RU2467469C1

RU2467469C1 - Selective amplifier

Info

Publication number: RU2467469C1
Application number: RU2011147256/08A
Authority: RU
Inventors: Николай Николаевич Прокопенко (RU); Николай Николаевич Прокопенко; Александр Игоревич Серебряков (RU); Александр Игоревич Серебряков; Николай Васильевич Ковбасюк (RU); Николай Васильевич Ковбасюк
Priority date: 2011-11-21
Filing date: 2011-11-21
Publication date: 2012-11-20

Abstract

FIELD: physics, radio.

SUBSTANCE: present invention relates to radio engineering and communication and can be used in devices for microwave filtration of radio signals of cellular communication systems, satellite television, radar etc. In some cases, the invention enables to reduce total power consumption and realise a high-quality selective microwave device with f₀=1-5 GHz. To this end, the selective amplifier has a signal source (1) connected to the input (2) of the device, a first (3) input transistor, whose collector is connected through a first (4) current-stabilising two-terminal device to the first (5) power supply bus and the input of an additional current mirror (6), the current output of which is connected through a first (7) frequency-setting resistor to the first (5) power supply bus, a first (8) balancing capacitor, connected through alternating current in parallel to the first (7) frequency-setting resistor, a second (9) current-stabilising two-terminal device, connected between the emitter of the first (3) input transistor and the second (10) power supply bus, a second (11) input transistor. Between the emitter of the first (3) and second (11) input transistors, there are series-connected second (12) balancing capacitor and second (13) frequency-setting resistor, the base of the second (11) input transistor is connected to the input (2) of the device, the collector is connected to the first (5) power supply bus, and the emitter is connected to the second (10) power supply bus through a third (14) current-stabilising two-terminal device, wherein a voltage repeater is connected between the output of the device and the base of the first (3) input transistor.

EFFECT: high Q-factor of the amplitude-frequency curve of the selective amplifier and its voltage gain at quasi-resonance frequency f₀.

4 cl, 12 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п.The present invention relates to the field of radio engineering and communications and can be used in microwave filtering devices of radio signals from cellular communication systems, satellite television, radar, etc.

В задачах выделения высокочастотных и СВЧ сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (RC-фильтров) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа транзисторов, образующих операционный усилитель СВЧ-диапазона [1, 2]. В этой связи достаточно актуальной является задача построения СВЧ избирательных усилителей ИУ на двух-трех транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с достаточно высокой добротностью резонансной характеристики Q=2÷10 и f₀=1÷5 ГГц.Integrated operational amplifiers with special RC correction elements that form the amplitude-frequency characteristic of the resonance type are widely used today in the problems of extracting high-frequency and microwave signals [1, 2]. However, the classical construction of such selective amplifiers (RC filters) is accompanied by significant energy losses, which are mainly used to ensure the static mode of a sufficiently large number of transistors forming an operational amplifier of the microwave range [1, 2]. In this regard, it is quite urgent to build microwave selective I / O amplifiers on two or three transistors, which provide a narrow signal spectrum with a sufficiently high quality factor of the resonant characteristic Q = 2 ÷ 10 and f ₀ = 1 ÷ 5 GHz.

Известны схемы усилителей с токовыми зеркалами, интегрированных в архитектуру RC-фильтров на основе транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=f_в-f_н [3-9]. Причем их верхняя граничная частота f_в иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя f_н определяется корректирующим конденсатором.Known amplifier circuits with current mirrors integrated into the architecture of RC filters based on transistors that provide the formation of the amplitude-frequency characteristics of the voltage gain in a given frequency range Δf = f _in -f _n [3-9]. Moreover, their upper cutoff frequency f _{in is} sometimes formed by the inertia of the transistors of the circuit (capacitance per substrate), and the lower f _n is determined by a correction capacitor.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель (ИУ) на n-р-n транзисторах, представленный в патенте US 4.843.343, fig.2. Он содержит источник сигнала 1, связанный со входом 2 устройства, первый 3 входной транзистор, коллектор которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания и входом дополнительного токового зеркала 6, токовый выход которого через первый 7 частотно-задающий резистор связан с первой 5 шиной источника питания, первый 8 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому 7 частотно-задающему резистору, второй 9 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 3 входного транзистора и второй 10 шиной источника питания, второй 11 входной транзистор.The closest prototype of the claimed device is a selective amplifier (DUT) on n-p-n transistors, presented in patent US 4.843.343, fig.2. It contains a signal source 1, connected to the input 2 of the device, the first 3 input transistor, the collector of which is connected through the first 4 current-stabilizing two-terminal network to the first 5 bus of the power supply and the input of the additional current mirror 6, the current output of which is connected through the first 7 frequency-setting resistor to the first 5 bus power supply, the first 8 correction capacitor connected by alternating current parallel to the first 7 frequency-setting resistor, the second 9 current-stabilizing two-terminal connected between the emitter m first 3 and second input transistor 10, the power supply bus, the second input transistor 11.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что оно не обеспечивает высокую добротность

амплитудно-частотной характеристики и коэффициент усиления по напряжению К₀>1 на частоте квазирезонанса (f₀), где f_в, f_н - верхняя (f_в) и нижняя (f_н) граничные частоты ИУ по уровню - 3 дБ.A significant disadvantage of the known device is that it does not provide high quality factor

the amplitude-frequency characteristic and voltage gain K ₀ > 1 at the quasi-resonance frequency (f ₀ ), where f _c , f _n are the upper (f _c ) and lower (f _n ) boundary frequencies of the DUT by level - 3 dB.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ избирательного усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f₀. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство СВЧ диапазона с f₀=1÷5 ГГц.The main objective of the invention is to increase the quality factor of the frequency response of the selective amplifier and its voltage gain at the frequency of quasi-resonance f ₀ . This allows in some cases to reduce the total power consumption and to implement a high-quality microwave device with f ₀ = 1 ÷ 5 GHz.

Поставленная задача решается тем, что в избирательном усилителе фиг.1, содержащем источник сигнала 1, связанный со входом 2 устройства, первый 3 входной транзистор, коллектор которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания и входом дополнительного токового зеркала 6, токовый выход которого через первый 7 частотно-задающий резистор связан с первой 5 шиной источника питания, первый 8 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому 7 частотно-задающему резистору, второй 9 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 3 входного транзистора и второй 10 шиной источника питания, второй 11 входной транзистор, предусмотрены новые элементы и связи - между эмиттерами первого 3 и второго 11 входных транзисторов включены последовательно соединенные второй 12 корректирующий конденсатор и второй 13 частотно-задающий резистор, база второго 11 входного транзистора соединена со входом 2 устройства, коллектор связан с первой 5 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 10 шиной источника питания через третий 14 токостабилизирующий двухполюсник, причем между выходом устройства и базой первого 3 входного транзистора включен повторитель напряжения.The problem is solved in that in the selective amplifier of figure 1, containing a signal source 1, connected to the input 2 of the device, the first 3 input transistor, the collector of which through the first 4 current-stabilizing two-terminal network connected to the first 5 bus power source and the input of the additional current mirror 6, the current output of which through the first 7 frequency-setting resistor is connected to the first 5 bus of the power source, the first 8-correction capacitor connected by alternating current parallel to the first 7 frequency-setting resistor, the second 9 current-stabilizing two-terminal connected between the emitter of the first 3 input transistor and the second 10 bus of the power supply, the second 11 input transistor, new elements and connections are provided - between the emitters of the first 3 and second 11 input transistors are connected in series to the second 12 correction capacitor and the second 13 frequency a master resistor, the base of the second 11 input transistor is connected to the input 2 of the device, the collector is connected to the first 5 bus of the power source, and the emitter is connected to the second 10 bus of the source ika supply via tokostabiliziruyuschy third 14 two-pole, and between the output device and the base of the first input transistor 3 is turned on a voltage follower.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in figure 1. Figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with claim 1 of the claims.

На фиг.3 показана схема ИУ в соответствии с п.2 формулы изобретения, а на фиг.4 - в соответствии с п.3 формулы изобретения.Figure 3 shows a diagram of the DUT in accordance with paragraph 2 of the claims, and figure 4 - in accordance with paragraph 3 of the claims.

На фиг.5 представлена схема ИУ по п.4 формулы изобретения.Figure 5 presents the Yiwu diagram according to claim 4 of the claims.

На фиг.6 пример практического построения заявляемого ИУ на основе выходного каскада.Figure 6 is an example of a practical construction of the claimed IU based on the output stage.

На фиг.7 приведена схема ИУ фиг.2 в среде Cadence на моделях SiGe транзисторов (техпроцесс SGB25VD), а на фиг.8 - логарифмическая амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению ИУ фиг.7 в крупном масштабе при коэффициенте передачи по току К_i6 токового зеркала 6, равном двум единицам (К_i6=2), что обеспечивается транзисторами Q₂, Q₃.Fig. 7 is a diagram of the DUT of Fig. 2 in a Cadence environment on SiGe transistor models (SGB25VD process technology), and Fig. 8 is a logarithmic amplitude-frequency characteristic of the voltage gain of the DUT of Fig. 7 on a large scale at a current transfer coefficient K _{i6 of the} current mirror 6, equal to two units (K _i6 = 2), which is provided by transistors Q ₂ , Q ₃ .

На фиг.9 показаны логарифмические амплитудно- и фазо-частотные характеристики ИУ фиг.7 в более мелком масштабе.In Fig.9 shows the logarithmic amplitude and phase-frequency characteristics of the DUT of Fig.7 on a smaller scale.

На фиг.10 приведена схема ИУ фиг.3 в среде Cadence на моделях SiGe транзисторов (техпроцесс SGB25VD).Figure 10 is a diagram of the DUT of Figure 3 in a Cadence environment on SiGe transistor models (SGB25VD process technology).

На фиг.11 показана логарифмическая амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению ИУ фиг.10 в крупном масштабе, а на фиг.12 - логарифмические амплитудно- и фазо-частотная характеристики фильтра фиг.10 в более мелком масштабе.Figure 11 shows the logarithmic amplitude-frequency characteristic of the voltage gain of the DUT of Fig. 10 on a large scale, and Fig. 12 shows the logarithmic amplitude and phase-frequency characteristics of the filter of Fig. 10 on a smaller scale.

Избирательный усилитель фиг.2 содержит источник сигнала 1, связанный со входом 2 устройства, первый 3 входной транзистор, коллектор которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания и входом дополнительного токового зеркала 6, токовый выход которого через первый 7 частотно-задающий резистор связан с первой 5 шиной источника питания, первый 8 корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому 7 частотно-задающему резистору, второй 9 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 3 входного транзистора и второй 10 шиной источника питания, второй 11 входной транзистор. Между эмиттерами первого 3 и второго 11 входных транзисторов включены последовательно соединенные второй 12 корректирующий конденсатор и второй 13 частотно-задающий резистор, база второго 11 входного транзистора соединена со входом 2 устройства, коллектор связан с первой 5 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 10 шиной источника питания через третий 14 токостабилизирующий двухполюсник, причем между выходом устройства и базой первого 3 входного транзистора включен повторитель напряжения. На чертеже фиг.2 токовое зеркало 6 реализовано на р-n переходе 18 и многоэмиттерном транзисторе 19.The selective amplifier of Fig. 2 contains a signal source 1, connected to the input 2 of the device, the first 3 input transistor, the collector of which through the first 4 current-stabilizing two-terminal device is connected to the first 5 bus power supply and the input of the additional current mirror 6, the current output of which through the first 7 frequency the driving resistor is connected to the first 5 bus of the power source, the first 8 correction capacitor connected by alternating current parallel to the first 7 frequency-setting resistor, the second 9 current-stabilizing bipolar Connected between the emitter of the first 3 and second input transistor 10, the power supply bus, the second input transistor 11. Between the emitters of the first 3 and second 11 input transistors, a second 12 correction capacitor and a second 13 frequency-setting resistor are connected in series, the base of the second 11 input transistor is connected to the input 2 of the device, the collector is connected to the first 5 bus of the power source, and the emitter is connected to the second 10 the power supply bus through the third 14 current-stabilizing two-terminal network, and a voltage follower is connected between the output of the device and the base of the first 3 input transistor. In the drawing of figure 2, the current mirror 6 is implemented on the pn junction 18 and the multi-emitter transistor 19.

На фиг.3 повторитель напряжения реализован на первом 15 вспомогательном транзисторе, цепи согласования потенциалов 16 и четвертом 17 токостабилизирующем двухполюснике, в котором база первого 15 вспомогательного транзистора подключена к выходу устройства, коллектор соединен с первой 5 шиной источника питания, между эмиттером первого 15 вспомогательного транзистора и базой первого 3 входного транзистора включена цепь согласования потенциалов 16, а четвертый 17 токостабилизирующий двухполюсник включен между базой первого 3 входного транзистора и второй 10 шиной источника питания. Кроме этого, здесь в соответствии с п.2 формулы изобретения общий эмиттерный выход 20 дополнительного токового зеркала 6 подключен к эмиттеру второго 21 вспомогательного транзистора, база которого соединена с дополнительным источником напряжения 22, коллектор подключен к первой 5 шине источника питания, а эмиттер через пятый 23 токостабилизирующий двухполюсник подключен ко второй 10 шине источника питания. Данная схема НУ обеспечивает более широкий диапазон изменения выходного напряжения.In Fig. 3, a voltage follower is implemented on the first 15 auxiliary transistor, potential matching circuit 16 and the fourth 17 current-stabilizing two-terminal device, in which the base of the first 15 auxiliary transistor is connected to the output of the device, the collector is connected to the first 5 bus of the power source, between the emitter of the first 15 auxiliary transistor and the base of the first 3 input transistor includes a potential matching circuit 16, and the fourth 17 current-stabilizing two-terminal circuit is connected between the base of the first 3 input transistor and the second 10 bus power supply. In addition, here, in accordance with claim 2, the common emitter output 20 of the additional current mirror 6 is connected to the emitter of the second 21 auxiliary transistor, the base of which is connected to the additional voltage source 22, the collector is connected to the first 5 bus of the power source, and the emitter through the fifth 23, the current stabilizing two-terminal device is connected to the second 10 bus of the power supply. This NU circuit provides a wider range of output voltage variation.

На фиг.4 в соответствии с п.3 формулы изобретения коллектор второго 11 входного транзистора связан с первой 5 шиной источника питания через первый 7 частотно-задающий резистор.In Fig. 4, in accordance with claim 3, the collector of the second 11 input transistor is connected to the first 5 bus of the power source through the first 7 frequency-setting resistor.

На фиг.5 в соответствии с п.4 формулы изобретения повторитель напряжения, включенный между выходом устройства и базой первого 3 входного транзистора, реализован в виде корректирующего конденсатора 24, причем база первого 3 входного транзистора соединена с общей шиной источников питания 26 через дополнительный резистор 25.In Fig. 5, in accordance with claim 4, a voltage follower connected between the output of the device and the base of the first 3 input transistor is implemented as a correction capacitor 24, and the base of the first 3 input transistor is connected to a common bus of power supplies 26 through an additional resistor 25 .

На фиг.6 показан пример построения заявляемого устройства с использованием выходного каскода на транзисторе 29, источнике вспомогательного питания 30 и дополнительном резисторе 23. Эта схема обладает более широким частным диапазоном.Figure 6 shows an example of the construction of the inventive device using the output cascode on the transistor 29, the auxiliary power supply 30 and an additional resistor 23. This circuit has a wider private range.

Рассмотрим работу ИУ фиг.2.Consider the operation of the DUT figure 2.

Источник входного переменного сигнала u_вх (1) изменяет ток коллектора первого 3 входного транзистора, причем в силу частотной зависимости проводимости, образованной вторым 13 частотно-задающим резистором и вторым 12 корректирующим конденсатором, это приводит к прямо пропорциональной зависимости тока коллектора транзистора 19 токового зеркала 6 от частоты. Характер частотной зависимости цепи, образованной элементами 8 и 7, реализует требуемый для ИУ вид - резонансной амплитудно-частотной характеристики, которая достигает своего максимального значения на частоте квазирезонанса (f₀).Input AC signal source u _Rin (1) changes the collector current of the first three input transistor, and by virtue of the frequency dependence of conductivity, formed by a second 13 frequency setpoint resistor and second 12 corrective capacitor, it results directly proportional to the transistor collector current 19 of the current mirror 6 from frequency. The nature of the frequency dependence of the circuit formed by elements 8 and 7, implements the form required for the DUT — the resonance amplitude-frequency characteristic, which reaches its maximum value at the quasi-resonance frequency (f ₀ ).

Покажем аналитически, что более высокие значения К₀ и Q в диапазоне высоких частот реализуются в схеме фиг.2.Let us show analytically that higher values of K ₀ and Q in the high frequency range are implemented in the scheme of figure 2.

Можно показать, что комплексный коэффициент передачи по напряжению ИУ фиг.2 определяется по формуле:It can be shown that the complex voltage transfer coefficient of the DUT of FIG. 2 is determined by the formula:

где

Where

τ₁=С₁₂(R₁₃+h_11.3+h_11.11);τ ₁ = C ₁₂ (R ₁₃ + h _11.3 + h _11.11 );

τ₂=R₇C₈,τ ₂ = R ₇ C ₈ ,

α₃ - коэффициент передачи эмиттерного тока первого 3 входного транзистора, К_i6 - коэффициент передачи по току токового зеркала 6, h_11.i - входное сопротивление (h-параметр) i-го транзистора в схеме с общей базой.α ₃ is the transfer coefficient of the emitter current of the first 3 input transistor, K _i6 is the current transfer coefficient of the current mirror 6, h _11.i is the input resistance (h-parameter) of the i-th transistor in the circuit with a common base.

Если выбрать τ₁=τ₂, тоIf we choose τ ₁ = τ ₂ , then

В частном случае, когда h_11.3=h_11.1<<R₁₃ In the particular case when h _11.3 = h _11.1 << R ₁₃

Основными условиями получения высоких значений Q и К₀ являются следующие приближенные формулыThe main conditions for obtaining high values of Q and K ₀ are the following approximate formulas

илиor

Таким образом, как видно из (3)-(10), за счет выбора соотношений между R₇ и R₁₃, а также значений коэффициента передачи по току К_i6, можно реализовать высокие значения добротности Q и коэффициента усиления К₀. При этом, как следует из (2), частота квазирезонанса f₀ сохраняется неизменной.Thus, as can be seen from (3) - (10), by choosing the ratios between R ₇ and R ₁₃ , as well as the values of the current transfer coefficient K _i6 , it is possible to realize high Q-factors Q and gain K ₀ . Moreover, as follows from (2), the frequency of the quasi-resonance f ₀ remains unchanged.

Замечательная особенность предлагаемых ИУ - высокое ослабление входного сигнала на частотах f<<f₀, что обусловлено свойствами его архитектуры (фиг.9, 12).A remarkable feature of the proposed DUTs is the high attenuation of the input signal at frequencies f << f ₀ , which is due to the properties of its architecture (Figs. 9, 12).

Данные теоретические выводы подтверждают графики на фиг.8, 9, 11, 12.These theoretical conclusions confirm the graphs in Figs. 8, 9, 11, 12.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение, которое реализуется только на n-р-n транзисторах техпроцесса SGB25VD, характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления К₀ на частоте квазирезонанса f₀ и повышенными величинами добротности, характеризующей его избирательные свойства.Thus, the claimed circuitry solution, which is implemented only on n-pn transistors of the SGB25VD process technology, is characterized by higher values of the gain coefficient K ₀ at the frequency of quasi-resonance f ₀ and increased values of the quality factor characterizing its selective properties.

Источники информацииInformation sources

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A.Budyakov, K.Schmalz, C. Scheytt, P.Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A. Budyakov, K.Schmalz, C. Scheytt, P. Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp. 50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей / Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К. Schmalz, С.Scheytt // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.2. Microwave SF blocks of communication systems based on fully differential operational amplifiers / Prokopenko NN, Budyakov AS, K. Schmalz, S.Scheytt // Problems of Developing Advanced Micro- and Nanoelectronic Systems - 2010. Proceedings / under the general. ed. Academician of the Russian Academy of Sciences A.L. Stempkovsky. - M .: IPPM RAS, 2010. - P.583-586.

3. Патент US 4.306.198.3. Patent US 4.306.198.

4. Патент ФРГ 2938994, fig.2.4. The patent of Germany 2938994, fig.2.

5. Патент US 6.870.426, fig.5.5. Patent US 6.870.426, fig. 5.

6. Патент US 4.191.856.6. Patent US 4.191.856.

7. Патент US 5.148.121, fig.1.7. Patent US 5.148.121, fig. 1.

8. Патент US 4.367.419.8. Patent US 4.367.419.

9. Патент US 4.223.276, fig.2.9. Patent US 4.223.276, fig. 2.

Claims

1. Избирательный усилитель, содержащий источник сигнала (1), связанный со входом (2) устройства, первый (3) входной транзистор, коллектор которого через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник связан с первой (5) шиной источника питания и входом дополнительного токового зеркала (6), токовый выход которого через первый (7) частотно-задающий резистор связан с первой (5) шиной источника питания, первый (8) корректирующий конденсатор, включенный по переменному току параллельно первому (7) частотно-задающему резистору, второй (9) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого (3) входного транзистора и второй (10) шиной источника питания, второй (11) входной транзистор, отличающийся тем, что между эмиттерами первого (3) и второго (11) входных транзисторов включены последовательно соединенные второй (12) корректирующий конденсатор и второй (13) частотно-задающий резистор, база второго (11) входного транзистора соединена со входом (2) устройства, коллектор связан с первой (5) шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй (10) шиной источника питания через третий (14) токостабилизирующий двухполюсник, причем между выходом устройства и базой первого (3) входного транзистора включен повторитель напряжения.1. A selective amplifier containing a signal source (1) connected to the input (2) of the device, the first (3) input transistor, whose collector is connected through the first (4) current-stabilizing two-terminal device to the first (5) bus of the power source and the input of the additional current mirror (6), the current output of which through the first (7) frequency-setting resistor is connected to the first (5) bus of the power source, the first (8) correction capacitor connected by alternating current parallel to the first (7) frequency-setting resistor, and the second (9 ) current stabilizing d two-terminal device connected between the emitter of the first (3) input transistor and the second (10) bus of the power source, the second (11) input transistor, characterized in that between the emitters of the first (3) and second (11) input transistors are connected in series to the second (12) ) a correction capacitor and a second (13) frequency-setting resistor, the base of the second (11) input transistor is connected to the input (2) of the device, the collector is connected to the first (5) bus of the power source, and the emitter is connected to the second (10) bus of the power source through the third (14) tocost a bilising two-terminal device, and a voltage follower is connected between the output of the device and the base of the first (3) input transistor.

2. Избирательный усилитель по п.1, отличающийся тем, что общий эмиттерный выход (20) дополнительного токового зеркала (6) подключен к эмиттеру второго (21) вспомогательного транзистора, база которого соединена с дополнительным источником напряжения (22), коллектор подключен к первой (5) шине источника питания, а эмиттер через пятый (23) токостабилизирующий двухполюсник подключен ко второй (10) шине источника питания.2. The selective amplifier according to claim 1, characterized in that the common emitter output (20) of the additional current mirror (6) is connected to the emitter of the second (21) auxiliary transistor, the base of which is connected to an additional voltage source (22), the collector is connected to the first (5) the power supply bus, and the emitter through the fifth (23) current-stabilizing two-terminal device is connected to the second (10) power supply bus.

3. Избирательный усилитель по п.1, отличающийся тем, что коллектор второго (11) входного транзистора связан с первой (5) шиной источника питания через первый (7) частотно-задающий резистор.3. The selective amplifier according to claim 1, characterized in that the collector of the second (11) input transistor is connected to the first (5) bus of the power source through the first (7) frequency-setting resistor.

4. Избирательный усилитель по п.1, отличающийся тем, что повторитель напряжения, включенный между выходом устройства и базой первого (3) входного транзистора, реализован в виде корректирующего конденсатора (24), причем база первого (3) входного транзистора соединена с общей шиной источников питания (26) через дополнительный резистор (25). 4. The selective amplifier according to claim 1, characterized in that the voltage follower connected between the output of the device and the base of the first (3) input transistor is implemented as a correction capacitor (24), and the base of the first (3) input transistor is connected to a common bus power sources (26) through an additional resistor (25).