RU2183884C1 - Гибридный многоуровневый электронный модуль - Google Patents

Гибридный многоуровневый электронный модуль Download PDF

Info

Publication number
RU2183884C1
RU2183884C1 RU2000131924/28A RU2000131924A RU2183884C1 RU 2183884 C1 RU2183884 C1 RU 2183884C1 RU 2000131924/28 A RU2000131924/28 A RU 2000131924/28A RU 2000131924 A RU2000131924 A RU 2000131924A RU 2183884 C1 RU2183884 C1 RU 2183884C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microblock
contacts
microcircuit
microcircuits
microassembly
Prior art date
Application number
RU2000131924/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.В. Стрельцов (RU)
Н.В. Стрельцов
Original Assignee
СИНЕРДЖЕСТИК КОМПЬЮТИНГ СИСТЕМС (СИКС) АпС
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by СИНЕРДЖЕСТИК КОМПЬЮТИНГ СИСТЕМС (СИКС) АпС filed Critical СИНЕРДЖЕСТИК КОМПЬЮТИНГ СИСТЕМС (СИКС) АпС
Priority to RU2000131924/28A priority Critical patent/RU2183884C1/ru
Priority to PCT/DK2001/000864 priority patent/WO2002051224A2/en
Priority to US10/451,240 priority patent/US6829147B2/en
Priority to EP01271796A priority patent/EP1346617A2/en
Priority to AU2002215886A priority patent/AU2002215886A1/en
Priority to JP2002552385A priority patent/JP2004516671A/ja
Application granted granted Critical
Publication of RU2183884C1 publication Critical patent/RU2183884C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/023—Stackable modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Mounting Components In General For Electric Apparatus (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании миниатюрных высокопроизводительных вычислительных систем. Техническим результатом изобретения является повышение плотности монтажа интегральных микросхем и сокращение трудозатрат при сборке модулей микроэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения: гибридный многоуровневый электронный модуль содержит монтажную плату с многослойной системой коммутации, на которой размещены микросхемы и микроблоки. Корпус микроблока выполнен в виде коробчатой конструкции из упругого диэлектрического материала, вертикальные стенки которой имеют вертикальные рабочие металлизированные пазы, соединенные с контактными площадками на наружной поверхности донной части корпуса микроблока. Корпуса микросхем, устанавливаемые в микроблок, имеют жесткую боковую рамку, по периметру которой размещены контакты, выполненные в виде круглых стержней, оси которых параллельны основанию микросхемы и лежат в одной плоскости. Размеры и форма корпуса микросхемы соответствуют внутренним размерам и форме внутреннего пространства корпуса микроблока. Размеры и месторасположение контактов микросхемы соответствуют размерам и месторасположению рабочих пазов. Корпуса микросхем могут иметь выступы, обеспечивающие зазор между микросхемами, установленными в микроблоке, а также используемые при демонтаже микросхем. Для обеспечения принудительного обдува микросхем, установленных в микроблок, корпус последнего имеет отверстия на уровне возможных зазоров. Увеличение площади контактируемых поверхностей рабочего паза и контакта микросхемы обеспечивается увеличением диаметра контактов и их шахматным размещением в двух плоскостях. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании миниатюрных высокопроизводительных вычислительных систем.
Известно устройство - гибридный многоуровневый электронный модуль (RU, 1753961), содержащее на каждом уровне плату, на поверхности которой размещены бескорпусные микросхемы.
Пакет плат собран в модуль, при этом платы соединены между собой неразъемным соединением, что не позволяет оперативно менять конфигурацию устройства и заменять неисправное оборудование.
Эти недостатки в значительной мере устранены в другой известной конструкции блока микроэлектронной аппаратуры с эластичными соединителями (см. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах / И.Н. Воженин, Г.А. Блинов, Л.А. Коледов и др. Под ред. И.Н. Воженина - М.: Радио и связь, 1985, с. 52-53 - прототип). Многоуровневая конструкция блока собирается поверх коммутационной платы, имеющей электрические связи с внешними соединителями блока. Блок состоит из нескольких уровней плат, размещенных друг над другом, каждая из которых имеет по периметру с двух сторон эластичные токопроводящие контакты. Платы при помощи шпилек сжимаются, обеспечивая при этом электрическую связь между контактами соседних плат.
Недостатками данного устройства являются низкая надежность эластичных токопроводящих контактов и невысокая плотность их размещения.
Задача изобретения - повышение плотности монтажа интегральных микросхем и сокращение трудозатрат при сборке модулей высокопроизводительных вычислительных систем.
Поставленная задача решается тем, что в предложенном гибридном многоуровневом электронном модуле, содержащем двухстороннюю монтажную плату с многослойной системой коммутации, микросхемы и микроблоки размещены на поверхностях монтажной платы. Выводы их соединены с соответствующими контактными площадками платы, причем каждый микроблок содержит до К микросхем, установленных друг над другом, согласно изобретению корпус микроблока выполнен из упругого диэлектрического материала в виде коробчатой конструкции, вертикальные боковые стенки которой имеют вертикально расположенные буферные и рабочие пазы. Внутренняя поверхность каждого рабочего паза металлизирована и соединена с соответствующим контактным выводом микроблока, размещенным на внешней поверхности донной части корпуса микроблока, а вертикальные ребра, образованные соседними пазами, имеют неметаллизированную закругленную верхнюю часть, обеспечивающую направленное движение и позиционирование микросхемы при ее установке в микроблоке. Корпуса микросхем, устанавливаемых в микроблок, имеют жесткую боковую рамку, по периметру которой размещены контакты, выполненные в виде круглых стержней, оси которых параллельны основанию микросхемы и лежат в одной плоскости. Размеры и форма корпуса микросхемы соответствуют внутренним размерам и форме внутреннего пространства корпуса микроблока, в который они устанавливаются, размеры и месторасположение контактов микросхемы соответствуют размерам и месторасположению рабочих пазов.
Кроме того, согласно изобретению контакты микросхемы могут быть размещены в шахматном порядке в двух плоскостях, параллельных основанию, причем расстояние между двумя соседними контактами, находящимися в разных плоскостях, больше, чем ширина ребра, образованного пазами, соответствующими данным контактам, а диаметр контактов больше, чем ширина соответствующих им пазов. При этом увеличение диаметра контактов и расстояния между соседними контактами должно быть выбрано таким образом, чтобы не препятствовать установке микросхем в микроблок.
Также, согласно изобретению корпус микросхемы имеет выступы, форма которых обеспечивает возможность использования их при демонтаже микросхемы из микроблока, а также обеспечивает зазор между установленными в микроблок микросхемами. При этом корпус микроблока имеет на уровне возможных зазоров отверстия, обеспечивающие возможность принудительного обдува микросхем.
Признаки в указанной взаимосвязи в процессе проведения поиска на новизну не обнаружены, являются существенными и в своей совокупности обеспечивают повышение плотности монтажа интегральных микросхем и сокращение трудозатрат при сборке модулей высокопроизводительных вычислительных систем. Достигается это следующим образом.
Минимальный диаметр контактов, обеспечивающих качественный монтаж и надежное соединение, составляет 0,5 мм. Расстояние между контактами также составляет 0,5 мм. При длине контакта, равной 1 мм и толщине корпуса микроблока между рабочим пазом и наружной стенкой в 0,5 мм, площадь одного внешнего соединения составляет 1,5 мм2. Основные типы существующих разъемных соединений (ножевые контактные разъемы, штырьковые, а также эластичные) выполняются с шагом 2,5 мм и, следовательно, площадь, занимаемая подобным одним внешним соединением, больше 6 мм2. Таким образом, использование микроблоков позволяет повысить плотность внешних соединений в 4 раза и соответственно увеличить плотность монтажа.
Установка микросхемы в микроблок не требует сложных и длинных технологических операций, и связана только с перемещением микросхемы в пазах, которые выполняют роль направляющих, а также не требует высокой точности позиционирования при автоматическом монтаже, которое обеспечивается специальной формой верхней части ребер, образованных пазами.
На чертеже представлена конструкция гибридного многоуровневого электронного модуля.
Гибридный многоуровневый электронный модуль (см. чертеж) содержит двухстороннюю монтажную плату 1 с многослойной системой коммутации, микросхемы 2 и микроблоки 3, размещенные на поверхностях монтажной платы, выводы которых соединены с соответствующими контактными площадками 4 платы, причем каждый микроблок 3 содержит до К микросхем 5, установленных друг над другом. Корпус микроблока 6 выполнен из упругого диэлектрического материала в виде коробчатой конструкции, вертикальные боковые стенки которой имеют вертикально расположенные буферные 7 и рабочие 8 пазы. Внутренняя поверхность 9 каждого рабочего паза металлизирована и соединена с соответствующим контактным выводом 10 микроблока, размещенным на внешней поверхности донной части корпуса микроблока, а вертикальные ребра, образованные соседними пазами, имеют неметаллизированную закругленную верхнюю часть 11, обеспечивающую направленное движение и позиционирование микросхемы при ее установке в микроблоке. Корпуса микросхем 5 имеют жесткую боковую рамку 12, по периметру которой размещены контакты 13, выполненные в виде круглых стержней, оси которых параллельны основанию микросхемы и лежат в одной плоскости. Размеры и форма корпуса микросхемы соответствуют внутренним размерам и форме внутреннего пространства корпуса микроблока, в который они устанавливаются, размеры и месторасположение контактов микросхемы соответствуют размерам и месторасположению рабочих пазов.
Корпус микросхемы 5 имеет выступы 14, форма которых обеспечивает возможность использования их при демонтаже микросхемы из микроблока, а также обеспечивает зазор между установленными в микроблок микросхемами, а корпус микроблока имеет на уровне возможных зазоров отверстия 15, обеспечивающие возможность принудительного обдува микросхем.
Гибридный многоуровневый электронный модуль используется в качестве основной конструктивной единицы при создании синергической вычислительной системы, характерной особенностью процессора которой является большое количество внешних связей. Так, для 32-х разрядного процессора, состоящего из 16 функциональных блоков, необходимо, как минимум (с учетом временного мультиплексирования трактов команд и данных) шестнадцать 40-а разрядных трактов, т. е. 640 информационных выводов. Микросхема процессора ставится в центр монтажной платы. Память команд и данных размещается в 16 микроблоках, которые устанавливаются вокруг микросхемы процессора по 8 микроблоков на каждой стороне монтажной платы. Для установки микроблоков на монтажной плате формируется 16 групп по 40 контактных площадок, на которые методом "flip-chip" монтируются микроблоки. В каждый микроблок ставится 4 микросхемы с памятью. Микросхемы устройства ввода/вывода ставятся в центре обратной (по отношению к микросхеме процессора) стороны монтажной платы. Внешние выводные контакты формируются по краю монтажной платы. Принудительный обдув модуля обеспечивается двумя вентиляторами, установленными с двух сторон монтажной платы. В результате, в объеме ~126 см3 (6•6•3,5) см размещается ~66 микросхем, общей площадью ~68 см2.

Claims (3)

1. Гибридный многоуровневый электронный модуль, содержащий двухстороннюю монтажную плату с многослойной системой коммутации, микросхемы и микроблоки, размещенные на поверхностях монтажной платы, выводы которых соединены с соответствующими контактными площадками платы, причем каждый микроблок содержит до К микросхем, установленных друг над другом, отличающийся тем, что корпус микроблока выполнен из упругого диэлектрического материала в виде коробчатой конструкции, вертикальные боковые стенки которой имеют вертикально расположенные буферные и рабочие пазы, причем внутренняя поверхность каждого рабочего паза металлизирована и соединена с соответствующим контактным выводом микроблока, размещенным на внешней поверхности донной части корпуса микроблока, а вертикальные ребра, образованные соседними пазами, имеют неметаллизированную закругленную верхнюю часть, обеспечивающую направленное движение и позиционирование микросхемы при ее установке в микроблоке, причем корпуса микросхем, устанавливаемых в микроблок, имеют жесткую боковую рамку, по периметру которой размещены контакты, выполненные в виде круглых стержней, оси которых параллельны основанию микросхемы и лежат в одной плоскости, а размеры и форма корпуса микросхемы соответствуют внутренним размерам и форме внутреннего пространства корпуса микроблока, в который они устанавливаются, размеры и месторасположение контактов микросхемы соответствуют размерам и месторасположению рабочих пазов.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что контакты микросхемы размещены в шахматном порядке в двух плоскостях, параллельных основанию, причем расстояние между двумя соседними контактами, находящимися в разных плоскостях, больше, чем ширина ребра, образованного пазами, соответствующими данным контактам, а диаметр контактов больше, чем ширина соответствующих им пазов, при этом увеличение диаметра контактов и расстояния между соседними контактами должно быть выбрано таким образом, чтобы не препятствовать установке микросхем в микроблок.
3. Устройство по пп. 1 и 2, отличающееся тем, что корпус микросхемы имеет выступы, форма которых обеспечивает возможность использования их при демонтаже микросхемы из микроблока, а также обеспечивает зазор между установленными в микроблок микросхемами, а корпус микроблока имеет на уровне возможных зазоров отверстия, обеспечивающие возможность принудительного обдува микросхем.
RU2000131924/28A 2000-12-21 2000-12-21 Гибридный многоуровневый электронный модуль RU2183884C1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000131924/28A RU2183884C1 (ru) 2000-12-21 2000-12-21 Гибридный многоуровневый электронный модуль
PCT/DK2001/000864 WO2002051224A2 (en) 2000-12-21 2001-12-21 Multilayered hybrid electronic module
US10/451,240 US6829147B2 (en) 2000-12-21 2001-12-21 Multilayered hybrid electronic module
EP01271796A EP1346617A2 (en) 2000-12-21 2001-12-21 Multilayered hybrid electronic module
AU2002215886A AU2002215886A1 (en) 2000-12-21 2001-12-21 Multilayered hybrid electronic module
JP2002552385A JP2004516671A (ja) 2000-12-21 2001-12-21 多層ハイブリッド電子モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000131924/28A RU2183884C1 (ru) 2000-12-21 2000-12-21 Гибридный многоуровневый электронный модуль

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2183884C1 true RU2183884C1 (ru) 2002-06-20

Family

ID=20243695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000131924/28A RU2183884C1 (ru) 2000-12-21 2000-12-21 Гибридный многоуровневый электронный модуль

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6829147B2 (ru)
EP (1) EP1346617A2 (ru)
JP (1) JP2004516671A (ru)
AU (1) AU2002215886A1 (ru)
RU (1) RU2183884C1 (ru)
WO (1) WO2002051224A2 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006502596A (ja) * 2002-10-08 2006-01-19 チップパック，インク． 裏返しにされた第二のパッケージを有する積み重ねられた半導体マルチパッケージモジュール
US7034387B2 (en) * 2003-04-04 2006-04-25 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies
ES2206055B1 (es) * 2002-10-25 2005-03-01 Patricia Martin Maza Base para dispositivos electricos.
TWM281269U (en) * 2005-06-24 2005-11-21 Optimum Care Int Tech Inc Conducting apparatus for memory component
TWI260826B (en) * 2005-07-06 2006-08-21 Optimum Care Int Tech Inc Memory array module
CN100452373C (zh) * 2005-12-14 2009-01-14 财团法人工业技术研究院 集成电路的接合结构及其制造方法
US20070159802A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Lih Duo International Co., Ltd. VGA interface card
CN102077703A (zh) * 2008-07-01 2011-05-25 格雷索明尼苏达有限公司 模块化电子***
US20100053925A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-04 Chao-Tsung Huang Chip mount for data storage device
TWM370217U (en) * 2009-05-12 2009-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrical connector
WO2010141641A2 (en) * 2009-06-02 2010-12-09 Stephen Petruzzo Modular re-configurable computers and storage systems and methods
US7922523B2 (en) * 2009-07-20 2011-04-12 Sony Ericcson Mobile Communications Ab Vertically stackable sockets for chip modules
US8687350B2 (en) * 2011-05-11 2014-04-01 Ez-Tech Corp Motherboard and case with hidden internal connectors
US8643188B2 (en) 2011-06-03 2014-02-04 Infineon Technologies Ag Connecting system for electrically connecting electronic devices and method for connecting an electrically conductive first connector and electrically conductive second connector
US8964384B2 (en) * 2012-07-27 2015-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Component cooling
TWI598721B (zh) * 2015-07-13 2017-09-11 鴻騰精密科技股份有限公司 電子裝置
US20170322601A1 (en) * 2016-05-04 2017-11-09 R-Stor Inc. Apparatus for configuring a memory drive device
CN206283020U (zh) * 2016-11-23 2017-06-27 番禺得意精密电子工业有限公司 电连接器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2629358C3 (de) * 1976-06-30 1980-01-24 Elmeg-Elektro-Mechanik Gmbh, 3150 Peine Anordnung mit einer Fassung zur Aufnahme elektrischer Schaltungselemente
WO1982000923A1 (en) * 1980-09-05 1982-03-18 Mulholland W Socket for housing a plurality of integrated circuits
JP2602545B2 (ja) * 1989-03-30 1997-04-23 山一電機工業株式会社 Ｉｃキャリア
JP2594355B2 (ja) * 1989-04-28 1997-03-26 山一電機工業株式会社 Ｉｃキャリア
JPH0487175A (ja) * 1990-07-26 1992-03-19 Matsushita Electron Corp 半導体装置用ソケット
US5303121A (en) * 1992-12-28 1994-04-12 Ncr Corporation Multi-chip module board
US5728972A (en) * 1996-04-22 1998-03-17 United Microelectronics Corporation Multiple chip module for packaging integrated circuits
RU2119276C1 (ru) * 1997-11-03 1998-09-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Трехмерный гибкий электронный модуль
RU2133523C1 (ru) * 1997-11-03 1999-07-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Трехмерный электронный модуль
US6210175B1 (en) * 1998-02-20 2001-04-03 Hewlett-Packard Company Socket rails for stacking integrated circuit components
US6153929A (en) * 1998-08-21 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Low profile multi-IC package connector
US6634095B2 (en) * 2001-06-27 2003-10-21 International Business Machines Corporation Apparatus for mounting a land grid array module
US6678163B1 (en) * 2002-12-19 2004-01-13 Westcode Semiconductors Limited Housing for semiconductor chips

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ВОЖЕНИН И.Н. и др. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. - М.: Радио и связь, 1985 , с. 52-53. *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004516671A (ja) 2004-06-03
WO2002051224A2 (en) 2002-06-27
AU2002215886A1 (en) 2002-07-01
US6829147B2 (en) 2004-12-07
US20040066638A1 (en) 2004-04-08
WO2002051224A3 (en) 2002-10-03
EP1346617A2 (en) 2003-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2183884C1 (ru) Гибридный многоуровневый электронный модуль
US3705332A (en) Electrical circuit packaging structure and method of fabrication thereof
US4502098A (en) Circuit assembly
RU2419179C2 (ru) Устройство интегральной схемы и способ изготовления устройства интегральной схемы
US9768536B2 (en) Socket with routed contacts
US4116519A (en) Electrical connections for chip carriers
US7606050B2 (en) Compact module system and method
RU2133523C1 (ru) Трехмерный электронный модуль
US7284992B2 (en) Electronic package structures using land grid array interposers for module-to-board interconnection
US20080205011A1 (en) In-grid decoupling for ball grid array (BGA) devices
RU2176134C2 (ru) Трехмерный электронный модуль и способ его изготовления
WO2000035016A1 (en) Multi-chip package with stacked chips and interconnect bumps
US20130083494A1 (en) Three-dimensional electronics packaging
CN109691241B (zh) 在竖直电连接件中提供互电容的电路和方法
US7791896B1 (en) Providing an embedded capacitor in a circuit board
US11096290B2 (en) Printed circuit board with edge soldering for high-density packages and assemblies
US4764122A (en) Data bus connector
US6954984B2 (en) Land grid array structure
US10811800B1 (en) Cable connector assembly for an integrated circuit assembly
GB2095039A (en) Circuit assembly
US7363688B2 (en) Land grid array structures and methods for engineering change
EP0489995A1 (en) Flexible printed circuit package and flexible printed circuit for incorporation into such a package
CA2031865C (en) High-density memory array packaging
KR20050046113A (ko) 집적회로 모듈의 구조
CN216928981U (zh) 一种金手指连接器、电路板组以及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20031222