RU2684489C1 - Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах - Google Patents

Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах Download PDF

Info

Publication number
RU2684489C1
RU2684489C1 RU2018121299A RU2018121299A RU2684489C1 RU 2684489 C1 RU2684489 C1 RU 2684489C1 RU 2018121299 A RU2018121299 A RU 2018121299A RU 2018121299 A RU2018121299 A RU 2018121299A RU 2684489 C1 RU2684489 C1 RU 2684489C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
output
effect transistor
input
current
Prior art date
Application number
RU2018121299A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Петр Сергеевич Будяков
Анна Витальевна Бугакова
Алексей Евгеньевич Титов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority to RU2018121299A priority Critical patent/RU2684489C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2684489C1 publication Critical patent/RU2684489C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/185—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных и выходных усилителей мощности различных аналоговых устройств (операционных усилителей, драйверов линий связи и т.п.), допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации и низких температур. Технический результат: создание радиационно стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения БУ на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего при высокой линейности амплитудной характеристики повышенную стабильность статического режима транзисторов и низкий уровень шумов, в том числе при работе в диапазоне низких температур. Для достижения результата предложено схемное решение, характеризующееся использованием единственного токостабилизирующего двухполюсника (резистора), определяющего токовый статический режим работы. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных и выходных усилителей мощности различных аналоговых устройств (операционных усилителей, драйверов линий связи и т.п.), допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации и низких температур.
Известно значительное количество схем микроэлектронных двухтактных буферных усилителей (БУ), которые реализуются на комплементарных биполярных (BJT) или полевых (КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-29]. Благодаря высокой симметрии, простоте и малому напряжению смещения нуля вышеназванные схемотехнические решения БУ наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе типовых технологических процессов [1-29].
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах, представленный в патенте US № 7.764.123, fig. 3, 2010 г. Данная схема рассмотрена и в других патентах (US № 5.351.012, 1994 г.; US № 6.215.357 fig. 3, 2001 г.; US № 5.973.534), а также в ряде публикаций, например [28. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.1226347]. Схема БУ-прототипа фиг. 1 содержит потенциальный вход 1 и потенциальный выход 2 устройства, первый 3 токовый выход устройства, согласованный с первой 4 шиной источника питания, второй 5 токовый выход устройства, согласованный со второй 6 шиной источника питания, первый 7 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, второй 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, первый 9 выходной полевой транзистор, исток которого связан с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен с первым 3 токовым выходом устройства, второй 10 выходной полевой транзистор, исток которого соединен с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен со вторым 5 токовым выходом устройства. БУ-прототип является основой различных входных и выходных каскадов ОУ с потенциальной отрицательной обратной связью [29. N.N. Prokopenko, A.S. Budyakov, J.M. Savchenko, S.V. Korneev. Maximum rating of Voltage Feedback and Current Feedback Operational Amplifiers in Linear and Nonlinear Modes // Proceeding of the Third International Conference on Circuits and Systems for Communications – ICCSC’06, Politehnica University, Bucharest, Romania: July 6-7, 2006, pp.149-154], а также ОУ с токовой отрицательной обратной связью [28,29]. Кроме этого, данный БУ выпускается многими фирмами в виде серийных микросхем.
Существенный недостаток известного буферного усилителя состоит в том, что статический режим транзисторов его схемы определяется двумя независимыми источниками опорного тока (I1, I2, фиг. 1). Это отрицательно сказывается на работе БУ в условиях низких температур, а также затрудняет управление нагрузочной способностью БУ при изменении сопротивления его нагрузки в широких пределах. В практических схемах БУ (фиг. 1) высококачественные источники опорного тока I1, I2, существенно влияющие на параметры БУ, выполняются по достаточно сложным транзисторным схемам, что отрицательно влияет на общее энергопотребление. Таким образом, схема БУ-прототипа имеет ограниченное применение.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения БУ на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего (при высокой линейности амплитудной характеристики) повышенную стабильность статического режима транзисторов и низкий уровень шумов, в том числе при работе в диапазоне низких температур.
Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг. 1, содержащем потенциальный вход 1 и потенциальный выход 2 устройства, первый 3 токовый выход устройства, согласованный с первой 4 шиной источника питания, второй 5 токовый выход устройства, согласованный со второй 6 шиной источника питания, первый 7 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, второй 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, первый 9 выходной полевой транзистор, исток которого связан с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен с первым 3 токовым выходом устройства, второй 10 выходной полевой транзистор, исток которого соединен с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен со вторым 5 токовым выходом устройства, предусмотрены новые элементы и связи – в качестве полевых транзисторов схемы БУ применены полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, между истоками первого 7 и второго 8 входных полевых транзисторов включен токостабилизирующий двухполюсник 11, сток первого 7 входного полевого транзистора связан с первой 4 шиной источника питания, сток второго 8 входного полевого транзистора связан со второй 6 шиной источника питания, затвор первого 9 выходного полевого транзистора подключен к истоку второго 8 входного полевого транзистора, а затвор второго 10 выходного полевого транзистора подключен к истоку первого 7 входного полевого транзистора.
В схеме фиг. 2 к потенциальному выходу 2 может подключаться нагрузка 12. Конденсаторы 13 и 14 моделируют паразитные емкости в цепи затворов первого 9 и второго 10 выходных транзисторов.
В соответствии с п. 2 формулы изобретения, первый 3 токовый выход устройства соединен с первой 4 шиной источника питания, а второй 5 токовый выход устройств соединен со второй 6 шиной источника питания.
В соответствии с п. 3 формулы изобретения, параллельно токостабилизирующему двухполюснику 11 включен корректирующий конденсатор 15, который уменьшает влияние паразитных конденсаторов 13 и 14 на быстродействие БУ в режиме большого сигнала.
На чертеже фиг. 1 представлена схема БУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого буферного усилителя в соответствии с п.1, п.2, п.3 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведен статический режим схемы БУ фиг. 2 в среде моделирования LTSpice на комплементарных полевых транзисторах CJFET_2 ОАО «Интеграл» (г. Минск) при температуре -197ᵒС и сопротивлении токостабилизирующего двухполюсника 11, равном 20 кОм (R11=R0=Rvar1=20кОм), а также с сопротивлением нагрузки 12 равном бесконечности (R12=Rн=Rvar2=∞).
На чертеже фиг. 4 представлены зависимости выходного напряжения БУ (фиг. 3) от входного V3 в диапазоне температур t=-197÷27ᵒC при сопротивлениях токостабилизирующего двухполюсника 11 R11=R0=Rvar1=5кОм и нагрузки 12 R12=Rн=Rvar2=∞. Из данных графиков следует, что амплитудная характеристика заявляемого БУ изменяется незначительно.
На чертеже фиг. 5 приведен график зависимости напряжения смещения нуля БУ (фиг. 3) от температуры в диапазоне -197÷27ᵒС при сопротивлении резисторов R11=R0=Rvar1=220кОм и R12=Rн=Rvar2=∞. Таким образом, погрешность передачи входных сигналов с частотой fн=0 в заявленном БУ не превышает 175 мВ, что достаточно для многих применений.
На чертеже фиг. 6 представлена схема включения заявляемого буферного усилителя (фиг. 2) в так называемом мостовом дифференциальном каскаде (МДК), который собирается из двух идентичных БУ фиг. 2. Следует заметить, что МДК является базовым функциональным узлом современной аналоговой схемотехники.
На чертеже фиг. 7 приведен статический режим БУ фиг. 6 в среде моделирования LTSpice на комплементарных полевых транзисторах CJFET_2 при температуре 27ᵒС и сопротивлении нагрузки 12 R12=Rн=100 Ом.
На чертеже фиг. 8 представлены графики зависимости выходных токов БУ фиг. 7 для первого 3 (iвых.1) и третьего 18 (iвых.3) токовых выходов устройства от входного дифференциального напряжения при разном количестве параллельно включенных полупроводниковых приборов в структуре первого 9, второго 10, третьего 23 и четвертого 24 выходных транзисторов (N=1-3).
На чертеже фиг. 9 представлена зависимость выходных токов БУ фиг. 7 для второго 5 (iвых.2) и четвертого 19 (iвых.4) токовых выходов от входного дифференциального напряжения при разном количестве параллельно включенных полупроводниковых приборов в структуре первого 9, второго 10, третьего 23 и четвертого 24 выходных транзисторов (N=1-3).
Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах, содержащий потенциальный вход 1 и потенциальный выход 2 устройства, первый 3 токовый выход устройства, согласованный с первой 4 шиной источника питания, второй 5 токовый выход устройства, согласованный со второй 6 шиной источника питания, первый 7 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, второй 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом 1 устройства, первый 9 выходной полевой транзистор, исток которого связан с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен с первым 3 токовым выходом устройства, второй 10 выходной полевой транзистор, исток которого соединен с потенциальным выходом 2 устройства, а сток соединен со вторым 5 токовым выходом устройства. В качестве полевых транзисторов схемы БУ применены полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, между истоками первого 7 и второго 8 входных полевых транзисторов включен токостабилизирующий двухполюсник 11, сток первого 7 входного полевого транзистора связан с первой 4 шиной источника питания, сток второго 8 входного полевого транзистора связан со второй 6 шиной источника питания, затвор первого 9 выходного полевого транзистора подключен к истоку второго 8 входного полевого транзистора, а затвор второго 10 выходного полевого транзистора подключен к истоку первого 7 входного полевого транзистора.
В частном случае на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, первый 3 токовый выход устройства соединен с первой 4 шиной источника питания, а второй 5 токовый выход устройств соединен со второй 6 шиной источника питания.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, параллельно токостабилизирующему двухполюснику 11 включен корректирующий конденсатор 15, который уменьшает влияние паразитных емкостей 13 и 14 на быстродействие БУ в режим большого сигнала.
Рассмотрим работу предлагаемого БУ фиг. 2.
Особенность и уникальностью схемы заявляемого БУ состоит в том, что статический режим её транзисторов по току определяется одним токостабилизирующим двухполюсником 11, в качестве которого рекомендуется использовать резистор. Статический ток через токостабилизирующий двухполюсник 11 (резистор) определяется уравнениями на основе второго закона Кирхгофа:
Figure 00000001
, (1)
Figure 00000002
, (2)
где
Figure 00000003
 – напряжение затвор-исток первого 7 и второго 8 входных полевых транзисторов при токе истока, равном I01.
Аналогично, статический ток первого 9 и второго 10 выходных полевых транзисторов определяется уравнениями
Figure 00000004
, (3)
Figure 00000005
. (4)
Если первый 7 входной и второй 9 выходной полевые транзисторы, а также второй 8 входной и второй 10 выходной полевые транзисторы идентичны, то из уравнений (2) и (4) следует, что токи истоков всех транзисторов схемы БУ фиг. 2 одинаковы I01=I02, и определяются током через токостабилизирующий двухполюсник 11.
Таким образом, в заявляемом БУ имеется единственный элемент - токостабилизирующий двухполюсник 11 (резистор), определяющий токовый статический режим схемы. Другие известные схемы БУ таким свойством не обладают.
Если при нулевой емкости корректирующего конденсатора 15 (С15=0) на потенциальный вход 1 БУ (фиг. 2) подается большой положительный импульсный сигнал, то второй 8 входной полевой транзистор практически мгновенно «запирается» и ток через двухполюсник 11, который может иметь высокое сопротивление, начинает медленно заряжать паразитный конденсатор 14. Как следствие, потенциал на затворе первого 9 выходного полевого транзистора и, следовательно, выходное напряжение БУ будут медленно изменятся по линейному закону. В отсутствии корректирующего конденсатора 15 – это отрицательно сказывается на динамической погрешности БУ в режиме большого сигнала.
Рассмотрим далее работу БУ фиг. 2 в соответствии с п. 3 формулы изобретения - для случая, когда емкость корректирующего конденсатора 15 не равна нулю и превышает паразитную емкость 14. В этом случае, большой импульсный сигнал на потенциальном входе 1 БУ передается через первый 7 входной полевой транзистор в цепь истока запертого второго 8 входного полевого транзистора. Благодаря конденсатору 15 изменения напряжения на истоке второго 8 входного полевого транзистора способствуют более быстрому перезаряду паразитного конденсатора 14, что ускоряет переходный процесс и уменьшает динамическую погрешность заявляемого БУ при работе с импульсными сигналами большой амплитуды.
Схема мостового усилителя фиг. 6, в которой используется два однотипных заявляемых буферных усилителя фиг. 2, позволяет сформировать выходные токи, пропорциональные входному дифференциальному напряжению в широком диапазоне его изменения (фиг. 8, фиг. 9). Это является обязательным условием существенного быстродействия операционных усилителей с использованием мостового усилителя фиг. 6.
Таким образом, компьютерное моделирование (фиг. 4, фиг. 5, фиг. 8, фиг. 9) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [28], имеет существенные достоинства в сравнении с известными вариантами построения БУ при их реализации в рамках КМОП технологического процесса.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 6.215.357, fig. 3, 2001 г.
2. Патент US 5.351.012, 1994 г.
3. Патент US 5.973.534, 1999 г.
4. Патент US 5.197.124, fig. 25, 1993 г.
5. Патент US 7.764.123, fig. 3, 2010 г.
6. Патент US № 6.268.769 fig.3, 2001 г.
7. Патент US № 6.420.933, 2002 г.
8. Патент US № 5.223.122, 1993 г.
9. Патентная заявка US № 2004/0196101, 2004 г.
10. Патентная заявка US № 2005/0264358 fig.1, 2005 г.
11. Патентная заявка US № 2002/0175759, 2002 г.
12. Патент US № 5.049.653 fig.8, 1991 г.
13. Патент US № 4.837.523, 1989 г.
14. Патент US № 5.179.355, 1993 г.
15. Патент Японии JP 10.163.763, 1991 г.
16. Патент Японии JP 10.270.954, 1992 г.
17. Патент US № 5.170.134 fig.6, 1992 г.
18. Патент US № 4.540.950, 1985 г.
19. Патент US № 4.424.493, 1984 г.
20. Патент Японии JP 6310950, 2018 г.
21. Патент US № 5.378.938, 1995 г.
22. Патент US № 4.827.223, 1989 г.
23. Патент US № 6.160.451, 2000 г.
24. Патент US № 4.639.685, 1987 г.
25. А.св. СССР 1506512, 1986 г.
26. Патент US № 5.399.991, 1995 г.
27. Патент US № 6.542.032, 2003 г.
28. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.1226347
29. N.N. Prokopenko, A.S. Budyakov, J.M. Savchenko, S.V. Korneev. Maximum rating of Voltage Feedback and Current Feedback Operational Amplifiers in Linear and Nonlinear Modes // Proceeding of the Third International Conference on Circuits and Systems for Communications – ICCSC’06, Politehnica University, Bucharest, Romania: July 6-7, 2006, pp.149-154.
30. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
31. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski. The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, Kazakhstan, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507.

Claims (3)

1. Буферный усилитель (БУ) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах, содержащий потенциальный вход (1) и потенциальный выход (2) устройства, первый (3) токовый выход устройства, согласованный с первой (4) шиной источника питания, второй (5) токовый выход устройства, согласованный со второй (6) шиной источника питания, первый (7) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом (1) устройства, второй (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с потенциальным входом (1) устройства, первый (9) выходной полевой транзистор, исток которого связан с потенциальным выходом (2) устройства, а сток соединен с первым (3) токовым выходом устройства, второй (10) выходной полевой транзистор, исток которого соединен с потенциальным выходом (2) устройства, а сток соединен со вторым (5) токовым выходом устройства, отличающийся тем, что в качестве полевых транзисторов схемы БУ применены полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, между истоками первого (7) и второго (8) входных полевых транзисторов включен токостабилизирующий двухполюсник (11), сток первого (7) входного полевого транзистора связан с первой (4) шиной источника питания, сток второго (8) входного полевого транзистора связан со второй (6) шиной источника питания, затвор первого (9) выходного полевого транзистора подключен к истоку второго (8) входного полевого транзистора, а затвор второго (10) выходного полевого транзистора подключен к истоку первого (7) входного полевого транзистора.
2. Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что первый (3) токовый выход устройства соединен с первой (4) шиной источника питания, а второй (5) токовый выход устройства соединен со второй (6) шиной источника питания.
3. Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что параллельно токостабилизирующему двухполюснику (11) включен корректирующий конденсатор (15).
RU2018121299A 2018-06-08 2018-06-08 Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах RU2684489C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018121299A RU2684489C1 (ru) 2018-06-08 2018-06-08 Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018121299A RU2684489C1 (ru) 2018-06-08 2018-06-08 Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2684489C1 true RU2684489C1 (ru) 2019-04-09

Family

ID=66090091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018121299A RU2684489C1 (ru) 2018-06-08 2018-06-08 Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2684489C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2710298C1 (ru) * 2019-08-21 2019-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Неинвертирующий усилитель с токовым выходом для работы при низких температурах
RU2712410C1 (ru) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721940C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2786630C1 (ru) * 2022-09-19 2022-12-23 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА АВ НА n-p-n БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973534A (en) * 1998-01-29 1999-10-26 Sun Microsystems, Inc. Dynamic bias circuit for driving low voltage I/O transistors
US6215357B1 (en) * 1997-09-03 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Operational amplifier
US7764123B2 (en) * 2007-12-18 2010-07-27 Freescale Semiconductor, Inc. Rail to rail buffer amplifier
RU2621286C1 (ru) * 2016-02-24 2017-06-01 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах
RU2624585C1 (ru) * 2016-03-18 2017-07-04 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215357B1 (en) * 1997-09-03 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Operational amplifier
US5973534A (en) * 1998-01-29 1999-10-26 Sun Microsystems, Inc. Dynamic bias circuit for driving low voltage I/O transistors
US7764123B2 (en) * 2007-12-18 2010-07-27 Freescale Semiconductor, Inc. Rail to rail buffer amplifier
RU2621286C1 (ru) * 2016-02-24 2017-06-01 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах
RU2624585C1 (ru) * 2016-03-18 2017-07-04 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2712410C1 (ru) * 2019-07-03 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2710298C1 (ru) * 2019-08-21 2019-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Неинвертирующий усилитель с токовым выходом для работы при низких температурах
RU2721940C1 (ru) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2786630C1 (ru) * 2022-09-19 2022-12-23 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА АВ НА n-p-n БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2624565C1 (ru) Инструментальный усилитель для работы при низких температурах
RU2684489C1 (ru) Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2688225C1 (ru) Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2710917C1 (ru) Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом
RU2677401C1 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2346388C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2711725C1 (ru) Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2615068C1 (ru) Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель
RU2712416C1 (ru) Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
RU2732583C1 (ru) Низкотемпературный операционный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2721943C1 (ru) Низкотемпературный входной каскад операционного усилителя с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2615066C1 (ru) Операционный усилитель
RU2741055C1 (ru) Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2670777C9 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2684473C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
RU2710846C1 (ru) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2712410C1 (ru) Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2621286C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах
RU2441316C1 (ru) Дифференциальный усилитель с малым напряжением питания
RU2658818C1 (ru) Дифференциальный преобразователь "напряжение-ток" с широким диапазоном линейной работы
RU2452077C1 (ru) Операционный усилитель с парафазным выходом
RU2723673C1 (ru) Низкотемпературный и радиационно-стойкий повторитель напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для задач проектирования активных rc-фильтров
RU2319288C1 (ru) Дифференциальный усилитель с низковольтным питанием