RU2466476C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2466476C1 RU2466476C1 RU2011117735/28A RU2011117735A RU2466476C1 RU 2466476 C1 RU2466476 C1 RU 2466476C1 RU 2011117735/28 A RU2011117735/28 A RU 2011117735/28A RU 2011117735 A RU2011117735 A RU 2011117735A RU 2466476 C1 RU2466476 C1 RU 2466476C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- amorphous silicon
- film
- gate
- thickness
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование подзатворного диэлектрика, электродов затвора, стока, истока и рабочих областей полупроводникового прибора, между слоем аморфного кремния и пленкой диэлектрического материала, используемой для изоляции затвора, создают пленку аморфного нитрида кремния толщиной 45-55 нм при температуре 230-370°C со скоростью роста 100 нм/мин. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных полупроводниковых приборов с пониженными токами утечек.
Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Заявка 1276765 Япония, МКИ H01L 29/78] путем создания квантово-размерных гетероструктур Si/Ge/Si и с последующим покрытием их изолирующим слоем, боковые части структуры которых легируются фосфором для снижения последовательного сопротивления, а затвор из поликристаллического n-кремниевого слоя изолируется слоем SiO2.
В таких полупроводниковых приборах из-за различия кристаллографических решеток кремния и германия образуются дефекты, которые ухудшают параметры полупроводниковых приборов.
Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Пат. 4990977 США, МКИ H01L 29/78] путем последовательного формирования на подложке слоя электрода затвора, подзатворного диэлектрика, электрода истока, полупроводникового слоя, покрывающего диэлектрик и окружающего полоски истока и электрод стока. При этом канал тонкопленочного транзистора состоит из участка между полосками истока и диэлектриком, где ток течет параллельно поверхности подложки, и участка между полосками с линиями тока, перпендикулярными поверхности подложки.
Недостатками этого способа являются:
- повышенные токи утечки;
- сложность технологического процесса;
- ухудшение параметров приборов.
Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем формирования аморфной пленки нитрида кремния толщиной 45-55 нм при температуре подложки 230-370°C, со скоростью роста 100 нм/мин между слоем аморфного кремния и пленкой диэлектрического материала, используемой для изоляции затвора.
Технология способа состоит в следующем: на стеклянной подложке последовательно выращивают нижнюю пленку аморфного нитрида кремния, используемую для изоляции затвора, толщиной 245-255 нм, верхнюю пленку аморфного нитрида кремния толщиной 45-55 нм при температуре подложки 230-370°C, со скоростью роста 100 нм/мин, методом парафазного химического осаждения, затем выращивают пленку аморфного кремния толщиной 280-320 нм и пленку аморфного n+ кремния толщиной 35-45 нм.
После формирования пленок n+ аморфного кремния и аморфного кремния с заданным рисунком производится напыление электродов стока и истока в виде пленок алюминия. Затем производится удаление пленки аморфного n+ кремния между стоком и истоком посредством плазменного травления в атмосфере CF4.
Использование двух пленок аморфного нитрида кремния приводит к уменьшению токов утечек затвора за счет уменьшения плотности состояний на поверхности раздела аморфный кремний - аморфный нитрид кремния.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в табл.1.
Таблица 1. | |||
Параметры п/п структур, изготовленных по стандартной технологии | Параметры п/п структур, изготовленных по предлагаемой технологии | ||
Подвижность, см2/B·с | Ток утечки, А Iут·1011 | Подвижность, см2/В·с | Ток утечки, А Iут·1011 |
47 | 16 | 84 | 0,2 |
45 | 15 | 81 | 0,15 |
46 | 18 | 80 | 0,2 |
53 | 14 | 95 | 0,13 |
52 | 11 | 92 | 0,10 |
57 | 17 | 99 | 0,18 |
46 | 13 | 81 | 0,11 |
49 | 12 | 86 | 0,1 |
44 | 19 | 80 | 0,2 |
49 | 14 | 87 | 0,12 |
47 | 16 | 84 | 0,13 |
54 | 12 | 97 | 0,11 |
50 | 10 | 88 | 0,1 |
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,7%.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование подзатворного диэлектрика, электродов затвора, стока, истока и рабочих областей полупроводникового прибора, отличающийся тем, что между слоем аморфного кремния и пленкой диэлектрического материала, используемой для изоляции затвора, создают пленку аморфного нитрида кремния толщиной 45-55 нм при температуре 230-370°C со скоростью роста 100 нм/мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117735/28A RU2466476C1 (ru) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117735/28A RU2466476C1 (ru) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2466476C1 true RU2466476C1 (ru) | 2012-11-10 |
Family
ID=47322407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011117735/28A RU2466476C1 (ru) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2466476C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2584273C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2596861C1 (ru) * | 2015-02-13 | 2016-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2661546C1 (ru) * | 2017-06-07 | 2018-07-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2717149C1 (ru) * | 2019-05-13 | 2020-03-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5041888A (en) * | 1989-09-18 | 1991-08-20 | General Electric Company | Insulator structure for amorphous silicon thin-film transistors |
RU2035800C1 (ru) * | 1992-04-13 | 1995-05-20 | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов |
RU2069417C1 (ru) * | 1994-06-08 | 1996-11-20 | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов |
US7300829B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-11-27 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for TFT fabrication |
RU2358355C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
-
2011
- 2011-05-03 RU RU2011117735/28A patent/RU2466476C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5041888A (en) * | 1989-09-18 | 1991-08-20 | General Electric Company | Insulator structure for amorphous silicon thin-film transistors |
RU2035800C1 (ru) * | 1992-04-13 | 1995-05-20 | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов |
RU2069417C1 (ru) * | 1994-06-08 | 1996-11-20 | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов |
US7300829B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-11-27 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for TFT fabrication |
RU2358355C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2596861C1 (ru) * | 2015-02-13 | 2016-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2584273C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2661546C1 (ru) * | 2017-06-07 | 2018-07-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2717149C1 (ru) * | 2019-05-13 | 2020-03-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2466476C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
TWI239557B (en) | Semiconductor on insulator apparatus and method | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2661546C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
TWI549194B (zh) | 半導體基板之製造方法及半導體基板 | |
RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2633799C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2749493C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2629655C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
WO2019028934A1 (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 | |
RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2726904C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2654960C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
RU2754995C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2733941C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2644627C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140504 |