RU2485675C1 - Selective amplifier - Google Patents

Selective amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2485675C1
RU2485675C1 RU2012107319/08A RU2012107319A RU2485675C1 RU 2485675 C1 RU2485675 C1 RU 2485675C1 RU 2012107319/08 A RU2012107319/08 A RU 2012107319/08A RU 2012107319 A RU2012107319 A RU 2012107319A RU 2485675 C1 RU2485675 C1 RU 2485675C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input transistor
collector
input
transistor
bus
Prior art date
Application number
RU2012107319/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Георгиевич Крутчинский
Николай Николаевич Прокопенко
Петр Сергеевич Будяков
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012107319/08A priority Critical patent/RU2485675C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2485675C1 publication Critical patent/RU2485675C1/en

Links

Images

Classifications

    • Y02B60/50—

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, communications.
SUBSTANCE: between a collector of the first (2) input transistor and an emitter of the second (6) input transistor there are the following serially connected components: the third (11) resistor and the second (13) correcting capacitor, between the collector of the second (2) input transistor and buses of the first (5) and second (9) sources of power supply there is the third (16) correcting capacitor connected by AC, the base of the output transistor (14) is connected to the collector of the second (6) input transistor, its collector is connected to the second (9) bus of the power supply source, and the emitter is connected with the output of the device (17) and via the third (18) current-stabilising dipole to the first (5) bus of the power supply source, besides, between the output of the device (17) and the input of the device (1) there is the fourth (12) resistor connected.
EFFECT: higher quality of amplifier amplitude-frequency characteristic and its amplification ratio by voltage at quasiresonance frequency f0, possibility to reduce overall power consumption and to implement a high-quality selective microwave device.
2 cl, 5 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п.The present invention relates to the field of radio engineering and communications and can be used in microwave filtering devices of radio signals from cellular communication systems, satellite television, radar, etc.

В задачах выделения высокочастотных и СВЧ сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа транзисторов, образующих операционный усилитель СВЧ-диапазона [1, 2]. В этой связи достаточно актуальной является задача построения СВЧ избирательных усилителей ИУ на трех-четырех транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с достаточно высокой добротностью резонансной характеристики Q=2÷10 и f0=1÷5 ГГц при малом энергопотреблении.Integrated operational amplifiers with special RC correction elements that form the amplitude-frequency characteristic of the resonance type are widely used today in the problems of extracting high-frequency and microwave signals [1, 2]. However, the classical construction of such selective amplifiers (DUTs) is accompanied by significant energy losses, which are mainly used to ensure the static mode of a sufficiently large number of transistors forming an operational amplifier of the microwave range [1, 2]. In this regard, the task of constructing microwave selective amplifier DIs on three to four transistors, providing the selection of a narrow spectrum of signals with a sufficiently high quality factor of the resonant characteristic Q = 2 ÷ 10 and f 0 = 1 ÷ 5 GHz at low power consumption, is quite relevant.

Известны схемы усилителей, интегрированных в архитектуру RC-фильтров на основе биполярных транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=fв-fн [3-15]. Причем их верхняя граничная частота fв иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя fн определяется входным корректирующим конденсатором.Known amplifier circuits integrated into the architecture of RC filters based on bipolar transistors, which provide the formation of the amplitude-frequency characteristics of the voltage gain in a given frequency range Δf = f in -f n [3-15]. Moreover, their upper cutoff frequency f in is sometimes formed by the inertia of the transistors of the circuit (capacitance per substrate), and the lower f n is determined by the input correction capacitor.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель, представленный в патенте US 6.642.794. Он содержит вход 1, который связан с эмиттером первого 2 входного транзистора через первый 3 корректирующий конденсатор, первый токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером первого 2 входного транзистора и первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной транзистор, база которого соединена с базой первого 2 входного транзистора и подключена к источнику вспомогательного напряжения 7, первый 8 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором первого 2 входного транзистора, второй 10 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором второго 6 входного транзистора, третий 11 и четвертый 12 резисторы, второй 13 корректирующий конденсатор, выходной транзистор 14 и второй 15 токостабилизирующий двухполюсник.The closest prototype of the claimed device is a selective amplifier, presented in patent US 6.642.794. It contains input 1, which is connected to the emitter of the first 2 input transistor through the first 3 correction capacitor, the first current-stabilizing two-terminal 4 connected between the emitter of the first 2 input transistor and the first 5 bus of the power source, the second 6 input transistor, the base of which is connected to the base of the first 2 input transistor and connected to the auxiliary voltage source 7, the first 8 resistor connected between the second 9 bus of the power source and the collector of the first 2 input transistor, the second 10 resistor is turned on between the second 9 bus of the power supply and the collector of the second 6 input transistor, the third 11 and fourth 12 resistors, the second 13 correction capacitor, the output transistor 14 and the second 15 current-stabilizing two-terminal device.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что оно не обеспечивает высокую добротность

Figure 00000001
амплитудно-частотной характеристики и коэффициент усиления по напряжению К0>1 на частоте квазирезонанса (f0).A significant disadvantage of the known device is that it does not provide high quality factor
Figure 00000001
amplitude-frequency characteristics and voltage gain K 0 > 1 at the frequency of quasi-resonance (f 0 ).

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f0. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство СВЧ диапазона с f0=1÷5 ГГц.The main objective of the invention is to increase the quality factor of the frequency response of the amplifier and its voltage gain at the frequency of quasi-resonance f 0 . This allows in some cases to reduce the total power consumption and to implement a high-quality microwave device with f 0 = 1 ÷ 5 GHz.

Поставленная задача решается тем, что в усилителе фиг.1, содержащем вход 1, который связан с эмиттером первого 2 входного транзистора через первый 3 корректирующий конденсатор, первый токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером первого 2 входного транзистора и первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной транзистор, база которого соединена с базой первого 2 входного транзистора и подключена к источнику вспомогательного напряжения 7, первый 8 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором первого 2 входного транзистора, второй 10 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором второго 6 входного транзистора, третий 11 и четвертый 12 резисторы, второй 13 корректирующий конденсатор, выходной транзистор 14 и второй 15 токостабилизирующий двухполюсник, предусмотрены новые элементы и связи - между коллектором первого 2 входного транзистора и эмиттером второго 6 входного транзистора включены последовательно соединенные третий 11 резистор и второй 13 корректирующий конденсатор, между коллектором второго 2 входного транзистора и шинами первого 5 и второго 9 источников питания включен по переменному току третий 16 корректирующий конденсатор, база выходного транзистора 14 подключена к коллектору второго 6 входного транзистора, его коллектор связан со второй 9 шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства 17 и через третий 18 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания, причем между выходом устройства 17 и входом устройства 1 включен четвертый 12 резистор.The problem is solved in that in the amplifier of figure 1, containing input 1, which is connected to the emitter of the first 2 input transistor through the first 3 correction capacitor, the first current-stabilizing two-terminal 4 connected between the emitter of the first 2 input transistor and the first 5 bus power source, the second 6 input transistor, the base of which is connected to the base of the first 2 input transistor and is connected to the auxiliary voltage source 7, the first 8 resistor connected between the second 9 bus of the power source and the collector ne 2 input transistors, a second 10 resistor connected between the second 9 bus of the power source and the collector of the second 6 input transistor, the third 11 and fourth 12 resistors, the second 13 correction capacitor, the output transistor 14 and the second 15 current-stabilizing two-pole, new elements and communications are provided - between the collector of the first 2 input transistor and the emitter of the second 6 input transistor, a third 11 resistor and a second 13 correction capacitor are connected in series, between the collector of the second 2 input about the transistor and the buses of the first 5 and second 9 power sources, an alternating current third 16 correction capacitor is turned on, the base of the output transistor 14 is connected to the collector of the second 6 input transistor, its collector is connected to the second 9 bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device 17 through the third 18, the current-stabilizing two-terminal is connected to the first 5 bus of the power source, and a fourth 12 resistor is connected between the output of the device 17 and the input of the device 1.

Схема усилителя-прототипа показана на чертеже фиг.1. На чертеже фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in the drawing of figure 1. The drawing of figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with the claims.

На чертеже фиг.3 приведена схема ИУ фиг.2 в среде Cadence на моделях SiGe транзисторов с входным преобразователем «напряжение-ток» на транзисторе Q17.The drawing of Fig. 3 shows a diagram of the DUT of Fig. 2 in a Cadence environment on SiGe models of transistors with an input voltage-current converter on transistor Q17.

На чертеже фиг.4 показаны логарифмические амплитудно-частотная (ЛАЧХ) и фазо-частотная характеристики ИУ фиг.3 в диапазоне частот от 100 мГц до 10 ГГц, а на чертеже фиг.5 - в диапазоне частот от 100 кГц до 100 ГГц.The drawing of figure 4 shows the logarithmic amplitude-frequency (LAC) and phase-frequency characteristics of the DUT of figure 3 in the frequency range from 100 MHz to 10 GHz, and in the drawing of figure 5 - in the frequency range from 100 kHz to 100 GHz.

Избирательный усилитель фиг.2 содержит вход 1, который связан с эмиттером первого 2 входного транзистора через первый 3 корректирующий конденсатор, первый токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером первого 2 входного транзистора и первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной транзистор, база которого соединена с базой первого 2 входного транзистора и подключена к источнику вспомогательного напряжения 7, первый 8 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором первого 2 входного транзистора, второй 10 резистор, включенный между второй 9 шиной источника питания и коллектором второго 6 входного транзистора, третий 11 и четвертый 12 резисторы, второй 13 корректирующий конденсатор, выходной транзистор 14 и второй 15 токостабилизирующий двухполюсник. Между коллектором первого 2 входного транзистора и эмиттером второго 6 входного транзистора включены последовательно соединенные третий 11 резистор и второй 13 корректирующий конденсатор, между коллектором второго 2 входного транзистора и шинами первого 5 и второго 9 источников питания включен по переменному току третий 16 корректирующий конденсатор, база выходного транзистора 14 подключена к коллектору второго 6 входного транзистора, его коллектор связан со второй 9 шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства 17 и через третий 18 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания, причем между выходом устройства 17 и входом устройства 1 включен четвертый 12 резистор.The selective amplifier of figure 2 contains input 1, which is connected to the emitter of the first 2 input transistor through the first 3 correction capacitor, the first current-stabilizing two-terminal 4 connected between the emitter of the first 2 input transistor and the first 5 bus of the power source, the second 6 input transistor, the base of which is connected with the base of the first 2 input transistor and connected to the auxiliary voltage source 7, the first 8 resistor connected between the second 9 bus of the power source and the collector of the first 2 input transistor , a second 10 resistor connected between the second 9 bus of the power source and the collector of the second 6 input transistor, the third 11 and fourth 12 resistors, the second 13 correction capacitor, the output transistor 14 and the second 15 current-stabilizing two-terminal device. Between the collector of the first 2 input transistor and the emitter of the second 6 input transistor, a third 11 resistor and a second 13 correction capacitor are connected in series, between the collector of the second 2 input transistor and the buses of the first 5 and second 9 power supplies, the third 16 correction capacitor is connected via alternating current, the base of the output transistor 14 is connected to the collector of the second 6 input transistor, its collector is connected to the second 9 bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device 17 and through the third 18 current-stabilizing bipolar connected to the first 5 bus power source, and between the output of the device 17 and the input of the device 1 is connected to the fourth 12 resistor.

Рассмотрим работу ИУ фиг.2.Consider the operation of the DUT figure 2.

Взаимодействие выходной цепи ИУ через последовательное соединение резистора 12 и конденсатора 3 с эмиттером транзистора 2 обеспечивает реализацию контура обратной связи. При этом в силу дифференциальных свойств этой цепи в области нижних частот (f<<f0) эта обратная связь является реактивной, а в силу интегрирующих свойств коллекторной нагрузки транзистора 2 (резистор 8 и конденсатор 16) в области верхних частот (f>>f0) глубина этой обратной связи асимптотически уменьшается. Именно эти свойства эмиттерной и коллекторной цепей транзистора 2 обеспечивают вещественность обратной связи на частоте квазирезонанса f0 ИУ, и поэтому ее действие направлено на увеличение добротности Q и коэффициента усиления К0 устройства при сохранении неизменной указанной частоты f0.The interaction of the output circuit of the DUT through a serial connection of the resistor 12 and the capacitor 3 with the emitter of the transistor 2 provides the implementation of the feedback loop. Moreover, due to the differential properties of this circuit in the low frequency region (f << f 0 ), this feedback is reactive, and due to the integrating properties of the collector load of transistor 2 (resistor 8 and capacitor 16) in the high frequency region (f >> f 0 ) the depth of this feedback decreases asymptotically. It is these properties of the emitter and collector circuits of transistor 2 that provide feedback materiality at the quasi-resonance frequency f 0 of the DUT, and therefore its action is aimed at increasing the quality factor Q and the gain K 0 of the device while maintaining the specified frequency f 0 .

Комплексный коэффициент передачи по напряжению Ky(jf) избирательного усилителя фиг.2 определяется соотношением, которое можно получить с помощью методов анализа электронных схем:The complex voltage transfer coefficient K y (jf) of the selective amplifier of FIG. 2 is determined by the ratio that can be obtained using electronic circuit analysis methods:

Figure 00000002
Figure 00000002

αi - коэффициент передачи эмиттерного тока i-го транзистора.α i is the transmission coefficient of the emitter current of the i-th transistor.

Важной особенностью схемы фиг.2 является возможность реализации ИУ с различными потребительскими свойствами. Так при выборе условияAn important feature of the scheme of figure 2 is the ability to implement DUT with various consumer properties. So when choosing a condition

Figure 00000003
Figure 00000003

за счет выбора параметра γ (как видно из соотношения (3)) можно реализовать дополнительные параметрические условияby choosing the parameter γ (as can be seen from relation (3)), additional parametric conditions can be realized

Figure 00000004
Figure 00000004

и обеспечить реализацию добротности, которая определяется следующими аналитическими выражениямиand ensure the implementation of the quality factor, which is determined by the following analytical expressions

Figure 00000005
Figure 00000005

Таким образом, в схеме фиг.2 добротность Q непосредственно определяется сопротивлением резистивных элементов схемы. Действительно, даже при R11<<R8 Thus, in the circuit of FIG. 2, the Q factor is directly determined by the resistance of the resistive elements of the circuit. Indeed, even with R 11 << R 8

Figure 00000006
Figure 00000006

Следовательно, выбором соотношения между R10 и R12 можно обеспечить требуемое значение Q без изменения условий получения заданной частоты квазирезонанса (2).Therefore, by choosing the ratio between R 10 and R 12, it is possible to provide the required value of Q without changing the conditions for obtaining a given frequency of quasi-resonance (2).

Отметим, что условие (5) потенциально обеспечивает увеличение динамического диапазона схемы ИУ. При этих же условиях в силу γ≤2 (см. соотношения (3) и (8)) коэффициент усиления ИУ К0 практически определяется реализуемой добротностью, что подчеркивает структурные преимущества предложенной схемы. При этом, как это следует из (2), значение частоты квазирезонанса f0 и ее параметрическая чувствительность не изменяются.Note that condition (5) potentially provides an increase in the dynamic range of the DUT circuit. Under the same conditions, due to γ≤2 (see relations (3) and (8)), the gain of the DUT K 0 is practically determined by the realized quality factor, which emphasizes the structural advantages of the proposed scheme. Moreover, as follows from (2), the value of the frequency of quasi-resonance f 0 and its parametric sensitivity do not change.

Данные теоретические выводы подтверждают графики фиг.4, фиг.5.These theoretical conclusions confirm the graphs of figure 4, figure 5.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления на частоте квазирезонанса f0 и повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства.Thus, the claimed circuit solution is characterized by higher values of the gain at the frequency of the quasi-resonance f 0 and increased values of the quality factor Q, which characterizes its selective properties.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A.Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P.Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A. Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P. Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp. 50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей / Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К.Schmalz, С.Scheytt // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем- 2010. Сборник трудов/ под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.2. Microwave SF blocks of communication systems based on fully differential operational amplifiers / Prokopenko NN, Budyakov AS, K.Schmalz, S.Scheytt // Problems of developing promising micro- and nanoelectronic systems-2010. Proceedings / under the general. ed. Academician of the Russian Academy of Sciences A.L. Stempkovsky. - M .: IPPM RAS, 2010. - P.583-586.

3. Патент US 6.642.794, fig.4.3. Patent US 6.642.794, fig. 4.

4. Патент US 5.914.639, fig.2.4. Patent US 5.914.639, fig. 2.

5. Патент US 2011/0294446.5. Patent US 2011/0294446.

6. Патент WO/2006/077525.6. Patent WO / 2006/077525.

7. Патентная заявка US 2007/0040604, fig.3.7. Patent application US 2007/0040604, fig. 3.

8. Патентная заявка US 2006/018695, fig.3.8. Patent application US 2006/018695, fig. 3.

9. Патент WO/2003/052925 A1, fig.3.9. Patent WO / 2003/052925 A1, fig. 3.

10. Патентная заявка US 2011/0109388.10. Patent application US 2011/0109388.

11. Патентная заявка US 2010/0201437.11. Patent application US 2010/0201437.

12. Патент US 5.267.518.12. Patent US 5.267.518.

13. Патент US 5.298.802.13. Patent US 5.298.802.

14. Патент US 6.972.624.14. US patent 6.972.624.

15. Патент US 7.538.616.15. Patent US 7.538.616.

Claims (2)

1. Избирательный усилитель, вход (1) которого связан с эмиттером первого (2) входного транзистора через первый (3) корректирующий конденсатор, первый токостабилизирующий двухполюсник (4), включенный между эмиттером первого (2) входного транзистора и первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной транзистор, база которого соединена с базой первого (2) входного транзистора и подключена к источнику вспомогательного напряжения (7), первый (8) резистор, включенный между второй (9) шиной источника питания и коллектором первого (2) входного транзистора, второй (10) резистор, включенный между второй (9) шиной источника питания и коллектором второго (6) входного транзистора, третий (11) и четвертый (12) резисторы, второй (13) корректирующий конденсатор, выходной транзистор (14) и второй (15) токостабилизирующий двухполюсник, отличающийся тем, что между коллектором первого (2) входного транзистора и эмиттером второго (6) входного транзистора включены последовательно соединенные третий (11) резистор и второй (13) корректирующий конденсатор, между коллектором второго (2) входного транзистора и шинами первого (5) и второго (9) источников питания включен по переменному току третий (16) корректирующий конденсатор, база выходного транзистора (14) подключена к коллектору второго (6) входного транзистора, его коллектор связан со второй (9) шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства (17) и через третий (18) токостабилизирующий двухполюсник связан с первой (5) шиной источника питания, причем между выходом устройства (17) и входом устройства (1) включен четвертый (12) резистор.1. A selective amplifier, the input (1) of which is connected to the emitter of the first (2) input transistor through the first (3) correction capacitor, the first current-stabilizing two-terminal device (4) connected between the emitter of the first (2) input transistor and the first (5) source bus power supply, a second (6) input transistor, the base of which is connected to the base of the first (2) input transistor and is connected to an auxiliary voltage source (7), the first (8) resistor connected between the second (9) power supply bus and the collector of the first (2) ) input transistor a, a second (10) resistor connected between the second (9) bus of the power supply and the collector of the second (6) input transistor, the third (11) and fourth (12) resistors, the second (13) correction capacitor, the output transistor (14) and a second (15) current-stabilizing two-terminal device, characterized in that a third (11) resistor and a second (13) correction capacitor are connected in series between the collector of the first (2) input transistor and the emitter of the second (6) input transistor, between the collector of the second (2) input transistor and busbar primary about (5) and second (9) power sources, the third (16) correction capacitor is turned on by alternating current, the base of the output transistor (14) is connected to the collector of the second (6) input transistor, its collector is connected to the second (9) bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device (17) and through the third (18) current-stabilizing two-terminal device is connected to the first (5) bus of the power source, and a fourth (12) resistor is connected between the output of the device (17) and the input of the device (1). 2. Избирательный усилитель по п.1, отличающийся тем, что ко входу устройства (1) подключен источник сигнала с высоким выходным сопротивлением. 2. A selective amplifier according to claim 1, characterized in that a signal source with a high output resistance is connected to the input of the device (1).
RU2012107319/08A 2012-02-28 2012-02-28 Selective amplifier RU2485675C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012107319/08A RU2485675C1 (en) 2012-02-28 2012-02-28 Selective amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012107319/08A RU2485675C1 (en) 2012-02-28 2012-02-28 Selective amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2485675C1 true RU2485675C1 (en) 2013-06-20

Family

ID=48786538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012107319/08A RU2485675C1 (en) 2012-02-28 2012-02-28 Selective amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2485675C1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0387951A1 (en) * 1989-03-15 1990-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Current amplifier
WO2009037625A2 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Nxp B.V. Tunable rf filter
RU2421882C1 (en) * 2010-05-24 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Two-cascade hf-amplifier

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0387951A1 (en) * 1989-03-15 1990-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Current amplifier
WO2009037625A2 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Nxp B.V. Tunable rf filter
RU2421882C1 (en) * 2010-05-24 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Two-cascade hf-amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2479112C1 (en) Selective amplifier
RU2467470C1 (en) Selective amplifier
RU2485675C1 (en) Selective amplifier
RU2488955C1 (en) Non-inverting current amplifier-based selective amplifier
RU2467469C1 (en) Selective amplifier
RU2480896C1 (en) Selective amplifier
RU2480895C1 (en) Selective amplifier
RU2475943C1 (en) Selective amplifier
RU2469466C1 (en) Selective amplifier
RU2488953C1 (en) Selective amplifier
RU2515544C2 (en) LOW CURRENT CONSUMPTION SELECTIVE AMPLIFIER FOR SiGe TECHNOLOGICAL PROCESSES
RU2507675C1 (en) Selective amplifier
RU2479115C1 (en) Selective amplifier
RU2467471C1 (en) Selective amplifier
RU2485673C1 (en) Selective amplifier
RU2479108C1 (en) Selective amplifier
RU2474039C1 (en) Selective amplifier
RU2479116C1 (en) Selective amplifier
RU2520418C2 (en) Controlled selective amplifier
RU2475944C1 (en) Selective amplifier
RU2504073C1 (en) Selective amplifier with paraphase output
RU2468499C1 (en) Selective amplifier
RU2479107C1 (en) Selective amplifier with paraphase output
RU2519558C2 (en) Selective amplifier
RU2543298C2 (en) Controlled selective amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140301