RU2567118C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2567118C1 RU2567118C1 RU2014128408/28A RU2014128408A RU2567118C1 RU 2567118 C1 RU2567118 C1 RU 2567118C1 RU 2014128408/28 A RU2014128408/28 A RU 2014128408/28A RU 2014128408 A RU2014128408 A RU 2014128408A RU 2567118 C1 RU2567118 C1 RU 2567118C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacturing
- structures
- layer
- semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек. Изобретение обеспечивает повышение адгезии в полупроводниковых структурах, что повышает технологичность, надежность и процент выхода годных структур. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов с повышенной адгезией.
Известен способ увеличения адгезии [Пат. 5391397 США, МКИ В05D 5/10] путем формирования ковалентных связей за счет использования слоя между полиимидом и подложкой. Полиимид, нанесенный на поверхность кристалла, обрабатывают при повышенной температуре в растворе гидроксиламина. Присоединение кристалла с полиимидным слоем к подложке осуществляется стандартным способом, а в оставляемый зазор затем вводят герметик, после чего проводят отверждение для образования прочной адгезионной связи. При этом образуется многослойная структура, которая ухудшает тепловые параметры приборов.
Известен способ увеличения адгезии [Пат. 5391519 США, МКИ H01L 21/44] контактной площадки к кристаллу с подслоем SiO2, путем удаления части промежуточного барьерного слоя титана Ti или двухслойной структуры Ti/TiN, после формирования проводников и контактов. После нанесения барьерного слоя на слой SiO2 проводится быстрый отжиг пластины в среде N2 и его травление для полного удаления соединений TiN и TiSixOy, за исключением узкого ободка но периметру формируемой контактной площадки.
Недостатками этого способа являются:
- образование дополнительных механических напряжений;
- низкая технологичность;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем обработки полупроводниковых структур после нанесения на нее молибденовой пленки толщиной 400 нм ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой (5*1015 - 1*1016) см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек.
Технология способа состоит в следующем: в процессе производства полупроводниковых приборов после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения слоя молибденовой пленки толщиной 400 нм, полупроводниковую структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек. В результате повышается адгезия молибденовой пленки к пленке диоксида кремния за счет перестройки связи на границе раздела диоксид кремния/молибденовая пленка.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы структуры. Результаты обработки представлены в таблице.
Параметры структур, изготовленных стандартной технологией | Параметры структур, изготовленных предложенным способом | ||
Плотность дефектов, см-2, N*103 | Адгезия, МПа | Плотность дефектов, см-2 N*103 | Адгезия, МПа |
0,8 | 2,5 | 0,25 | 6,6 |
0,5 | 2,1 | 0,15 | 5,2 |
1,1 | 3,2 | 0,3 | 7,5 |
1,05 | 3,1 | 0,28 | 7,1 |
0,9 | 2,8 | 0,26 | 6,9 |
1,0 | 3,0 | 0,27 | 7,0 |
0,85 | 2,6 | 0,35 | 6,7 |
0,95 | 2,9 | 0,29 | 6,8 |
0,6 | 2,2 | 0,18 | 5,5 |
0,65 | 2,4 | 0,28 | 6,1 |
1,1 | 3,3 | 0,35 | 7,7 |
0,9 | 2,7 | 0,26 | 6,9 |
0,7 | 2,3 | 0,21 | 5,9 |
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем обработки структуры после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения слоя молибденовой пленки толщиной 400 им ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличивается на 14,7%.
Технический результат: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей полупроводникового прибора и слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что на диоксид кремния наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ с энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014128408/28A RU2567118C1 (ru) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014128408/28A RU2567118C1 (ru) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2567118C1 true RU2567118C1 (ru) | 2015-11-10 |
Family
ID=54536892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014128408/28A RU2567118C1 (ru) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2567118C1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5391519A (en) * | 1993-12-09 | 1995-02-21 | United Microelectronics Corp. | Method for increasing pad bonding of an IC (1) |
US5739046A (en) * | 1994-09-30 | 1998-04-14 | United Microelectronics Corporation | Method of making a reliable barrier layer |
US7425506B1 (en) * | 2003-01-15 | 2008-09-16 | Novellus Systems Inc. | Methods of providing an adhesion layer for adhesion of barrier and/or seed layers to dielectric films |
RU2457584C2 (ru) * | 2007-04-27 | 2012-07-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией |
-
2014
- 2014-07-10 RU RU2014128408/28A patent/RU2567118C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5391519A (en) * | 1993-12-09 | 1995-02-21 | United Microelectronics Corp. | Method for increasing pad bonding of an IC (1) |
US5739046A (en) * | 1994-09-30 | 1998-04-14 | United Microelectronics Corporation | Method of making a reliable barrier layer |
US7425506B1 (en) * | 2003-01-15 | 2008-09-16 | Novellus Systems Inc. | Methods of providing an adhesion layer for adhesion of barrier and/or seed layers to dielectric films |
RU2457584C2 (ru) * | 2007-04-27 | 2012-07-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5420968B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP5967211B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
KR101558192B1 (ko) | 반도체 기판의 제작 방법 및 반도체 장치의 제작 방법 | |
JP2018093169A5 (ru) | ||
WO2018006883A1 (zh) | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 | |
JP2016225537A (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
JP2009135468A5 (ja) | 半導体基板及び半導体装置の作製方法 | |
JP2009260295A5 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
WO2010137588A1 (ja) | 界面近傍における欠陥密度が低いsos基板 | |
WO2010137587A1 (ja) | 表面欠陥密度が少ないsos基板 | |
TW201334087A (zh) | 透明soi晶圓之製造方法 | |
JP6544807B2 (ja) | ゲッタリング層を持つ半導体の製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
KR20140121392A (ko) | 접합 soi 웨이퍼의 제조방법 | |
KR20110000519A (ko) | Soi 기판의 제작 방법 및 soi 기판 | |
KR20160132017A (ko) | 접합 soi웨이퍼의 제조방법 | |
RU2567118C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
RU2539801C1 (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
JP2010109356A5 (ru) | ||
KR20080085693A (ko) | Soi 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
RU2372689C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2793798C1 (ru) | Способ увеличения адгезии | |
JP2009253180A5 (ru) | ||
RU2751805C1 (ru) | Способ увеличения адгезии | |
RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170711 |