RU2181104C2 - Способ выделения кремния - Google Patents

Способ выделения кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2181104C2
RU2181104C2 RU2000102472A RU2000102472A RU2181104C2 RU 2181104 C2 RU2181104 C2 RU 2181104C2 RU 2000102472 A RU2000102472 A RU 2000102472A RU 2000102472 A RU2000102472 A RU 2000102472A RU 2181104 C2 RU2181104 C2 RU 2181104C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
temperature
metal
reducing
deposition
Prior art date
Application number
RU2000102472A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2000102472A (ru
Inventor
М.Ф. Свидерский
И.П. Свириденко
А.В. Дробышев
Е.А. Орлова
Original Assignee
Государственное унитарное предприятие Государственный научный центр Российской Федерации Физико-энергетический институт имени академика А.И. Лейпунского
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное унитарное предприятие Государственный научный центр Российской Федерации Физико-энергетический институт имени академика А.И. Лейпунского filed Critical Государственное унитарное предприятие Государственный научный центр Российской Федерации Физико-энергетический институт имени академика А.И. Лейпунского
Priority to RU2000102472A priority Critical patent/RU2181104C2/ru
Publication of RU2000102472A publication Critical patent/RU2000102472A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2181104C2 publication Critical patent/RU2181104C2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу выделения высокочистого кремния из отходов фосфатного производства минеральных удобрений - кремнефтористых соединений натрия или калия, который может быть использован в радиоэлектронике и производстве солнечных батарей, а также в других отраслях, использующих кремний. Сущность изобретения состоит в способе выделения кремния, заключающемся в процессе восстановления кремнефторида щелочного металла с использованием металлов-восстановителей, например щелочных металлов, при температуре выше температуры плавления металла-восстановителя не менее чем на 50 К, но ниже его температуры кипения, и осаждении кремния на подложку при температуре не менее чем на 10 К ниже температуры расплава, но выше температуры плавления химически активного металла-восстановителя. Способ осуществляют в неизотермическом циркуляционном контуре. В зоне осаждения кремния возможно использовать затравку монокристаллического кремния с охлаждаемой поверхностью. В результате использования изобретения снижается стоимость производства кремния и повышается производительность труда. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к способу выделения кремния из кремнефторида щелочного металла и может быть использовано в радиоэлектронике и энергетике, например, при производстве солнечных батарей, и в других отраслях народного хозяйства.
Известны способы получения кремния из кремнефтористых соединений натрия и калия (1. Патент США 4442082, кл. С 01 В 33/02. 2. Патент США 4446120, кл. С 01 В 33/02.).
Эти способы заключаются в термическом разложении кремнефторида с выделением тетрафторида кремния (SiF4):
Na2SiF6 <=> SiF4 + 2 NaF (1)
K2SiF6 <=> SiF4 + 2 KF (2)
Тетрафторид кремния восстанавливается до элементарного кремния:
SiF4 + 4 NaF <=> Si + 4 NaF (3)
SiF4 + 2 Ca <=> Si + 2 CaF2 (4)
Недостатками этих способов являются необходимость работать с газообразным токсичным SiF4, трудность отделения кремния от фторида металла-восстановителя, т.к. реагенты используются в стехиометрических количествах, а конечные продукты находятся в смеси твердых продуктов Si и NaF.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является способ, в котором при реакции между Na2SiF6 и натрием формируется смесь Si и NaF. Смесь плавится нагреванием в инертном газе, затем охлаждается до комнатной температуры для отделения Si от растворенных продуктов. Na2SiF6 воспроизводится добавлением SiO2 к NaF и вновь используется в реакции с натрием для получения кремния (3. JР 57071813, 1982г.).
Недостатками этого способа являются необходимость осуществления дополнительных процедур, связанных с отделением кремния от фторида натрия и других примесей материалов, выделением Si из смеси Si с NaF и выделением монокристаллического кремния.
Для исключения указанных недостатков в способе выделения кремния, включающем восстановление его металлом-восстановителем из кремнефторида щелочного металла предлагается:
- процесс вести в неизотермическом циркуляционном контуре, содержащем зону восстановления и зону осаждения кремния на подложку;
- восстановление вести при температуре выше температуры плавления металла-восстановителя не менее чем на 50 К, но ниже температуры его кипения;
- в зоне осаждения поддерживать температуру не менее чем на 10 К ниже температуры расплава, но выше температуры плавления металла-восстановителя.
Кроме того предлагается:
- в качестве металла-восстановителя использовать, например, щелочные металлы или их эвтектические смеси;
- в зоне осаждения Si применять затравку монокристаллического кремния с охлаждаемой поверхностью.
Принципиальная схема осуществления способа выделения кремния представлена на чертеже, где приняты следующие обозначения: 1 - устройство перемещения контейнера с Na2SiF6; 2 - рабочий участок; 3 - система охлаждения; 4 - зона восстановления, подложка для осаждения кремния; 5 - печь; 6 - контейнер с Na2SiF6; 7 - сетка; 8 - сливной бак; 9 - зона восстановления; Ar - линия подачи аргона.
Способ выделения кремния состоит из восстановления его металлом-восстановителем из кремнефторида щелочного металла, например из Na2SiF6, K2SiF6.
Процесс ведут в неизотермическом циркуляционном контуре, содержащем зону восстановления кремния из кремнефторида щелочного металла.
Восстановление ведут при температуре выше температуры плавления металла-восстановителя не менее чем на 50 К, но ниже температуры его кипения.
В зоне осаждения поддерживают температуру не менее чем на 10 К ниже температуры расплава, но выше температуры плавления металла-восстановителя.
Процесс восстановления кремния проводят при температуре в зоне восстановления (Траб.макс, К), определяемой из соотношения:
Тпл. + 50 < Траб.макс < Ткип (5)
и температуре осаждения (Тосажд., К) в зоне осаждения, определяемой из соотношения:
Тпл. < Тосажд. < Траб.макс-10 К, (6)
где Тпл. - температура плавления жидкого металла-восстановителя, К;
Ткип. - температура кипения жидкого металла-восстановителя, К.
Фактически в расплаве металла-восстановителя одновременно протекают следующие процессы: растворение кремнефторида щелочного металла; восстановление четырехвалентного кремния до элементарного состояния; осаждение элементарного кремния на подложке.
Эти процессы, например, при использовании в качестве металла-восстановителя натрия характеризуются реакциями (7-9):
Na + Na2SiF6 <=> (Na. Na2 SiF6) p-p; (7)
(Na. Na2SiF6) p-p <=> Na + NaF Si p-p; (8)
Si p-p + подложка <=> Si подложка. (9)
В качестве металла-восстановителя можно использовать щелочные металлы, например Na, К, Li, или их эвтектические смеси.
Для выделения монокристаллического кремния можно использовать затравку монокристаллического кремния с охлаждаемой поверхностью.
Экспериментальные исследования авторов позволили выбрать металлы-восстановители и температурные режимы, при которых подавляется выход экологически вредного газа F2 и других фторсодержащих соединений, возникших в результате образования растворенного в металле-восстановителе фторида щелочного металла. При использовании Na и Na2SiF6 давление насыщающих паров NaF меньше 10-7 МПа при 1000 К и не превышает предельно допустимой концентрации (ПДК) для соединений фтора, равной 1 мг/м3, а давление F2 при диссоциации NaF при 1000 К меньше 10-39 МПа, что в обоих случаях не превышает ПДК для соединений, содержащих фтор. Значения ПДК даны в справочнике "Вредные вещества в промышленности" / Под ред. Н.В. Лазарева. Л.: Химия, 1997/.
При превышении концентрации насыщения в металле-восстановителе фторид должен высадиться из раствора и в дальнейшем может быть использован в промышленности как товарный продукт. При этом осаждение фторида щелочного металла происходит в области размещения кремнефторида щелочного металла.
Для выделения монокристаллического кремния можно использовать затравку монокристаллического кремния с охлаждаемой поверхностью.
Затравка расположена в зоне осаждения.
Процессы, характерные для кремнефторида натрия, свойственны и для процессов, имеющих место при использовании кремнефторида калия.
Примеры осуществления способа
Пример 1. Использовали рабочий участок выделения кремния на подложках (чертеж). Рабочий участок заполняли натрием, очищенным методом его отстаивания в емкости при температуре около 376 К. Чистота использованного натрия составляла 99,95%. Содержание кислорода в натрии составляло около 10 мг/кг.
Кремнефторид натрия в количестве 4,9 г помещали в сетчатый контейнер, помещенный в натрий.
Систему вакуумировали до разрежения менее 0,01 МПа и подавали давление аргона 1,1 МПа с содержанием кислорода менее 10 мг/кг и азота менее 80 мг/кг.
Проводили разогрев зоны восстановления до температуры 434-503 К в нижней части рабочего участка. Подложки в зоне осаждения выдерживали в течение 70 ч, при перепаде температуры до 40 К. Зона восстановления расположена в нижней части рабочего участка. Увеличения давления в газовой полости рабочего участка не наблюдали. После подъема подложек над уровнем натрия без разгерметизации рабочего участка производили вакуумную дистилляцию натрия при 620 К в течение 2 ч. После охлаждения рабочего участка до комнатной температуры подложки обследовали. Установлено, что кремний высадился на подложке из циркония слоем толщиной около 4-5 мкм. Причем обнаружена резкая граница между кремнием и цирконием.
Содержание натрия в кремнии после вакуумной дистилляции натрия при 620 К в течение 2 ч без промывки водой находилось на уровне менее 0,01% мас.
Оставшийся после вакуумной дистилляции в рабочем участке натрий содержал в среднем 0,22% мас. NaF и 0,026% мас. Si.
Пример 2. Проведено исследование процесса восстановления Na2SiF6 в натрии в течение 142 ч при температуре в зоне восстановления 463-563 К и осаждения Si при температуре на 10-50 К ниже температуры в зоне восстановления. Средняя скорость осаждения кремния на подложку циркония составила 0,45 г/м2•ч. Состав соответствовал природному изотопному составу кремния. Содержание примесей при анализе кремния на поверхности подложки из циркония было ниже, чем в монокристаллическом кремнии ГОСТ 19658-81 от 27.02.81.
Эксперименты по осаждению монокристаллического кремния показали, что содержание примесей в нем не выше, чем в исходном кремнии монокристаллической затравки.
Пример 3. Проведены экспериментальные исследования восстановления K2SiF6 в калии при температуре в зоне восстановления 703-723 К и при температуре осаждения Si на 100-150 К ниже, чем в зоне восстановления в течение 110 ч.
Средняя скорость осаждения кремния составила 0,087 г/м2•ч.
Пример 4. Проведены экспериментальные исследования восстановления К2SiF6 в эвтектическом сплаве натрия с калием при температуре в зоне восстановления 303-323 К и осаждения кремния при температуре на 20 К в течение 100 ч.
Средняя скорость осаждения кремния составила 0.03 г/м2•ч.
В результате использования способа достигается требуемый результат.

Claims (3)

1. Способ выделения кремния, включающий восстановление его металлом-восстановителем из кремнефторида щелочного металла, отличающийся тем, что процесс ведут в неизотермическом циркуляционном контуре, содержащем зону восстановления и зону осаждения кремния на подложку, при этом восстановление ведут при температуре выше температуры плавления металла-восстановителя не менее чем на 50 К, но ниже температуры его кипения, а в зоне осаждения поддерживают температуру не менее чем на 10 К ниже температуры расплава, но выше температуры плавления металла-восстановителя.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве металла-восстановителя используют щелочные металлы или их эвтектические смеси.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в зоне осаждения кремния используют затравку монокристаллического кремния с охлаждаемой поверхностью.
RU2000102472A 2000-02-03 2000-02-03 Способ выделения кремния RU2181104C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000102472A RU2181104C2 (ru) 2000-02-03 2000-02-03 Способ выделения кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000102472A RU2181104C2 (ru) 2000-02-03 2000-02-03 Способ выделения кремния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000102472A RU2000102472A (ru) 2002-01-10
RU2181104C2 true RU2181104C2 (ru) 2002-04-10

Family

ID=20230098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000102472A RU2181104C2 (ru) 2000-02-03 2000-02-03 Способ выделения кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2181104C2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2451635C2 (ru) * 2007-08-01 2012-05-27 Бостон Силикон Матириалз Ллк Способ получения высокочистого элементного кремния
WO2015006557A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 The Penn State Research Foundation Mesoporous silicon synthesis and applications in li-ion batteries and solar hydrogen fuel cells

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2451635C2 (ru) * 2007-08-01 2012-05-27 Бостон Силикон Матириалз Ллк Способ получения высокочистого элементного кремния
WO2015006557A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 The Penn State Research Foundation Mesoporous silicon synthesis and applications in li-ion batteries and solar hydrogen fuel cells
US9656243B2 (en) 2013-07-10 2017-05-23 The Penn State Research Foundation Mesoporous silicon synthesis and applications in Li-ion batteries and solar hydrogen fuel cells

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7943109B2 (en) Process for the production of Si by reduction of SiCl4 with liquid Zn
JP4899167B2 (ja) 液体金属を用いたGeCl4の還元によるGeの製造方法
US9567227B2 (en) Process for producing silicon, silicon, and panel for solar cells
NL8320390A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verkrijgen van silicium uit kiezelfluorwaterstofzuur.
NO171778B (no) Fremgangsmaate for raffinering av silisium
RU2451635C2 (ru) Способ получения высокочистого элементного кремния
US20120082610A1 (en) Fluorspar/Iodide process for reduction,purificatioin, and crystallization of silicon
US20170057831A1 (en) Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon
NO175299B (no) Fremgangsmåte for kontinuerlig raffinering av silisium
EP1437326B1 (en) Method for producing silicon
US5176741A (en) Producing titanium particulates from in situ titanium-zinc intermetallic
KR20020048947A (ko) 다결정질의 알칼리-금속 또는 알칼리-토금속플루오르화물의 비드, 이의 제조방법 및 이의 용도
JPS58156520A (ja) 高純度ケイ素の半連続製造方法
EA009888B1 (ru) Способ получения чистого кремния
RU2181104C2 (ru) Способ выделения кремния
WO2008034578A1 (en) Process for the production of germanium-bearing silicon alloys
JP2010052960A (ja) 高純度シリコンの製造方法及び製造装置並びに高純度シリコン
WO2008145236A1 (en) Economical process for the production of si by reduction of sicl4 with liquid zn
US20140341795A1 (en) Fluorspar/Iodide Process for Reduction, Purification, and Crystallization of Silicon
EP1903005A1 (en) Production of Si by reduction of SiCI4 with liquid Zn, and purification process
EP1903006A1 (en) Process for the production of Si by reduction of SiHCI3 with liquid Zn
US20100024882A1 (en) Process for the Production of Si by Reduction of SiHCl3 with Liquid Zn
EP1903007A1 (en) Process for the production of germanium-bearing silicon alloys
JPH0755813B2 (ja) 珪素からの不純物除去法
WO2008034576A1 (en) PRODUCTION OF Si BY REDUCTION OF SiCL4 WITH LIQUID Zn, AND PURIFICATION PROCESS

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20160315

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170204