RU2573474C2 - Наноструктурное устройство и способ изготовления наноструктур - Google Patents

Наноструктурное устройство и способ изготовления наноструктур Download PDF

Info

Publication number
RU2573474C2
RU2573474C2 RU2013122751/05A RU2013122751A RU2573474C2 RU 2573474 C2 RU2573474 C2 RU 2573474C2 RU 2013122751/05 A RU2013122751/05 A RU 2013122751/05A RU 2013122751 A RU2013122751 A RU 2013122751A RU 2573474 C2 RU2573474 C2 RU 2573474C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
lower layer
catalyst layer
nanostructures
grain size
Prior art date
Application number
RU2013122751/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013122751A (ru
Inventor
Мохаммад Шафикул КАБИР
Original Assignee
Смольтек Аб
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Смольтек Аб filed Critical Смольтек Аб
Publication of RU2013122751A publication Critical patent/RU2013122751A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2573474C2 publication Critical patent/RU2573474C2/ru

Links

Images

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/12—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
    • D01F9/127—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof by thermal decomposition of hydrocarbon gases or vapours or other carbon-containing compounds in the form of gas or vapour, e.g. carbon monoxide, alcohols
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
    • B05D3/107—Post-treatment of applied coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/18—Nanoonions; Nanoscrolls; Nanohorns; Nanocones; Nanowalls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0676—Nanowires or nanotubes oriented perpendicular or at an angle to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L29/1606—Graphene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/775—Field effect transistors with one dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12389—All metal or with adjacent metals having variation in thickness
    • Y10T428/12396—Discontinuous surface component

Abstract

Изобретение может быть использовано при изготовлении аналоговых и/или цифровых электронных схем. Наноструктурное устройство (105) с множеством наноструктур (101) получают путём осаждения нижнего слоя (103), содержащего кристаллографическую структуру зерен с первым средним размером, на подложке (102), последующего осаждения слоя (104) катализатора, содержащего кристаллографическую структуру зерен со вторым средним размером, который больше первого. Полученный пакет слоёв нагревают до температуры, достаточной для роста наноструктур и взаимной диффузии между нижним слоем (103) и слоем (104) катализатора. Затем подают газ, содержащий реагент, для контакта со слоем (104) катализатора. Нижний слой (103) осаждают распылением или испарением. Наноструктуры (101) содержат основание, прилегающее к слою (104) катализатора, кончик, содержащий материал из слоя (104) катализатора, и тело между ними, содержащее углерод. Материал нижнего слоя (103) имеет более высокую точку плавления, чем материал слоя (104) катализатора. Упрощается процесс изготовления наноструктур за счёт уменьшения количества стадий и создания благоприятных условий для роста, кристаллизации и перекристаллизации. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение относится к способу изготовления наноструктур и к наноструктурному устройству.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Поскольку масштабирование полупроводниковых устройств продолжается до нанометрового уровня, постоянно увеличивается поиск новых и усовершенствованных наноструктур для замены традиционных устройств и технологий. Многие способы производства наноструктур известны в литературе.
Например, в патенте США № 7687876 описан способ производства наноструктур, при котором на подложку осаждают несколько промежуточных слоев, за которыми следует слой катализатора, на котором выращивают наноструктуры. Благодаря наличию многослойного пакета между подложкой и слоем катализатора можно приспосабливать морфологию, а также электрические свойства наноструктур к широкому спектру применений. Для некоторых применений, где такая большая способность к приспосабливанию может не требоваться, было бы желательно уменьшить число технологических стадий, задействованных в формировании наноструктур.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В связи с вышеизложенным, целью настоящего изобретения является обеспечение усовершенствованного способа производства наноструктур и, в частности, способа производства наноструктур, позволяющего снизить издержки благодаря уменьшению сложности изготовления.
Поэтому согласно первому аспекту настоящего изобретения предлагается способ изготовления множества наноструктур на подложке, содержащий: осаждение нижнего слоя на верхней поверхности подложки, причем нижний слой содержит зерна с первым средним размером зерен; осаждение слоя катализатора на верхней поверхности нижнего слоя, причем слой катализатора содержит зерна со вторым средним размером зерен, отличающимся от первого среднего размера зерен, с образованием тем самым пакета слоев, содержащего нижний слой и слой катализатора; нагревание пакета слоев до температуры, при которой могут образоваться наноструктуры; и обеспечение газа, содержащего реагент, так что реагент входит в контакт со слоем катализатора.
Настоящее изобретение основано на постижении того факта, что росту наноструктур можно способствовать в конфигурации с всего лишь двумя предусмотренными на подложке слоями путем надлежащего выбора соотношения между размерами зерен таких предусмотренных на подложке слоев.
Два слоя с разным средним размером зерен будут давать разные механические свойства слоев, более конкретно, отличие в среднем размере зерен будет оказывать влияние на свойства напряженного состояния слоев. Механическое напряжение в слое может, в свою очередь, влиять на кристаллографические свойства и морфологию. При этом поверхность слоя катализатора изменяется таким образом, чтобы свойства поверхности слоя катализатора способствовали росту наноструктур. Кроме того, отличие размера зерен будет обеспечивать возможность взаимной диффузии между двумя соседними слоями. Поскольку взаимная диффузия может менять кристаллографические свойства взаимно диффундирующих слоев, она также может приводить к изменению механического напряжения в слоях, тем самым модифицируя кристаллографические и морфологические свойства поверхности слоя катализатора из-за перекристаллизации. На рост наноструктур влияет как кристаллографическая структура, так и морфология поверхности материала, из которого они растут. Поэтому, придавая нижнему слою и слою катализатора отличающиеся средние размеры зерен, можно получать условия, способствующие росту наноструктур, с использованием всего лишь двух слоев, благодаря чему достигается снижение издержек производства и сложности процесса.
Подложка может быть выполнена из любых из широкого диапазона материалов. Чаще всего применяются материалы на основе полупроводников, такие как кремний, оксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, силициды, AlGaAs, AlGaN или SiGe, но также возможны другие материалы, такие как оптически прозрачные подложки (ITO, кварц, стекло, сапфир, алмаз), полимеры (полиимид, эпоксиды, PDMS, SU8, SAL6001) или любые металлы, сплавы металлов или изоляторы.
В качестве нижнего слоя можно использовать широкий диапазон изолирующих, полупроводящих или проводящих материалов, а в качестве слоя катализатора можно преимущественно использовать металлы или сплавы металлов, такие как Fe, Ni, NiCr, Au, Cu, Pt, Pd или Co. Кроме того, в качестве катализатора также можно использовать биметаллы на основе Co, примеры таких биметаллов представляют собой Co-V, Co-Fe, Co-Ni, Co-Pt, Co-Y, Co-Cu и Co-Sn.
Для осаждения тонких пленок изолирующих, полупроводящих или проводящих материалов, используемых в нижнем слое и слое катализатора, имеется несколько разных способов осаждения. В число самых распространенных способов осаждения входят распыление (магнетронное) и другие способы испарения, такие как электронно-лучевое испарение, термическое испарение или резистивное испарение, а также можно применять другие способы, такие как химическое осаждение из паровой фазы (ХОПФ или CVD) или электроосаждение, при условии, что такие способы отрегулированы так, чтобы были достигнуты желательные различные средние размеры зерен.
В дальнейшем при обсуждении размера зерен всегда будет подразумеваться средний размер зерен. Средний размер зерен можно измерять с помощью нескольких разных способов. Один простой подход состоит в подсчете числа зерен на заданной площади в плоскости на верхней поверхности материала или в сечении, при этом подсчитывается средняя занимаемая зерном площадь, определяющая средний размер зерен. Измерение размера площади зерна согласно такому способу можно преимущественно осуществлять с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) или просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).
В контексте настоящей заявки слой катализатора представляет собой слой, содержащий материал или комбинацию материалов, действующих в качестве катализатора в каталитическом процессе, при котором происходит химическая реакция между катализатором и по меньшей мере одним веществом-реагентом, приводящая к росту наноструктур на каталитическом слое. Типичная реакция в каталитическом процессе представляет собой разложение органических соединений. При таком процессе катализатор взаимодействует с органическим соединением, обычно с образованием промежуточных соединений, которые потом дают конечный продукт реакции, из которого формируются наноструктуры. Реагент может преимущественно обеспечиваться в форме пара, газа или в виде компонента в газе-носителе. Рост наноструктур можно преимущественно осуществлять способами ХОПФ, такими как плазмостимулированное осаждение с использованием удаленной плазмы (УПСХОПФ или RPECVD), термическое ХОПФ, ХОПФ с использованием металлорганических соединений (MOCVD), плазмостимулированное ХОПФ (PECVD), ХОПФ с использованием микроволнового излучения, ХОПФ в индуктивно связанной плазме (ИСПХОПФ или ICPCVD), или с помощью любых других типов ХОПФ, известных в данной области техники.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения наибольший из первого среднего размера зерен и второго среднего размера зерен может быть на по меньшей мере 10% большим, чем наименьший из первого среднего размера зерен и второго среднего размера зерен. Кроме того, в одном варианте осуществления изобретения первый средний размер зерен (нижнего слоя) может быть меньше, чем второй средний размер зерен (слоя катализатора). Кроме того, нижний слой и слой катализатора могут преимущественно иметь разные составы материалов.
В силу того, что диффузия на границе раздела между нижним слоем и слоем катализатора преобладающим образом происходит вдоль и вблизи границ зерен, имеющих меньший размер зерен в нижнем слое, улучшается управление процессом диффузии, благодаря чему обеспечивается возможность лучшего управления кристаллографическими свойствами и морфологией поверхности слоя катализатора для способствования росту наноструктур. По этой причине управляемая диффузия за счет регулирования размера зерен разных слоев обеспечивает большую степень управления слоем катализатора.
Кроме того, в по меньшей мере один из нижнего слоя и слоя катализатора можно преимущественно вводить примесные элементы во время осаждения слоя(ев), после осаждения одного или обоих слоев или во время роста наноструктур. Примесные элементы можно вводить в газовой фазе, в виде реакционноспособных радикалов, в виде ионов или в форме пара. Способы введения примесных элементов, например, могут включать в себя отжиг в окружающем газе, содержащем примесные элементы, и ионную бомбардировку. Примеры таких примесных элементов включают H, N, O, CO2, Ar, пар H2O или их комбинации. Примесные элементы, вводимые во время осаждения материалов, могут менять кинетику роста тонких пленок, что может приводить к дополнительному напряжению, или же примеси могут изменять распределения зерен по размерам (гранулометрические составы) в осажденных пленках, тем самым оказывая влияние на диффузионные свойства. Кроме того, введение примесных элементов также может изменять кристаллографическую структуру материала, в который они вводятся, обеспечивая при этом дополнительные возможности для адаптации размера зерен и диффузионных свойств.
Существует несколько путей регулирования соотношения между средним размером зерен нижнего слоя и средним размером зерен слоя катализатора. В общем, материал, осаждаемый распылением, будет иметь меньший размер зерен, чем материал, осаждаемый испарением. Поэтому может быть выгодно осаждать один слой распылением, а другой слой - испарением, чтобы добиться отличия в размере зерен. В качестве примера, для формирования нижнего слоя и слоя катализатора можно применять разные способы осаждения, чтобы добиться разных размеров зерен.
В одном варианте осуществления настоящего изобретения слой катализатора может быть снабжен рисунком перед выращиванием наноструктур, обеспечивая возможный выбор для роста наноструктур только в желаемых, заранее заданных местах.
Согласно второму аспекту настоящего изобретения предлагается наноструктурное устройство, содержащее подложку; нижний слой, расположенный на верхней поверхности подложки, причем нижний слой содержит зерна с первым средним размером зерен; слой катализатора, расположенный на верхней поверхности нижнего слоя, причем слой катализатора содержит зерна со вторым средним размером зерен, отличающимся от первого среднего размера зерен нижнего слоя, с образованием тем самым пакета слоев; множество наноструктур, расположенных на слое катализатора, при этом каждая из наноструктур содержит: основание, прилегающее к слою катализатора; кончик; и тело между основанием и кончиком.
Эффекты и признаки этого второго аспекта настоящего изобретения в значительной степени аналогичны описанным выше в связи с первым аспектом изобретения.
В одном варианте осуществления настоящего изобретения на границе раздела между нижнем слоем и слоем катализатора присутствует область взаимной диффузии, где два слоя смешиваются. Область взаимной диффузии можно распознать путем применения способов измерения, таких как АСМ или ПЭМ, или химического анализа, такого как EDX или XPS.
Согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения слой с меньшим размером зерен может преимущественно быть выполнен из первого материала, выбранного из группы материалов с относительно высокой точкой плавления, а слой с более крупным размером зерен может преимущественно быть выполнен из второго материала, отличающегося от первого материала, выбранного из группы материалов с относительно низкой точкой плавления, более низкой, чем точка плавления первого материала. В общем, слои, сформированные из материалов с более низкими точками плавления, имеют более крупный средний размер зерен, чем слои, сформированные из материалов с более высокими точками плавления. Материал с высокой точкой плавления может быть преимущественно выбран из группы W, Mo или Ta, а материал с низкой точкой плавления может быть выбран из группы Fe, Ni, Au, Cu, Pt, Pd и Co.
В одном варианте осуществления настоящего изобретения наноструктуры могут преимущественно содержать углерод и могут, например, представлять собой углеродные нанотрубки или углеродные нановолокна. Кроме того, наноструктура может содержать слой графена.
Также способ по настоящему изобретению можно было бы применять для производства наноструктурных устройств, содержащих наноструктуры, образованные полупроводниковыми материалами и/или металлами, такими как InP, GaAs, InGaAs, GaN, SiC, Si, CdS, ZnO, TiO2, Ni, Al, Au, Ag, W, Cu, Pd, Pt, Mo или их комбинации.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Теперь эти и другие аспекты настоящего изобретения будут описаны более подробно со ссылкой на прилагаемые чертежи, показывающие предпочтительный в данное время вариант осуществления изобретения, где:
На фиг. 1 схематично проиллюстрировано наноструктурное устройство согласно варианту осуществления настоящего изобретения;
На фиг. 2 представлена технологическая схема, схематично иллюстрирующая способ изготовления согласно различным вариантам осуществления настоящего изобретения;
На фиг. 3a-d схематично проиллюстрированы стадии производства по изготовлению наноструктурного устройства;
На фиг. 4 схематично проиллюстрирована единичная наноструктура из наноструктурного устройства на фиг. 1;
На фиг. 5 представлена технологическая схема, схематично иллюстрирующая вариант осуществления способа согласно настоящему изобретению; и
На фиг. 6 представлена технологическая схема, схематично иллюстрирующая еще один вариант осуществления способа согласно настоящему изобретению.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В настоящем подробном описании в основном обсуждаются различные варианты осуществления способа изготовления наноструктур согласно настоящему изобретению со ссылкой на способы, способствующие управляемому росту наноструктур, таких как нанопроволоки или нановолокна. Кроме того, нижний слой и слой катализатора осаждают с применением разных способов осаждения.
Это никоим образом не следует интерпретировать как ограничивающее объем настоящего изобретения, который, например, также охватывает способы и наноструктурные устройства, в которых наноструктуры выполнены из иных материалов, чем углерод, и/или в которых нижний слой и слой катализатора осаждают с применением одного и того же способа.
На фиг. 1 схематично проиллюстрировано наноструктурное устройство 105 согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Кроме того, на фиг. 1 показан нижний слой 103, расположенный на верхней поверхности подложки 102, и слой 104 катализатора, расположенный на верхней поверхности нижнего слоя 103.
Теперь будет описан способ согласно различным вариантам осуществления настоящего изобретения со ссылкой на технологическую схему, показанную на фиг. 2 и обрисовывающую в общих чертах общие стадии способа производства наноструктур, вместе с фиг. 3a-d, иллюстрирующими наноструктурное устройство на разных этапах процесса производства.
На первой стадии 201 обеспечивают подходящую подложку 102, как показано на фиг. 3a. Подложка 102 может представлять собой любую изолирующую, полупроводящую или проводящую подложку, такую как кремниевая подложка стандартного типа.
На следующей стадии 202 на поверхность подложки 102 осаждают проводящий нижний слой 103, содержащий металл или металлический сплав, как проиллюстрировано на фиг. 3b. Размер зерен нижнего слоя 103 регулируют посредством выбора материала и/или способа осаждения так, чтобы получить нижний слой с желательным средним размером зерен. Нижнего слоя 103 с относительно небольшим размером зерен добиваются путем применения материала с более высокой точкой плавления и/или путем осаждения материала распылением.
Следующая за осаждением нижнего слоя 103 стадия 203 представляет собой осаждение слоя 104 металлического катализатора сверху нижнего слоя 103, с образованием тем самым пакета слоев, как показано на фиг. 3c. Для того чтобы добиться отличия в размере зерен между нижним слоем 103 и слоем 104 катализатора, устанавливают параметры процесса, определяющие размер зерен слоя 104 катализатора, относительно размера зерен нижнего слоя 103. Слоя 104 катализатора с более крупным размером зерен, чем в нижнем слое 103, можно добиться, выбирая материал с более низкой точкой плавления и/или осаждая этот материал испарением. На фиг. 3c более отчетливо проиллюстрировано, что размер зерен нижнего слоя 103 меньше, чем размер зерен слоя 104 катализатора.
Следующая стадия 204 содержит рост наноструктур 101. Процесс роста начинается нагреванием пакета слоев на стадии, где температура линейно повышается вплоть до температуры, подходящей для роста наноструктур. По мере того как пакет слоев нагревается, нижний слой 103 и слой 104 катализатора взаимно диффундируют на границе раздела между двумя слоями. Протяженность полученной в результате области 302 взаимной диффузии зависит от свойств материалов, температуры и времени воздействия повышенной температуры.
Кроме того, диффузионные свойства также можно менять путем введения примесных элементов в один или оба из этих слоев. Примеси, вводимые во время осаждения слоев, могут изменять параметры роста слоев, тем самым влияя на характеристики напряженного состояния и получаемую кристаллографическую структуру. Примеси, вводимые во время осаждения, также могут менять размер зерен в результате влияния свободных связей и/или других дефектов. Альтернативно или в сочетании, примеси можно вводить с помощью ионной бомбардировки или отжига после выращивания слоев, а также меняя кристаллографические свойства поверхности так, чтобы способствовать росту наноструктур.
Когда образец нагревается до предпочтительной температуры, обеспечивают (подают) газ или пар, содержащий вещество-реагент, который посредством реакции с каталитическим слоем 104 образует наноструктуры 101. На фиг. 3d показано наноструктурное устройство 105 с множеством выращенных наноструктур 101. На фиг. 3d также проиллюстрирована область 302 взаимной диффузии между нижним слоем 103 и слоем 104 катализатора, как область, где материалы объединились и образовали сплав, в котором отдельные зерна уже не различимы. Однако с помощью методов анализа, таких как метод энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) или ПЭМ, в области 302 взаимной диффузии можно найти концентрации атомов обоих материалов.
Перед ростом наноструктур слой 104 катализатора может быть снабжен рисунком (структурирован), чтобы изготовить наноструктуры только в заранее заданных местах. Альтернативно, на неструктурированной поверхности наноструктуры растут из центров зародышеобразования по всей поверхности слоя катализатора.
На фиг. 4 показан схематичный пример единичной наноструктуры 101. Каждая наноструктура 101 имеет основание 401, прилегающее к слою 104 катализатора, кончик 403 и тело 402 между основанием 401 и кончиком 403. В силу механизмов роста наноструктур и, в частности, нанопроволок кончик 403 нанопроволок будет иметь чашевидное образование, как показано на фиг. 4, содержащее материал из слоя 104 катализатора. В зависимости от протяженности области 302 взаимной диффузии между двумя слоями, на кончике 403 наноструктуры 101 также можно обнаружить следы материала нижнего слоя 103.
ПРИМЕРЫ
Следующие примеры представлены для дополнительной иллюстрации изобретения и не должны толковаться как ненадлежаще ограничивающие объем этого изобретения.
В первом примерном варианте осуществления настоящего изобретения, проиллюстрированном с помощью технологической схемы на фиг. 5, на первой стадии 501 обеспечивают (берут) подложку, за которой следует стадия 502 осаждения нижнего слоя, содержащего W, осаждаемый распылением. Затем, на стадии 503, с помощью испарения осаждают слой катализатора, содержащий Ni. На конечной стадии 504 выращивают углеродные наноструктуры методом PECVD с использованием ацетилена в качестве доставляющего углерод предшественника.
Во втором примерном варианте осуществления настоящего изобретения, проиллюстрированном с помощью технологической схемы на фиг. 6, на первой стадии 601 обеспечивают (берут) подложку, за которой следует стадия 602 осаждения нижнего слоя, содержащего W, осаждаемый распылением. Затем, на стадии 603, с помощью испарения осаждают слой катализатора, содержащий Pd. На следующей стадии 604 в технологический процесс вводят примесное вещество в форме H2 во время этапа линейного повышения температуры перед ростом наноструктур. На конечной стадии 605 выращивают углеродные наноструктуры методом PECVD. В данном варианте осуществления в качестве доставляющего углерод предшественника используют метан.
ПРИМЕРЫ ПРИМЕНЕНИЙ
Возможное применение технологии согласно настоящему изобретению представляет собой изготовление межсоединений в интегральных схемах. Межсоединения можно изготавливать, сначала осаждая проводящий нижний слой на поверхности подложки, причем нижний слой имеет относительно небольшой размер зерен. Затем осаждают слой катализатора с более крупным размером зерен, за которым следует рост проводящих наноструктур. Выращенные наноструктуры затем покрывают изолирующим слоем с последующей стадией травления для удаления покрытия с кончика наноструктуры. Обнаженный кончик наноструктуры приводят в контакт с проводящим материалом для образования верхних контактов межсоединительного устройства.
Другим применением наноструктур, производимых согласно настоящему изобретению, является применение при присоединении к столбиковым выводам, где два проводящих слоя могут быть соединены с использованием наноструктурной сборки. Способ производства в значительной степени аналогичен способу производства межсоединений. Однако после обнажения кончиков наноструктур чип, содержащий это устройство, переворачивают и приводят в контакт с проводящей поверхностью на втором чипе (крепление методом перевернутого кристалла), тем самым создавая соединение между двумя проводящими слоями. Дополнительно, можно отполировать поверхность с выступающими кончиками наноструктур, чтобы добиться равномерной длины наноструктур.
Используя описанную выше технологию крепления, также можно применять наноструктурные устройства в качестве анизотропных проводящих пленок (ACF). Еще одной областью применения является применение двух описанных выше устройств с обнаженными кончиками наноструктур для обеспечения крепления типа "липучка". Его выполняют путем прижатия друг к другу двух поверхностей, содержащих обнаженные кончики, тем самым создавая связь между двумя поверхностями.
Описанные здесь способы применимы в общем регулируемом выращивании наноструктур. Способы также можно применять в любых методах сборки электронных компонентов, которые включают в себя аналоговые и/или цифровые электронные схемы. Например, такие компоненты можно найти в: технике связи, изделиях автомобильной/промышленной электроники, бытовой электронной технике, вычислительной технике, средствах обработки цифровых сигналов и интегрированных изделиях. Описанные здесь способы могут использоваться в технологиях крепления, таких как технология шариковых выводов (BGA), модули, монтируемые по технологии перевернутого кристалла (FC), CSP, WLP, FCOB, TCB, TSV 3D-формирование многоуровневой структуры, схемы металлизации. Описанные здесь способы могут использоваться в различных типах интегральных схем (ИС), таких как RFID, CMOS, BiCMOS, GaAS, AlGAAs, MMIC, MCM. Технологии отображения, такие как LCD, LED и OLED, применяемые автомобилях, компьютерах, мобильных телефонных трубках и телевизорах, также могут внедрять наноструктуры и методы соединения, выполненные с помощью описанных здесь способов. Другие электронные компоненты, которые аналогичным образом могут внедрять такую технологию, включают в себя, но не ограничиваются перечисленным: чипы ASIC, запоминающие устройства, MCU, модули высокочастотных устройств, пассивные компоненты интегральных схем, такие как резистор, конденсаторы, индукторы и т.д.

Claims (13)

1. Способ изготовления на подложке (102) множества наноструктур (101) для применения в электронном компоненте, содержащий следующие стадии:
осаждение нижнего слоя (103) на верхней поверхности подложки (102) с использованием способа осаждения, отрегулированного для достижения кристаллографической структуры зерен с первым средним размером зерен;
осаждение слоя (104) катализатора на верхней поверхности нижнего слоя (103) с использованием способа осаждения, отрегулированного для достижения кристаллографической структуры зерен со вторым средним размером зерен, большим упомянутого первого среднего размера зерен, с образованием тем самым пакета слоев, содержащего упомянутый нижний слой (103) и упомянутый слой (104) катализатора;
нагревание пакета слоев до температуры, достаточной для роста наноструктур и приводящей к взаимной диффузии между нижним слоем с первым средним размером зерен и слоем катализатора со вторым средним размером зерен; и
обеспечение газа, содержащего реагент, так что реагент входит в контакт со слоем (104) катализатора.
2. Способ по п.1, при этом второй средний размер зерен является на по меньшей мере 10% большим, чем первый средний размер зерен.
3. Способ по п.1 или 2, при этом слой (104) катализатора имеет первый состав материала, а нижний слой (103) имеет второй состав материала, который отличается от упомянутого первого состава материала.
4. Способ по п.1 или 2, дополнительно содержащий стадию:
введения по меньшей мере одного примесного элемента в по меньшей мере один из нижнего слоя (103) и слоя (104) катализатора во время осаждения упомянутых слоев.
5. Способ по п.1 или 2, дополнительно содержащий стадию:
введения по меньшей мере одного примесного элемента в по меньшей мере один из нижнего слоя (103) и слоя (104) катализатора после осаждения упомянутых слоев.
6. Способ по п.1 или 2, дополнительно содержащий стадию:
снабжения рисунком упомянутого слоя (104) катализатора перед ростом наноструктур.
7. Способ по п.1 или 2, при этом упомянутый нижний слой (103) осаждают распылением.
8. Способ по п.1 или 2, при этом упомянутый слой (104) катализатора осаждают испарением.
9. Наноструктурное устройство (105) для электронного устройства, содержащее:
подложку (102);
нижний слой (103), расположенный на верхней поверхности подложки (102), причем упомянутый нижний слой (103) имеет кристаллографическую структуру зерен с первым средним размером зерен;
слой (104) катализатора, расположенный на верхней поверхности нижнего слоя (103), причем упомянутый слой (104) катализатора имеет кристаллографическую структуру зерен со вторым средним размером зерен, большим первого среднего размера зерен нижнего слоя (103), с образованием тем самым пакета слоев;
множество наноструктур (101), расположенных на упомянутом слое (104) катализатора, причем каждая из упомянутых наноструктур (101) содержит:
основание (401), прилегающее к упомянутому слою (104) катализатора;
кончик (403); и
тело (402) между упомянутым основанием (401) и упомянутым кончиком (403),
при этом нижний слой и слой катализатора взаимно продиффундировали между упомянутым нижним слоем и упомянутым слоем катализатора.
10. Наноструктурное устройство (105) по п.9, при этом слой (104) катализатора имеет первый состав материала, а нижний слой (103) имеет второй состав материала, который отличается от упомянутого первого состава материала.
11. Наноструктурное устройство (105) по п.9 или 10, при этом упомянутый кончик (403) содержит материал из упомянутого слоя (104) катализатора.
12. Наноструктурное устройство (105) по п.10, при этом материал нижнего слоя имеет более высокую точку плавления, чем материал слоя катализатора.
13. Наноструктурное устройство (105) по п.9, при этом упомянутое тело (402) упомянутой наноструктуры (101) содержит углерод.
RU2013122751/05A 2010-10-18 2010-10-18 Наноструктурное устройство и способ изготовления наноструктур RU2573474C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2010/065654 WO2012052051A1 (en) 2010-10-18 2010-10-18 Nanostructure device and method for manufacturing nanostructures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013122751A RU2013122751A (ru) 2014-11-27
RU2573474C2 true RU2573474C2 (ru) 2016-01-20

Family

ID=44072524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013122751/05A RU2573474C2 (ru) 2010-10-18 2010-10-18 Наноструктурное устройство и способ изготовления наноструктур

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9206532B2 (ru)
EP (1) EP2630281B1 (ru)
JP (1) JP2013545700A (ru)
KR (3) KR101903714B1 (ru)
CN (1) CN103154340B (ru)
RU (1) RU2573474C2 (ru)
WO (1) WO2012052051A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2633160C1 (ru) * 2016-12-19 2017-10-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ синтеза нанопроволок нитрида алюминия

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1218568A1 (ru) * 1984-05-22 1994-06-30 Институт физики высоких давлений им.Л.Ф.Верещагина Способ получения сверхтвердых материалов
EP1061041A1 (en) * 1999-06-18 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. Low-temperature thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotube using the same
KR20040059300A (ko) * 2002-12-28 2004-07-05 학교법인 포항공과대학교 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체 및 그 제조방법
RU2277031C2 (ru) * 2004-06-04 2006-05-27 Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской Академии наук Способ получения неорганических материалов в режиме горения
JP2006342040A (ja) * 2005-05-09 2006-12-21 Kumamoto Univ 筒状分子構造およびその製造方法、並びに前処理基板およびその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593730B (en) * 2002-03-25 2004-06-21 Ind Tech Res Inst Process of direct low-temperature growth of carbon nanotubes on a substrate
JP3877302B2 (ja) * 2002-06-24 2007-02-07 本田技研工業株式会社 カーボンナノチューブの形成方法
JP3804594B2 (ja) * 2002-08-02 2006-08-02 日本電気株式会社 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ
JP2004327085A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Hitachi Zosen Corp カーボンナノチューブを用いた電子放出素子の製造方法
JP4963539B2 (ja) * 2004-05-10 2012-06-27 株式会社アルバック カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマｃｖｄ装置
KR101190136B1 (ko) 2004-05-10 2012-10-12 가부시키가이샤 알박 카본 나노 튜브의 제작 방법 및 그 방법을 실시하는플라즈마 화학기상증착 장치
US7838165B2 (en) * 2004-07-02 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Carbon fiber synthesizing catalyst and method of making thereof
JP2006255817A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Sonac Kk 金属構造およびその製造方法
EP1874986B1 (en) * 2005-04-25 2013-01-23 Smoltek AB Controlled growth of a nanostructure on a substrate, and electron emission devices based on the same
US20100117764A1 (en) * 2006-04-17 2010-05-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Assisted selective growth of highly dense and vertically aligned carbon nanotubes
KR100803194B1 (ko) 2006-06-30 2008-02-14 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브 구조체 형성방법
JP5194514B2 (ja) * 2007-03-29 2013-05-08 富士通セミコンダクター株式会社 基板構造及びその製造方法
KR20090041765A (ko) 2007-10-24 2009-04-29 삼성모바일디스플레이주식회사 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1218568A1 (ru) * 1984-05-22 1994-06-30 Институт физики высоких давлений им.Л.Ф.Верещагина Способ получения сверхтвердых материалов
EP1061041A1 (en) * 1999-06-18 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. Low-temperature thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotube using the same
KR20040059300A (ko) * 2002-12-28 2004-07-05 학교법인 포항공과대학교 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체 및 그 제조방법
RU2277031C2 (ru) * 2004-06-04 2006-05-27 Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской Академии наук Способ получения неорганических материалов в режиме горения
JP2006342040A (ja) * 2005-05-09 2006-12-21 Kumamoto Univ 筒状分子構造およびその製造方法、並びに前処理基板およびその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIANFENG ZHANG et al, Rapid growth of well-aligned carbon nanotube arrays, Chem. Phys. Lett., 2002, v. 362, p.p. 285-290. *
КРАТКАЯ ХИМИЧЕСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ, под ред. Кнунянца И.Л., Москва, Советская энциклопедия, 1988, т. 1, с. 106. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2633160C1 (ru) * 2016-12-19 2017-10-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ синтеза нанопроволок нитрида алюминия

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012052051A1 (en) 2012-04-26
KR101970209B1 (ko) 2019-04-18
KR101903714B1 (ko) 2018-10-05
EP2630281B1 (en) 2017-02-15
KR20170051536A (ko) 2017-05-11
US20130230736A1 (en) 2013-09-05
RU2013122751A (ru) 2014-11-27
JP2013545700A (ja) 2013-12-26
EP2630281A1 (en) 2013-08-28
US9206532B2 (en) 2015-12-08
CN103154340A (zh) 2013-06-12
KR20130138246A (ko) 2013-12-18
KR101736303B1 (ko) 2017-05-16
KR20180108909A (ko) 2018-10-04
CN103154340B (zh) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5632359B2 (ja) 金属酸化物基体上でのナノ構造体の製造方法、金属酸化物基体上への薄膜の付着方法、および薄膜装置
US8513641B2 (en) Core-shell nanowire comprising silicon rich oxide core and silica shell
TWI465389B (zh) 用於奈米結構加工之導電性助層之沉積及選擇性移除
CN106256762B (zh) 多层石墨烯的制备方法
US8821975B2 (en) Method for making branched carbon nanotubes
JP2008016849A (ja) カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法
US20090317943A1 (en) Alignment of Semiconducting Nanowires on Metal Electrodes
Sayed et al. Epitaxial growth of nanostructured gold films on germanium via galvanic displacement
WO2015157004A1 (en) Cobalt cvd
JP2008143771A (ja) 酸化物系ナノ構造物の製造方法
JP2004153273A (ja) 金属薄膜または金属粉末を利用した量子点形成方法
JP2010177405A (ja) カーボンナノチューブ及びその製造方法
US8507381B2 (en) Method for fabricating silicon and/or germanium nanowires
US20100291408A1 (en) Nanostructures including a metal
RU2573474C2 (ru) Наноструктурное устройство и способ изготовления наноструктур
US8377556B2 (en) Material for growth of carbon nanotubes
US20210366708A1 (en) Heterojunction meterial and method of preparing the same
KR100488896B1 (ko) 금속박막을 이용한 양자점 형성방법
JP2007521949A (ja) 支持体上への材料層の製造方法
US11508576B2 (en) Method for producing transition metal dichalcogenidegraphene hetero junction composite using plasma
KR102545196B1 (ko) 센서 및 그의 제조방법
US20240014071A1 (en) Cmos-compatible graphene structures, interconnects and fabrication methods
CN116288177A (zh) 一种ito薄膜及制备方法、led芯片
KR20070042673A (ko) 나노와이어의 제조방법 및 나노와이어가 성장된 기판
TWI245330B (en) Nano device and electronic apparatus using the device