RU2410793C2 - Method of making housing based on chip dimensions - Google Patents
Method of making housing based on chip dimensions Download PDFInfo
- Publication number
- RU2410793C2 RU2410793C2 RU2008139706/28A RU2008139706A RU2410793C2 RU 2410793 C2 RU2410793 C2 RU 2410793C2 RU 2008139706/28 A RU2008139706/28 A RU 2008139706/28A RU 2008139706 A RU2008139706 A RU 2008139706A RU 2410793 C2 RU2410793 C2 RU 2410793C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- silicon
- grooves
- low
- contact pads
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к изготовлению интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в корпусах для поверхностного монтажа с минимальными размерами.The invention relates to microelectronics, namely to the manufacture of integrated circuits and semiconductor devices in cases for surface mounting with minimum dimensions.
Известна конструкция корпуса и способ его изготовления, включающий создание кристаллов микросхемы на лицевой стороне первой полупроводниковой пластины первого типа проводимости и сквозных проводящих каналов в ней второго типа проводимости к областям контактных площадок микросхемы, присоединение к полупроводниковой пластине второй полупроводниковой пластины-крышки с полостями над кристаллами микросхемы, формирование на обратной стороне первой пластины металлических шариковых выводов в местах выхода сквозных проводящих каналов, разделение соединенных пластин на отдельные корпуса микросхем [А.С. СССР №1393249, кл. H01L 21/56].A known housing design and method of its manufacture, including the creation of microcircuit crystals on the front side of the first semiconductor wafer of the first type of conductivity and through conductive channels in it of the second type of conductivity to the areas of the contact pads of the microcircuit, attaching to the semiconductor wafer a second semiconductor wafer with cavities above the chip crystals , the formation on the reverse side of the first plate of metal ball leads at the exit points of the through conductive channels, p separation of the connected plates into separate microcircuit cases [A.S. USSR No. 1393249, class H01L 21/56].
Недостатком известного способа является создание сквозных проводящих каналов из того же полупроводникового материала другого типа проводимости, что не обеспечивает надежной изоляции и требуемого малого электрического сопротивления.The disadvantage of this method is the creation of through conductive channels of the same semiconductor material of a different type of conductivity, which does not provide reliable insulation and the required low electrical resistance.
Известна серия матричных корпусов типа BGA (Ball Grid Array - «матрица шариковых выводов»):A well-known series of matrix housings of the BGA type (Ball Grid Array - "ball pin matrix"):
- PBGA ("Plastic Ball Grid Array") - пластмассовые корпуса с матрицей шариковых выводов фирмы «Моторола»;- PBGA ("Plastic Ball Grid Array") - plastic housings with a matrix of ball terminals of the company "Motorola";
- CBGA - ("Ceramik B.G.A.") - керамические корпуса с матрицей шариковых выводов;- CBGA - ("Ceramik B.G.A.") - ceramic housings with a matrix of ball terminals;
- CCGA - ("Ceramik Column Ball Grid Array") - керамические корпуса с матрицей столбиковых выводов;- CCGA - ("Ceramik Column Ball Grid Array") - ceramic cases with a matrix of bump terminals;
- TBGA - ("Таре Bold Grid Array ") - матричные TAB корпуса («Матричные корпуса ИС», журнал «Электронные компоненты» 5-6, 1997, стр.20-23).- TBGA - ("Tare Bold Grid Array") - matrix TAB enclosures ("Matrix IC enclosures", the journal "Electronic Components" 5-6, 1997, pp. 20-23).
Все перечисленные корпуса обладают следующими одинаковыми технологическими процессами изготовления:All listed cases have the following identical manufacturing processes:
- формирование миниатюрной многослойной печатной платы с металлическими контактными площадками на лицевой и обратной стороне, связанных между собой должным образом сквозными металлизированными соединениями;- the formation of a miniature multilayer printed circuit board with metal pads on the front and back side, interconnected properly through metallized compounds;
- присоединение кристалла микросхемы к лицевой поверхности платы;- attaching the chip chip to the front surface of the board;
- соединение контактных площадок лицевой поверхности платы с контактными площадками кристалла микросхемы термокомпрессионной разваркой золотой проволокой или методом «перевернутого» кристалла (Flip-Chip);- connection of the contact pads of the front surface of the circuit board with the contact pads of the chip of the microcircuit by thermocompression welding by gold wire or by the “inverted” crystal method (Flip-Chip);
- создание матрицы шариковых выводов из припойного материала на базе контактных площадок обратной стороны платы;- creating a matrix of ball leads from solder material on the basis of the contact pads on the reverse side of the board;
- заливка лицевой стороны платы, включая кристалл микросхемы и контактные площадки, компаундом.- filling the front side of the board, including the chip chip and pads, compound.
Технология изготовление корпусов BGA имеет ряд следующих недостатков. Определяющий конструкцию корпусов BGA способ соединения контактных площадок кристалла микросхемы с шариковыми выводами корпуса с помощью промежуточной многослойной платы увеличивает габаритные размеры корпуса, снижает его надежность из-за наличия большого количества составных компонентов корпуса, проволочных и интерметаллических межсоединений, повышает стоимость.The manufacturing technology of BGA cases has a number of the following disadvantages. The method of connecting the contact pads of the chip of the microcircuit with the ball terminals of the case using the intermediate multilayer board, which determines the design of the BGA cases, increases the overall dimensions of the case, reduces its reliability due to the presence of a large number of case components, wire and intermetallic interconnects, and increases the cost.
Известна конструкция и способ изготовления корпуса типа CSP (Chip Scale Package - корпус по размерам кристалла), который разработала фирма "Chip Scale Inc." и назвала "Micro SMT" ("MSMT"). Корпус изготавливается после формирования кристаллов микросхем с помощью ряда технологических операций в составе полупроводниковой пластины следующим способом: лицевую сторону кремниевой пластины со сформированными интегральными микросхемами приклеивают к стеклянной пластине-крышке, утоняют кремниевую пластину, травят в пластине-крышке сквозные каналы к областям контактных площадок микросхемы, наносят на стенки каналов металлическое покрытие и заполняют каналы полимерным материалом, затем сошлифовывают полимерный материал до появления металлизированного покрытия, на основе которого формируют столбиковые вывода корпуса, затем пластину скрайбируют на отдельные кристаллы-корпуса.A known design and method of manufacturing a housing type CSP (Chip Scale Package - housing by the size of the crystal), which was developed by the company "Chip Scale Inc." and called it "Micro SMT" ("MSMT"). The case is made after the formation of crystals of microcircuits using a series of technological operations as part of a semiconductor wafer in the following way: the front side of the silicon wafer with formed integrated circuits is glued to the glass wafer, the silicon wafer is thinned, the through channels in the wafer are etched through the contact areas of the microcircuit, a metal coating is applied to the channel walls and the channels are filled with polymer material, then the polymer material is ground to phenomenon metallization on which bumps formed body, then into individual plate skraybiruyut-crystals housing.
Более простой вариант изготовления подобного корпуса заключается в следующем: после приклейки стеклянной пластины-корпуса утоняется кремниевая пластина, локально травятся в кремнии каналы в областях под контактными площадками и в местах будущего разделения пластины на кристаллы до появления металлизированных контактных площадок микросхемы каналы заполняются полимером, локально травятся до повторного появления металлизированных контактных площадок, наносится слой металлизации, каналы снова заполняются полимером и локально травится металлизация, формируя контакты корпуса, затем следует скрайбирование (WWW. Chipscale. Com, 1998 Chip Scale REVIEW Design).A simpler manufacturing option for such a case is as follows: after gluing the glass plate-case, the silicon plate is thinned, the channels are locally etched in silicon in the areas under the contact pads and in the places of the future separation of the plate into crystals until the metallized contact pads of the microcircuit appear, the channels are filled with polymer, locally etched before the metallized contact pads reappear, a metallization layer is applied, the channels are again filled with polymer and locally poisons metallization, forming the contacts of the housing, followed by scribing (WWW. Chipscale. Com, 1998 Chip Scale REVIEW Design).
Недостатком данного способа является невозможность реализации матричной структуры выводов и наличие интерметаллических соединений.The disadvantage of this method is the inability to implement the matrix structure of the findings and the presence of intermetallic compounds.
Предлагаемый способ изготовления корпуса по размеру кристалла представляет собой следующий технологический маршрут (Фиг.1÷10):The proposed method for manufacturing the housing according to the size of the crystal is the following technological route (Figure 1 ÷ 10):
- на обратной стороне кремниевой пластины (1) локально травят канавки (2) на глубину несколько большую толщины активных элементов (транзисторов и т.п.) будущего кристалла микросхемы (Фиг.1);- on the reverse side of the silicon wafer (1), the grooves (2) are locally etched to a depth slightly greater than the thickness of the active elements (transistors, etc.) of the future chip of the microcircuit (Figure 1);
- термически окисляют обратную сторону исходной пластины и стенок протравленных канавок до создания требуемой толщины изолирующего диоксида кремния (3) (Фиг.2);- thermally oxidize the reverse side of the original plate and the walls of the etched grooves to create the required thickness of the insulating silicon dioxide (3) (Figure 2);
- окисления канавки заполняются сильнолегированным поликристаллическим кремнием (4) (Фиг.3);- oxidation of the grooves are filled with highly doped polycrystalline silicon (4) (Figure 3);
- поверхность обратной стороны исходной пластины планаризируют (сошлифовывают) с удалением поликремния до появления оксида кремния в непротравленных областях обратной стороны исходной пластины (Фиг.4);- the surface of the back side of the original plate is planarized (ground) to remove polysilicon until silicon oxide appears in the non-etched areas of the back side of the original plate (Figure 4);
- к обратной стороне исходной пластины приклеивают с помощью высокотемпературного соединительного стекла (5) опорную кремниевую пластину (6) (Фиг.5);- to the back side of the original plate is glued using a high-temperature connecting glass (5) a silicon support plate (6) (Figure 5);
- сошлифовывают лицевую сторону исходной кремниевой пластины до появления поликремниевых областей локальных сквозных канавок (Фиг.6);- polish the front side of the original silicon wafer until the appearance of polysilicon regions of the local through grooves (Fig.6);
- на сошлифованной лицевой стороне исходной кремниевой пластины любым из известных способов формируют кристаллы интегральной микросхемы (7) (Фиг.7);- on the ground face of the original silicon wafer using any of the known methods, crystals of an integrated microcircuit are formed (7) (Fig. 7);
- к лицевой стороне исходной пластины со сформированными кристаллами микросхемы присоединяют пластину-крышку (8) с помощью низкотемпературного соединительного стекла (9) (Фиг.8);- to the front side of the original plate with the formed crystals of the microcircuit is attached a plate-cover (8) using a low-temperature connecting glass (9) (Fig. 8);
- отсоединяют или устраняют опорную пластину одним из известных способов (Фиг.9);- disconnect or eliminate the base plate by one of the known methods (Fig.9);
- на открытой окисленной обратной стороне исходной пластины в местах выхода локальных областей поликремния формируют столбиковые выводы микросхемы (10), выступающие над поверхностью обратной стороны на заданную величину (Фиг.10);- on the open oxidized back side of the original plate in the places of exit of the local areas of polysilicon form the column outputs of the microcircuit (10), protruding above the surface of the back side by a predetermined amount (Figure 10);
- разделяют известными методами всю пластину на отдельные кристаллы-корпуса.- shared by known methods, the entire plate into separate crystals-shells.
На фиг.11 схематично изображен разрез части предлагаемого корпуса по размерам кристалла интегральных микросхем, изготовленного по предлагаемому способу. Формирование локальных сквозных канавок с изолированными диоксидом кремния боковыми поверхностями совмещают с формированием полной щелевой диэлектрической изоляцией компонентов микросхемы друг от друга.Figure 11 schematically shows a section of part of the proposed housing by the size of the crystal of integrated circuits manufactured by the proposed method. The formation of local through grooves with insulated silicon dioxide lateral surfaces is combined with the formation of a complete gap dielectric isolation of the components of the chip from each other.
Для увеличения уровня рассеиваемой мощности микросхемы (в применении для мощных тепловыделяющих микросхем) используют низкотемпературный соединительный материал с высокой теплопроводностью. Таким образом, малое тепловое сопротивление «кристалл микросхемы - корпус» определяется тем, что основание корпуса - это и есть кристалл микросхемы, который соединяют с крышкой тонким слоем теплопроводящего низкотемпературного соединительного стекла. Малое тепловое сопротивление перехода «корпус-теплоотвод» реализуется увеличением площади столбикового вывода без увеличения габаритов корпуса.To increase the dissipated power level of the microcircuit (in application for high-power heat-generating microcircuits), low-temperature connecting material with high thermal conductivity is used. Thus, the low thermal resistance “microcircuit chip - case” is determined by the fact that the base of the case is the chip of the microcircuit, which is connected to the lid with a thin layer of heat-conducting low-temperature connecting glass. Low thermal resistance of the “housing-heat sink” transition is realized by increasing the area of the column output without increasing the dimensions of the housing.
Для расширения области применения микросхем в корпусах по размеру кристалла для поверхностного монтажа на различные типы печатных плат столбиковые выводы формируют из поликристаллического кремния или гальванически выращенной меди или припойного материала.In order to expand the scope of application of microcircuits in enclosures to the size of a crystal for surface mounting on various types of printed circuit boards, the column leads are formed of polycrystalline silicon or galvanically grown copper or solder material.
Весь технологический цикл изготовления корпуса по предлагаемому способу производят одновременно с изготовлением кристаллов микросхемы в одной и той же чистой зоне полупроводникового кристального производства высокопроизводительными интегральными групповыми методами обработки, заканчивающимися маркировкой отдельных микросхем методами фотолитографии поверхности пластины-крышки, с последующим контролем электрических параметров и классификацией микросхем на пластине с помощью многозондовой автоматической установки, разделением на отдельные микросхемы, корпусированные по размеру кристалла, и упаковкой их в соответствующую транспортную тару.The entire technological cycle of manufacturing the housing according to the proposed method is carried out simultaneously with the manufacture of chip crystals in the same clean zone of semiconductor crystal production by high-performance integrated group processing methods, ending with marking of individual chips by photolithography methods of the surface of the plate-cover, with subsequent control of electrical parameters and classification of chips on plate using multi-probe automatic installation, separation on individual microcircuits, packaged by the size of the crystal, and packing them in the appropriate transport packaging.
Предлагаемое решение корпуса в части формирования сквозных каналов реализует технологический маршрут создания кремниевых структур типа «кремний на диэлектрике» (КНД) или «кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов» (КСДИ), в которых полная диэлектрическая изоляция элементов осуществляется или V-образными канавками (на кремнии ориентации <100>) или щелевой изоляцией.The proposed solution of the housing in terms of the formation of through channels implements the technological route for creating silicon structures such as "silicon on dielectric" (KND) or "silicon structures with dielectric insulation of components" (KSDI), in which the complete dielectric isolation of the elements is carried out or V-shaped grooves (on silicon orientation <100>) or gap insulation.
Предлагаемое решение не исключает и использование изоляции элементов р-п переходом. Стоимость предлагаемого корпусирования может быть увеличена только при корпусировании стандартных микросхем, изготавливаемых обычно по биполярной технологии на исходном кремнии или простых однослойных эпитаксиальных структурах.The proposed solution does not exclude the use of insulation elements pn junction. The cost of the proposed packaging can only be increased by packaging standard microcircuits, usually manufactured using bipolar technology on the source silicon or simple single-layer epitaxial structures.
При производстве сложных ИС и СБИС, при использовании сложных исходных кремниевых структур, таких как КСДИ, КНД, изготовление этих структур входит составной частью в процесс изготовления корпуса, поэтому стоимость корпусирования снижается. Таким образом, отсутствуют ограничения по используемым технологиям изготовления ИС и полупроводниковых приборов в предлагаемом корпусном решении:In the production of complex ICs and VLSI, using complex initial silicon structures, such as KSDI, KND, the manufacture of these structures is an integral part of the manufacturing process of the case, so the cost of packaging decreases. Thus, there are no restrictions on the used manufacturing technologies of ICs and semiconductor devices in the proposed housing solution:
- биполярная технология;- bipolar technology;
- К-МОП, БиКМОП, ДМОП и аналогичные технологии;- K-MOS, BiKMOS, DMOS and similar technologies;
- Различные способы изоляции элементов:- Various ways of isolating elements:
- р-п переходом- pn transition
- диэлектрическая изоляция (V-канавкой, щелевая изоляция и т.п.);- dielectric insulation (V-groove, gap insulation, etc.);
- различные типы исходного материала:- various types of source material:
- кремний п-типа- p-type silicon
- кремний р-типа- p-type silicon
- эпитаксиальные структуры (одно-, двухслойные, с одним или двумя скрытыми низкоомными слоями р- или п-типа и т.д.)- epitaxial structures (one-, two-layer, with one or two hidden low-resistance p- or p-type layers, etc.)
- КСДИ- XDI
- КНД- KND
Поликремнивые сквозные каналы с малым электрическим сопротивлением надежно изолированы от основания корпуса - исходной кремниевой пластины слоем диоксида кремния, толщина которого выбирается из условий уменьшения паразитных емкостей, высокого пробивного напряжения и защиты от внешних механических, климатических и электрических воздействий. Все это увеличивает надежность такого корпуса и делает его универсальным для любых типов микросхем.Polysilicon end-to-end channels with low electrical resistance are reliably isolated from the base of the casing - the original silicon wafer with a layer of silicon dioxide, the thickness of which is selected from the conditions for reducing stray capacitances, high breakdown voltage, and protection from external mechanical, climatic and electrical influences. All this increases the reliability of such a case and makes it universal for any type of chip.
Предлагаемый способ изготовления корпуса предполагает только высокоэффективные групповые технологические методы изготовления, полностью происходящие в чистой зоне кристального производства, традиционные в технологии микроэлектронного производства. Предлагаемый способ исключает наиболее трудоемкие операции индивидуальной обработки, характерные для процесса сборки обычных корпусов такие, как посадка кристалла на основание, разварка выводов, герметизация, вырубка, лакировка и ряд операций, сопутствующих вышеперечисленным.The proposed method for the manufacture of the housing involves only highly efficient group technological manufacturing methods that completely occur in a clean area of crystalline production, traditional in the technology of microelectronic production. The proposed method eliminates the most time-consuming operations of individual processing, characteristic of the process of assembling conventional cases, such as planting a crystal on the base, weld conclusions, sealing, cutting, varnishing and a number of operations associated with the above.
Все это и особенно отсутствие в предлагаемом способе проволочных и сварных соединений обеспечивает высокий процент выхода годных, низкую материалоемкость и себестоимость процесса корпусирования, высокие надежность и технические характеристики.All this and especially the absence of wire and welded joints in the proposed method provides a high yield, low material consumption and cost of the packaging process, high reliability and technical characteristics.
Предлагаемый способ позволяет облегчить разработку топологии интегральной микросхемы, появляются широкие возможности автоматического проектирования расположения элементов и трассировки металлизации между элементами схемы в гораздо меньшее количество уровней металлизации вследствие использования регулярной матрицы сквозных поликремниевых каналов и соответствующих им столбиковых выводов. В случае использования столбиковых выводов из поликремния достигается идеальная копланарность внешних выводов вследствие того, что изначально поверхность этих выводов была поверхностью поликремниевого слоя плоскопараллельного обратной стороне исходной пластины.The proposed method allows to facilitate the development of the topology of the integrated circuit, there are ample opportunities for the automatic design of the arrangement of elements and trace metallization between circuit elements in a much smaller number of metallization levels due to the use of a regular matrix of through polysilicon channels and their corresponding column outputs. In the case of using columnar leads from polysilicon, ideal coplanarity of the external leads is achieved due to the fact that initially the surface of these leads was the surface of a polysilicon layer plane parallel to the back side of the original plate.
Предлагаемый способ изготовления реализует корпус по размерам кристалла микросхемы, обладающий наименьшими габаритами из всех известных и возможных конструкций. Его площадь меньше площади соответствующего кристалла микросхемы из-за отсутствия на кристалле контактных площадок для проволочной разварки, а высота равна толщине кристалла (0,1÷0,4 мм).The proposed manufacturing method implements a housing according to the size of the chip microcircuit, which has the smallest dimensions of all known and possible designs. Its area is smaller than the area of the corresponding chip microcircuit due to the absence of contact pads for wire welding on the crystal, and the height is equal to the thickness of the crystal (0.1 ÷ 0.4 mm).
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008139706/28A RU2410793C2 (en) | 2008-10-06 | 2008-10-06 | Method of making housing based on chip dimensions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008139706/28A RU2410793C2 (en) | 2008-10-06 | 2008-10-06 | Method of making housing based on chip dimensions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008139706A RU2008139706A (en) | 2010-04-20 |
| RU2410793C2 true RU2410793C2 (en) | 2011-01-27 |
Family
ID=46274806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008139706/28A RU2410793C2 (en) | 2008-10-06 | 2008-10-06 | Method of making housing based on chip dimensions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2410793C2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015142949A1 (en) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Packaged microsystems |
| RU2597210C1 (en) * | 2015-05-28 | 2016-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Method of producing microelectronic unit on plastic base |
| RU2740788C1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-01-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of separating multiplex substrate sealed with epoxy compound into separate microcircuits |
| RU2742524C1 (en) * | 2017-10-10 | 2021-02-08 | Битмейн Текнолоджиз Инк. | Radiator, integral chart and circuit board |
| RU2743451C1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-02-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of separating multiplex substrate sealed with epoxy compound into separate microcircuits |
-
2008
- 2008-10-06 RU RU2008139706/28A patent/RU2410793C2/en active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015142949A1 (en) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Packaged microsystems |
| US9950922B2 (en) | 2014-03-17 | 2018-04-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Packaged microsystems |
| RU2597210C1 (en) * | 2015-05-28 | 2016-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Method of producing microelectronic unit on plastic base |
| RU2742524C1 (en) * | 2017-10-10 | 2021-02-08 | Битмейн Текнолоджиз Инк. | Radiator, integral chart and circuit board |
| US11152278B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-10-19 | Bitmain Technologies Inc. | Heat sink, integrated circuit chip and circuit board |
| RU2740788C1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-01-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of separating multiplex substrate sealed with epoxy compound into separate microcircuits |
| RU2743451C1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-02-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of separating multiplex substrate sealed with epoxy compound into separate microcircuits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2008139706A (en) | 2010-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10014279B2 (en) | Methods of forming 3-D integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities | |
| TWI431759B (en) | Stackable power mosfet, power mosfet stack, and process of manufacture thereof | |
| KR101968396B1 (en) | Interconnect structure with redundant electrical connectors and associated systems and methods | |
| KR101182010B1 (en) | Microelectronic package containing silicon patches for high density interconnects, and method of manufacturing same | |
| CN102714190B (en) | There is the package assembling of Semiconductor substrate | |
| US6590257B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same, semiconductor wafer and semiconductor device manufactured thereby | |
| US8053898B2 (en) | Connection for off-chip electrostatic discharge protection | |
| US7750459B2 (en) | Integrated module for data processing system | |
| US8526186B2 (en) | Electronic assembly including die on substrate with heat spreader having an open window on the die | |
| US8704354B2 (en) | Package on package structures and methods for forming the same | |
| JP5197849B2 (en) | Semiconductor device with on-chip active heat transfer system | |
| CN103208482B (en) | Through-hole component module and forming method thereof | |
| US9768135B2 (en) | Semiconductor device having conductive bump with improved reliability | |
| CN102217063A (en) | Semiconductor die structures for wafer-level chipscale packaging of power devices, packages and systems for using the same, and methods of making the same | |
| US20070093066A1 (en) | Stacked wafer or die packaging with enhanced thermal and device performance | |
| CN104867909B (en) | Embedded die redistribution layer for active devices | |
| RU2410793C2 (en) | Method of making housing based on chip dimensions | |
| TWI459512B (en) | Vertically packaged mosfet and ic power devices as integrated module using 3d interconnected laminates | |
| TW201603223A (en) | Bumps bonds formed as metal line interconnects in a semiconductor device | |
| US20220384286A1 (en) | Chip package structure with heat conductive layer | |
| TWI527189B (en) | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof | |
| CN106409813A (en) | Multi-device package and manufacturing method thereof | |
| RU82379U1 (en) | DEVICE OF THE FAMILY OF CASES BY THE SIZES OF THE CRYSTAL OF INTEGRAL MICROSHEMES | |
| KR20170002266A (en) | Flip chip packaging | |
| JP2002299366A (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor |