RU2606246C2 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2606246C2 RU2606246C2 RU2015115265A RU2015115265A RU2606246C2 RU 2606246 C2 RU2606246 C2 RU 2606246C2 RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A RU 2606246 C2 RU2606246 C2 RU 2606246C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dose
- kev
- energy
- semiconductor device
- parameters
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика. Согласно изобретению после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота. Изобретение обеспечивает повышение стабильности, снижение плотности дефектов, технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка №2128474 Япония, МКИ H01L, 29/784] путем создания в подложке двух p+-областей, внутри которых формируются n+-участки, а между p+-областями создается p+-участок, этот участок и n+-области замыкаются общим электродом истока, сток располагается снизу подложки на промежуточном p+-слое. В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов снижается качество и надежность приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5426063 МКИ H01L 21/265] путем проведения трехэтапной ионной имплантации ионов примеси без изменения типа проводимости подложки; ионов примеси того же типа, но под большим углом и с меньшей дозой, чем на первом этапе; ионов примеси с изменением типа проводимости подложки и образованием областей стока/истока с последующей термообработкой.
Недостатками этого способа являются:
- нестабильность параметров;
- большой разброс параметров;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: повышение стабильности, снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается тем, что после формирования подзатворного диэлектрика проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55 кэВ дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом в среде азота при температуре 900°C в течение 15 мин.
Технология способа состоит в следующем: по стандартной технологии на кремниевой подложке формируют области полупроводникового прибора. Затем образцы подвергались термическому окислению для создания слоя подзатворного диэлектрика SiO4 при температуре 1050°C в течение 20 мин. В последующем последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2, с последующей термообработкой полупроводниковых структур при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота. За счет влияния ионного легирования происходит компенсация подвижного заряда в окисле. Нейтрализация подвижного заряда связана с радиационными повреждениями окисла. Затем формируют контактные области полупроводникового прибора по стандартной технологии. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты представлены в таблице.
Технический результат: повышение стабильности, снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем легирования окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55 кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота позволяет повысить процент выхода годных и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015115265A RU2015115265A (ru) | 2016-11-10 |
| RU2606246C2 true RU2606246C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=57267557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2606246C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2709603C1 (ru) * | 2019-05-28 | 2019-12-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5426063A (en) * | 1993-03-24 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making a field effect transistor with submicron channel length and threshold implant using oblique implantation |
| US5885886A (en) * | 1996-12-26 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US6071781A (en) * | 1996-07-15 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method of fabricating lateral MOS transistor |
| RU2320049C2 (ru) * | 2003-06-20 | 2008-03-20 | ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/ | Способ увеличения радиационной стойкости элементов кмоп-схем на кни подложке |
-
2015
- 2015-04-23 RU RU2015115265A patent/RU2606246C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5426063A (en) * | 1993-03-24 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making a field effect transistor with submicron channel length and threshold implant using oblique implantation |
| US6071781A (en) * | 1996-07-15 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method of fabricating lateral MOS transistor |
| US5885886A (en) * | 1996-12-26 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| RU2320049C2 (ru) * | 2003-06-20 | 2008-03-20 | ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/ | Способ увеличения радиационной стойкости элементов кмоп-схем на кни подложке |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2709603C1 (ru) * | 2019-05-28 | 2019-12-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2015115265A (ru) | 2016-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102054695B (zh) | 提高半导体元器件的性能的方法 | |
| RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
| RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2693506C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2586444C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2626292C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| TWI650820B (zh) | 以鍺層作爲通道區域的半導體裝置及其製造方法 | |
| CN102468162B (zh) | Nmos晶体管的制作方法 | |
| RU2497229C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2770135C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180424 |