RU2130221C1 - Матрица лазерных диодов - Google Patents

Матрица лазерных диодов Download PDF

Info

Publication number
RU2130221C1
RU2130221C1 RU96108180A RU96108180A RU2130221C1 RU 2130221 C1 RU2130221 C1 RU 2130221C1 RU 96108180 A RU96108180 A RU 96108180A RU 96108180 A RU96108180 A RU 96108180A RU 2130221 C1 RU2130221 C1 RU 2130221C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser diodes
heat exchanger
matrix
laser
trapezoidal prisms
Prior art date
Application number
RU96108180A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96108180A (ru
Inventor
В.В. Аполлонов
Г.И. Бабаянц
С.И. Державин
Б.Ш. Кишмахов
Ю.П. Коваль
В.В. Кузьминов
Д.А. Машковский
А.М. Прохоров
В.П. Смокалин
Original Assignee
Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" filed Critical Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника"
Priority to RU96108180A priority Critical patent/RU2130221C1/ru
Priority to DE69706468T priority patent/DE69706468T2/de
Priority to EP97400861A priority patent/EP0803949B1/fr
Priority to US08/840,602 priority patent/US5930279A/en
Priority to JP10613097A priority patent/JP3828237B2/ja
Publication of RU96108180A publication Critical patent/RU96108180A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2130221C1 publication Critical patent/RU2130221C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018—Lasers electrically in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Использование: в области полупроводниковых лазеров, также для эффективной накачки твердотельных лазеров, в волоконно-оптической связи, медицине и других областях техники. Техническим результатом изобретения является повышение плотности и однородности излучения матриц лазерных диодов, обеспечение конструктивной возможности упрощения способов электрической коммутации линеек лазерных диодов и возможности автоматизации процесса сборки. Сущность: на поверхности охлаждаемого теплообменника изготовлены трапецеидальные призмы, а поверхность которых покрыта теплопроводным и токопроводящим слоями. Линейки лазерных диодов установлены на боковых гранях трапецеидальных призм. Предложенная конструкция обеспечивает использование лазерных диодов с любым типом проводимости и несколько способов их коммутации. 4 з.п.ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и, в частности, к конструкциям матриц лазерных диодов.
Изобретение может быть использовано для накачки твердотельных лазеров, в волоконно-оптической связи, лазерной обработке материалов, компьютерной технике, мониторинге окружающей среды, медицине и т.п.
Для увеличения суммарной мощности излучения отдельные лазерные диоды конструктивно оформляют в линейки и в матрицы диодных лазеров.
Известны различные одномерные и двухмерные конструкции, объединяющие отдельные лазерные диоды в единый излучатель [1-4].
Известно, например, устройство [2], содержащее теплообменник 1 (фиг. 1), лазерные диоды 2, припаянные к охлаждаемой плоской поверхности теплообменника, поворотные зеркала 3, направляющие лазерное излучение в требуемом направлении. В известном устройстве обеспечены благоприятные условия для эффективного отвода тепла от поверхности лазерных диодов. Однако известная конструкция не позволяет получить высокую плотность излучения, т.к. она не обеспечивает удовлетворительного теплоотвода (мала площадь поверхности пирамиды, контактирующей с теплообменником), требовательна к высокой точности расположения отдельных элементов. Лазерные диоды перегреваются и быстро выходят из строя. Известное устройство не технологично в изготовлении.
Технической задачей изобретения является повышение плотности и однородности излучения матрицы лазерных диодов, повышение эффективности теплообмена и долговечности работы устройства, обеспечение конструктивной возможности упрощения способов электрической коммутации линеек лазерных диодов и удешевление всей конструкции за счет обеспечения возможности автоматизации процесса сборки.
Для решения поставленной задачи непосредственно на поверхности охлаждаемого теплообменника изготовлены эквидистантно расположенные трапецеидальные призмы, выполненные как единое целое с теплообменником (фиг. 3-4). Теплообменник изготовлен по пористой [6] или микроканальной технологии [5] из высокотеплопроводного (лучше не проводящего электрический ток материала - BeO2, SiC, алмаз и т.п.), материала, на который нанесена выравнивающая пленка. Для осуществления электрического контакта между линейками лазерных диодов поверхность теплообменника металлизирована по приведенным ниже схемам (фиг. 5-7). К металлической пленке, образованной на гранях каждой трапецеидальной призмы, установлены (например, припаяны) линейки лазерных диодов. Поскольку лазерные диоды расположены вблизи охлаждаемой поверхности и на достаточно массивном основании трапецеидальной призмы, то обеспечивается хороший отвод тепла от активной зоны матрицы лазерных диодов, повышается мощность лазерного излучения и благодаря перекрытию световых потоков увеличивается суммарная яркость источника. При этом достигается разумный компромисс по плотности упаковки поверхности теплообменника лазерными диодами.
Сопоставительный анализ с прототипом и другими источника информации показывает, что заявляемая матрица лазерных диодов находится в соответствии с критерием "новизна".
В зависимости от типа проводимости лазерных диодов использована либо последовательная, либо параллельно-последовательная схемы электрических соединений линеек лазерных диодов.
Если использованы линейки лазерных диодов с n-типом проводимости, имеющие все одинаковый (-) потенциал на металлизированной поверхности теплообменника, то оказывается реализованной параллельно-последовательная схема соединения линеек лазерных диодов (фиг. 5), при этом последовательно соединены параллельно включенные пары линеек лазерных диодов. В этом случае должны быть металлизированы впадины между трапецеидальными призмами, а на их вершинах обеспечены разрывы металлической пленки. Каждая V-образная токопроводящая шина предыдущей следующей впадины соединена проводником с токопроводящей пленкой следующей впадины (позиция 13, фиг. 5.).
Линейки лазерных диодов с n-типом проводимости с одним потенциалом (-) на металлизированной поверхности теплообменника могут быть соединены и последовательно, однако в этом случае линейки лазерных диодов присоедины (припаяны) только к одной стороне каждой трапецеидальной призмы (фиг. 6). Это, конечно. несколько уменьшает суммарную яркость источника, однако значительно упрощает схему электрических соединений. В этом случае металлизированы вершины трапецеидальных призм, а во впадинах реализованы разрывы металлической пленки.
Если использованы линейки лазерных диодов с различными потенциалами (фиг. 7) подложек лазерных диодов (n- и p-типов проводимости), то все они соединены последовательно за счет чередования линеек с разной полярностью подложек, при этом не требуется навесной монтаж.
Во всех трех случаях подложки лазерных диодов в каждой впадине попарно соединены V- образными токопроводящими шинами толщиной 50-200 мкм. Вся матрица собрана и спаяна одновременно на одном шаблоне.
Предложенная конструкция обеспечивает плотную упаковку линеек лазерных диодов и высокую плотность излучения матрицы лазерных диодов, что позволяет конструктивно достаточно просто обеспечить электрическую коммутацию линеек лазерных диодов, повысить эффективность теплообмена и долговечность работы предложенного устройства.
При сравнении формулы изобретения с другими техническими решениями в данной области техники не обнаружено решений, обладающих сходными признаками и решающих аналогичные технические задачи, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "изобретательский уровень".
На фиг. 1 изображена схема расположения лазерных диодов на поверхности теплообменника (аналог), где:
1 - теплообменник; 2 - лазерный диод; 3- поворотное зеркало.
На фиг. 2 приведена схема расположения линеек лазерных диодов на вертикальных поверхностях тонких прямоугольных призм (прототип), где:
1 - теплообменник; 4 - GaAs - подложка; 5 - теплоотводящая пластина; 6 - активный объем; 7 - соединительные проводники (монтажные провода); 8 - прямоугольные призмы.
На фиг. 3 представлен общий вид теплообменника, где:
1 - теплообменник; 9 - трапецеидальная призма; 10 - выравнивающее покрытие; 11 - пленка металлизации.
На фиг. 4 - вид теплообменника сверху и сбоку с характерными размерами его элементов.
На фиг. 5 - схема параллельно-последовательного соединения линеек лазерных диодов с n-типом проводимости:
а) схема металлизации;
б) эквивалентная электрическая схема соединений линеек лазерных диодов;
в) общая схема, конструктивные элементы, где:
2- лазерный диод; 9 - трапецеидальная призма; 11 - пленка металлизации; 12 - соединительная V-образная шина; 13 - соединительные проводники.
На фиг. 6 - схемы последовательного соединения линеек лазерных диодов n-типа проводимости:
а) схема металлизации;
б) эквивалентная электрическая схема;
в) общая схема, конструктивные элементы.
В этом случае линейки лазерных диодов припаяны только к одной стороне каждой трапецеидальной призмы (+), а медная шина (-) соединяет слой металлизации и лазерный диод в каждой впадине.
На фиг. 7 - схемы последовательного соединения линеек лазерных диодов n- и p-типов проводимости; разрывы электрической цепи во впадинах между трапецеидальными призмами, где:
а) схема металлизации;
б) эквивалентная электрическая схема;
в) конструктивные элементы.
Поверхность теплообменника отполирована до величины шероховатости 1-3 мкм. Угол α при вершине трапецеидальной призмы определен расходимостью излучения лазерных диодов. Подбором этого угла может быть обеспечена максимальная однородность излучения на заданном расстоянии от матрицы. Изменением угла α можно увеличивать или уменьшать число линеек лазерных диодов на единице площади матрицы. Вершины и впадины могут быть острыми, плоскими и закругленными, вид их определен способом электрической коммутации линеек лазерных диодов. Боковая поверхность трапецеидальной призмы должна быть больше ширины линейки лазерных диодов (~ 0,5 мм). Величина ее зависит от угла α. Технологически удобно, чтобы она была больше 0,8-1 мм. Если угол α выбран ~ 60o (типичная величина угла расходимости излучения лазерных диодов), то на длине 1 см моно разместить до 20 линеек лазерных диодов.
Толщина слоя металлизации и соединительных шин выбраны такими, чтобы они свободно пропускали рабочие токи до 100 А в импульсе длительностью 200-400 мкс. Толщина слоя металлизации поверхности теплообменника и соединительных шин выбрана 50-200 мкм.
Конструкция матрицы лазерных диодов позволяет осуществлять ее сборку в автоматическом режиме с помощью шаблона с таким же профилем, что и у матрицы лазерных диодов.
Один торец линейки диодных лазерных содержит 100% отражающее покрытие, чтобы излучение было направлено только в одну сторону - вверх.
Теплообменник установлен (например, вклеен) в корпус. В корпус вмонтированы вводы для подачи охлаждающей жидкости и контакты электрического питания.
Теплообменник может быть изготовлен из высокотеплопроводного материала (BeO2, SiC, алмаз и т. п.). Размер его может быть любым, но в конкретной реализации использована элементарная ячейка 1•1 см2. Стыкуя элементарные ячейки, можно получить матрицу лазерных диодов любого размера. Теплообменник может быть с микрокапиллярной либо с пористой структурой, через которую прокачивается охлаждающая жидкость.
Источники информации.
1. Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser. Patent number: 4,847,851, Jul. ll, 1989, USA.
2. Operating characteristics of high continuous power (50 w) twolimensional surtace-emmiting laser arrae. IEEE Photonics techology letters. vol. 5, N 3, March 1993, p. 281.
3. Laser diode array and method of fabrication thereof Patent number: 5, 128, 951, Jul. 7, 1992, USA.
4. Modular microchannel cooled heatsinks for hign average laser diode arrays. IEEE Journal of quantum electronics, vol. 28, N 4, April 1992, p. 966.
5. Разработка и исследование тепловых труб для охлаждения и термостабилизации зеркал технологических лазеров. Доклад на Минском международном формуле по тепло-массобмену, 24-27 мая 1988 г., г. Минск.
6. Высокопористые материалы в лазерной оптике. Проблемы и перспективы. Структура высокопористых материалов и их гидравлические и теплофизические свойства. Препринт ИОФ АН СССР N 66, 1988 г.

Claims (5)

1. Матрица лазерных диодов, содержащая линейки лазерных диодов, установленные на верхней поверхности теплообменника и соединенные по заданной схеме, отличающаяся тем, что на всей поверхности теплообменника выполнены эквидистантно расположенные трапецеидальные призмы, а верхняя поверхность теплообменника покрыта последовательно теплопроводной и токопроводящей пленками, каждая толщиной 50 - 20 мкм, причем на боковые поверхности трапецеидальных призм низкотемпературным припоем припаяны линейки лазерных диодов, а подложки лазерных диодов в каждой впадине попарно соединены V-образными токопроводящими шинами.
2. Матрица лазерных диодов по п.1, отличающаяся тем, что на боковые поверхности трапецеидальных призм припаяны линейки лазерных диодов n-типа проводимости, причем для обеспечения электрической коммутации линеек лазерных диодов выполнены разрывы токопроводящей пленки на вершинах трапецеидальных призм, а каждая V-образная токопроводящая шина предыдущей впадины соединена проводником с токопроводящей пленкой следующей впадины.
3. Матрицы лазерных диодов по п.1, отличающаяся тем, что на боковые поверхности трапецеидальных призм припаяны линейки лазерных диодов попеременно n- и р-типов проводимости, причем для обеспечения электрической коммутации выполнены разрывы токопроводящей пленки во впадинах между трапецеидальными призмами.
4. Матрица лазерных диодов по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник выполнен из микропористого теплопроводного материала.
5. Матрица лазерных диодов по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник выполнен по микроканальной схеме.
RU96108180A 1996-04-23 1996-04-23 Матрица лазерных диодов RU2130221C1 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96108180A RU2130221C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Матрица лазерных диодов
DE69706468T DE69706468T2 (de) 1996-04-23 1997-04-17 Diodenlaservorrichtung
EP97400861A EP0803949B1 (fr) 1996-04-23 1997-04-17 Dispositif laser à diodes
US08/840,602 US5930279A (en) 1996-04-23 1997-04-22 Diode laser device arranged in the form of semiconductor arrays
JP10613097A JP3828237B2 (ja) 1996-04-23 1997-04-23 ダイオードレーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96108180A RU2130221C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Матрица лазерных диодов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU96108180A RU96108180A (ru) 1998-07-27
RU2130221C1 true RU2130221C1 (ru) 1999-05-10

Family

ID=20179823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96108180A RU2130221C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Матрица лазерных диодов

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5930279A (ru)
EP (1) EP0803949B1 (ru)
JP (1) JP3828237B2 (ru)
DE (1) DE69706468T2 (ru)
RU (1) RU2130221C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005059626A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Uab Mgf 'sviesos Konversija' Brightness preserving laser beam shaper

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6295307B1 (en) * 1997-10-14 2001-09-25 Decade Products, Inc. Laser diode assembly
US6266353B1 (en) * 1999-07-30 2001-07-24 The Regents Of The University Of California Monolithic laser diode array with one metalized sidewall
US6647035B1 (en) * 2000-10-17 2003-11-11 The Regents Of The University Of California Ruggedized microchannel-cooled laser diode array with self-aligned microlens
US8134163B2 (en) 2008-08-11 2012-03-13 Taiwan Semiconductor Manfacturing Co., Ltd. Light-emitting diodes on concave texture substrate
US9293656B2 (en) * 2012-11-02 2016-03-22 Epistar Corporation Light emitting device
US8716723B2 (en) * 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US8995493B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US10244181B2 (en) 2009-02-17 2019-03-26 Trilumina Corp. Compact multi-zone infrared laser illuminator
US8995485B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
US20130223846A1 (en) 2009-02-17 2013-08-29 Trilumina Corporation High speed free-space optical communications
US10038304B2 (en) 2009-02-17 2018-07-31 Trilumina Corp. Laser arrays for variable optical properties
GB2477458B (en) * 2009-06-09 2012-03-07 Mitsubishi Electric Corp Multi-wavelength semiconductor laser device
JP5522977B2 (ja) 2009-06-09 2014-06-18 三菱電機株式会社 多波長半導体レーザ装置
CN102959811B (zh) * 2009-12-19 2016-06-29 三流明公司 用于组合用于数字输出的激光器阵列的***和方法
US8979338B2 (en) 2009-12-19 2015-03-17 Trilumina Corp. System for combining laser array outputs into a single beam carrying digital data
TWI446578B (zh) * 2010-09-23 2014-07-21 Epistar Corp 發光元件及其製法
US11095365B2 (en) 2011-08-26 2021-08-17 Lumentum Operations Llc Wide-angle illuminator module
DE102012209266A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren hierfür
US9510478B2 (en) * 2013-06-20 2016-11-29 Honeywell International Inc. Cooling device including etched lateral microchannels
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
CN105720478A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 西安炬光科技股份有限公司 一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器及其制备方法
US11025031B2 (en) 2016-11-29 2021-06-01 Leonardo Electronics Us Inc. Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods
CA3109659C (en) 2018-08-13 2023-10-31 Leonardo Electronics Us Inc. Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver
US11056854B2 (en) 2018-08-14 2021-07-06 Leonardo Electronics Us Inc. Laser assembly and related methods
US11296481B2 (en) 2019-01-09 2022-04-05 Leonardo Electronics Us Inc. Divergence reshaping array
US11752571B1 (en) 2019-06-07 2023-09-12 Leonardo Electronics Us Inc. Coherent beam coupler

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1597707A (en) * 1978-03-08 1981-09-09 Aei Semiconductors Ltd Electronic component assemblies
JPS5885368U (ja) * 1981-12-04 1983-06-09 沖電気工業株式会社 レ−ザダイオ−ドアレイ装置
US4881237A (en) * 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
JPH0323688A (ja) * 1989-06-21 1991-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法
NL9000161A (nl) * 1990-01-23 1991-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een drager en werkwijze voor het vervaardigen van de drager.
US5128951A (en) * 1991-03-04 1992-07-07 Karpinski Arthur A Laser diode array and method of fabrication thereof
US5349210A (en) * 1993-02-02 1994-09-20 Motorola, Inc. Optical reading head with angled array
JPH0851247A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Mitsubishi Electric Corp 集積型半導体レーザ装置の製造方法，及び集積型半導体レーザ装置
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
US5828683A (en) * 1997-04-21 1998-10-27 The Regents Of The University Of California High density, optically corrected, micro-channel cooled, v-groove monolithic laser diode array

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005059626A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Uab Mgf 'sviesos Konversija' Brightness preserving laser beam shaper
US7724437B2 (en) 2003-12-19 2010-05-25 Uab Mgf ‘Sviesos Konversija’ Brightness preserving laser beam shaper

Also Published As

Publication number Publication date
DE69706468T2 (de) 2002-05-16
EP0803949A3 (fr) 1998-03-04
US5930279A (en) 1999-07-27
DE69706468D1 (de) 2001-10-11
JP3828237B2 (ja) 2006-10-04
EP0803949B1 (fr) 2001-09-05
EP0803949A2 (fr) 1997-10-29
JPH1065267A (ja) 1998-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2130221C1 (ru) Матрица лазерных диодов
US4716568A (en) Stacked diode laser array assembly
RU2117371C1 (ru) Матрица лазерных диодов
US6855880B2 (en) Modular thermoelectric couple and stack
US5105430A (en) Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes
US7439549B2 (en) LED module
EP0502670B1 (en) Laser diode array
JP4127437B2 (ja) サーモモジュール
JPH0613717A (ja) レーザダイオードバー用の担体及び実装アセンブリ
TW377520B (en) Light-producing display element, method for connecting same to electric wiring substrate and method for manufacturing same
RU96108180A (ru) Матрица лазерных диодов
JPH02181982A (ja) 発光ダイオード回路
JP3476568B2 (ja) リニア・レーザー・アレイ
US6266353B1 (en) Monolithic laser diode array with one metalized sidewall
US7365264B2 (en) Thermoelectric converter and manufacturing method thereof
CN113437637A (zh) 激光器及其制备方法
US3577631A (en) Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
JP2554741B2 (ja) 半導体レーザアレイ装置
RU2142176C1 (ru) Источник света
US4864584A (en) Laser diode pumped ND:YAG laser and method of making same
US6208677B1 (en) Diode array package with homogeneous output
US20030193087A1 (en) Peltier module with durable power supply lines and exothermic module with built-in cooler
KR20100102661A (ko) 반도체 레이저 장치
RU80072U1 (ru) Матрица лазерных диодов
US5307360A (en) Method of wiring a row of lasers and a row of lasers wired by this method