RU2298431C2 - Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов - Google Patents

Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2298431C2
RU2298431C2 RU2005103443/15A RU2005103443A RU2298431C2 RU 2298431 C2 RU2298431 C2 RU 2298431C2 RU 2005103443/15 A RU2005103443/15 A RU 2005103443/15A RU 2005103443 A RU2005103443 A RU 2005103443A RU 2298431 C2 RU2298431 C2 RU 2298431C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
monocrystals
production
diamond
temperature
highly rigid
Prior art date
Application number
RU2005103443/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005103443A (ru
Inventor
Владимир Павлович Булгаков (RU)
Владимир Павлович Булгаков
Василий Евгеньевич Гладченко (RU)
Василий Евгеньевич Гладченко
Людмила Андреевна Цапко (RU)
Людмила Андреевна Цапко
Original Assignee
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" filed Critical Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет"
Priority to RU2005103443/15A priority Critical patent/RU2298431C2/ru
Publication of RU2005103443A publication Critical patent/RU2005103443A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2298431C2 publication Critical patent/RU2298431C2/ru

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к получению искусственных высокотвердых материалов, в частности алмазов, и может быть использовано в инструментальной промышленности, механической обработке металлов, в бурильной технике. Способ осуществляется методом сдавливания порошковых углеродсодержащих веществ в области квазиравновесного состояния системы графит-алмаз и медленном охлаждении в зоне термодинамической стабильности алмаза или другого синтезируемого материала. Нагретую капсулу из вольфрама с чистым углеродсодержащим сырьем заполняют жидким кремнием при температуре 1750 К, герметично закрывают, после чего снижают температуру до 1700 К в течение 30-40 мин и охлаждают до комнатной температуры в течение 5-6 час синтеза высокопрочных материалов. Технический результат изобретения состоит в повышении качества, увеличении размеров монокристаллов, а также в снижении трудоемкости процесса. Получены монокристаллы карбида бора фракции 400-450 мкм, алмаза фракции 40 мкм. 1 з.п. ф-лы.

Description

Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов
Изобретение относится к получению искусственных высокотвердых материалов, в частности монокристаллов алмаза, методом одноразового сдавливания в ограниченном пространстве порошковых материалов без катализаторов при квазиравновесном термодинамическом состоянии системы за счет изменения объема рабочего тела - кремния жидкофазного в кремний твердофазный кубической модификации и удержания состояния системы до полного диффузионного аллотропического превращения графита в алмаз (Свойства элементов, т. 1. Физические свойства. Справочник под ред. Г.В.Самсонова. М.: Металлургия 1976, 1086 с.).
Изобретение относится к получению искусственных высокотвердых материалов из порошков: карбидов вольфрама, молибдена, кобальта, бора; нитридов бора, углеродсодержащего материала - доменного графита, сажи, ископаемого графита, а также синтезированного углеродсодержащего вещества - фуллерена (имеющего крупную объемноцентрированную кубическую решетку).
Известен способ получения монокристалла алмаза путем воздействия высокого давления и температуры в области термодинамической стабильности алмаза на реакционный объем (А.С. СССР №1605491, 1988).
Недостатком указанного способа является предварительное печное вакуумирование катализатора и послойное расположение катализатора и графита, что исключает образование крупных и чистых ювелирных монокристаллов алмаза, низкий выход годного продукта, весьма сложное оборудование.
Известен способ получения алмазов, включающий воздействие на карбонилы вольфрама и молибдена давлением (30-60 бар) и температуры (См. А.С. №1264521, 1983).
Недостатком этого способа является сложное оборудование, большие энергозатраты, отсутствие возможности регулирования процесса равновесного термодинамического перехода графит-алмаз, мелкие фракции алмаза, низкий выход годного продукта.
Наиболее близким по совокупности признаков к заявляемому способу является способ получения алмаза обработкой углеродсодержащего материала (термообработанная канальная сажа) под давлением 100-200 Кбар и температуре 1200-2000°С (А.С. СССР №853956, 1970).
Недостатком способа является сложное и дорогостоящее оборудование для получения давления и температуры, невозможность регулирования процесса термодинамического перехода графита в алмаз, низкий выход годного продукта.
Технической задачей, решаемой заявляемым изобретением, является получение стабильных, регулируемых условий температуры и давления, необходимых для некаталитического синтеза алмаза и других высокотвердых материалов.
Техническим результатом изобретения является повышение качества, увеличение размеров монокристаллов, снижение трудоемкости синтеза высокотвердых материалов. Он достигается способом, включающем загрузку чистого углеродсодержащего сырья в капсулу из вольфрама и ее нагрев, при этом нагретую капсулу заполняют жидким кремнием и герметично закрывают, после чего снижают температуру от 1750 до 1700К в течение 30-40 мин и охлаждают до комнатной температуры в течение 5-6 часов.
Пример 1. Сырье - порошковый материал карбид бора фракции 1-5 мкм - помещают в центральную часть металлической капсулы, которую нагревают в печи и при температуре 1750 К заполняют рабочим телом - жидким кремнием, после чего герметично закрывают крышкой с клиновым затвором. Охлаждение от 1750 до 1700 К осуществляют в течение 30-40 мин. При 1713К идет затвердевание кремния и его плотность изменяется от 2,52 до 2.3 г/см3 (Физические величины. Справочник под ред. Григорьева И.С. М.: Энергоиздат, 1991, 1233 с).
Упругий материал плотно закрытой капсулы сдерживает увеличение объема кремния и развивает давление в капсуле до 12.5-20.0×109 МПа. При охлаждении от 1700 К до комнатной температуры в течение 6 часов происходит самопроизвольный диффузионный процесс синтеза кристаллов карбида бора. После охлаждения и снятия давления производят очистку готового продукта от кремния и сортировку по фракциям.
Синтезирован высокотвердый материал из углеродсодержащего сырья - карбида бора фракции 400-450 мкм с твердостью 22000 МПа. Выход годного продукта по отношению к исходному материалу составил 57%.
Пример 2. Сырье - порошковый графит в количестве 10 моль (120 г) - компактно помещают в центральную часть капсулы и нагревают до температуры 1750+50 К. Прогретая капсула заполняется жидким кремнием и герметично закрывается крышкой, что фиксирует внутренний объем полости капсулы, и помещается в шахтную печь, нагретую до температуры 1800 К. Охлаждение капсулы в печи от 1750 до 1700 К осуществляют за 40 мин, дальнейшее охлаждение до комнатной температуры - за 6 часов.
В процессе затвердевания кремния происходит увеличение молярного объема, а так как капсула изготовлена из вольфрама, ее упругая деформация развивает давление значительно выше линии термодинамического равновесия графит - алмаз. Происходит самопроизвольный диффузионный процесс синтеза алмазов.
После охлаждения и разборки капсулы производят очистку готового продукта. Выход алмазов составил 24% по отношению к объему обрабатываемого графита, средний размер фракции равен 40 мкм.

Claims (2)

1. Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов, включающий загрузку чистого углеродсодержащего сырья в капсулу из вольфрама и ее нагрев, отличающийся тем, что нагретую капсулу заполняют жидким кремнием и герметично закрывают, после чего снижают температуру от 1750 до 1700 К в течение 30-40 мин и охлаждают до комнатной температуры в течение 5-6 ч.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что высокотвердым материалом является алмаз.
RU2005103443/15A 2005-02-10 2005-02-10 Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов RU2298431C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005103443/15A RU2298431C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005103443/15A RU2298431C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005103443A RU2005103443A (ru) 2006-07-20
RU2298431C2 true RU2298431C2 (ru) 2007-05-10

Family

ID=37028402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005103443/15A RU2298431C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2298431C2 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2005103443A (ru) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4643741A (en) Thermostable polycrystalline diamond body, method and mold for producing same
US4931068A (en) Method for fabricating fracture-resistant diamond and diamond composite articles
JP2607469B2 (ja) ダイヤモンドコンパクトおよびその製造方法
CA2713595A1 (en) Super-hard enhanced hard-metals
US20150315722A1 (en) Diamond grains, method for making same and mixture comprising same
CN112678817A (zh) 一种毫米多晶金刚石的制备方法
KR102072258B1 (ko) 입방정 질화 붕소의 기능화 및 이들의 제조 방법
JPS5939362B2 (ja) 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法
Barreto et al. Preparation and characterization of sintered polycrystalline diamond (PCD) with 15 wt% Nb binder
JPS62274034A (ja) 反応焼結による多結晶ダイヤモンド焼結体の製造法
RU2298431C2 (ru) Способ получения монокристаллов высокотвердых материалов
JP3550587B2 (ja) 微粒ダイヤモンド焼結体の製造方法
TWI632024B (zh) 在硏磨期間具有微破裂特徵之單晶cbn
TWI646048B (zh) Single crystal state diamond particle containing cubic boron nitride particles, and manufacturing method thereof
Sorb et al. Diamond: high-pressure synthesis
SU329761A1 (ru) Способ получени поликристаллических алмазных агрегатов заданной формы
KR102111284B1 (ko) 유일한 입방정 질화 붕소 결정들 및 이들의 제조 방법
Shakhov et al. Effect of fullerenes on the activation energy of the graphite-diamond phase transition
JPS6225601B2 (ru)
JPH0315486B2 (ru)
JPH02164433A (ja) 多結晶型立方晶窒化ほう素粒子の製造方法
JPS6225602B2 (ru)
JPH0330828A (ja) ダイヤモンドの合成方法
WO2024020509A1 (en) Improved internally-heated high-pressure apparatus for solvothermal crystal growth
JPS59164610A (ja) ダイヤモンド合成法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110211