит выходной транзистор (21), коллектор которого связан с выходом второго (13) токового зеркала, база является входом второго (13) токового зеркала, а эмиттер связан со второй (7) шиной источника питания, причем между базой и эмиттером выходного транзистора (21) включен вспомогательный прямосмещенный р-n переход (22).
4. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 2 или 3, отличающийся тем, что выходной дифференциальный усилитель (17) содержит первый (23) и второй (24) выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены со второй (7) шиной источника питания, база первого (23) выходного транзистора соединена с первым (8) токовым выходом, база второго (24) выходного транзистора соединена со вторым (16) токовым выходом, коллектор первого (23) выходного транзистора подключен ко входу дополнительного токового зеркала (25), согласованного с первой (3) шиной источника питания через цепь смещения потенциалов (26), коллектор второго (24) выходного транзистора соединен с выходом дополнительного токового зеркала (25) и входом буферного усилителя (27), выход которого соединен с потенциальным выходом устройства (18).
RU2016108565A 2016-03-09 2016-03-09 Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах RU2628131C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016108565A RU2628131C1 (ru) 2016-03-09 2016-03-09 Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016108565A RU2628131C1 (ru) 2016-03-09 2016-03-09 Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2628131C1 true RU2628131C1 (ru) 2017-08-15

Family

ID=59641803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016108565A RU2628131C1 (ru) 2016-03-09 2016-03-09 Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2628131C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557234A (en) * 1992-02-27 1996-09-17 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Differential amplifier with mismatch correction using floating gates
RU2416149C1 (ru) * 2009-11-18 2011-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2523124C1 (ru) * 2013-01-09 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Мультидифференциальный операционный усилитель
RU2571578C1 (ru) * 2014-11-11 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557234A (en) * 1992-02-27 1996-09-17 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Differential amplifier with mismatch correction using floating gates
RU2416149C1 (ru) * 2009-11-18 2011-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2523124C1 (ru) * 2013-01-09 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Мультидифференциальный операционный усилитель
RU2571578C1 (ru) * 2014-11-11 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2624565C1 (ru) Инструментальный усилитель для работы при низких температурах
RU2710296C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2710917C1 (ru) Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом
RU2684489C1 (ru) Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2571578C1 (ru) Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2677401C1 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2624585C1 (ru) Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель
RU2712414C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом класса ав с изменяемым напряжением ограничения проходной характеристики
RU2741056C1 (ru) Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
RU2628131C1 (ru) Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах
RU2710847C1 (ru) Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур
RU2583760C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2346388C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2615068C1 (ru) Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель
RU2615070C1 (ru) Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель
RU2741055C1 (ru) Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2615066C1 (ru) Операционный усилитель
RU2595927C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2627094C1 (ru) Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель
RU2712416C1 (ru) Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
RU2568384C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель на основе радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2684473C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
RU2568318C1 (ru) Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180310