RU2493632C1 - Method of making lead selenide-based semiconductor structure - Google Patents
Method of making lead selenide-based semiconductor structure Download PDFInfo
- Publication number
- RU2493632C1 RU2493632C1 RU2012114585/28A RU2012114585A RU2493632C1 RU 2493632 C1 RU2493632 C1 RU 2493632C1 RU 2012114585/28 A RU2012114585/28 A RU 2012114585/28A RU 2012114585 A RU2012114585 A RU 2012114585A RU 2493632 C1 RU2493632 C1 RU 2493632C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- lead selenide
- substrate
- film
- selenide
- semiconductor structure
- Prior art date
Links
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M aluminum;oxygen(2-);hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[Al+3] VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 32
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 16
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к полупроводниковым структурам на основе селенида свинца, преимущественно применяемым в излучателях или в фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона.The invention relates to semiconductor technology, namely, to semiconductor structures based on lead selenide, mainly used in emitters or in photodetectors of the middle infrared range.
Известны тонкопленочные фоточувствительные и излучающие структуры на основе селенида свинца, которые являются весьма перспективными для изготовления на их основе фотоприемников и излучателей для среднего инфракрасного диапазона 2,0-5,0 мкм. Это объясняется тем, что указанные структуры обладают уникальной совокупностью оптических и фотоэлектрических характеристик, которые обеспечивают высокую конкурентоспособность оптоэлектронных приборов, изготовленных на их основе, среди аналогичных приборов, работающих в данном спектральном диапазоне. Так фотоприемники, изготовленные на основе рассматриваемых структур, обладают сочетанием высокой чувствительности и быстродействия, а излучатели - высокой излучающей способностью, быстродействием и малым энергопотреблением. Кроме того, групповая планарная технология производства рассматриваемых структур позволяет их тиражировать в массовых количествах, а их сравнительно невысокая стоимость делают их привлекательными для применения в серийных оптоэлектронных приборах различного назначения.Thin-film photosensitive and emitting structures based on lead selenide are known, which are very promising for the manufacture of photodetectors and emitters based on them for the middle infrared range of 2.0-5.0 μm. This is explained by the fact that these structures have a unique combination of optical and photoelectric characteristics that provide high competitiveness of optoelectronic devices made on their basis among similar devices operating in this spectral range. So photodetectors made on the basis of the structures under consideration have a combination of high sensitivity and speed, and emitters have a high emissivity, speed and low power consumption. In addition, the group planar production technology of the structures under consideration allows them to be replicated in bulk quantities, and their relatively low cost makes them attractive for use in serial optoelectronic devices for various purposes.
Однако рассматриваемые структуры при комнатной температуре (в диапазоне температур 300-330K), как правило, имеют максимум фоточувствительности в пределах 3,6-3,8 мкм и максимум излучения вблизи 4,0 мкм. В то же время, на длине волны от 4,2 до 4,8 мкм фоточувствительность таких структур составляет всего лишь 5-15% от максимума, а их излучающая способность на длине волны 4,6 мкм составляет не более 30%. При более высокой температуре спектральные характеристики таких структур смещаются в коротковолновую область спектра, что может ограничить возможность применения структур на основе селенида свинца в оптоэлектронных приборах, в тех случаях, где требуется, чтобы максимум спектральных характеристик находился в диапазоне от 4,2 до 4,8 мкм во всей области рабочих температур. В частности, это необходимо в случае использования рассматриваемых структур в составе оптических абсорбционных газоанализаторов двуокиси и моноокиси углерода, датчиков пожара и взрыва.However, the considered structures at room temperature (in the temperature range 300–330 K), as a rule, have a photosensitivity maximum in the range of 3.6–3.8 μm and a radiation maximum near 4.0 μm. At the same time, at a wavelength of 4.2 to 4.8 microns, the photosensitivity of such structures is only 5-15% of the maximum, and their emissivity at a wavelength of 4.6 microns is not more than 30%. At higher temperatures, the spectral characteristics of such structures shift to the short-wavelength region of the spectrum, which may limit the possibility of using structures based on lead selenide in optoelectronic devices, in cases where it is required that the maximum spectral characteristics be in the range from 4.2 to 4.8 microns in the entire range of operating temperatures. In particular, this is necessary if the structures under consideration are used as part of optical absorption gas analyzers of carbon dioxide and carbon monoxide, and fire and explosion sensors.
Исходя из вышеизложенного, актуальной является задача корректировки спектральных характеристик полупроводниковых структур на основе селенида свинца. При этом, если проблема, связанная с такой корректировкой в сторону смещения спектрального распределения в коротковолновую область спектра (2,5-4,0) мкм, успешно решена, в частности, путем использования полупроводниковых структур на основе твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия [M. Maksyutenko, S. Nepomnyashchy, S. Pogodina. Mid IR LED's and PbSe photo resistors, 6th International Conference, July, 2004, St Petersburg, Russia], и на основе этих структур выпускается серийные фотоприемники и излучатели, то проблема создания серийно-способной технологии изготовления оптокомпонентов, работающих в длинноволновой области спектра (4,0-5,0 мкм), является в настоящее время открытой и требует своего решения, учитывая высокую рыночную востребованность на такие оптокомпоненты.Based on the foregoing, the urgent task is to adjust the spectral characteristics of semiconductor structures based on lead selenide. Moreover, if the problem associated with such adjustment in the direction of shifting the spectral distribution to the short-wavelength region of the spectrum (2.5-4.0) μm is successfully solved, in particular, by using semiconductor structures based on solid solutions of lead selenide - cadmium selenide [ M. Maksyutenko, S. Nepomnyashchy, S. Pogodina. Mid IR LED's and PbSe photo resistors , 6 th International Conference, July, 2004, St Petersburg, Russia], and based on these structures manufactured serial photodetectors and emitters, the problem create standard-capable manufacturing optokomponentov technology working in the longwave region of the spectrum ( 4.0-5.0 microns), is currently open and requires its decision, given the high market demand for such optic components.
В связи с актуальностью указанной проблемы многими авторами предпринимаются попытки решить ее с помощью различных технологических факторов и приемов.Due to the relevance of this problem, many authors attempt to solve it using various technological factors and techniques.
Например, известен способ получения полупроводниковой структуры на основе селенида свинца [В.Г. Буткевич и др. ж. Прикладная физика, №2, 1999 г.].For example, a known method for producing a semiconductor structure based on lead selenide [V.G. Butkevich et al. Applied Physics, No. 2, 1999].
В рассматриваемом способе увеличение чувствительности в длинноволновой области спектра достигается за счет использования селективных интерференционных зеркал, непосредственно на которые нанесены фоточувствительные слои селенида свинца.In the method under consideration, an increase in sensitivity in the long-wavelength region of the spectrum is achieved through the use of selective interference mirrors directly applied to the photosensitive layers of lead selenide.
Указанный эффект в рассматриваемом способе достигается путем конструктивного и оптического совмещения фоточувствительной пленки селенида свинца с дихроичным зеркалом, отражающим длинноволновое излучение с длиной волны 4,0 мкм и более. При этом падающее на фоточувствительный элемент излучение проходит через фотослой, частично поглощается в нем, стимулируя фотопроводимость в соответствии со спектральной чувствительностью слоя селенида свинца, достигает дихроичного зеркала, отражается им в спектрально-ограниченной зоне (4,0-5,0 мкм), вновь возвращается в фотослой и вызывает дополнительную фотопроводимость только в этой спектральной зоне. Применение в качестве подслоя для пленки селенида свинца дихроичного зеркала позволяет улучшить чувствительность прибора в длинноволновой области спектральной характеристики. Однако при комнатной температуре величина фоточувствительности рассматриваемого прибора при длине волны 4,7 мкм составляет значение лишь 0,25 от ее значения в максимуме спектральной характеристики. Кроме того, применение дихроичного зеркала существенно усложняет технологический процесс изготовления прибора.The indicated effect in the considered method is achieved by constructive and optical combination of a photosensitive film of lead selenide with a dichroic mirror reflecting long-wave radiation with a wavelength of 4.0 μm or more. In this case, the radiation incident on the photosensitive element passes through the photo layer, is partially absorbed in it, stimulating the photoconductivity in accordance with the spectral sensitivity of the lead selenide layer, reaches a dichroic mirror, is reflected by it in a spectrally limited zone (4.0-5.0 μm), again returns to the photolayer and causes additional photoconductivity only in this spectral zone. The use of a dichroic mirror as a sublayer for a film of selenide makes it possible to improve the sensitivity of the device in the long-wavelength region of the spectral characteristic. However, at room temperature, the photosensitivity value of the device under consideration at a wavelength of 4.7 μm is only 0.25 of its value at the maximum of the spectral characteristic. In addition, the use of a dichroic mirror significantly complicates the manufacturing process of the device.
Известен «физический» способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца [ЕР 1876652], выбранный авторами в качестве ближайшего аналога.The known "physical" method of manufacturing a semiconductor structure based on lead selenide [EP 1876652], selected by the authors as the closest analogue.
Рассматриваемый способ включает формирование на подложке поликристаллической пленки селенида свинца методом термического вакуумного напыления и ее последующее очувствление путем термической обработки в кислородсодержащей среде. При этом пленку селенида свинца формируют на поверхности интерференционного фильтра (фильтров), расположенного (расположенных) на диэлектрической подложке, изготовленной из материала, прозрачного или полупрозрачного для ИК излучения, например: кремния, сапфира, германия.The method under consideration includes the formation on a substrate of a polycrystalline film of lead selenide by thermal vacuum deposition and its subsequent sensation by heat treatment in an oxygen-containing medium. In this case, a lead selenide film is formed on the surface of an interference filter (s) located (located) on a dielectric substrate made of a material transparent or translucent for IR radiation, for example: silicon, sapphire, germanium.
Данный способ позволяет получить полупроводниковую пленочную структуру на основе селенида свинца, у которой за счет суперпозиции оптических спектров интерференционного фильтра и сформированной на нем пленки селенида свинца максимум фоточувствительности можно получить в области спектра 3,5-5,0 мкм. Однако на длине волны 4,7 мкм фоточувствительность составляет лишь около 10% от величины фоточувствительности в максимуме спектральной характеристики. Это означает, что применение фоточувствительных структур, изготовленных по рассматриваемому способу, в таких оптоэлектронных приборах, как оптические газоанализаторы моноокиси углерода, датчики пламени и взрыва, где требуется максимальная фоточувствительность в диапазоне 4,0-5,0 мкм, становится проблематичным, либо вовсе невозможным. Кроме того, необходимость создания на поверхности подложки интерференционного фильтра (фильтров) существенно усложняет и удорожает изготовление таких полупроводниковых структур.This method allows to obtain a semiconductor film structure based on lead selenide, in which due to the superposition of the optical spectra of the interference filter and the lead selenide film formed on it, a maximum photosensitivity can be obtained in the spectral region of 3.5-5.0 μm. However, at a wavelength of 4.7 μm, the photosensitivity is only about 10% of the photosensitivity at the maximum of the spectral characteristic. This means that the use of photosensitive structures manufactured by the considered method in such optoelectronic devices such as optical carbon monoxide gas detectors, flame and explosion sensors, where a maximum photosensitivity in the range of 4.0-5.0 microns is required, becomes problematic or completely impossible . In addition, the need to create an interference filter (s) on the surface of the substrate significantly complicates and increases the cost of manufacturing such semiconductor structures.
Задачей заявляемого изобретения является создание фоточувствительных и излучающих структур на основе селенида свинца, у которых максимум спектральных характеристик находится в диапазоне длин волн 4,0<λ≤5,0 мкм.The objective of the invention is the creation of photosensitive and emitting structures based on lead selenide, in which the maximum spectral characteristics are in the wavelength range of 4.0 <λ≤5.0 μm.
Сущность заявляемого изобретения состоит в том, что в способе изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца, содержащей подложку и пленку селенида свинца, включающем формирование поликристаллической пленки селенида свинца и ее последующую термическую обработку в кислородсодержащей среде, согласно изобретению поликристаллическую пленку селенида свинца формируют на подложке, выполненной из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения, лежащий в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6°С-1.The essence of the claimed invention lies in the fact that in a method for manufacturing a selenide structure based on lead selenide containing a substrate and a film of lead selenide, comprising forming a polycrystalline film of lead selenide and its subsequent heat treatment in an oxygen-containing medium, according to the invention, a polycrystalline film of lead selenide is formed on a substrate, made of a material having a temperature coefficient of linear expansion lying in the range from 10 · 10 -6 ° C -1 to 26 · 10 - 6 ° C -1 .
В частном случае выполнения изобретения используют подложку, выполненную из алюминия или его сплава.In the particular case of carrying out the invention, a substrate made of aluminum or its alloy is used.
В частном случае выполнения изобретения используют подложку, выполненную из алюминия или его сплава, покрытую пленкой двуокиси алюминия, или моноокиси или двуокиси кремния, имеющей толщину от 10 до 200 нм.In the particular case of carrying out the invention, a substrate made of aluminum or its alloy is coated with a film of aluminum dioxide or monoxide or silicon dioxide having a thickness of 10 to 200 nm.
В частном случае выполнения изобретения используют подложку, выполненную из поликристаллического керамического материала на основе фторида магния, или фторида бария, или фторида кальция, или фторида лития, или из керамического материала на основе их композитов.In the particular case of the invention, a substrate is used made of a polycrystalline ceramic material based on magnesium fluoride, or barium fluoride, or calcium fluoride, or lithium fluoride, or from a ceramic material based on their composites.
В частном случае выполнения изобретения используют подложку, выполненную из поликристаллического керамического материала на основе фторида магния, или фторида бария, или фторида кальция, или фторида лития, или из керамического материала на основе их композитов, покрытую пленкой двуокиси или моноокиси кремния, имеющей толщину от 10 до 200 нм.In the particular case of the invention, a substrate is used made of a polycrystalline ceramic material based on magnesium fluoride, or barium fluoride, or calcium fluoride, or lithium fluoride, or from a ceramic material based on their composites, coated with a film of silicon dioxide or silicon monoxide having a thickness of 10 up to 200 nm.
В частном случае выполнения изобретения используют подложку, выполненную из силикатного стеклаIn the particular case of carrying out the invention using a substrate made of silicate glass
В заявляемом способе формирование поликристаллической пленки селенида свинца осуществляют по технологии, относящейся к физическим методам получения тонких пленок на подложках, а именно, методом термического вакуумного напыления полупроводникового материала на подложку.In the inventive method, the formation of a polycrystalline film of lead selenide is carried out according to the technology related to physical methods for producing thin films on substrates, namely, by thermal vacuum deposition of a semiconductor material on a substrate.
С целью придания пленке селенида свинца фоточувствительных и излучающих свойств (очувствления пленки), осуществляют ее термическую активацию. Для этого сформированную на подложке пленку селенида свинца подвергают термической обработке - отжигу в среде, содержащей кислород, который является очувствляющей примесью. При этом, в процессе отжига происходит окисление пленки селенида свинца с образованием продуктов ее окисления в виде PbO, PbSeO3 и других окислов, которые вступают в химическое взаимодействие с материалом подложки, что, в свою очередь, способствует жесткому сцеплению полупроводниковой пленки с поверхностью подложки.In order to make the film of lead selenide photosensitive and emitting properties (film sensation), it is thermally activated. For this, a lead selenide film formed on a substrate is subjected to heat treatment — annealing in a medium containing oxygen, which is a sensory impurity. At the same time, during annealing, the lead selenide film is oxidized with the formation of its oxidation products in the form of PbO, PbSeO 3 and other oxides, which enter into chemical interaction with the substrate material, which, in turn, promotes rigid adhesion of the semiconductor film to the substrate surface.
Как показали исследования авторов изобретения, спектральные характеристики полупроводниковой пленочной структуры на основе селенида свинца в значительной степени зависят от соотношения температурных коэффициентов линейного расширения материала подложки и селенида свинца, температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) которого составляет величину, находящуюся вблизи 18·10-6 °С-1.As shown by the studies of the inventors, the spectral characteristics of the semiconductor film structure based on lead selenide largely depend on the ratio of the temperature coefficients of linear expansion of the substrate material and lead selenide, the temperature coefficient of linear expansion (TEC) of which is close to 18 · 10 -6 ° C -1 .
При этом в зависимости от соотношения ТКЛР материала подложки и ТКЛР селенида свинца после термообработки происходит смещение границы спектрального распределения и, соответственно, максимума спектральной характеристики фотопроводящей или излучающей полупроводниковой пленочной структуры на основе селенида свинца в коротковолновую, либо в длинноволновую область спектра.In this case, depending on the ratio of the thermal expansion coefficient of the substrate material and the thermal expansion coefficient of lead selenide after heat treatment, the spectral distribution boundary and, correspondingly, the maximum spectral characteristic of the photoconductive or emitting semiconductor film structure based on lead selenide shift to the short-wavelength or long-wavelength region of the spectrum.
В ходе экспериментальных исследований авторы установили, что для смещения границы спектральных характеристик полупроводниковой пленочной структуры на основе селенида свинца в длинноволновую область спектра и соответственно для обеспечения нахождения максимума указанных характеристик в диапазоне длин волн 4,0<λ≤5,0 мкм подложку следует выполнять из материала, ТКЛР которого при комнатной температуре лежит в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6 °С-1. Указанный эффект связан с тем, что после термической обработки и последующего охлаждения, пленка селенида свинца, связанная с подложкой из материала, обладающего указанными выше значениями ТКЛР, испытывает в плоскости подложки деформацию двуосного сжатия или растяжения, что обуславливает изменение величины запрещенной зоны селенида свинца и соответствующее смещение спектральных характеристик изготавливаемых полупроводниковых структур.In the course of experimental studies, the authors found that in order to shift the boundary of the spectral characteristics of a semiconductor film structure based on lead selenide to the long-wavelength region of the spectrum and, accordingly, to ensure that the maximum of these characteristics is in the wavelength range 4.0 <λ≤5.0 μm, the substrate should be made of material, TECL of which at room temperature lies in the range from 10 · 10 -6 ° C -1 to 26 · 10 -6 ° C -1 . This effect is due to the fact that after heat treatment and subsequent cooling, a lead selenide film bonded to a substrate of a material having the above TEC values undergoes biaxial compression or tensile deformation in the plane of the substrate, which leads to a change in the band gap of lead selenide and the corresponding shift of spectral characteristics of fabricated semiconductor structures.
Следует отметить, что максимум спектральной характеристики фоточувствительности одной и той же полупроводниковой структуры в общем случае не совпадает с максимумом спектральной характеристики ее излучения, который располагается примерно на половине спада спектральной характеристики фоточувствительности. Однако, при использовании подложки из материала с ТКЛР, лежащим в указанном выше диапазоне, можно обеспечить положение максимума спектральных характеристик в диапазоне длин волн 4,0<λ≤5,0 мкм, как для излучающих, так и фоточувствительных структур.It should be noted that the maximum of the spectral characteristic of the photosensitivity of the same semiconductor structure in the general case does not coincide with the maximum of the spectral characteristic of its radiation, which is approximately half the decrease in the spectral characteristic of photosensitivity. However, when using a substrate of a material with a thermal expansion coefficient lying in the above range, it is possible to ensure the position of the maximum spectral characteristics in the wavelength range of 4.0 <λ≤5.0 μm, both for emitting and photosensitive structures.
Из круга материалов, пригодных для изготовления подложек, ТКЛР которых лежит в указанном выше диапазоне, следует преимущественно выбирать материалы, не обладающие хрупкостью, устойчивые к воздействию высоких температур, влаги, специальных химических реактивов, используемых в технологии изготовления полупроводниковых структур. Кроме того, желательно, чтобы из них можно было получать достаточно тонкие плоскопараллельные пластины с возможностью разделения сформированных полупроводниковых структур на отдельные чипы.From the range of materials suitable for the manufacture of substrates, whose thermal expansion coefficient lies in the above range, it is preferable to choose materials that are not brittle, resistant to high temperatures, moisture, special chemicals used in the manufacture of semiconductor structures. In addition, it is desirable that sufficiently thin plane-parallel plates can be obtained from them with the possibility of dividing the formed semiconductor structures into separate chips.
В качестве материала подложки в заявляемом способе, в частности, могут быть использованы такие материалы, значения ТКЛР которых лежат в указанном выше диапазоне, как металлы, например алюминий и его сплавы, керамические материалы на основе фторидов щелочных или щелочноземельных металлов и их композитов, силикатные стекла.As the substrate material in the claimed method, in particular, such materials can be used, the thermal expansion coefficient of which lies in the above range, such as metals, for example aluminum and its alloys, ceramic materials based on alkali or alkaline earth metal fluorides and their composites, silicate glasses .
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации заявляемого изобретения, является создание фоточувствительных и излучающих структур на основе селенида свинца, у которых максимум спектральных характеристик находится в диапазоне длин волн 4,0<λ≤5,0 мкм.Thus, the technical result achieved by the implementation of the claimed invention is the creation of photosensitive and emitting structures based on lead selenide, in which the maximum spectral characteristics are in the wavelength range of 4.0 <λ≤5.0 μm.
Кроме того, в заявляемом способе поликристаллическую пленку селенида свинца формируют непосредственно на подложке, а не на поверхности какого-либо расположенного на подложке функционального элемента (интерференционного фильтра, интерференционного зеркала и прочее), что приводит к упрощению способа.In addition, in the inventive method, a polycrystalline film of lead selenide is formed directly on the substrate, and not on the surface of any functional element located on the substrate (interference filter, interference mirror, etc.), which simplifies the method.
В случае выполнения подложки из алюминия или его сплава, сформированная на такой подложке фоточувствительная полупроводниковая структура имеет дополнительное положительное свойство, связанное с тем, что за счет зеркальных свойств поверхности указанной подложки часть прошедшего через пленку селенида свинца излучения отражается от зеркальной поверхности подложки и возвращается в указанную пленку, увеличивая ее фотоотклик до 30%.In the case of a substrate made of aluminum or its alloy, the photosensitive semiconductor structure formed on such a substrate has an additional positive property, due to the fact that due to the mirror properties of the surface of the specified substrate, part of the radiation transmitted through the selenide film of lead is reflected from the mirror surface of the substrate and returns to the specified film, increasing its photoresponse up to 30%.
В случае выполнения подложки из алюминия или его сплава, ее поверхность может быть покрыта пленкой двуокиси алюминия, или моноокиси, или двуокиси кремния с толщиной от 10 до 200 нм. Тем самым обеспечивается изоляция пленки селенида свинца от металлической подложки. Кроме того, указанная окисная пленка обеспечивает более прочное сцепление материала подложки и селенида свинца за счет ее частичного сплавления окисной пленки с продуктами окисления селенида свинца, которое происходит в процессе термической обработки полупроводниковой структуры.If the substrate is made of aluminum or its alloy, its surface can be covered with a film of aluminum dioxide, or monoxide, or silicon dioxide with a thickness of 10 to 200 nm. This ensures the isolation of the lead selenide film from the metal substrate. In addition, this oxide film provides a stronger adhesion of the substrate material and lead selenide due to its partial fusion of the oxide film with the products of oxidation of lead selenide, which occurs during the heat treatment of the semiconductor structure.
В случае выполнения подложки из поликристаллического керамического материала на основе фторида магния, или фторида бария, или фторида кальция, или фторида лития, или на основе их композитов, обеспечивается получение фоточувствительных и излучающих полупроводниковых структур с высокими оптоэлектронными характеристиками. При этом указанный материал подложки обеспечивает возможность изготовления оптоэлектронных элементов большой площади, так как он обладает высокой механической прочностью и технологичностью.In the case of making a substrate of a polycrystalline ceramic material based on magnesium fluoride, or barium fluoride, or calcium fluoride, or lithium fluoride, or based on their composites, photosensitive and emitting semiconductor structures with high optoelectronic characteristics are obtained. Moreover, the specified substrate material provides the possibility of manufacturing optoelectronic elements of a large area, since it has high mechanical strength and manufacturability.
В случае выполнения подложки, изготовленной из указанного выше керамического материала, поверхность которой покрыта пленкой двуокиси или моноокиси кремния, имеющей толщину от 10 до 100 нм, улучшается сцепление материала подложки и пленки селенида свинца.In the case of a substrate made of the above ceramic material, the surface of which is coated with a film of silicon dioxide or silicon dioxide having a thickness of 10 to 100 nm, the adhesion of the substrate material and the lead selenide film is improved.
В случае выполнения подложки из силикатного стекла повышается экономичность способа, поскольку силикатное стекло является недорогим и широко распространенным материалом. При этом силикатное стекло, используемое в заявляемом способе, в отличие от традиционно используемых для изготовления подложек марок силикатного стекла, имеет ТКЛР 10·10-6 °С-1 и выше, что достигается путем повышения содержания в стекле доли окислов щелочных металлов (примерно до 30%).In the case of the implementation of the substrate of silicate glass increases the efficiency of the method, since silicate glass is an inexpensive and widespread material. In this case, the silicate glass used in the claimed method, in contrast to the silicate glass grades traditionally used for the manufacture of substrates, has a TLCR of 10 · 10 -6 ° C -1 and higher, which is achieved by increasing the content of alkali metal oxides in the glass (up to thirty%).
На фиг.1 представлены спектральная характеристика фоточувствительности (кривая 1) и спектральная характеристика излучения (кривая 2) структуры, имеющей подложку из алюминия, покрыгую пленкой диоксида алюминия; на фиг.2 представлена спектральная характеристика излучения структуры, имеющей подложку из поликристаллического керамического материала на основе фторида бария, покрытую пленкой моноокиси кремния; на фиг.3 представлены спектральная характеристика фоточувствительности (кривая 1) и спектральная характеристика излучения (кривая 2) структуры, имеющей подложку из силикатного стекла с ТКЛР 13·10-6 °С-1. На фиг.1, 2, 3 по оси ординат указаны значения параметров, характеризующих фоточувствительность и излучательную способность соответствующих структур в относительных единицах (отн. ед.), а по оси абсцисс указаны значения длины волны λ в мкм.Figure 1 shows the spectral characteristic of photosensitivity (curve 1) and the spectral characteristic of radiation (curve 2) of a structure having an aluminum substrate coated with an aluminum dioxide film; figure 2 presents the spectral characteristic of the radiation of a structure having a substrate of polycrystalline ceramic material based on barium fluoride, coated with a film of silicon monoxide; figure 3 presents the spectral characteristic of photosensitivity (curve 1) and the spectral characteristic of radiation (curve 2) of a structure having a silicate glass substrate with a TECL of 13 · 10 -6 ° C -1 . In figures 1, 2, 3, the ordinates show the values of the parameters characterizing the photosensitivity and emissivity of the corresponding structures in relative units (rel. Units), and the abscissa shows the values of the wavelength λ in microns.
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
На подложке, изготовленной из материала, имеющего ТКЛР, лежащий в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6 °С-1, формируют поликристаллическую пленку селенида свинца методом термического вакуумного напыления.A polycrystalline film of lead selenide is formed by thermal vacuum spraying on a substrate made of a material having a thermal expansion coefficient lying in the range from 10 · 10 -6 ° С -1 to 26 · 10 -6 ° С -1 .
Затем осуществляют термическую обработку сформированной на подложке пленки селенида свинца в кислородсодержащей среде при температуре (450-650)°С.Then carry out the heat treatment of the film formed on the substrate of lead selenide in an oxygen-containing medium at a temperature of (450-650) ° C.
Полученная полупроводниковая структура на основе селенида свинца может быть использована в составе фотоприемного или излучающего устройства.The resulting selenide structure based on lead selenide can be used as part of a photodetector or emitting device.
Возможность реализации заявляемого способа показана в примерах конкретного выполнения.The possibility of implementing the proposed method is shown in examples of specific performance.
Пример 1.Example 1
Для изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца использовали подложку, выполненную из алюминия чистотой 99,99%, имеющего при комнатной температуре ТКЛР, равный 23,0·10-6 °С-1. Толщина подложки составляла 0,3 мм. Подложку подвергали электрополировке и на ее поверхности методом анодирования формировали пленку диоксида алюминия толщиной 100 нм.For the manufacture of a semiconductor structure based on lead selenide, a substrate made of 99.99% pure aluminum with a TECL at room temperature equal to 23.0 · 10 -6 ° C -1 was used . The thickness of the substrate was 0.3 mm. The substrate was electropolished, and an alumina film 100 nm thick was formed by anodizing on its surface.
На подложке методом термического вакуумного напыления при температуре подложки 250°С формировали поликристаллическую пленку селенида свинца толщиной 1,0 мкм.On a substrate by thermal vacuum deposition at a substrate temperature of 250 ° C, a polycrystalline film of lead selenide was formed with a thickness of 1.0 μm.
Сформированную на подложке пленку селенида свинца подвергали термической обработке в атмосфере кислорода воздуха при температуре около 500°С.The lead selenide film formed on the substrate was subjected to heat treatment in an atmosphere of atmospheric oxygen at a temperature of about 500 ° C.
После отжига полученную полупроводниковую структуру охлаждали до комнатной температуры.After annealing, the resulting semiconductor structure was cooled to room temperature.
На фиг.1 представлена спектральная характеристика фоточувствительности (кривая 1) и спектральная характеристика излучения (кривая 2) полученной структуры. Как видно из кривой 1 и 2 максимум фоточувствительности структуры соответствует длине волны 4,6 мкм, а максимум ее излучения приходится на длину волны 4,8 мкм.Figure 1 shows the spectral characteristic of photosensitivity (curve 1) and the spectral characteristic of radiation (curve 2) of the resulting structure. As can be seen from
Пример 2.Example 2
Для изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца использовали подложку, выполненную из поликристаллической керамики на основе фторида бария, имеющей при комнатной температуре ТКЛР, равный 18·10-6 °С-1. Толщина подложки составляла 1,5 мм. На поверхности подложки методом напыления формировали пленку моноокиси кремния толщиной 70 нм.To fabricate a semiconductor structure based on lead selenide, a substrate made of polycrystalline barium fluoride based ceramics having a TECL at room temperature equal to 18 · 10 -6 ° C -1 was used . The thickness of the substrate was 1.5 mm. A 70 nm thick silicon monoxide film was formed on the surface of the substrate by sputtering.
На подложке методом термического вакуумного напыления при температуре подложки 200°С формировали поликристаллическую пленку селенида свинца толщиной 1,0 мкм.On a substrate by thermal vacuum deposition at a substrate temperature of 200 ° C, a polycrystalline film of lead selenide 1.0 μm thick was formed.
Сформированную на подложке пленку селенида свинца подвергали термической обработке в атмосфере кислорода воздуха при температуре около 500°С.The lead selenide film formed on the substrate was subjected to heat treatment in an atmosphere of atmospheric oxygen at a temperature of about 500 ° C.
После отжига полученную полупроводниковую структуру охлаждали до комнатной температуры.After annealing, the resulting semiconductor structure was cooled to room temperature.
На фиг.2 представлена спектральная характеристика излучения полученной структуры. Как видно из зависимости, представленной на фиг.2, максимум излучения указанной структуры приходится на длину волны 4,4 мкм.Figure 2 presents the spectral characteristic of the radiation of the resulting structure. As can be seen from the dependence presented in figure 2, the maximum radiation of this structure falls on a wavelength of 4.4 microns.
Пример 3.Example 3
Для изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца использовали подложку, выполненную из силикатного стекла, имеющего при комнатной температуре ТКЛР, равный 13·10-6 °С-1. Толщина подложки составляла 0,2 мм.For the manufacture of a semiconductor structure based on lead selenide, a substrate made of silicate glass with a TECL at room temperature equal to 13 · 10 -6 ° С -1 was used . The thickness of the substrate was 0.2 mm.
На подложке методом термического вакуумного напыления при температуре подложки 200°С формировали поликристаллическую пленку селенида свинца толщиной 1,0 мкм.On a substrate by thermal vacuum deposition at a substrate temperature of 200 ° C, a polycrystalline film of lead selenide 1.0 μm thick was formed.
Сформированную на подложке пленку селенида свинца подвергали термической обработке в атмосфере кислорода воздуха при температуре около 500°С.The lead selenide film formed on the substrate was subjected to heat treatment in an atmosphere of atmospheric oxygen at a temperature of about 500 ° C.
После отжига полученную полупроводниковую структуру охлаждали до комнатной температуры.After annealing, the resulting semiconductor structure was cooled to room temperature.
На фиг.3 представлена спектральная характеристика фоточувствительности (кривая 1) и спектральная характеристика излучения (кривая 2) полученной структуры. Как видно из кривой 1 и 2 максимум фоточувствительности указанной структуры соответствует длине волны 4,1 мкм, а максимум ее излучения приходится на длину волны 4,3 мкм.Figure 3 presents the spectral characteristic of photosensitivity (curve 1) and the spectral characteristic of radiation (curve 2) of the resulting structure. As can be seen from
Claims (6)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012114585/28A RU2493632C1 (en) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | Method of making lead selenide-based semiconductor structure |
| PCT/RU2013/000294 WO2013154462A2 (en) | 2012-04-12 | 2013-04-05 | Method for manufacturing a semiconductor structure on the basis of lead selenide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012114585/28A RU2493632C1 (en) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | Method of making lead selenide-based semiconductor structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2493632C1 true RU2493632C1 (en) | 2013-09-20 |
Family
ID=49183561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012114585/28A RU2493632C1 (en) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | Method of making lead selenide-based semiconductor structure |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2493632C1 (en) |
| WO (1) | WO2013154462A2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552588C1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | METHOD FOR MAKING PbSnSe SUBSTITUTION SOLID SOLUTION FILMS BY ION EXCHANGE PROCESS |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2298258C1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" ФГУП "НПО "ОРИОН" | Method for assembling lead chalcogenide based infrared-radiation photodetectors |
| EP1852920A1 (en) * | 2004-12-29 | 2007-11-07 | Ministerio De Defensa | Method of treating polycrystalline lead selenide infrared detectors |
| EP1876652A1 (en) * | 2005-04-29 | 2008-01-09 | Ministerio De Defensa | Method of treating non-refrigerated, spectrally-selective lead selenide infrared detectors |
| RU2357321C1 (en) * | 2008-01-15 | 2009-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский институт Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий" | Method of making chemically deposited lead selenide films sensitive to infrared radiation |
-
2012
- 2012-04-12 RU RU2012114585/28A patent/RU2493632C1/en active
-
2013
- 2013-04-05 WO PCT/RU2013/000294 patent/WO2013154462A2/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1852920A1 (en) * | 2004-12-29 | 2007-11-07 | Ministerio De Defensa | Method of treating polycrystalline lead selenide infrared detectors |
| EP1876652A1 (en) * | 2005-04-29 | 2008-01-09 | Ministerio De Defensa | Method of treating non-refrigerated, spectrally-selective lead selenide infrared detectors |
| RU2298258C1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" ФГУП "НПО "ОРИОН" | Method for assembling lead chalcogenide based infrared-radiation photodetectors |
| RU2357321C1 (en) * | 2008-01-15 | 2009-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский институт Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий" | Method of making chemically deposited lead selenide films sensitive to infrared radiation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552588C1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | METHOD FOR MAKING PbSnSe SUBSTITUTION SOLID SOLUTION FILMS BY ION EXCHANGE PROCESS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013154462A3 (en) | 2014-01-03 |
| WO2013154462A2 (en) | 2013-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2976577B1 (en) | Absorbent material and solar panel using such a material | |
| JP6821084B2 (en) | Radiative cooling device | |
| JP2002254550A (en) | Composite material | |
| JP2011221048A (en) | Anti-reflection coating and optical element for infrared ray | |
| EP2412685A2 (en) | Thermochromic smart window and method of manufacturing the same | |
| JP5148839B2 (en) | Antireflection film for infrared light | |
| Agbo et al. | Structural and optical properties of sulphurised Ag2S thin films | |
| EP2913604B1 (en) | Use of heat-to-light conversion member | |
| JP5896889B2 (en) | Optical selective membrane | |
| Afanas’ev et al. | New luminescent glasses and prospects of using them in solar energy | |
| RU2493632C1 (en) | Method of making lead selenide-based semiconductor structure | |
| JP2007264353A (en) | Wavelength selective thin film | |
| TWI469929B (en) | New compound semiconductors and their application | |
| JP4666217B2 (en) | Photonic crystal manufacturing method | |
| US20180163995A1 (en) | Selective Solar Absorbers with Tuned Oxygen Deficiency and Methods of Fabrication Thereof | |
| JPS60185903A (en) | Method of forming composite film | |
| JP4748421B2 (en) | High performance thermochromic device | |
| FR3069241A1 (en) | MATERIAL COMPRISING A STACK WITH THERMAL PROPERTIES | |
| Prabahar et al. | Optical properties of copper indium diselenide thin films | |
| Dan et al. | Thermal stability of WAlN/WAlON/Al2O3-based solar selective absorber coating | |
| JP2006030327A (en) | Method for determining film thickness of light control layer of high-performance automatic light control and heat insulating glass | |
| JP2007251114A (en) | Substrate for high-performance solar cell having optical multi-layer film, and manufacturing method therefor | |
| Bañobre et al. | Radiative Properties of Thin Films of Common Dielectric Materials in the IR Spectral Range of 1.5–14.2 μ m: Application to Infrared Imaging | |
| JP2015505900A (en) | Yttrium oxide coated optical element with improved mid-infrared performance | |
| JPH06194518A (en) | Radiational cooling film |