RU2189090C2 - Method for generating multilayer structures on both sides of substrate - Google Patents

Abstract

FIELD: superconductor engineering; generation of semiconductor-insulator-semiconductor structures. SUBSTANCE: method proposed for generating multilayer structures from YBCuO materials on both sides of substrate involves laser ablation procedure and includes following operations: substrate is installed inside cylindrical furnace on holder with offset center of gravity at distance of 1-3 cm from target; holder is locked in position along normal to target being sprayed. As soon as film of desired thickness is deposited on one side of substrate, holder lock is carried away and substrate is turned through 180 deg. Then film is evaporated on other side of substrate without interrupting the process from same target and at same parameters of laser radiation, pressure, and temperature. Substrate is secured in holder made in the form of ring with offset center of gravity. In this way structures of different electrophysical properties are generated on substrate surfaces in single process cycle without varying laser radiation parameters, pressure, and temperature. EFFECT: improved quality and morphology of structure layers free from splashes. 3 cl

Description

Изобретение относится к сверхпроводящей технике, в частности к формированию структуры типа SIS и других многослойных структур с различными электрофизическими свойствами, которые могут быть использована при изготовлении сверхпроводящих устройств микроэлектроники, полосковых резонаторов, джозефсоновских контактов, сквид-магнитометров, болометров, приемников ИК-излучения. The invention relates to a superconducting technique, in particular to the formation of a SIS type structure and other multilayer structures with various electrophysical properties that can be used in the manufacture of superconducting microelectronics devices, strip resonators, Josephson contacts, SQUID magnetometers, bolometers, IR radiation receivers.

Наибольшее распространение при изготовлении многослойных структур типа SIS в настоящее время получили способы, основанные на использовании распыляемых мишеней с различными электрофизическими свойствами [1]. В качестве диэлектрического слоя в этом случае используется материал подложки SrTiO₃. Этим способом удается получить эпитаксиальные пленки, достаточно совершенные по структуре и с хорошими диэлектрическими свойствами, однако процесс смены распыляемой мишени сопряжен с дополнительными технологическими сложностями и деградацией пленки на одной поверхности за время откачки вакуума.Currently, methods based on the use of sputtering targets with various electrophysical properties [1] are most widely used in the manufacture of SIS-type multilayer structures. In this case, the substrate material SrTiO ₃ is used as the dielectric layer. In this way, it is possible to obtain epitaxial films that are quite perfect in structure and with good dielectric properties, however, the process of changing the sprayed target is associated with additional technological difficulties and the degradation of the film on one surface during vacuum evacuation.

Известны способы создания ВТСП пленок с двух сторон подложки [2], в которых у одного класса веществ слой высокотемпературных сверхпроводников находится в пространстве между каждыми двумя двойными уровнями оксида меди, у другого класса веществ слой высокотемпературных сверхпроводников находится между каждыми двумя простыми уровнями. Параметры этих промежуточных структур регулируются путем контролируемой подачи кислорода или соответственно отвода кислорода. Known methods for creating HTSC films on two sides of the substrate [2], in which, for one class of substances, a layer of high-temperature superconductors is in the space between every two double levels of copper oxide, for another class of substances, a layer of high-temperature superconductors is between every two simple levels. The parameters of these intermediate structures are controlled by a controlled supply of oxygen or, accordingly, the removal of oxygen.

Однако данный способ имеет ряд недостатков. Отсутствует возможность получения качественной полированной поверхности и, таким образом, изготовление, например, полоскового резонатора остается весьма проблематичным; имеются трудности контроля измерения переходного слоя между двумя структурами, а также сложности учета влияния изменения параметров проводимости при варьировании давлением кислорода. However, this method has several disadvantages. There is no possibility of obtaining a high-quality polished surface and, thus, the manufacture of, for example, a strip resonator remains very problematic; there are difficulties in controlling the measurement of the transition layer between the two structures, as well as difficulties in taking into account the effect of changes in the conductivity parameters with varying oxygen pressures.

Известен способ нанесения на субстрат двустороннего покрытия из высокотемпературного сверхпроводника [3], заключающийся в том, что на полированный субстрат наносят двухстороннее покрытие из сверхпроводника. Двухстадийный метод, при котором напыление проводят при повышенной температуре, после чего субстрат (in suti) в атмосфере кислорода охлаждают до комнатной температуры. Первый двусторонне полированный субстрат приводят в тесный контакт со вторым субстратом, полированным только с одной стороны, полированной поверхностью этого второго субстрата. Неполированную поверхность второго субстрата приводят в тепловой контакт с нагревательным устройством. При этом происходит напыление на свободную поверхность первого субстрата, после чего этот сустбрат отъединяют и удаляют. В это же время второй субстрат остается подсоединенным к нагревательному устройству и подвергается напылению на полированную поверхность. Первый субстрат после этого приводят в тесный контакт его напыленной поверхностью с напыленной поверхностью второго субстрата и осуществляют напыление на его вторую поверхность. A known method of applying a double-sided coating of a high-temperature superconductor to a substrate [3], which consists in the fact that a double-sided coating of a superconductor is applied to a polished substrate. A two-stage method in which the deposition is carried out at an elevated temperature, after which the substrate (in suti) in an oxygen atmosphere is cooled to room temperature. The first bilaterally polished substrate is brought into close contact with the second substrate polished on one side only, the polished surface of this second substrate. The unpolished surface of the second substrate is brought into thermal contact with the heating device. In this case, a deposition occurs on the free surface of the first substrate, after which this substratum is disconnected and removed. At the same time, the second substrate remains connected to the heating device and is sprayed onto the polished surface. The first substrate is then brought into close contact with its sprayed surface with the sprayed surface of the second substrate and sprayed onto its second surface.

Недостатком этого способа является малый процент выхода пленок высокого качества из-за многостадийности процесса нанесения. The disadvantage of this method is the small percentage of output of high quality films due to the multi-stage application process.

Известен также способ изготовления сверхпроводящих электронных структур со сверхпроводящими слоями на противоположных сторонах тонкой диэлектрической пластины [4]. На первой механически стабильной подложке формируется первый слой сверхпроводника, а поверх него защитный слой. К защитному слою крепится вторая механически стабильно несущая подложка, после чего осуществляется уменьшение толщины первой подложки для получения тонкого слоя диэлектрика. Затем на второй стороне слоя диэлектрика формируется второй слой сверхпроводника. There is also a known method of manufacturing superconducting electronic structures with superconducting layers on opposite sides of a thin dielectric plate [4]. A first superconductor layer is formed on the first mechanically stable substrate, and a protective layer is formed over it. A second mechanically stably supporting substrate is attached to the protective layer, after which the thickness of the first substrate is reduced to obtain a thin dielectric layer. Then, a second superconductor layer is formed on the second side of the dielectric layer.

Недостатком этого способа является дополнительные операции шлифовки и полировки первой подложки и необходимости при этом разгермитизации, вторичного вакуумирования и длительности воздействия вакуума на готовую пленку с одной стороны подложки с нанесенной пленкой. The disadvantage of this method is the additional operations of grinding and polishing the first substrate and the need for depressurization, secondary vacuum and the duration of exposure to vacuum on the finished film on one side of the substrate with the applied film.

Авторами заявляемого изобретения установлено свойство материала YBa₂Cu₃O_7-x активно деградировать при нагревании, охлаждении, разгермитизации и вторичном вакуумировании. При этом происходит диссипация атомов нестехиометрического кислорода из кристаллической структуры и деградация сверхпроводящих свойств пленки.The authors of the claimed invention established the property of the material YBa ₂ Cu ₃ O _{7-x to} actively degrade when heated, cooled, depressurized and secondary evacuated. In this case, dissipation of non-stoichiometric oxygen atoms from the crystalline structure and degradation of the superconducting properties of the film occur.

Известен способ одновременного напыления ВТСП-пленки с двух сторон подложки, в котором использован метод скрещенных лазерных лучей позволяющий проводить напыление от двух мишеней [5]. A known method for the simultaneous deposition of an HTSC film from two sides of a substrate, in which the method of crossed laser beams is used, which makes it possible to sputter from two targets [5].

Недостатком способа является необходимость в двух лазерах и возможное образование новых сложных не сверхпроводящих молекул в плазме двух скрещенных факелов и в связи с этим неидентичность электрофизических параметров полученных пленок с разных сторон подложки. The disadvantage of this method is the need for two lasers and the possible formation of new complex non-superconducting molecules in the plasma of two crossed torches and, therefore, the identity of the electrophysical parameters of the obtained films from different sides of the substrate.

Наиболее близким к заявляемому изобретению является способ нанесения ВТСП пленки с двух сторон подложки [6], в котором использован метод лазерной абляции с расположением подложки параллельно оси плазменного факела. В этом способе напыление проводят при давлении кислорода Р=10^-3 торр и температуре 430^oС с последующим отжигом в атмосфере кислорода в течение 2-5 часов. При указанном расположении подложки пленку наносят одновременно на две стороны подложки, но при этом способе поверхности имеют клинообразную геометрию, т. е. толщина пленки сильно зависит от расстояния до факела. Этим способом невозможно напыление более чем трехслойных структур (SIS).Closest to the claimed invention is a method of applying HTSC film on both sides of the substrate [6], which uses the laser ablation method with the substrate located parallel to the axis of the plasma torch. In this method, the deposition is carried out at an oxygen pressure of P = 10 ^-3 Torr and a temperature of 430 ^o With subsequent annealing in an atmosphere of oxygen for 2-5 hours. At the indicated location of the substrate, the film is applied simultaneously on two sides of the substrate, but with this method the surfaces have a wedge-shaped geometry, i.e., the thickness of the film strongly depends on the distance to the plume. In this way it is not possible to spray more than three-layer structures (SIS).

Задачей изобретения является создание способа формирования из одного материала YBaCuO с двух сторон подложки структур с различными электрофизическими свойствами, обеспечивающего создание слоев хорошего качества, морфологии и отсутствие микробрызг на поверхности в одном технологическом цикле (in situ), без изменения установленного перед началом процесса давления в камере. Указанный технический результат достигается тем, что в способе формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции подложку устанавливают внутри цилиндрической печи на держателе со смещенным центром тяжести на расстоянии 1-3 см от мишени, держатель фиксируют по нормали к распыляемой мишени, после получения пленки заданной толщины с одной стороны подложки фиксатор держателя подложки отводят и подложка опрокидывается на 180^o и фиксируется, после чего процесс напыления продолжают с другой стороны подложки без перерыва технологического цикла из той же мишени при неизменных параметрах лазерного излучения, давлении и температуры. Держатель может быть выполнен в виде кольца, внутри которого уставлена подложка, причем на кольце укреплен груз для смещения центра тяжести. Для нанесения покрытия с различными электрофизическими свойствами из одной мишени устанавливается фиксированная температура подложки в пределах 950-270^oС, соответствующая нанесению пленок из ряда: сверхпроводник, нормальный проводник, полупроводник, изолятор и процесс осуществляют в атмосфере воздуха или кислорода при давлении 0,01-0,3 торр.The objective of the invention is to provide a method for the formation of structures with different electrophysical properties from two sides of a substrate of YBaCuO material, which ensures the creation of layers of good quality, morphology and the absence of microsprays on the surface in one technological cycle (in situ), without changing the pressure in the chamber established before the start of the process . The specified technical result is achieved by the fact that in the method of forming multilayer structures from YBaCuO material on both sides of the substrate by laser ablation, the substrate is mounted inside a cylindrical furnace on a holder with a displaced center of gravity at a distance of 1-3 cm from the target, the holder is fixed normal to the sprayed target, after obtaining a film of a given thickness on one side of the substrate, the retainer of the substrate holder is removed and the substrate is tipped 180 ^° and fixed, after which the spraying process is continued on the other hand Orons of the substrate without interruption of the technological cycle from the same target with unchanged parameters of laser radiation, pressure and temperature. The holder can be made in the form of a ring, inside of which a substrate is fixed, and a load is fixed on the ring to shift the center of gravity. For coating with various electrophysical properties from a single target, a fixed substrate temperature is set within 950-270 ^o C, corresponding to the deposition of films from the series: superconductor, normal conductor, semiconductor, insulator and the process is carried out in an atmosphere of air or oxygen at a pressure of 0.01- 0.3 torr

При напылении обратной стороны подложки освобождением фиксатора держатель подложки внутри печки переворачивается на 180^o. После переворота сохраняется геометрия напыления, при которой плазменный факел распыляемой керамики ориентирован нормально к поверхности подложки в 1-3 см от нее. В качестве подложек используют материалы SrTiO₃, LаАlO₃, MgO, ZrO₂. Регулирование температуры подложки осуществляется варьированием мощности питания вакуумной печи, а измеряется температура термопарным датчиком.When spraying the reverse side of the substrate by releasing the latch, the substrate holder inside the stove is turned 180 ^o . After the coup, the spraying geometry is preserved, in which the plasma torch of the sprayed ceramic is oriented normally to the substrate surface 1-3 cm from it. As the substrates use materials SrTiO ₃ , LaAlO ₃ , MgO, ZrO ₂ . The substrate temperature is controlled by varying the power supply of the vacuum furnace, and the temperature is measured by a thermocouple sensor.

Таким образом, в процессе проведенных исследований создан способ формирования пленок YBaCuO пленок с различными электрофизическими свойствами с двух сторон подложки, осуществляемый в одном технологическом процессе, из одной мишени при неизменных параметрах лазерного излучения, давления и температуры, только путем переворота держателя с подложкой внутри вакуумной печи на 180^o. Экспериментально установлены параметры лазерного излучения, геометрического расположения и температурного режима для нанесения пленок с различными элекрофизическими свойствами.Thus, in the course of the research, a method was created for the formation of YBaCuO films of films with different electrophysical properties on two sides of the substrate, carried out in one technological process, from the same target with constant parameters of laser radiation, pressure and temperature, only by flipping the holder with the substrate inside a vacuum oven at 180 ^o . The parameters of laser radiation, geometric arrangement and temperature conditions for applying films with various electrophysical properties are experimentally established.

Устройство, при помощи которого реализуется предлагаемый способ, включает в себя лазер ЛТИ-403, вакуумную камеру, систему кварцевых линз для фокусировки лазерного луча на мишень. Установка имеет также систему вакуумной откачки и регулируемого напуска воздуха или кислорода. Температура напыления контролируется термопарным датчиком. The device with which the proposed method is implemented includes an LTI-403 laser, a vacuum chamber, a system of quartz lenses for focusing a laser beam on a target. The installation also has a vacuum pumping system and an adjustable inlet of air or oxygen. The spray temperature is controlled by a thermocouple sensor.

Подложка крепится внутри цилиндрической печи на специальном держателе на расстоянии 1-3 см от мишени. Держатель подложки фиксируется по нормали к распыляемой мишени. Благодаря смещенному центру тяжести держателя, при освобождении фиксатора, держатель переворачивается на 180^o. Вакуумная камера имеет окна для визуализации контроля за экспериментом и кварцевое окно для прохождения лазерного излучения. Предложенный способ можно пояснить примером получения ВТСП пленок с двух сторон подложки: с критическим током j_c≈10⁶ А/см²; Т_c≈92.3 К; ΔТ≈0.8 -1.0 К.The substrate is mounted inside a cylindrical furnace on a special holder at a distance of 1-3 cm from the target. The substrate holder is fixed normal to the spray target. Due to the shifted center of gravity of the holder, when releasing the latch, the holder is turned 180 ^o . The vacuum chamber has windows for visualizing the control of the experiment and a quartz window for the passage of laser radiation. The proposed method can be illustrated by the example of obtaining HTSC films on two sides of the substrate: with a critical current j _c ≈10 ⁶ A / cm ² ; T _c ≈92.3 K; ΔТ≈0.8 -1.0 K.

Пример 1. Мишень состава YВа₂Сu₃О_6.93-х, приготовленная по пиролизной керамической технологии, устанавливается на держателе внутри вакуумной камеры в цилиндрической печи. Подложки типа SrТiO₃, LаАlO₃, отполированные с обеих сторон, фиксируются на держателе со смещенным центром тяжести по нормали к поверхности мишени на расстоянии 3 см. Вакуумная камера откачивается до давления 0.1 торр, включается печь и подложка нагревается до температуры 860^oС, далее включается лазер сфокусированный на мишени в пучок диаметром 1 мм и плотностью мощности излучения ≈10⁸ Вт/см² с частотой следования импульсов 12-13 Гц. При этих характеристиках излучения лазера и на расстоянии 3 см подложки от мишени пленка напыляется со скоростью 40 нм/мин. После получения пленки заданной толщины с одной стороны подложки фиксатор держателя подложки отводится и подложка опрокидывается на 180^o, после чего процесс напыления продолжается без перерыва технологического цикла с другой стороны подложки. По окончании процесса напыления печь отключается, камера наполняется воздухом и напыленные образцы извлекаются из камеры после охлаждения печи. Проведенные исследования показали, что качество, морфология и электрофизические свойства полученных таким образом пленок соответствуют эпитаксиальному росту без микробрызг. Морфология поверхности пленок наблюдалась на туннельном микроскопе, а их электрофизические свойства измерялись четырехзондовым методом и бесконтактным индуктивным способом.Example 1. The target composition YВа ₂ Сu ₃ О _6.93 -х, prepared by pyrolysis of ceramic technology, is mounted on a holder inside a vacuum chamber in a cylindrical furnace. Foil-type SrTiO _3, LaAlO _3, polished on both sides are fixed to the holder with the displaced center of gravity normal to the target surface at a distance of 3 cm. The vacuum chamber is evacuated to a pressure of 0.1 Torr, the oven and the substrate is heated to a temperature of 860 ^o C, more the laser is switched on, focused on the target in a beam with a diameter of 1 mm and a radiation power density of ≈10 ⁸ W / cm ² with a pulse repetition rate of 12-13 Hz. With these characteristics of laser radiation and at a distance of 3 cm from the target, the film is sprayed at a speed of 40 nm / min. After obtaining a film of a given thickness on one side of the substrate, the holder retainer of the substrate is retracted and the substrate is tipped 180 ^° , after which the deposition process continues without interruption of the technological cycle on the other side of the substrate. At the end of the spraying process, the furnace is turned off, the chamber is filled with air and the sprayed samples are removed from the chamber after cooling the furnace. Studies have shown that the quality, morphology, and electrophysical properties of the films thus obtained correspond to epitaxial growth without microspray. The surface morphology of the films was observed with a tunneling microscope, and their electrophysical properties were measured using the four-probe method and the non-contact inductive method.

Пример 2. Для напыления полупроводниковых пленок мишень состава YВа₂Сu₃О_6.93-х, приготовленная по пиролизной керамической технологии, устанавливается на держателе внутри вакуумной камеры в цилиндрической печи. Подложки типа SrТiO₃, LаАlO₃, отполированные с обеих сторон, фиксируются на держателе со смещенным центром тяжести по нормали к поверхности мишени на расстоянии 3 см. Вакуумная камера откачивается до давления 0.1 торр, включается печь и подложка нагревается до температуры 600^oC-720^oС, далее включается лазер сфокусированный на мишени в пучок диаметром 1 мм и плотностью мощности излучения ≈10⁸ Вт/см² с частотой следования импульсов 12-13 Гц. При этих характеристиках излучения лазера и на расстоянии 3 см подложки от мишени пленка напыляется со скоростью 50 нм/мин. После получения пленки заданной толщины с одной стороны подложки фиксатор держателя подложки отводится и подложка опрокидывается на 180^o, после чего процесс напыления продолжается без перерыва технологического цикла с другой стороны подложки. По окончании процесса напыления печь отключается, камера наполняется воздухом и напыленные образцы извлекаются из камеры после охлаждения печи. Для напыления диэлектрических пленок мишень состава YВа₂Сu₃О_6.93-х напыляется при температуре 270-300^oС.Example 2. For the deposition of semiconductor films, a target of the composition YВа ₂ Сu ₃ О _6.93 -х, prepared by pyrolysis of ceramic technology, is mounted on a holder inside a vacuum chamber in a cylindrical furnace. Foil-type SrTiO _3, LaAlO _3, polished on both sides are fixed to the holder with the displaced center of gravity normal to the target surface at a distance of 3 cm. The vacuum chamber is evacuated to a pressure of 0.1 Torr, the oven and the substrate is heated to 600 ^o C-720 temperature ^o С, then the laser is switched on, focused on the target into a beam with a diameter of 1 mm and a radiation power density of ≈10 ⁸ W / cm ² with a pulse repetition rate of 12-13 Hz. With these characteristics of laser radiation and at a distance of 3 cm from the target, the film is sprayed at a speed of 50 nm / min. After obtaining a film of a given thickness on one side of the substrate, the holder retainer of the substrate is retracted and the substrate is tipped 180 ^° , after which the deposition process continues without interruption of the technological cycle on the other side of the substrate. At the end of the spraying process, the furnace is turned off, the chamber is filled with air and the sprayed samples are removed from the chamber after cooling the furnace. For the deposition of dielectric films, a target of the composition YВа ₂ Сu ₃ О _6.93 -х is sprayed at a temperature of 270-300 ^o С.

Источники, принятые во внимание
1. Wellstood, Kingston, and Clark, Appl Pfys. Lett 56 [23] 4. June 1990 0003-6951/90/232336-03S02.00 1990 American Institut of Pfysics. p. 2336-2338. Supercunducting thin - film multiturn wils of YBaCuO.Sources taken into account
1. Wellstood, Kingston, and Clark, Appl Pfys. Lett 56 [23] 4. June 1990 0003-6951 / 90 / 232336-03S02.00 1990 American Institut of Pfysics. p. 2336-2338. Supercunducting thin - film multiturn wils of YBaCuO.

2. Заявка Германии 4124048. МПК 5 H 01 L, 39/24, 39/22, 39/12 "Контакт Джозефсона в высокотемпературных сверхпроводниках и способ его создания". 2. German application 4124048. IPC 5 H 01 L, 39/24, 39/22, 39/12 "Josephson contact in high-temperature superconductors and the method of its creation."

3. Заявка Германии 4137238. МПК С 23 С 14/22, 13/35 H 01 L, 39/24 "Способ нанесения на субстрат двухстороннего покрытия из высокотемпературного сверхпроводника". 3. German application 4137238. IPC C 23 C 14/22, 13/35 H 01 L, 39/24 "Method for applying a double-sided coating of a high-temperature superconductor to a substrate".

4. Патент США 5280013 МПК H 01 L 39/24. "Способ получения пленки высокотемпературного сверхпроводника на противоположных сторонах подложки". 4. US patent 5280013 IPC H 01 L 39/24. "A method of producing a high-temperature superconductor film on opposite sides of the substrate."

5. В.Г. Прохоров и др. // СФХТ, 1992, 3, с. 505-509. 5. V.G. Prokhorov et al. // SFKhT, 1992, 3, p. 505-509.

6. А. И. Головашкин и др. // Тезисы докл. 2 Всес. Конф. по ВТСП - Киев, 1989, т 2, с. 260. 6. A. I. Golovashkin et al. // Abstracts of the report. 2 All Conf. according to HTSC - Kiev, 1989, t 2, s. 260.

Claims (3)

1. Способ формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции, отличающийся тем, что подложку устанавливают внутри цилиндрической печи на держателе со смещенным центром тяжести на расстоянии 1-3 см от мишени, держатель фиксируют по нормали к распыляемой мишени, после получения пленки заданной толщины с одной стороны подложки фиксатор держателя подложки отводят и подложка опрокидывается на 180^o, после чего процесс напыления продолжают с другой стороны подложки без перерыва технологического цикла из той же мишени при неизменных параметрах лазерного излучения, давления и температуры.1. The method of forming multilayer structures of YBaCuO material on both sides of the substrate by laser ablation, characterized in that the substrate is installed inside a cylindrical furnace on a holder with a displaced center of gravity at a distance of 1-3 cm from the target, the holder is fixed normal to the sprayed target, after of obtaining a film of a given thickness on one side of the substrate, the retainer of the substrate holder is withdrawn and the substrate is tipped 180 ^° , after which the deposition process is continued on the other side of the substrate without interruption of the technological cycle from the same target with unchanged parameters of laser radiation, pressure and temperature. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для нанесения из одной мишени покрытия с различными электрофизическими свойствами поворот подложки осуществляют при фиксированном значении температуры в пределах 270-950^oС, соответствующей нанесению слоев из ряда: сверхпроводник, нормальный проводник, полупроводник, изолятор, и процесс осуществляют в атмосфере воздуха или кислорода при давлении 0,01-0,3 торр.2. The method according to p. 1, characterized in that for applying from one target a coating with different electrophysical properties, the substrate is rotated at a fixed temperature in the range of 270-950 ^o C, corresponding to the deposition of layers from the series: superconductor, normal conductor, semiconductor, the insulator, and the process is carried out in an atmosphere of air or oxygen at a pressure of 0.01-0.3 Torr. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку укрепляют внутри держателя, выполненного в виде кольца со смещенным центром тяжести. 3. The method according to p. 1, characterized in that the substrate is strengthened inside the holder, made in the form of a ring with a displaced center of gravity.