RU2600731C1

RU2600731C1 - Electromagnetic interference suppression filter

Info

Publication number: RU2600731C1
Application number: RU2015141703/07A
Authority: RU
Inventors: Станислав Владимирович Катин; Денис Евгеньевич Курапов; Алексей Викторович Тибин
Original assignee: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2015-09-30
Publication date: 2016-10-27

Abstract

FIELD: electricity.

SUBSTANCE: invention can be used for electromagnetic interference suppression in direct-current power circuits of electronic devices of HF and UHF bands. Proposed multilayer structure consists of at least eleven dielectric layers. On dielectric layers at least five flat plates of capacitors and at least two rectangular spiral inductors are connected in series to each other by means of transient holes, as well as four metallized planes, serving as the second plates of capacitors. Along the perimeter of the layers metallized frames are made, connected to each other and metallized planes by means of transient holes. Frames are separated with gaps from plate of capacitors and inductors. Interconnected metal-coated frames and planes form electromagnetic screen of filter. At the first layer of the structure on two metallized sites at least one surface mounting condenser is located, connected by means of transient holes with filter elements.

EFFECT: high efficiency of electromagnetic interference suppression and electromagnetic shielding of filter in decimeter wavelength range, as well as compatibility of the technology of filter making with the technology of multilayer structure UHF module making.

5 cl, 3 dwg

Description

Изобретение относится к области техники сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть применено для подавления электромагнитных помех в цепях питания постоянного тока электронных устройств ВЧ и СВЧ диапазонов, расположенных в модуле СВЧ [1], выполненном в виде многослойной диэлектрической структуры.The invention relates to the field of microwave technology and can be used to suppress electromagnetic interference in the DC power circuits of electronic devices of the HF and microwave ranges located in the microwave module [1], made in the form of a multilayer dielectric structure.

Известен индуктивно-емкостной фильтр нижних частот, содержащий чередующиеся подложки в виде внешних металлизированных обкладок из пъезокерамики, плоские катушки индуктивности на ферритовой подложке с максимально возможной проницаемостью, а также расположенный между ними электростатический экран. Данный фильтр предназначен для подавления помех в цепях питания телекоммуникационной аппаратуры, ВЧ и СВЧ техники, а также в других устройствах цифровой обработки сигналов [2].Known inductive-capacitive low-pass filter containing alternating substrates in the form of external metallized plates made of piezoceramics, flat inductors on a ferrite substrate with the highest possible permeability, as well as an electrostatic screen located between them. This filter is designed to suppress interference in the power circuits of telecommunication equipment, RF and microwave equipment, as well as in other devices for digital signal processing [2].

Основные недостатки данного индуктивно-емкостного фильтра нижних частот:The main disadvantages of this inductive-capacitive low-pass filter:

- невозможность его выполнения в едином технологическом цикле с модулем СВЧ, выполненном в виде многослойной диэлектрической структуры, из-за использования в качестве материала подложки композиционного магнитоэлектрического материала состава феррит - пьезокерамика,- the impossibility of its implementation in a single technological cycle with a microwave module, made in the form of a multilayer dielectric structure, due to the use of a ferrite-piezoceramic composition as a substrate material of a magnetoelectric composite,

- низкая эффективность в дециметровом диапазоне частот, обусловленная наличием паразитных межвитковых емкостей, снижающих передаточный импеданс фильтра на высоких частотах; наличие только одного электростатического экрана между плоскими катушками не позволяет эффективно реализовать электромагнитную экранировку на высоких частотах, что приводит к возникновению паразитной межслойной емкости и снижению передаточного импеданса фильтра,- low efficiency in the decimeter frequency range due to the presence of spurious inter-turn capacitances that reduce the transmission impedance of the filter at high frequencies; the presence of only one electrostatic screen between the flat coils does not allow to effectively implement electromagnetic shielding at high frequencies, which leads to the appearance of a stray interlayer capacitance and a decrease in the transfer impedance of the filter,

- слабая электромагнитная экранировка из-за отсутствия внешних конструктивных экранирующих элементов.- weak electromagnetic shielding due to the lack of external structural shielding elements.

Известны фильтры электромагнитных помех, содержащие не менее одной пары оппозитно расположенных плоских спиральных катушек индуктивности без сердечника и плоский конденсатор [3]. Данные фильтры предназначены для подачи питания на электронные устройства и применяются в диапазоне ультравысоких частот, могут быть сконструированы на печатных платах и подложках из полупроводникового материала.Known electromagnetic interference filters containing at least one pair of oppositely disposed flat spiral coreless inductor coils and a flat capacitor [3]. These filters are designed to supply power to electronic devices and are used in the ultra-high frequency range, can be designed on printed circuit boards and substrates of semiconductor material.

Данные фильтры электромагнитных помех, в отличие от первого аналога, выполняются на печатных диэлектрических платах и могут быть выполнены в едином технологическом цикле с многослойной диэлектрической структурой модуля СВЧ. Но такие фильтры изначально предназначены для применения в высокочастотных преобразователях энергии и могут использоваться как в четырехполюсных схемах, так и в шестиполюсных схемах (дифференциальный режим). Фильтры обладают следующими недостатками:These electromagnetic interference filters, unlike the first analogue, are performed on printed dielectric boards and can be performed in a single technological cycle with a multilayer dielectric structure of the microwave module. But such filters were originally intended for use in high-frequency energy converters and can be used both in four-pole circuits and in six-pole circuits (differential mode). Filters have the following disadvantages:

- структура фильтров не оптимальна для использования в четырехполюсных схемах, так как индуктивные и емкостные элементы не соединены между собой и для выполнения коммутационных элементов потребуется дополнительное место,- the filter structure is not optimal for use in four-pole circuits, since inductive and capacitive elements are not interconnected and additional space is required to perform switching elements,

- слабая электромагнитная экранировка из-за отсутствия внешних конструктивных экранирующих элементов, вследствие чего при размещении нескольких таких фильтров в многослойной структуре модуля СВЧ в непосредственной близи друг от друга между их элементами может возникнуть значительная электромагнитная связь, снижающая эффективность подавления электромагнитных помех.- weak electromagnetic shielding due to the lack of external structural shielding elements, as a result of which, when several such filters are placed in the multilayer structure of the microwave module in close proximity to each other, significant electromagnetic coupling may occur between their elements, which reduces the efficiency of suppressing electromagnetic interference.

Техническим результатом изобретения является повышение эффективности подавления электромагнитных помех и электромагнитной экранировки фильтра в дециметровом диапазоне длин волн, совместимости технологии его изготовления с технологией изготовления многослойной диэлектрической структуры модуля СВЧ.The technical result of the invention is to increase the efficiency of suppressing electromagnetic interference and electromagnetic screening of the filter in the decimeter wavelength range, the compatibility of its manufacturing technology with the manufacturing technology of the multilayer dielectric structure of the microwave module.

Указанный технический результат достигается тем, что фильтр подавления электромагнитных помех (ФПЭП) выполнен в виде многослойной структуры, изготавливаемой в едином технологическом цикле с модулем СВЧ, при этом многослойная структура состоит не менее чем из одиннадцати диэлектрических слоев. На первом слое выполнены две металлизированные площадки, разделенные зазором. Первая площадка соединена с первой металлизированной плоскостью, выполненной на втором слое и являющейся первой обкладкой первого конденсатора. Вторая площадка, являющаяся выходом фильтра, соединена через окошко в первой металлизированной плоскости со второй обкладкой первого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на третьем слое. Первая металлизированная плоскость соединена с первой металлизированной рамкой, расположенной по периметру третьего слоя и отделенной зазором от второй обкладки первого конденсатора. Вторая обкладка первого конденсатора соединена с первой индуктивностью, расположенной на четвертом слое и выполненной в виде металлизированной спирали. Первая металлизированная рамка соединена со второй металлизированной рамкой, расположенной по периметру четвертого слоя и отделенной зазором от первой индуктивности. Противоположный вывод первой индуктивности соединен с первой обкладкой второго конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на пятом слое. Вторая металлизированная рамка соединена с третьей металлизированной рамкой, расположенной по периметру пятого слоя и отделенной зазором от первой обкладки второго конденсатора. Третья металлизированная рамка соединена со второй металлизированной плоскостью, выполненной в шестом слое и являющейся второй обкладкой второго конденсатора. Первая обкладка второго конденсатора соединена через окошко во второй металлизированной плоскости с первой обкладкой третьего конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на седьмом слое. Вторая металлизированная плоскость соединена с четвертой металлизированной рамкой, расположенной по периметру седьмого слоя и отделенной зазором от первой обкладки третьего конденсатора. Четвертая металлизированная рамка с третьей металлизированной плоскостью, выполненной на восьмом слое. Вторая и третья металлизированные плоскости являются вторыми обкладками третьего конденсатора. Первая обкладка третьего конденсатора соединена через окошко в третьей металлизированной плоскости с первой обкладкой четвертого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на девятом слое, причем второй обкладкой четвертого конденсатора является третья металлизированная плоскость. Третья металлизированная плоскость соединена с пятой металлизированной рамкой, расположенной по периметру девятого слоя и отделенной зазором от первой обкладки четвертого конденсатора. Первая обкладка четвертого конденсатора соединена со второй индуктивностью, расположенной на десятом слое и выполненной в виде металлизированной спирали, а также с первой обкладкой пятого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на одиннадцатом слое. Пятая металлизированная рамка соединена с шестой металлизированной рамкой, расположенной по периметру десятого слоя и отделенной зазором от второй индуктивности. Противоположный вывод второй индуктивность является входом фильтра, для подключения к которому в шестой металлизированной рамке предусмотрен разрыв. Шестая металлизированная рамка соединена с седьмой металлизированной рамкой, расположенной по периметру одиннадцатого слоя и отделенной зазором от первой обкладки пятого конденсатора. Седьмая металлизированная рамка соединена с четвертой металлизированной плоскостью, выполненной на обратной стороне одиннадцатого слоя и являющейся второй обкладкой пятого конденсатора. Все межслойные соединения элементов фильтра выполнены при помощи не менее чем одного переходного металлизированного отверстия, а межслойные соединения металлизированных плоскостей и металлизированных рамок выполнены переходными металлизированными отверстиями, расположенными по периметру структуры, у ее краев, в один ряд. На первом слое размещен не менее чем один конденсатор для поверхностного монтажа, соединенный с металлизированными площадками.The specified technical result is achieved in that the electromagnetic interference suppression filter (FPEC) is made in the form of a multilayer structure manufactured in a single technological cycle with a microwave module, while the multilayer structure consists of at least eleven dielectric layers. On the first layer, two metallized sites are made, separated by a gap. The first platform is connected to the first metallized plane, made on the second layer and which is the first lining of the first capacitor. The second pad, which is the output of the filter, is connected through a window in the first metallized plane to the second lining of the first capacitor, made in the form of a rectangular metallized pad on the third layer. The first metallized plane is connected to the first metallized frame located along the perimeter of the third layer and separated by a gap from the second lining of the first capacitor. The second lining of the first capacitor is connected to the first inductance located on the fourth layer and made in the form of a metallized spiral. The first metallized frame is connected to the second metallized frame located along the perimeter of the fourth layer and separated by a gap from the first inductance. The opposite terminal of the first inductance is connected to the first lining of the second capacitor, made in the form of a rectangular metallized area on the fifth layer. The second metallized frame is connected to the third metallized frame located along the perimeter of the fifth layer and separated by a gap from the first lining of the second capacitor. The third metallized frame is connected to the second metallized plane, made in the sixth layer and which is the second lining of the second capacitor. The first lining of the second capacitor is connected through a window in the second metallized plane with the first lining of the third capacitor, made in the form of a rectangular metallized area on the seventh layer. The second metallized plane is connected to the fourth metallized frame located along the perimeter of the seventh layer and separated by a gap from the first lining of the third capacitor. The fourth metallized frame with a third metallized plane, made on the eighth layer. The second and third metallized planes are the second plates of the third capacitor. The first lining of the third capacitor is connected through a window in the third metallized plane to the first lining of the fourth capacitor, made in the form of a rectangular metallized area on the ninth layer, the second lining of the fourth capacitor is the third metallized plane. The third metallized plane is connected to the fifth metallized frame located along the perimeter of the ninth layer and separated by a gap from the first lining of the fourth capacitor. The first lining of the fourth capacitor is connected to the second inductance located on the tenth layer and made in the form of a metallized spiral, as well as with the first lining of the fifth capacitor made in the form of a rectangular metallized pad on the eleventh layer. The fifth metallized frame is connected to the sixth metallized frame located along the perimeter of the tenth layer and separated by a gap from the second inductance. The opposite output, the second inductance is the input of the filter, for which a gap is provided in the sixth metallized frame. The sixth metallized frame is connected to the seventh metallized frame located along the perimeter of the eleventh layer and separated by a gap from the first lining of the fifth capacitor. The seventh metallized frame is connected to the fourth metallized plane, made on the reverse side of the eleventh layer and which is the second lining of the fifth capacitor. All interlayer connections of filter elements are made using at least one transition metallized hole, and interlayer connections of metallized planes and metallized frames are made by transition metallized holes located along the perimeter of the structure, at its edges, in one row. On the first layer there is at least one surface mount capacitor connected to metallized sites.

Металлизированные плоскости и металлизированные рамки, соединенные между собой переходными металлизированными отверстиями, проходящими по периметру структуры со второго слоя до обратной стороны одиннадцатого слоя, образуют электромагнитный экран фильтра.Metallized planes and metallized frames interconnected by transition metallized holes extending along the perimeter of the structure from the second layer to the back of the eleventh layer form an electromagnetic filter screen.

Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.

На фигуре 1 приведена послойная структура ФПЭП.The figure 1 shows the layered structure of the FPEC.

На фигуре 2 приведена эквивалентная схема ФПЭП.The figure 2 shows the equivalent scheme of FPEC.

На фигуре 3 представлен коэффициент передачи изготовленного ФПЭП.The figure 3 presents the transmission coefficient of the fabricated FPEC.

Структура ФПЭП (фиг. 1) содержит одиннадцать диэлектрических слоев - с 1 по 11 соответственно. На слое 1 на металлизированных площадках 12 и 13 установлен конденсатор для поверхностного монтажа 14. Площадка 12 является выходом фильтра. Площадка 13 соединена с первой металлизированной плоскостью 15, выполненной на слое 2 и являющейся первой обкладкой первого конденсатора. В первой металлизированной плоскости 15 выполнено окошко 16 для соединения площадки 12 со второй обкладкой первого конденсатора 17, расположенной на слое 3. Вокруг обкладки 17 выполнена первая металлизированная рамка 18. На слое 4 выполнена первая индуктивность 19, вокруг которой расположена вторая металлизированная рамка 20. На слое 5 выполнена первая обкладка второго конденсатора 21 и расположенная вокруг нее третья металлизированная рамка 22. На слое 6 расположена вторая металлизированная плоскость 23, являющаяся второй обкладкой второго конденсатора, в которой выполнено окошко 24 для соединения обкладки 21 с первой обкладкой третьего конденсатора 25, расположенной на слое 7. На слое 7 вокруг обкладки 25 выполнена четвертая металлизированная рамка 26. На слое 8 выполнена третья металлизированная плоскость 27, являющаяся одновременно со второй металлизированной плоскостью 23 второй обкладкой третьего конденсатора. В третьей металлизированной плоскости 27 выполнено окошко 28 для соединения обкладки 25 с первой обкладкой четвертого конденсатора 29, расположенной на слое 9. Второй обкладкой четвертого конденсатора является третья металлизированная плоскость 27. На слое 9 вокруг обкладки 29 выполнена пятая металлизированная рамка 30. На слое 10 выполнена вторая индуктивность 31, вокруг которой расположена шестая металлизированная рамка 32. В рамке 32 предусмотрен разрыв для реализации входа фильтра, образованного одним из выводов индуктивности 31. На слое 11 расположена первая обкладка пятого конденсатора 33, вокруг которой выполнена седьмая металлизированная рамка 34. На обратной стороне слоя 11 выполнена четвертая металлизированная плоскость 35, являющаяся второй обкладкой пятого конденсатора.The structure of the FPEC (Fig. 1) contains eleven dielectric layers - from 1 to 11, respectively. A capacitor for surface mounting 14 is installed on layer 1 on metallized sites 12 and 13. Site 12 is the output of the filter. The platform 13 is connected to the first metallized plane 15, made on the layer 2 and which is the first lining of the first capacitor. In the first metallized plane 15, a window 16 is made for connecting the pad 12 with the second lining of the first capacitor 17 located on the layer 3. Around the lining 17 is the first metallized frame 18. On the layer 4, the first inductance 19 is made around which the second metallized frame 20. layer 5 has a first lining of the second capacitor 21 and a third metallized frame 22 located around it. On layer 6 there is a second metallized plane 23, which is the second lining of the second condensate a sator, in which a window 24 is made for connecting the plate 21 with the first plate of the third capacitor 25 located on the layer 7. On the layer 7 around the plate 25 a fourth metallized frame 26 is made. On the layer 8 a third metallized plane 27 is made, which is simultaneously with the second metallized plane 23 the second lining of the third capacitor. A window 28 is made in the third metallized plane 27 for connecting the plate 25 to the first plate of the fourth capacitor 29 located on the layer 9. The second plate of the fourth capacitor is the third metallized plane 27. A fifth metallized frame 30 is made on the layer 9 around the plate 29. The layer 10 is made the second inductance 31, around which the sixth metallized frame 32 is located. In the frame 32, a gap is provided for realizing the input of the filter formed by one of the inductance 31 leads. laid the first lining of the fifth capacitor 33, around which the seventh metallized frame 34 is made. On the reverse side of the layer 11 there is a fourth metallized plane 35, which is the second lining of the fifth capacitor.

На структуре ФПЭП (фиг. 1) условно показаны соединения элементов фильтра, не относящихся к элементам электромагнитного экрана.The structure of the FPEC (Fig. 1) shows the connections of filter elements that are not related to the elements of the electromagnetic screen.

На эквивалентной схеме ФПЭП (фиг. 2) емкости C1…С5 и индуктивности L1, L2 реализованы в многослойной структуре в виде распределенных элементов, а емкость С* выполнена в виде конденсатора для поверхностного монтажа.On the equivalent FPEC circuit (Fig. 2), capacitances C1 ... C5 and inductors L1, L2 are implemented in a multilayer structure in the form of distributed elements, and the capacitance C * is made in the form of a capacitor for surface mounting.

Осуществление изобретения.The implementation of the invention.

В качестве примера, ФПЭП выполнен на основе низкотемпературной совместно обжигаемой керамики по технологии LTCC. Первый, четвертый, пятый, шестой, седьмой, десятый и одиннадцатый слои структуры выполнены из керамики A6S фирмы FERRO толщиной до обжига 0,254 мм. Прочие слои структуры выполнены из той же керамики, но толщиной 0,127 мм. Такой выбор толщины слоев, а также взаимное расположение слоев позволяет уменьшить погонную емкость индуктивностей, увеличивая тем самым их волновые сопротивления, а также получить более высокую погонную емкость конденсаторов.As an example, FPEC is made on the basis of low-temperature co-fired ceramics using LTCC technology. The first, fourth, fifth, sixth, seventh, tenth and eleventh layers of the structure are made of FERRO A6S ceramics with a thickness up to firing of 0.254 mm. Other layers of the structure are made of the same ceramics, but with a thickness of 0.127 mm. Such a choice of layer thickness, as well as the mutual arrangement of the layers, makes it possible to reduce the linear capacitance of the inductors, thereby increasing their wave impedances, and also to obtain a higher linear capacitance of the capacitors.

Применение конденсатора для поверхностного монтажа позволяет повысить вносимое фильтром затухание в области низких частот.The use of a capacitor for surface mounting can increase the attenuation introduced by the filter in the low-frequency region.

При габаритных размерах фильтра 5×5 мм, емкости конденсатора для поверхностного монтажа C1, равной 270 пФ, ширине проводников, образующих индуктивности, равной 0,15 мм и количестве ее витков, равном четырем, зазорах между обкладками конденсаторов и рамками, равных 0,15 мм, диаметре переходных отверстий 0,2 мм - вносимое затухание ФПЭП составит более 30 дБ в диапазоне частот от 500 МГц до 3000 МГц (фиг. 3). Коэффициент передачи между двумя выходами ФПЭП при объединенных входах и расположении ФПЭП в непосредственной близи друг от друга, составляет не более минус 55 дБ в диапазоне частот от 0 до 3000 МГц.With the overall dimensions of the filter 5 × 5 mm, the capacitance of the surface mount capacitor C1 equal to 270 pF, the width of the conductors forming the inductance equal to 0.15 mm and the number of its turns equal to four, the gaps between the capacitor plates and the frames equal to 0.15 mm, the diameter of the vias 0.2 mm - the attenuation of the FPEC will be more than 30 dB in the frequency range from 500 MHz to 3000 MHz (Fig. 3). The transfer coefficient between two outputs of the FPEC with the combined inputs and the location of the FPEC in close proximity to each other is no more than minus 55 dB in the frequency range from 0 to 3000 MHz.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет повысить эффективность подавления электромагнитных помех и электромагнитной экранировки фильтра в дециметровом диапазоне длин волн, при этом технология его изготовления совместима с технологией изготовления многослойной структуры модуля СВЧ.Thus, the present invention improves the efficiency of suppressing electromagnetic interference and electromagnetic screening of the filter in the decimeter wavelength range, while its manufacturing technology is compatible with the manufacturing technology of the multilayer structure of the microwave module.

ЛИТЕРАТУРАLITERATURE

1. ГОСТ 23221-78 Модули СВЧ, блоки СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения. - М.: Издательство стандартов, 1986. - 17 с.1. GOST 23221-78 Microwave modules, microwave blocks. Terms, definitions and letter designations. - M .: Publishing house of standards, 1986. - 17 p.

2. Патент №2373621 РФ, МПК H02J 1/02 (2009.11). Фильтр подавления электромагнитных помех / Бичурин М.И., Килиба Ю.В., Пукинский Ю.Ж.2. Patent No. 2373621 of the Russian Federation, IPC H02J 1/02 (2009.11). The filter of suppression of electromagnetic interference / Bichurin M.I., Kiliba Yu.V., Pukinsky Yu.Zh.

3. Патент 20090146755 A1 US, МПК Н04В 3/56, Н03Н 7/00 (2009.07). Planar emi filter / Xun Liu, Chi Kwan Lee, Ron Shu Yuen Hui (прототип).3. Patent 20090146755 A1 US, IPC Н04В 3/56, Н03Н 7/00 (2009.07). Planar emi filter / Xun Liu, Chi Kwan Lee, Ron Shu Yuen Hui (prototype).

Claims

1. Фильтр подавления электромагнитных помех, содержащий последовательно соединенные конденсаторы и катушки индуктивности, отличающийся тем, что фильтр выполнен в виде многослойной структуры, изготавливаемой в едином технологическом цикле с модулем СВЧ, при этом многослойная структура состоит не менее чем из одиннадцати диэлектрических слоев, на первом слое выполнены две металлизированные площадки, разделенные зазором, одна из которых соединена с первой металлизированной плоскостью, выполненной на втором слое и являющейся первой обкладкой первого конденсатора, другая площадка, являющаяся выходом фильтра, соединена через окошко в первой металлизированной плоскости со второй обкладкой первого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на третьем слое, первая металлизированная плоскость соединена с первой металлизированной рамкой, расположенной по периметру третьего слоя и отделенной зазором от второй обкладки первого конденсатора, вторая обкладка первого конденсатора соединена с первой индуктивностью, расположенной на четвертом слое и выполненной в виде металлизированной спирали, первая металлизированная рамка соединена со второй металлизированной рамкой, расположенной по периметру четвертого слоя и отделенной зазором от первой индуктивности, противоположный вывод первой индуктивности соединен с первой обкладкой второго конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на пятом слое, вторая металлизированная рамка соединена с третьей металлизированной рамкой, расположенной по периметру пятого слоя и отделенной зазором от первой обкладки второго конденсатора, третья металлизированная рамка соединена со второй металлизированной плоскостью, выполненной на шестом слое и являющейся второй обкладкой второго конденсатора, первая обкладка второго конденсатора соединена через окошко во второй металлизированной плоскости с первой обкладкой третьего конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на седьмом слое, вторая металлизированная плоскость соединена с четвертой металлизированной рамкой, расположенной по периметру седьмого слоя и отделенной зазором от первой обкладки третьего конденсатора, четвертая металлизированная рамка соединена с третьей металлизированной плоскостью, выполненной на восьмом слое, при этом вторая и третья металлизированные плоскости являются вторыми обкладками третьего конденсатора, первая обкладка третьего конденсатора соединена через окошко в третьей металлизированной плоскости с первой обкладкой четвертого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на девятом слое, при этом второй обкладкой четвертого конденсатора является третья металлизированная плоскость, третья металлизированная плоскость соединена с пятой металлизированной рамкой, расположенной по периметру девятого слоя и отделенной зазором от первой обкладки четвертого конденсатора, первая обкладка четвертого конденсатора соединена со второй индуктивностью, расположенной на десятом слое и выполненной в виде металлизированной спирали, а также с первой обкладкой пятого конденсатора, выполненной в виде прямоугольной металлизированной площадки на одиннадцатом слое, пятая металлизированная рамка соединена с шестой металлизированной рамкой, расположенной по периметру десятого слоя и отделенной зазором от второй индуктивности, противоположный вывод второй индуктивности является входом фильтра, для подключения к которому в шестой металлизированной рамке предусмотрен разрыв, шестая металлизированная рамка соединена с седьмой металлизированной рамкой, расположенной по периметру одиннадцатого слоя и отделенной зазором от первой обкладки пятого конденсатора, седьмая металлизированная рамка соединена с четвертой металлизированной плоскостью, выполненной на обратной стороне одиннадцатого слоя и являющейся второй обкладкой пятого конденсатора.1. The filter of suppression of electromagnetic interference, containing serially connected capacitors and inductors, characterized in that the filter is made in the form of a multilayer structure manufactured in a single technological cycle with a microwave module, while the multilayer structure consists of at least eleven dielectric layers, on the first the layer has two metallized areas separated by a gap, one of which is connected to the first metallized plane made on the second layer and which is the first the adder of the first capacitor, another area, which is the output of the filter, is connected through a window in the first metallized plane with the second lining of the first capacitor, made in the form of a rectangular metallized area on the third layer, the first metallized plane is connected to the first metallized frame located around the perimeter of the third layer and separated the gap from the second plate of the first capacitor, the second plate of the first capacitor is connected to the first inductance located on the fourth open and made in the form of a metallized spiral, the first metallized frame is connected to a second metallized frame located along the perimeter of the fourth layer and separated by a gap from the first inductance, the opposite terminal of the first inductance is connected to the first lining of the second capacitor, made in the form of a rectangular metallized platform on the fifth layer, the second metallized frame is connected to the third metallized frame located along the perimeter of the fifth layer and separated by a gap from the first the plates of the second capacitor, the third metallized frame is connected to the second metallized plane made on the sixth layer and which is the second lining of the second capacitor, the first lining of the second capacitor is connected through a window in the second metallized plane with the first lining of the third capacitor, made in the form of a rectangular metallized platform on the seventh layer the second metallized plane is connected to the fourth metallized frame located around the perimeter of the seventh layer and separated by a gap from the first lining of the third capacitor, the fourth metallized frame is connected to the third metallized plane made on the eighth layer, while the second and third metallized planes are the second lining of the third capacitor, the first lining of the third capacitor is connected through the window in the third metallized plane to the first lining of the fourth a capacitor made in the form of a rectangular metallized area on the ninth layer, with the second lining of the fourth about the capacitor is the third metallized plane, the third metallized plane is connected to the fifth metallized frame located around the perimeter of the ninth layer and separated by a gap from the first lining of the fourth capacitor, the first lining of the fourth capacitor is connected to the second inductance located on the tenth layer and made in the form of a metallized spiral, and also with the first lining of the fifth capacitor, made in the form of a rectangular metallized area on the eleventh layer, the fifth the metallized frame is connected to the sixth metallized frame located around the perimeter of the tenth layer and separated by a gap from the second inductance, the opposite terminal of the second inductance is the input of the filter, for which a gap is provided in the sixth metallized frame, the sixth metallized frame is connected to the seventh metallized frame located along the perimeter of the eleventh layer and separated by a gap from the first lining of the fifth capacitor, the seventh metallized frame is connected to the fourth metallized plane, made on the reverse side of the eleventh layer and which is the second lining of the fifth capacitor.

2. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что все межслойные соединения его элементов выполнены при помощи не менее чем одного переходного металлизированного отверстия.2. The filter according to claim 1, characterized in that all interlayer connections of its elements are made using at least one transition metallized hole.

3. Фильтр по п. 2, отличающийся тем, что межслойные соединения металлизированных плоскостей и металлизированных рамок выполнены переходными металлизированными отверстиями, расположенными по периметру структуры, у ее краев, в один ряд.3. The filter according to claim 2, characterized in that the interlayer connections of the metallized planes and metallized frames are made by transitional metallized holes located along the perimeter of the structure, at its edges, in one row.

4. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что на первом слое размещены k конденсаторов для поверхностного монтажа, соединенных с металлизированными площадками, причем k≥1.4. The filter according to claim 1, characterized in that on the first layer are placed k capacitors for surface mounting connected to metallized sites, with k≥1.

5. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что многослойная структура состоит из h диэлектрических слоев, причем h≥11, на каждом слое, начиная с двенадцатого, расположены соединенные со входом фильтра и между собой либо обкладки конденсаторов и отделенные от них зазором металлизированные рамки, либо катушки индуктивности и отделенные от них зазором металлизированные рамки, либо металлизированные плоскости, либо слои оставлены пустыми. 5. The filter according to claim 1, characterized in that the multilayer structure consists of h dielectric layers, with h≥11, on each layer starting from the twelfth, are located connected to the filter inlet and between each other or capacitor plates and metallized from them by a gap frames, or inductors and metallized frames separated from them by a gap, or metallized planes, or layers are left empty.