RU2137256C1 - Гибридная интегральная схема свч-диапазона - Google Patents

Гибридная интегральная схема свч-диапазона Download PDF

Info

Publication number
RU2137256C1
RU2137256C1 RU98111686/25A RU98111686A RU2137256C1 RU 2137256 C1 RU2137256 C1 RU 2137256C1 RU 98111686/25 A RU98111686/25 A RU 98111686/25A RU 98111686 A RU98111686 A RU 98111686A RU 2137256 C1 RU2137256 C1 RU 2137256C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
board
recess
capacitor
integrated circuit
metallization
Prior art date
Application number
RU98111686/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.А.(RU) Иовдальский
В.А. Иовдальский
Э.В.(RU) Айзенберг
Э.В. Айзенберг
В.И.(RU) Бейль
В.И. Бейль
М.И.(RU) Лопин
М.И. Лопин
Original Assignee
Самсунг Электроникс Ко., Лтд
Иовдальский Виктор Анатольевич
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Самсунг Электроникс Ко., Лтд, Иовдальский Виктор Анатольевич filed Critical Самсунг Электроникс Ко., Лтд
Application granted granted Critical
Publication of RU2137256C1 publication Critical patent/RU2137256C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0191—Dielectric layers wherein the thickness of the dielectric plays an important role
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09054—Raised area or protrusion of metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09672—Superposed layout, i.e. in different planes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09981—Metallised walls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/171—Tuning, e.g. by trimming of printed components or high frequency circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/175—Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углублении составляет 1-400 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик схемы. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к области электронной техники, а более точно касается гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне. Плата имеет металлизированное отверстие, соединяющее посадочную площадку в составе топологического рисунка металлизации с экранной заземляющей металлизацией. Конденсатор нижней своей обкладкой закреплен на посадочной площадке, а верхняя обкладка проволочным выводом соединяет конденсатор с другими частями схемы. Плата обратной стороной соединена с металлическим заземленным основанием (Hyper World, September 1990, numero 2.Thomson composents microondes. 20th European microwave conference. 90 the international conference and exhibition designed for the microwave community, conference proceeding. Volume 1. Duna intercontinental hotel Budapest. Hungary 10-13 September published by microwave exhibitions publishers limited).
Вышеописанной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона присущи низкие электрические характеристики, связанные с относительно большой паразитной индуктивностью заземляющего металлизированного отверстия, а также низкими массогабаритными параметрами, связанными с большой высотой схемы.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с отверстием, имеющую топологический рисунок металлизации на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне и соединенную обратной стороной с металлическим основанием, конденсатор, размещенный в отверстии платы и закрепленный нижней обкладкой на металлическом заземленном основании, а верхняя обкладка конденсатора соединена проволочным проводником с топологическим рисунком металлизации (Microwaves and RF, 1986, vol. N 9, p. 232).
Указанной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона присущи низкие электрические параметры, вызванные большой паразитной индуктивностью соединения верхней обкладки конденсатора с топологическим рисунком металлизации, и низкие массогабаритные характеристики, связанные с большими линейными размерами из-за больших расстояний между верхней обкладкой конденсатора и топологическим рисунком металлизации.
В основу изобретения была положена задача создания гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, конструктивное выполнение которой обеспечивало бы улучшение электрических и массогабаритных характеристик схемы.
Поставленная задача решается тем, что в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, электрически соединенной с металлическим основанием, конденсатор, электрически соединенный первой обкладкой с основанием, а второй обкладкой электрически соединенный с топологическим рисунком металлизации, согласно настоящему изобретению на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит первой обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы над или под углублением служит диэлектриком конденсатора, а вторая обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углублении составляет 1-400 мкм.
На лицевой стороне платы может быть выполнено встречное металлизированное углубление, расположенное над углублением в обратной стороне платы, причем металлизация которого служит второй обкладкой конденсатора и электрически соединена с топологическим рисунком металлизации.
На металлическом основании может быть выполнен выступ, расположенный в углублении платы и электрически соединенный с металлизаций углубления, причем расстояние между боковыми стенками углубления и боковыми стенками выступа равно 0,001-5,0 мм.
Углубление в плате целесообразно заполнить электропроводящим материалом.
В составе топологического рисунка металлизации над углублением могут быть выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
Выполнение металлизированного углубления на обратной стороне платы и использование металлизации углубления в качестве одной нижней обкладки конденсатора, оставшейся толщины платы в углублении в качестве диэлектрика, и формирование второй (верхней) обкладки конденсатора в составе топологического рисунка металлизации на лицевой стороне платы позволяет формировать конденсатор в объеме платы и, тем самым, улучшить массогабаритные характеристики схемы.
Ограничение остаточной толщины платы в углублении снизу обусловлено прочностью платы, а сверху - минимальной емкостью и максимальной площадью конденсатора, которые могут быть использованы в схеме и обеспечить улучшение массогабаритных характеристик.
Выполнение выступа на металлическом основании, расположение его в углублении на обратной стороне платы и электрическое соединение металлизации углубления с выступом обеспечивает снижение паразитной индуктивности заземления, а значит, улучшает электрические характеристики схемы.
Ограничение расстояния между выступом и стенками углубления снизу обусловлено возможностью смещения выступа к одной из стенок углубления, а сверху - соображениями прочности дна углубления.
Выполнение встречного металлизированного углубления на лицевой стороне платы над углублением в обратной стороне повышает технологичность схемы.
Выполнение углубления на лицевой стороне платы и заполнение его электропроводящим материалом позволяет создать соединение обкладки конденсатора с топологическим рисунком металлизации с малой паразитной индуктивностью, а значит, улучшить электрические параметры.
Наличие элементов для подстройки конденсатора в составе топологического рисунка металлизации, соединенных с верхней обкладкой и расположенных над углублением, позволяет получать более точные значения емкости конденсатора и, тем самым, улучшить электрические параметры.
Далее изобретение поясняется описанием конкретных примеров его выполнения и прилагаемыми чертежами, на которых:
фиг. 1 изображает патентуемую гибридную интегральную схему СВЧ-диапазона (разрез);
фиг. 2 - то же, что на фиг. 1 (вид сверху);
фиг. 3 - другой вариант выполнения патентуемой гибридной интегральной схемы (разрез);
фиг. 4 - еще один вариант выполнения схемы, согласно изобретению (разрез);
фиг. 5 - один из вариантов выполнения схемы, согласно изобретению (разрез).
Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона согласно изобретению содержит диэлектрическую плату 1 (фиг. 1), например, поликоровую с топологическим рисунком 2 металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией 3, структурой, например, Ti (100 Ом/мм2) - Pd (0,2 мкм) - Au (3 мкм) на обратной стороне. Плата 1 соединена, например спаяна, с металлическим заземляющим основанием 4.
Конденсатор 5 закреплен первой обкладкой (нижней) 6 на металлическом основании 4. Вторая обкладка (верхняя) 7 (фиг.2) конденсатора 5 электрически соединена с топологическим рисунком 2 металлизации.
На обратной стороне платы 1 (фиг. 1) выполнено металлизированное углубление 8, структура металлизации, например, Pd - Ni (0,12 мкм) - Au (2 мкм). Металлизация углубления 8 служит первой обкладкой (нижней) 6 конденсатора 5. Оставшаяся часть 9 платы 1 над углублением 8 служит диэлектриком конденсатора 5, разделяющим обкладки 6 и 7. Вторая обкладка 7 (верхняя) расположена на лицевой стороне платы 1 и является частью топологического рисунка 2 металлизации. Остаточная толщина платы 1 в углублении 8 составляет, например, 70 мкм.
На металлическом основании 4 выполнен выступ 10, расположенный в углублении 8 платы 1 и электрически соединенный с металлизацией углубления 8. Расстояние между боковыми стенками углубления 8 и боковыми стенками выступа 10 равно 0,2 мм (то есть, например, при размерах выступа 1,0 • 1,0 мм размер углубления 8 имеет размеры 1,4 • 1,4 мм).
На лицевой стороне платы 1 (фиг. 3) выполнено встречное металлизированное углубление 11, расположенное над углублением 8 в обратной стороне платы 1. Металлизация углубления 11 служит верхней обкладкой 7 конденсатора 5 и электрически соединена с топологическим рисунком 2 металлизации.
Металлизированное углубление 12 (фиг. 4) может быть выполнено только на лицевой стороне платы 1.
Углубления 8, 11, 12 в плате 1 могут быть заполнены электропроводящим материалом 13 (фиг. 5).
В составе топологического рисунка 2 металлизации могут быть выполнены элементы 14 (фиг. 2) для подстройки конденсатора 5, электрически соединенные с верхней обкладкой 7 и расположенные над углублением 8.
Схема согласно изобретению работает следующим образом.
Сигнал поступает на верхнюю обкладку 7 (фиг. 1) конденсатора 5, возникающий на нижней обкладке 6 конденсатора 5 заряд заземляется через выступ 10 металлического основания 4 или непосредственно через металлическое заземляющее основание 4.
Использование патентуемой интегральной схемы позволяет улучшить электрические характеристики за счет уменьшения паразитной индуктивности соединений конденсатора с топологическим рисунком металлизации, улучшить массогабаритные характеристики за счет встраивания конденсаторов в объем платы.
Кроме того, схема согласно изобретению позволяет повысить надежность схемы за счет сокращения числа сварных соединений и снизить расход драгоценного металла.
При описании рассматриваемых вариантов осуществления изобретения для ясности используется конкретная узкая терминология. Однако изобретение не ограничивается принятыми терминами и необходимо иметь в виду, что каждый такой термин охватывает все эквивалентные термины, работающие аналогично и используемые для решения тех же задач.
Хотя настоящее изобретение описано в связи с предпочтительным видом реализации, понятно, что могут иметь место изменения и варианты без отклонения от идеи и объема изобретения, что компетентные в данной области лица легко поймут.
Эти изменения и варианты считаются не выходящими за рамки сущности и объема изобретения и прилагаемых пунктов формулы изобретения.

Claims (8)

1. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, электрически соединенной с металлическим основанием, конденсатор, электрически соединенный первой обкладкой с основанием, а второй обкладкой, электрически соединенной с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что на обратной или лицевой стороны платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит первой обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы над или под углублением служит диэлектриком конденсатора, а вторая обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углубление составляет 1 - 400 мкм.
2. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1, отличающаяся тем, что на лицевой стороне платы выполнено встречное металлизированное углубление, расположенное над углублением в обратной стороне платы, причем металлизация которого служит второй обкладкой конденсатора и электрически соединена с топологическим рисунком металлизации.
3. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что на металлическом основании выполнен выступ, расположенный в углублении платы и электрически соединенный с металлизацией углубления, причем расстояние между боковыми стенками углубления и боковыми стенками выступа равно 0,001 - 5,0 мм.
4. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что углубление в плате заполнено электропроводящим материалом.
5. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.3, отличающаяся тем, что углубление в плате заполнено электропроводящим материалом.
6. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
7. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.3, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
8. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.4 или 5, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
RU98111686/25A 1996-09-26 1996-09-26 Гибридная интегральная схема свч-диапазона RU2137256C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/RU96/00277 1996-09-26
PCT/RU1996/000277 WO1998013875A1 (fr) 1996-09-26 1996-09-26 Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2137256C1 true RU2137256C1 (ru) 1999-09-10

Family

ID=20130040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98111686/25A RU2137256C1 (ru) 1996-09-26 1996-09-26 Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6294827B1 (ru)
JP (1) JP3965214B2 (ru)
RU (1) RU2137256C1 (ru)
SE (1) SE522046C2 (ru)
WO (1) WO1998013875A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815074C1 (ru) * 2023-05-10 2024-03-11 Акционерное общество "МЦСТ" Гибридное посадочное место конденсаторов

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030062610A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Kovacs Alan L. Multilayer thin film hydrogen getter
GB2383467A (en) * 2001-12-21 2003-06-25 Marconi Comm Gmbh Trimming capacitor element in integrated circuit device with plate portions short-circuited by laser pulse
KR100547709B1 (ko) * 2003-07-07 2006-01-31 삼성전자주식회사 자기 치유 파장분할다중방식 수동형 광 가입자망
US8169772B2 (en) 2007-05-01 2012-05-01 Avx Corporation Precision laser adjustable thin film capacitors
RU2537695C1 (ru) * 2013-06-18 2015-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона
CN104320909B (zh) * 2014-10-27 2017-06-30 皆利士多层线路版(中山)有限公司 高阶梯铜电路板及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU546240A1 (ru) * 1975-03-25 1978-09-25 Предприятие П/Я Г-4515 Микросхема
US4150393A (en) * 1975-09-29 1979-04-17 Motorola, Inc. High frequency semiconductor package
FR2484704A1 (fr) * 1980-06-11 1981-12-18 Clei Alain Procede de fabrication de circuits hybrides a condensateurs et resistances integres et circuits obtenus par ce procede
KR900001394B1 (en) * 1985-04-05 1990-03-09 Fujitsu Ltd Super high frequency intergrated circuit device
DE68906219T2 (de) * 1988-08-25 1993-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Duennfilmkapazitaet und verfahren zur herstellung einer integrierten hybridmikrowellenschaltung.
US5162258A (en) * 1988-10-17 1992-11-10 Lemnios Zachary J Three metal personalization of application specific monolithic microwave integrated circuit
JPH03286601A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Res Dev Corp Of Japan マイクロ波共振器
US5063177A (en) * 1990-10-04 1991-11-05 Comsat Method of packaging microwave semiconductor components and integrated circuits
US5313175A (en) * 1993-01-11 1994-05-17 Itt Corporation Broadband tight coupled microstrip line structures
JPH09115919A (ja) * 1995-10-13 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3290360B2 (ja) * 1996-09-18 2002-06-10 株式会社東芝 マイクロ波集積回路
US5929729A (en) * 1997-10-24 1999-07-27 Com Dev Limited Printed lumped element stripline circuit ground-signal-ground structure

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Microwave and RF, 1986, vd. N 9, p.232. *
Черняев В.Н Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с. 13, 14. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815074C1 (ru) * 2023-05-10 2024-03-11 Акционерное общество "МЦСТ" Гибридное посадочное место конденсаторов

Also Published As

Publication number Publication date
US6294827B1 (en) 2001-09-25
SE9801817D0 (sv) 1998-05-25
WO1998013875A1 (fr) 1998-04-02
SE522046C2 (sv) 2004-01-07
JP2000503483A (ja) 2000-03-21
JP3965214B2 (ja) 2007-08-29
SE9801817L (sv) 1998-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6721153B2 (en) Wiring connection structure of laminated capacitor and decoupling capacitor, and wiring board
US4647148A (en) Fiber optic receiver module
US4420652A (en) Hermetically sealed package
EP0503200B1 (en) Package for microwave integrated circuit
US7309917B2 (en) Multilayer board and a semiconductor device
CN102473690B (zh) 具有屏蔽层和电容耦合芯片侧电源端子的半导体器件
JPH07501909A (ja) 多層の３次元構造における電界制御及び安定性強化
KR20010049257A (ko) 다층 커패시터, 배선기판, 감결합 회로 및 고주파 회로
RU98111688A (ru) Гибридная интегральная схема свч диапазона
RU2137256C1 (ru) Гибридная интегральная схема свч-диапазона
US6519134B1 (en) Universal capacitor terminal design
GB2227386A (en) Compact tunable waveguide oscillators
EP0884854A2 (en) Microwave detector
EP2013905A1 (en) A microwave chip supporting structure
RU2148872C1 (ru) Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона
US6529105B1 (en) Process and device for bonding two millimeter elements
EP0262493B1 (en) Electronic package with distributed decoupling capacitors
KR100425632B1 (ko) 마이크로웨이브하이브리드집적회로
US6239400B1 (en) Method and device for connecting two millimeter elements
RU2227345C2 (ru) Гибридная интегральная схема свч-диапазона
RU98111687A (ru) Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона
RU2183367C2 (ru) Гибридная интегральная схема свч диапазона
RU2302056C1 (ru) Гибридная интегральная схема свч-диапазона
US20040183191A1 (en) Semiconductor apparatus
JPH11298281A (ja) 表面実装型圧電デバイス及び圧電ユニット

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040927